專利名稱：半導(dǎo)體基板加工設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體基板加工設(shè)備。尤其是涉及一種用于在半導(dǎo)體器件上進(jìn)行工藝 處理的平臺(tái)系統(tǒng)。本發(fā)明也可用于對(duì)具有相對(duì)較大尺寸的加工對(duì)象進(jìn)行加工的設(shè)備，例如 太陽能電池加工設(shè)備和大型顯示板加工設(shè)備。
背景技術(shù)：
近年來，半導(dǎo)體加工設(shè)備的經(jīng)濟(jì)性和有效性已經(jīng)越來越受到重視。在半導(dǎo)體工業(yè) 領(lǐng)域中，半導(dǎo)體加工設(shè)備的經(jīng)濟(jì)性和有效性一般以半導(dǎo)體器件生產(chǎn)商的操作成本(Cost of Ownership,CoO)來衡量。影響CoO的因素有很多，但是半導(dǎo)體加工設(shè)備的產(chǎn)量和設(shè)備所需 占地面積是最主要的影響因素。其中半導(dǎo)體加工設(shè)備的產(chǎn)量是指設(shè)備每單位時(shí)間加工基板 的數(shù)量，而設(shè)備所需占地面積則包括設(shè)備的占地面積與設(shè)備維修所需的鄰近區(qū)域。除了提 高半導(dǎo)體器件加工工藝的處理速度，增加設(shè)備所搭載的工藝室數(shù)量，平行使用這些工藝室 也是一種提高設(shè)備產(chǎn)量的有效方法。傳統(tǒng)的半導(dǎo)體加工設(shè)備平臺(tái)通常包括大氣傳送區(qū)，緩沖室，真空基板傳遞室和工 藝室等四個(gè)部分。大氣傳送區(qū)進(jìn)一步包括基板載荷端口，和基板傳送機(jī)械裝置。真空基板 傳遞室進(jìn)一步包括基板傳送機(jī)械裝置。真空基板傳遞室是具有特殊形狀的多邊形底座，通 常是正四邊形，或正六邊形，其中一邊或兩邊與緩沖室連接，其余與工藝室連接。具有正四 邊形狀底座的真空基板傳遞室通常連接最多至三個(gè)工藝室，而具有正六邊形狀底座的真空 基板傳遞室最多也只能連接四個(gè)或五個(gè)工藝室。這樣，每臺(tái)設(shè)備所能搭載的工藝室數(shù)量是 有限的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是為了解決上述技術(shù)問題，而提供一種結(jié)構(gòu)合理，可搭載多個(gè)工藝 室，生產(chǎn)效率高的用于半導(dǎo)體基板處理的設(shè)備平臺(tái)。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用下述技術(shù)方案半導(dǎo)體基板加工設(shè)備，包括第一大氣 傳送區(qū)，第二大氣傳送區(qū)和工藝處理模塊等三個(gè)部分。第一大氣傳送區(qū)進(jìn)一步包括基板載 荷端口和基板傳送機(jī)械裝置。第二大氣傳送區(qū)進(jìn)一步包括基板放置匣和滑軌，其中基板放 置匣設(shè)置在滑軌上并且可以在滑軌上滑動(dòng)。工藝處理模塊進(jìn)一步包括緩沖室和至少一個(gè)工 藝室，其中緩沖室的正面與第二大氣傳送區(qū)連接，其側(cè)面或反面與工藝室連接。工藝處理模 塊中的緩沖室進(jìn)一步包括基板傳送機(jī)械裝置。第二大氣傳送區(qū)具有長方形底座，其中較短 的一邊與第一大氣傳送區(qū)連接，較長的兩邊與多個(gè)工藝處理模塊連接。第二大氣傳送區(qū)能 夠與多個(gè)工藝處理模塊連接，工藝處理模塊可以相鄰地排列在第二大氣傳送區(qū)的一側(cè)，也 可以相對(duì)地排列在第二大氣傳送區(qū)的兩側(cè)。設(shè)備能夠搭載的工藝處理模塊的最大數(shù)量取決 于第二大氣傳送區(qū)的長度，第二大氣傳送區(qū)的長度越長，其能夠連接的工藝處理模塊數(shù)量 也越多。因此，理論上設(shè)備可搭載的工藝室數(shù)量不受限制。本發(fā)明可以用于對(duì)半導(dǎo)體基板實(shí)施化學(xué)氣相沉積(ChemicalVapor Deposition,CVD)，原子層沉積(Atomic Layer D印osition，ALD)，和等離子刻蝕(ETCH)等加工工藝。具 有可搭載多個(gè)工藝室，并且能夠被平行使用的特點(diǎn)。本發(fā)明結(jié)構(gòu)合理，占地面積小，生產(chǎn)效 率高，可以有效地降低半導(dǎo)體器件生產(chǎn)商的操作成本。具有很好的市場(chǎng)推廣前景。


