專利名稱：發(fā)光二極管封裝構(gòu)造的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管封裝構(gòu)造，特別是涉及一種將所述發(fā)光二極管芯片及 所述穩(wěn)壓二極管分隔設(shè)在不同區(qū)域的發(fā)光二極管封裝構(gòu)造。
背景技術(shù)：
液晶顯示器(liquid crystal display, LCD)是利用液晶材料的特性來(lái)顯示圖像 的一種平板顯示裝置(flat panel display，F(xiàn)PD)，其相較于其他顯示裝置而言更具輕薄、 低驅(qū)動(dòng)電壓及低功耗等優(yōu)點(diǎn)，已經(jīng)成為整個(gè)消費(fèi)市場(chǎng)上的主流產(chǎn)品。然而，液晶顯示器的液 晶材料無(wú)法自主發(fā)光，必須借助外在提供光源，因此液晶顯示器中又另外設(shè)有背光模塊以 提供所需的光源。一般而言，背光模塊可分為側(cè)入式背光模塊和直下式背光模塊兩種形式。已知背 光模塊主要是以冷陰極熒光燈管(CCFL)、熱陰極熒光燈管(HCFL)及半導(dǎo)體發(fā)光組件作為 光源，而半導(dǎo)體發(fā)光組件主要又是利用發(fā)光二極管(LED)進(jìn)行發(fā)光，其相較于陰極熒光燈 管更為省電節(jié)能、使用壽命更長(zhǎng)，且體積更為輕巧，因而有逐漸取代陰極熒光燈管的趨勢(shì)， 發(fā)光二極管將是液晶顯示器的背光模塊未來(lái)的主要光源?，F(xiàn)今，發(fā)光二極管多以芯片的形式進(jìn)行半導(dǎo)體封裝，以作為發(fā)光二極管封裝構(gòu)造， 最后再與背光模塊的固定板接合。發(fā)光二極管產(chǎn)品封裝構(gòu)造的類型，有根據(jù)發(fā)光顏色、晶 粒材料、發(fā)光亮度、尺寸大小等情況特征來(lái)分類的。單個(gè)晶粒一般構(gòu)成點(diǎn)光源，多個(gè)晶粒組 裝一般可構(gòu)成面光源和線光源，作信息、狀態(tài)指示及顯示用，發(fā)光顯示器也是用多個(gè)晶粒， 通過(guò)晶粒的適當(dāng)連接(包括串聯(lián)和并聯(lián))與合適的光學(xué)結(jié)構(gòu)組合而成的，構(gòu)成發(fā)光顯示器 的發(fā)光段和發(fā)光點(diǎn)。其中，表面粘著封裝型的LED(SMD-LED)是貼于電路板表面，適合SMT 加工，可回流焊，可有效解決亮度、視角、平整度、可靠性、一致性等問(wèn)題，其也采用了更輕的 PCB板和反射層材料，改進(jìn)后去掉了直插引腳式LED較重的碳鋼材料引腳，使顯示反射層需 要填充的環(huán)氧樹(shù)脂更少，表面粘著封裝LED可輕易地將產(chǎn)品重量減輕一半，最終使應(yīng)用更 加完美。因此，表面粘著封裝型的LED已逐漸替代直插引腳式LED，應(yīng)用設(shè)計(jì)更靈活，特別是 在LED顯示市場(chǎng)中占有一定的份額，有加速發(fā)展趨勢(shì)。請(qǐng)參照?qǐng)D1所示，圖1揭示一種現(xiàn)有發(fā)光二極管封裝構(gòu)造的側(cè)剖視圖。如圖1所 示，一種現(xiàn)有發(fā)光二極管封裝構(gòu)造90包含一殼體91、一第一電極片92、一第二電極片93、 一發(fā)光二極管芯片94、一穩(wěn)壓二極管95及一透光封裝部96。所述殼體91的頂面設(shè)有一凹 部911 ；所述第一電極片92的一部分裸露于所述凹部911的底部，另一部分延伸至所述殼 體91外，以使用于與外部的電性連接；所述第二電極片93的一部分裸露于所述凹部911的 底部，另一部分延伸至所述殼體91外，以使用于與外部的電性連接；所述發(fā)光二極管芯片 94裸露于所述凹部911之內(nèi)，其第一電極電性連接于所述第一電極片上，其第二電極通過(guò) 一第一引線941電性連接于所述第二電極片93 ；所述透光封裝部96，填補(bǔ)于所述凹部911 并且封裝所述凹部911內(nèi)之各組件，所述發(fā)光二極管芯片94的光線能通過(guò)所述透光封裝部 96向上方發(fā)射。
然而，在現(xiàn)有的所述發(fā)光二極管封裝構(gòu)造90中，為了使所述發(fā)光二極管芯片94避 免由于靜電而被擊穿，往往會(huì)并聯(lián)一個(gè)或一組所述穩(wěn)壓二極管95來(lái)解決這樣的問(wèn)題。請(qǐng)同 時(shí)參照?qǐng)D1及圖2所示，其中圖2是圖1的現(xiàn)有發(fā)光二極管封裝構(gòu)造的電路示意圖。在所 述發(fā)光二極管封裝構(gòu)造90中，所述穩(wěn)壓二極管95是設(shè)于所述殼體91之上，亦即設(shè)于所述 第二電極片93之上，其第一電極位于下端電性連接于所述第二電極片93上，其第二電極位 于上端通過(guò)一第二引線951電性連接于所述第一電極片92。也就是說(shuō)，所述穩(wěn)壓二極管95 與所述發(fā)光二極管芯片94是形成并聯(lián)的狀態(tài)，且所述穩(wěn)壓二極管95是呈反向偏壓的設(shè)置。 因此，所述穩(wěn)壓二極管95可以起到保護(hù)所述發(fā)光二極管芯片94避免被靜電擊穿的功用。但 是，所述穩(wěn)壓二極管95是設(shè)置于所述第二電極片93的上方，即位于所述殼體91的上方，也 就是位于所述透光封裝部96之內(nèi)。并且，由于所述穩(wěn)壓二極管95的外觀是無(wú)法透光且多 呈現(xiàn)黑色的，因此，所述穩(wěn)壓二極管95因具有擋光及吸光的性質(zhì)，會(huì)引影響到所述發(fā)光二 極管芯片94的部分光通量，降低所述發(fā)光二極管封裝構(gòu)造90的發(fā)光效能。故，有必要提供一種發(fā)光二極管封裝構(gòu)造，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的主要目的是提供一種發(fā)光二極管封裝構(gòu)造，其通過(guò)將發(fā)光二極管芯片及 穩(wěn)壓二極管分別設(shè)置于殼體的發(fā)光區(qū)及穩(wěn)壓區(qū)之內(nèi)，以避免因穩(wěn)壓二極管吸收光線而影響 到發(fā)光二極管芯片的光通量，從而提高了發(fā)光二極管封裝構(gòu)造的整體發(fā)光效能。本發(fā)明的次要目的是提供一種發(fā)光二極管封裝構(gòu)造，其通過(guò)將第一電極片及第二 電極片都有一部分裸露于發(fā)光區(qū)及穩(wěn)壓區(qū)之內(nèi)，以電性連接于位于發(fā)光區(qū)的的發(fā)光二極管 以及位于穩(wěn)壓區(qū)的穩(wěn)壓二極管。本發(fā)明的另一目的是提供一種發(fā)光二極管封裝構(gòu)造，其通過(guò)將熱沉金屬片裸露于 發(fā)光區(qū)內(nèi)，以將發(fā)光二極管芯片熱性連接于熱沉金屬片上，以導(dǎo)出發(fā)光二極管芯片所產(chǎn)生 的熱能。為達(dá)上述目的，本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管封裝構(gòu)造，其包含一殼體，頂面設(shè)有一凹部，所述凹部?jī)?nèi)包含一擋墻并將所述凹部分隔為一發(fā)光區(qū)及一穩(wěn)壓區(qū)；一第一電極片，一部分裸露于所述發(fā)光區(qū)之內(nèi)，一部分裸露于所述穩(wěn)壓區(qū)之內(nèi)，及 一部分延伸至所述殼體外；一第二電極片，一部分裸露于所述發(fā)光區(qū)之內(nèi)，一部分裸露于所述穩(wěn)壓區(qū)之內(nèi)，及 一部分延伸至所述殼體外；一發(fā)光二極管芯片，設(shè)于所述發(fā)光區(qū)之內(nèi)，所述發(fā)光二極管芯片的一第一電極電性連接于所述第一電極片，所述發(fā)光二極管芯片的一第二電極電性連 接于所述第二電極片；及至少一穩(wěn)壓二極管，設(shè)于所述穩(wěn)壓區(qū)之內(nèi)，所述穩(wěn)壓二極管的一第二電極電性連 接于所述第一電極片，所述穩(wěn)壓二極管的一第一電極電性連接于所述第二電極片。