圖1是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例1中的半導(dǎo)體基板加工設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2A是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例1中的第二大氣傳送區(qū)中基板放置匣形態(tài)一的俯視 圖(a)和側(cè)視圖(b)。圖2B是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例1中的第二大氣傳送區(qū)中基板放置匣形態(tài)二的俯視 圖(a)和側(cè)視圖(b)。圖2C是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例1中的第二大氣傳送區(qū)中基板放置匣形態(tài)三的俯視 圖(a)和側(cè)視圖(b)。圖3是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例1中的第一大氣傳送區(qū)與第二大氣傳送區(qū)之間實(shí)施基 板傳遞的示意圖。圖4是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例1中的第二大氣傳送區(qū)與工藝處理模塊之間實(shí)施基板 傳遞的示意圖。圖5是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例1中的同時(shí)容納和加工兩個(gè)基板的等離子體增強(qiáng)化學(xué) 氣相薄膜沉積工藝室的截面示意圖。圖6是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例1中的同時(shí)容納和加工兩個(gè)基板的等離子體增強(qiáng)化學(xué) 氣相薄膜沉積系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)框圖。圖7是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例2中的半導(dǎo)體基板加工設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。圖8是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例2中的容納和加工一個(gè)基板的原子層沉積工藝室的截 面示意圖。圖9是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例2中的容納和加工一個(gè)基板的原子層沉積系統(tǒng)的結(jié)構(gòu) 框圖。其中1第一大氣傳送區(qū)；2第二大氣傳送區(qū)；3工藝處理模塊；4緩沖室；5工藝 室；6基板載荷端口 ；7基板傳送裝置；8基板放置匣；9滑軌；10基板傳送裝置；11縫閥；12 縫閥；13氣體源；14射頻電源系統(tǒng)；15高頻率射頻電源；16低頻率射頻電源；17匹配器；18 氣壓控制系統(tǒng)；19氣壓計(jì)；20蝶閥；21閘門閥；22真空抽氣系統(tǒng)；23基板支撐架轉(zhuǎn)動(dòng)基 座；25滑動(dòng)基座J6基板；27電動(dòng)閥；501氣體導(dǎo)入口 ；502射頻導(dǎo)入電極；503氣體導(dǎo)入機(jī) 構(gòu)；504上蓋板；505絕緣材；506細(xì)孔；507腔體；508基板支持臺(tái)；509加熱機(jī)構(gòu)；510抽氣 口 ；511射頻功率饋入線；512氣體分布板。