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述發(fā)光二極管封裝構(gòu)造還包括一熱沉金屬片，一部分 裸露于所述發(fā)光區(qū)之內(nèi)，及一部份延伸至所述殼體外；所述發(fā)光二極管芯片設(shè)置于所述熱 沉金屬片上。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述擋墻的高度低于所述殼體的一外墻的高度，所述發(fā) 光二極管封裝構(gòu)造還包含一封裝部，其封裝在所述凹部的所述發(fā)光區(qū)及所述穩(wěn)壓區(qū)內(nèi)，以 包覆保護(hù)位于所述發(fā)光區(qū)的第一電極片、第二電極片、熱沉金屬片及發(fā)光二極管芯片，以及 包覆保護(hù)位于所述穩(wěn)壓區(qū)的第一電極片、第二電極片及穩(wěn)壓二極管，其中所述封裝部為一 透光封裝部。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述擋墻的高度等于所述殼體的一外墻的高度，所述發(fā) 光二極管封裝構(gòu)造還包含一第一封裝部及一第二封裝部，分別封裝在所述發(fā)光區(qū)及所述穩(wěn) 壓區(qū)內(nèi)，所述第一封裝部用以包覆保護(hù)位于所述發(fā)光區(qū)的第一電極片、第二電極片、熱沉金 屬片及發(fā)光二極管芯片，所述第二封裝部用以包覆保護(hù)位于所述穩(wěn)壓區(qū)的第一電極片、第 二電極片及穩(wěn)壓二極管，其中封裝所述發(fā)光區(qū)的所述封裝部為一透光封裝部。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述發(fā)光二極管芯片設(shè)于所述第一電極片上。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述擋墻的高度小于或等于所述殼體的一外墻的高度。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述發(fā)光二極管芯片的第一電極及第二電極分別通過(guò)導(dǎo) 電銀膠或弓丨線與所述發(fā)光區(qū)內(nèi)的所述第一電極片及所述第二電極片電性連接。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述穩(wěn)壓二極管的第一電極及第二電極分別通過(guò)導(dǎo)電銀 膠或引線與所述穩(wěn)壓區(qū)內(nèi)的所述第二電極片及所述第一電極片電性連接。本發(fā)明的所述發(fā)光二極管封裝構(gòu)造通過(guò)將所述發(fā)光二極管芯片及所述穩(wěn)壓二極 管分別設(shè)置于所述殼體的所述發(fā)光區(qū)及所述穩(wěn)壓區(qū)之內(nèi)，以避免因所述穩(wěn)壓二極管吸收光 線而影響到所述發(fā)光二極管芯片的光通量，從而提高了所述發(fā)光二極管封裝構(gòu)造的整體發(fā) 光效能。

圖1 一種現(xiàn)有發(fā)光二極管封裝構(gòu)造的剖視圖。圖2 圖1的現(xiàn)有發(fā)光二極管封裝構(gòu)造的電路示意圖。圖3 本發(fā)明第一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝構(gòu)造的俯視圖。圖4 本發(fā)明第一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝構(gòu)造的剖視圖。圖5 本發(fā)明第二實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝構(gòu)造的俯視圖。圖6 本發(fā)明第二實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝構(gòu)造的剖視圖。
具體實(shí)施方式為讓本發(fā)明上述目的、特征及優(yōu)點(diǎn)更明顯易懂，下文特舉本發(fā)明較佳實(shí)施例，幷配 合附圖，作詳細(xì)說(shuō)明如下請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D3及圖4所示，圖3揭示本發(fā)明第一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝構(gòu)造 的俯視圖；圖4揭示本發(fā)明第一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝構(gòu)造的剖視圖。如圖3及圖4所 示，本發(fā)明第一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝構(gòu)造10包含一殼體11、一第一電極片12、一第二 電極片13、一發(fā)光二極管芯片14及一穩(wěn)壓二極管15。所述殼體11的頂面設(shè)有一凹部111， 所述凹部111是一凹陷構(gòu)造，圖3及圖4是以一種基本的形態(tài)來(lái)表示，其具體形狀可依產(chǎn)品 需求而調(diào)整。所述凹部111內(nèi)包含一擋墻111a，所述擋墻Illa將所述凹部111分為一發(fā)光 區(qū)Illb及一穩(wěn)壓區(qū)111c，所述擋墻11 Ia是插設(shè)于所述凹部111或與所述殼體11 一體成型而成。再者，所述第一電極片12的一部分裸露于所述發(fā)光區(qū)Illb的底部，一部分裸露于所述穩(wěn)壓區(qū)Illc的底部，及有一部分延伸至所述殼體11外，以用于與外部的電性連接；所 述第二電極片13的一部分裸露于所述發(fā)光區(qū)Illb的底部，一部分裸露于所述穩(wěn)壓區(qū)Illc 的底部，及有一部分延伸至所述殼體11外，以用于與外部的電性連接。另外，所述發(fā)光二極管芯片14設(shè)于所述發(fā)光區(qū)11 Ib之內(nèi)，且設(shè)于所述第一電極片 12上，所述發(fā)光二極管14具有一第一電極(未標(biāo)示)及一第二電極(未標(biāo)示)。所述第一 電極電性連接于所述第一電極片12上，所述第二電極電性連接于所述第二電極片13上；在 本實(shí)施例中，所述發(fā)光二極管芯片14優(yōu)選是分別通過(guò)導(dǎo)電銀膠或引線電性連接于所述發(fā) 光區(qū)Illb內(nèi)的所述第一電極片12及所述第二電極片13。如圖3及圖4所示，本發(fā)明第一 實(shí)施例的一個(gè)可能的情況是所述發(fā)光二極管芯片14的所述第一電極(未標(biāo)示)通過(guò)一引 線141電性連接于所述第一電極片12上，所述第二電極(未標(biāo)示)通過(guò)一引線142電性連 接于所述第二電極片13上。但本發(fā)明并不限于此，例如，在另一可能的實(shí)施例中，所述發(fā)光 二極管芯片14的第一電極可能位于底部，并通過(guò)導(dǎo)電銀膠與所述第一電極片12直接貼合 且電性連接。