具體實(shí)施例方式實(shí)施例1在本發(fā)明的第一種實(shí)施例中(見圖1)，第一大氣傳送區(qū)1包含三個(gè)基板載荷端口 6，和一個(gè)基板傳送裝置7。第二大氣傳送區(qū)2包含一個(gè)基板放置匣8，和一個(gè)滑軌9。滑軌 9呈直線狀設(shè)置在第二大氣傳送區(qū)2的兩個(gè)較短的邊之間，而且與第一大氣傳送區(qū)1垂直。 基板放置匣8設(shè)置在滑軌9上，可以沿著滑軌9滑行。第二大氣傳送區(qū)2具有長方形底座，較短的一邊與第一大氣傳送區(qū)1連接，較長的兩邊與至少兩個(gè)工藝處理模塊3連接。第二 大氣傳送區(qū)2能夠連接的工藝處理模塊3的最大數(shù)量取決于第二大氣傳送區(qū)2的長度。第 二大氣傳送區(qū)2的長度越長，其所能連接的工藝處理模塊3數(shù)量越多，在本實(shí)施例中，共有 四個(gè)工藝處理模塊3與第二大氣傳送區(qū)2連接，具體是，各有兩個(gè)工藝處理模塊3相鄰地排 列在第二大氣傳送區(qū)2較長的兩邊，每一邊的兩個(gè)工藝處理模塊3與另一邊的個(gè)工藝處理 模塊3呈相對(duì)地排列。每個(gè)工藝處理模塊3包含一個(gè)緩沖室4和一個(gè)工藝室5A，呈前后分 布，其中緩沖室4位于工藝處理模塊3的前端，并與第二大氣傳送區(qū)2連接。緩沖室4包含 兩個(gè)基板傳送裝置10。每個(gè)工藝室5A可容納兩個(gè)基板沈，并對(duì)其同時(shí)實(shí)施工藝加工。上 述緩沖室4與第二大氣傳送區(qū)2間，以及與工藝室5A之間分別設(shè)有閘門閥11和12。第二大氣傳送區(qū)2中的基板放置匣8可以有多種結(jié)構(gòu)形式，如圖2A所示的基板放 置匣8A是其中的一種，其具有在同一高度相鄰排列的兩個(gè)基板支撐架23，可以同時(shí)放置兩 個(gè)基板26?；宸胖孟?A的底部設(shè)置有轉(zhuǎn)動(dòng)基座M和滑動(dòng)基座25，其中轉(zhuǎn)動(dòng)基座M設(shè) 置在基板放置匣8本體與滑動(dòng)基座25之間，與基板放置匣8本體固定在一起，與滑動(dòng)基座 25之間可以相互轉(zhuǎn)動(dòng)?；瑒?dòng)基座25設(shè)置在轉(zhuǎn)動(dòng)基座M與滑軌9之間，可以在滑軌9上滑 行。這樣基板放置匣8A可以通過轉(zhuǎn)動(dòng)基座M做任意角度的原位轉(zhuǎn)動(dòng)，也可以通過滑動(dòng)基 座25在滑軌9上滑行。當(dāng)?shù)谝淮髿鈧魉蛥^(qū)1與第二大氣傳送區(qū)2之間進(jìn)行基板沈的傳遞時(shí)，基板放置匣 8A沿著滑軌9滑行至靠近第一大氣傳送區(qū)1的一端(見圖幻，然后第一大氣傳送區(qū)1中的 基板傳送裝置7伸展至第二大氣傳送區(qū)2中，從基板放置匣8A上裝載或卸載基板沈。當(dāng) 第二大氣傳送區(qū)2與工藝處理模塊3之間傳遞基板沈時(shí)，基板放置匣8A沿著滑軌9滑行 至工藝處理模塊3的前端(見圖4)，然后工藝處理模塊3的緩沖室4中的基板傳送裝置10 通過打開的縫閥11伸展至第二大氣傳送區(qū)2中，從基板放置匣8A上裝載或卸載基板26?；宸胖孟?還可以有其它的結(jié)構(gòu)形式，如圖2B和2C所示的基板放置匣8B和 8C，具有四個(gè)基板支撐架23，呈上下排列或同一高度相鄰排列，可以最多放置4個(gè)基板26。工藝處理模塊3中的工藝室5A用于對(duì)半導(dǎo)體基板沈?qū)嵤└鞣N工藝加工。例如， 化學(xué)氣相沉積(CVD)，等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)，原子層沉積(ALD)，和等離子體 刻蝕(Etch)等工藝加工。圖5是用于同時(shí)對(duì)兩個(gè)基板沈?qū)嵤┑入x子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積的工藝室5A的截 面示意圖，圖6是其系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)框圖。