再者，所述穩(wěn)壓二極管15是設(shè)于所述穩(wěn)壓區(qū)Illc之內(nèi)，所述穩(wěn)壓二極管15也具 有一第一電極(未標(biāo)示)及一第二電極(未標(biāo)示)。所述第二電極電性連接于所述第一電 極片12上，所述第一電極電性連接于所述第二電極片13上。所述穩(wěn)壓二極管15優(yōu)選是分 別通過(guò)導(dǎo)電銀膠或引線電性連接于所述穩(wěn)壓區(qū)Illc內(nèi)的所述第一電極片12及所述第二電 極片13。如圖3及圖4所示，本發(fā)明第一實(shí)施例的一個(gè)可能的情況是所述穩(wěn)壓二極管15 的所述第二電極(未標(biāo)示)通過(guò)通過(guò)一引線151電性連接于所述第一電極片12上，所述第 一電極(未標(biāo)示)通過(guò)一導(dǎo)電銀膠152電性連接于所述第二電極片13上。但本發(fā)明并不 限于此，在另一可能的實(shí)施例中，所述穩(wěn)壓二極管15的所述第一電極也可能通過(guò)引線與所 述第二電極片13電性連接。如圖4所示，所述擋墻Illa的高度與所述殼體11的一外墻的高度相等，所述發(fā)光 區(qū)Illb及所述穩(wěn)壓區(qū)Illc是完全的被所述擋墻Illa隔開(kāi)。因此所述發(fā)光二極管封裝構(gòu) 造10另包含一第一封裝部及一第二封裝部(未標(biāo)示)，其分別封裝在所述發(fā)光區(qū)11 Ib及所 述穩(wěn)壓區(qū)Illc內(nèi)，所述第一封裝部用以包覆保護(hù)位于所述發(fā)光區(qū)Illb的第一電極片12、第 二電極片13及發(fā)光二極管芯片14，所述第二封裝部用以包覆保護(hù)位于所述穩(wěn)壓區(qū)Illc的 第一電極片12、第二電極片13及穩(wěn)壓二極管15。其中封裝所述發(fā)光區(qū)Illb的所述第一封 裝部必須為一透光封裝部，其材質(zhì)為適用于封裝并且能透光的材質(zhì)，例如環(huán)氧樹(shù)脂，這樣所 述發(fā)光二極管芯片14的光線才能通過(guò)所述封裝部向上方發(fā)射。然而，本發(fā)明的所述封裝部并不限于此，再另一可能的實(shí)施例中，所述擋墻Illa 的高度可能低于所述殼體11的外墻的高度，而所述發(fā)光二極管封裝構(gòu)造10只需要一封裝 部即可同時(shí)封裝所述發(fā)光區(qū)Illb及所述穩(wěn)壓區(qū)111c，當(dāng)然在此狀況下的所述封裝部也必 須為一透光封裝部。另外，所述發(fā)光二極管芯片14為了避免由于靜電而被擊穿，因此需要設(shè)置至少一 所述穩(wěn)壓二極管15，并且所述穩(wěn)壓二極管15的極性配置是其第二電極(未標(biāo)示)在上端 及第一電極(未標(biāo)示)在下端，所述穩(wěn)壓二極管15的下端第一電極通過(guò)導(dǎo)電銀膠152電性連接于所述第二電極片13，所述穩(wěn)壓二極管15的上端通過(guò)引線151電性連接于所述第一 電極片12，因此所述穩(wěn)壓二極管15與所述發(fā)光二極管芯片14形成并聯(lián)，且所述穩(wěn)壓二極 管15是反向偏壓。然而本發(fā)明并不限于此，所述穩(wěn)壓二極管15可選擇各種不同的型式，并 通過(guò)各種方式來(lái)電性連接于所述第一電極片12或所述第二電極片13。在一可能的實(shí)施例 中，所述穩(wěn)壓二極管15可以是第一電極及第二電極都在上端的型式，并且都通過(guò)引線以電 性連接至所述第一電極片12及所述第二電極片13。綜上所述，在本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝構(gòu)造10中，由于所述發(fā)光二極管芯片14與 所述穩(wěn)壓二極管15是被所述擋板Illa分隔在不同的區(qū)域(所述發(fā)光區(qū)Illb及所述穩(wěn)壓 區(qū)111c)，不論所述擋墻Illa的高度與所述殼體11的外墻的高度是否相等(所述發(fā)光區(qū) Illb及所述穩(wěn)壓區(qū)Illc是完全或不完全的被所述擋墻Illa隔開(kāi))。相對(duì)于所述發(fā)光二極 管芯片14，所述擋板Illa都能起到隔離所述穩(wěn)壓二極管15的功能，其避免因所述穩(wěn)壓二極 管15吸收光線而影響到所述發(fā)光二極管芯片14的光通量，從而提高了整體發(fā)光二極管封 裝構(gòu)造10的發(fā)光效能。另外，本發(fā)明并不指定所述第一電極、所述第二電極、所述第一電極片12及所述 第二電極片13所代表的極性，在一通常的情況下，所述第一電極可能是指陽(yáng)極(正極)， 而所述第二電極可能是指陰極(負(fù)極)，但也有可能是所有極性對(duì)應(yīng)狀況的排列組合。并 且，雖然本發(fā)明第一實(shí)施例所揭示的所述發(fā)光二極管封裝構(gòu)造10設(shè)有一個(gè)所述穩(wěn)壓二極 管15，然而，本發(fā)明并不限制所述穩(wěn)壓二極管15的數(shù)量，使用者可依實(shí)際需要設(shè)置多個(gè)所 述穩(wěn)壓二極管15。

請(qǐng)?jiān)賲⒄請(qǐng)D5及圖6所示，圖5揭示本發(fā)明第二實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝構(gòu)造的 俯視圖；圖6揭示本發(fā)明第二實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝構(gòu)造的剖視圖。如圖5及圖6所示， 本發(fā)明第二實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝構(gòu)造10相似于本發(fā)明第一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝 構(gòu)造10，因此沿用相同的組件符號(hào)與名稱，但其不同之處在于本發(fā)明第二實(shí)施例的發(fā)光 二極管封裝構(gòu)造10另包含一熱沉金屬片16，所述熱沉金屬片16 —部分裸露于所述發(fā)光區(qū) 11 Ib之內(nèi)，一部分延伸至所述殼體11外，并且所述發(fā)光二極管芯片14是設(shè)于所述熱沉金屬 片16上。所述發(fā)光二極管芯片14通過(guò)所述引線141及所述引線142電性連接所述第一電 極片12及所述第二電極片13。由于所述發(fā)光二極管芯片14的底面是貼設(shè)于所述熱沉金屬 片16上，并且所述熱沉金屬片16有一部分延伸至所述殼體11外部，因此所述發(fā)光二極管 芯片14產(chǎn)生的熱能可通過(guò)所述熱沉金屬片16被導(dǎo)出所述發(fā)光二極管封裝構(gòu)造10的外部， 形成一種電熱分離的型式。另外，在本發(fā)明第二實(shí)施例中，所述擋墻Illa的高度是低于所述殼體11的外墻的 高度，而所述發(fā)光二極管封裝構(gòu)造10包含一封裝部同時(shí)封裝所述發(fā)光區(qū)Illb及所述穩(wěn)壓 區(qū)111c，并且所述封裝部為一透光封裝部。再者，雖然本發(fā)明的圖3及圖4揭示了一種所述第一電極片12及所述第二電極片 13的配置情形；以及本發(fā)明的圖5及圖6揭示了另一種所述第一電極片12、所述第二電極 片13及所述熱沉金屬片16的配置情形。然而本發(fā)明并不限于此，使用者可依照實(shí)際需求 設(shè)計(jì)所述第一電極片12、所述第二電極片13及所述熱沉金屬片16的配置型式，并且搭配所 述發(fā)光二極管芯片14及所述穩(wěn)壓二極管15配置于所述第一電極片12、所述第二電極片13 或所述熱沉金屬片16上的各種可能情況的排列組合。