如圖5和6所示，工藝室5A由上蓋板504和腔體507 組成，其上部設(shè)置有一個(gè)氣體導(dǎo)入口 501，其下部設(shè)置有一個(gè)抽氣口 510，其內(nèi)部可以同時(shí) 容納兩個(gè)基板26a和^b。每個(gè)基板沈分別配置有一個(gè)射頻導(dǎo)入電極502，一個(gè)氣體導(dǎo)入 機(jī)構(gòu)503，和一個(gè)基板支持臺(tái)508。其中每個(gè)射頻導(dǎo)入電極502分別通過鑲嵌在絕緣材505 內(nèi)部的射頻功率饋入線511與各自的射頻電源系統(tǒng)14連接。每個(gè)射頻電源系統(tǒng)包含一個(gè) 高頻射頻電源15，一個(gè)低頻射頻電源16，和一個(gè)匹配器17。射頻功率由射頻電源系統(tǒng)14通 過射頻功率饋入線511以及射頻導(dǎo)入電極502導(dǎo)入至工藝室5A內(nèi)部。每個(gè)氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu) 503由上蓋板504，射頻導(dǎo)入電極502和設(shè)置在射頻導(dǎo)入電極502與上蓋板504之間的絕緣 材505構(gòu)成。射頻導(dǎo)入電極502上開設(shè)有許多個(gè)上下貫通的細(xì)孔506，氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)503通 過細(xì)孔506與工藝室5A內(nèi)部貫通。兩個(gè)基板^a和26b的氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)503a和50 與一 個(gè)氣體源13連接。具體是，一個(gè)氣體源13先是通過一個(gè)氣體導(dǎo)入口 501，然后分為兩個(gè)氣體導(dǎo)入口 501a和501b，分別與兩個(gè)氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)503a和50 連通。每個(gè)基板支持臺(tái)508 內(nèi)部分別設(shè)置有加熱機(jī)構(gòu)509，可以對(duì)所載的基板沈?qū)嵤┘訜帷９に囀?A的抽氣口 510與 一個(gè)真空抽氣系統(tǒng)22連接，抽氣口 510與真空抽氣系統(tǒng)22之間的管路上設(shè)置有一個(gè)氣壓 計(jì)19、一個(gè)蝶閥20和一個(gè)閘門閥21，其中氣壓計(jì)19設(shè)置在緊靠抽氣口 510處。由包含氣 壓計(jì)19和蝶閥20的氣壓控制系統(tǒng)對(duì)工藝室5A的氣壓控制。實(shí)施例2在本發(fā)明的第二種實(shí)施例中(見圖7)，第一大氣傳送區(qū)1包含三個(gè)基板載荷端口 6，和一個(gè)基板傳送裝置7。第二大氣傳送區(qū)2包含三個(gè)基板放置匣8，和一個(gè)滑軌9?；?9呈環(huán)線狀設(shè)置在第二大氣傳送區(qū)2的兩個(gè)較短的邊之間?；宸胖孟?設(shè)置在滑軌9上， 可以沿著滑軌9滑行。第二大氣傳送區(qū)2具有長方形底座，較短的一邊與第一大氣傳送區(qū)1 連接，較長的兩邊與至少兩個(gè)工藝處理模塊3連接。第二大氣傳送區(qū)2能夠連接的工藝處 理模塊3的最大數(shù)量取決于第二大氣傳送區(qū)2的長度。第二大氣傳送區(qū)2的長度越長，其 所能連接的工藝處理模塊3數(shù)量越多，在本實(shí)施例中，共有二個(gè)工藝處理模塊3與第二大氣 傳送區(qū)2連接，具體是，兩個(gè)工藝處理模塊3相對(duì)地排列在第二大氣傳送區(qū)2較長的兩邊。 每個(gè)工藝處理模塊3包含一個(gè)緩沖室4和三個(gè)工藝室5，其中一個(gè)工藝室5A可容納兩個(gè)基 板26，并對(duì)其同時(shí)實(shí)施工藝加工，另外兩個(gè)工藝室5B可容納一個(gè)基板26，并對(duì)其實(shí)施工藝 加工。緩沖室4包含兩個(gè)基板傳送裝置10，其正面與第二大氣傳送區(qū)2連接，其反面與工藝 室5A連接，其側(cè)面分別與個(gè)工藝室5B連接。