綜上所述，相較于現(xiàn)有的發(fā)光二極管封裝構(gòu)造的穩(wěn)壓二極管是設(shè)置于殼體的上 方，其影響到發(fā)光二極管芯片的部分光通量，因而降低所述發(fā)光二極管封裝構(gòu)造的發(fā)光效 能。本發(fā)明的所述發(fā)光二極管封裝構(gòu)造10的所述凹部111內(nèi)包含一擋墻Illa以分隔為一 發(fā)光區(qū)Illb及一穩(wěn)壓區(qū)111c，并將所述發(fā)光二極管芯片14及所述穩(wěn)壓二極管15分隔設(shè)置 在不同的區(qū)域，以避免因所述穩(wěn)壓二極管15吸收光線而影響到所述發(fā)光二極管芯片14的 光通量，從而提高了所述發(fā)光二極管封裝構(gòu)造10的整體發(fā)光效能。本發(fā)明已由上述相關(guān)實(shí)施例加以描述，然而上述實(shí)施例僅為實(shí)施本發(fā)明的范例。 必需指出的是，已公開(kāi)的實(shí)施例并未限制本發(fā)明的范圍。相反地，包含于權(quán)利要求書的精神 及范圍的修改及均等設(shè)置均包括于本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管封裝構(gòu)造，其特征在于所述發(fā)光二極管封裝構(gòu)造包含一殼體，頂面設(shè)有一凹部，所述凹部?jī)?nèi)包含一擋墻并將所述凹部分隔為一發(fā)光區(qū)及一 穩(wěn)壓區(qū)；一第一電極片，一部分裸露于所述發(fā)光區(qū)之內(nèi)，一部分裸露于所述穩(wěn)壓區(qū)之內(nèi)，及一部 分延伸至所述殼體外；一第二電極片，一部分裸露于所述發(fā)光區(qū)之內(nèi)，一部分裸露于所述穩(wěn)壓區(qū)之內(nèi)，及一部 分延伸至所述殼體外；一發(fā)光二極管芯片，設(shè)于所述發(fā)光區(qū)之內(nèi)，所述發(fā)光二極管芯片的一第一電極電性連 接于所述第一電極片，所述發(fā)光二極管芯片的一第二電極電性連接于所述第二電極片；及至少一穩(wěn)壓二極管，設(shè)于所述穩(wěn)壓區(qū)之內(nèi)，所述穩(wěn)壓二極管的一第二電極電性連接于 所述第一電極片，所述穩(wěn)壓二極管的一第一電極電性連接于所述第二電極片。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝構(gòu)造，其特征在于所述發(fā)光二極管封裝構(gòu)造 還包括一熱沉金屬片，一部分裸露于所述發(fā)光區(qū)之內(nèi)，及一部份延伸至所述殼體外；所述發(fā) 光二極管芯片設(shè)置于所述熱沉金屬片上。
3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管封裝構(gòu)造，其特征在于所述擋墻的高度低于所述 殼體的一外墻的高度，所述發(fā)光二極管封裝構(gòu)造還包含一封裝部，其封裝在所述凹部的所 述發(fā)光區(qū)及所述穩(wěn)壓區(qū)內(nèi)，以包覆保護(hù)位于所述發(fā)光區(qū)的第一電極片、第二電極片、熱沉金 屬片及發(fā)光二極管芯片，以及包覆保護(hù)位于所述穩(wěn)壓區(qū)的第一電極片、第二電極片及穩(wěn)壓 二極管，其中所述封裝部為一透光封裝部。
4.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管封裝構(gòu)造，其特征在于所述擋墻的高度等于所述 殼體的一外墻的高度，所述發(fā)光二極管封裝構(gòu)造還包含一第一封裝部及一第二封裝部，分 別封裝在所述發(fā)光區(qū)及所述穩(wěn)壓區(qū)內(nèi)，所述第一封裝部用以包覆保護(hù)位于所述發(fā)光區(qū)的第 一電極片、第二電極片、熱沉金屬片及發(fā)光二極管芯片，所述第二封裝部用以包覆保護(hù)位于 所述穩(wěn)壓區(qū)的第一電極片、第二電極片及穩(wěn)壓二極管，其中封裝所述發(fā)光區(qū)的所述封裝部 為一透光封裝部。
5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝構(gòu)造，其特征在于所述發(fā)光二極管芯片設(shè)于 所述第一電極片上。
6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝構(gòu)造，其特征在于所述擋墻的高度小于或等 于所述殼體的一外墻的高度。
7.如權(quán)利要求1、2、5或6所述的發(fā)光二極管封裝構(gòu)造，其特征在于所述發(fā)光二極管 芯片的第一電極及第二電極分別通過(guò)導(dǎo)電銀膠或引線與所述發(fā)光區(qū)內(nèi)的所述第一電極片 及所述第二電極片電性連接。
8.如權(quán)利要求1、2、5或6所述的發(fā)光二極管封裝構(gòu)造，其特征在于所述穩(wěn)壓二極管 的第一電極及第二電極分別通過(guò)導(dǎo)電銀膠或引線與所述穩(wěn)壓區(qū)內(nèi)的所述第二電極片及所 述第一電極片電性連接。
9.如權(quán)利要求1或5所述的發(fā)光二極管封裝構(gòu)造，其特征在于所述擋墻的高度低于 所述殼體的一外墻的高度，所述發(fā)光二極管封裝構(gòu)造還包含一封裝部，其封裝在所述凹部 的所述發(fā)光區(qū)及所述穩(wěn)壓區(qū)內(nèi)，以包覆保護(hù)位于所述發(fā)光區(qū)的第一電極片、第二電極片及 發(fā)光二極管芯片，以及包覆保護(hù)位于所述穩(wěn)壓區(qū)的第一電極片、第二電極片及穩(wěn)壓二極管，其中所述封裝部為一透光封裝部。
10.如權(quán)利要求1或5所述的發(fā)光二極管封裝構(gòu)造，其特征在于所述擋墻的高度等 于所述殼體的一外墻的高度，所述發(fā)光二極管封裝構(gòu)造還包含一第一封裝部及一第二封裝 部，分別封裝在所述發(fā)光區(qū)及所述穩(wěn)壓區(qū)內(nèi)，所述第一封裝部用以包覆保護(hù)位于所述發(fā)光 區(qū)的第一電極片、第二電極片及發(fā)光二極管芯片，所述第二封裝部用以包覆保護(hù)位于所述 穩(wěn)壓區(qū)的第一電極片、第二電極片及穩(wěn)壓二極管，其中封裝所述發(fā)光區(qū)的所述封裝部為一 透光封裝部。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)一種發(fā)光二極管封裝構(gòu)造，其包含一殼體、一第一電極片、一第二電極片、一發(fā)光二極管芯片及一穩(wěn)壓二極管。所述殼體頂面設(shè)有一凹部，所述凹部?jī)?nèi)包含一擋墻以將所述凹部分隔為一發(fā)光區(qū)及一穩(wěn)壓區(qū)。本發(fā)明通過(guò)將所述發(fā)光二極管芯片及所述穩(wěn)壓二極管分隔設(shè)置在發(fā)光區(qū)及穩(wěn)壓區(qū)二不同區(qū)域中，以避免所述穩(wěn)壓二極管吸收光線而影響到所述發(fā)光二極管芯片的光通量，從而提高了所述發(fā)光二極管封裝構(gòu)造的整體發(fā)光效能。
文檔編號(hào)H01L33/48GK102130273SQ20101058356
公開(kāi)日2011年7月20日 申請(qǐng)日期2010年12月10日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月10日
發(fā)明者張光耀, 鄭巍巍 申請(qǐng)人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司