緩沖室4與第二大氣傳送區(qū)2之間，以及與工 藝室5之間分別設(shè)有閘門閥11和12。第二大氣傳送區(qū)2中的基板放置匣8可以有多種結(jié)構(gòu)形式，其具體的結(jié)構(gòu)形式可 以參照在本發(fā)明的第一種實(shí)施例中的描述。如圖7所示，當(dāng)?shù)谝淮髿鈧魉蛥^(qū)1與第二大氣傳送區(qū)2之間進(jìn)行基板沈的傳遞時(shí)， 一個(gè)基板放置匣8沿著滑軌9滑行至靠近第一大氣傳送區(qū)1的一端，然后第一大氣傳送區(qū) 1中的基板傳送裝置7伸展至第二大氣傳送區(qū)2中，從基板放置匣8上裝載或卸載基板26。 同時(shí)，另外兩個(gè)基板放置匣8分別沿著滑軌9滑行至兩個(gè)工藝處理模塊3的前端，然后緩沖 室4中的基板傳送裝置10通過打開的縫閥11伸展至第二大氣傳送區(qū)2中，從基板放置匣 8上裝載或卸載基板26。這樣可以實(shí)現(xiàn)第一大氣傳送區(qū)1與第二大氣傳送區(qū)2之間，以及 兩個(gè)工藝處理模塊3與第二大氣傳送區(qū)2之間基板沈的同時(shí)傳遞。工藝處理模塊3中的工藝室5A和5B用于對(duì)半導(dǎo)體基板沈?qū)嵤└鞣N工藝加工。例 如，化學(xué)氣相沉積(CVD)，等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)，原子層沉積(ALD)，和等離 子體刻蝕(Etch)等工藝加工。 在本實(shí)施例中工藝室5A可容納并同時(shí)對(duì)兩個(gè)基板沈?qū)嵤┑入x子體增強(qiáng)化學(xué)氣相 沉積，其具體結(jié)構(gòu)和系統(tǒng)組成可以參照在本發(fā)明的第一種實(shí)施例中的描述。
工藝室5B可對(duì)基板實(shí)施原子層沉積的加工工藝，其腔室具體結(jié)構(gòu)如圖8所示，圖9 是其系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)框圖。如圖8和9所示，工藝室5B由上蓋板504和腔體507組成，其上部 設(shè)置有一個(gè)氣體導(dǎo)入口 501，其下部設(shè)置有一個(gè)抽氣口 510，其內(nèi)部可以容納一個(gè)基板沈。 基板沈配置有一個(gè)氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)503，和一個(gè)基板支持臺(tái)508。其中氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)503由 上蓋板504和氣體分布板512構(gòu)成。氣體分布板512上開設(shè)有許多個(gè)上下貫通的細(xì)孔506， 氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)503通過細(xì)孔506與工藝室5A內(nèi)部貫通。氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)503通過氣體導(dǎo)入口 501分別與三個(gè)氣體源13A、13B和13C連接，并且在每個(gè)氣體源13與氣體導(dǎo)入口 501之 間分別設(shè)置有氣體管路的電動(dòng)閥27?；逯С峙_(tái)508內(nèi)部設(shè)置有加熱機(jī)構(gòu)509，可以對(duì)所 載的基板26實(shí)施加熱。工藝室5B的抽氣口 510與一個(gè)真空抽氣系統(tǒng)22連接，抽氣口 510 與真空抽氣系統(tǒng)22之間的管路上設(shè)置有一個(gè)氣壓計(jì)19、一個(gè)蝶閥20和一個(gè)閘門閥21，其 中氣壓計(jì)19設(shè)置在緊靠抽氣口 510處。由包含氣壓計(jì)19和蝶閥20的氣壓控制系統(tǒng)18對(duì) 工藝室5B的氣壓控制。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體基板加工設(shè)備，其特征在于它包含一個(gè)第一大氣傳送區(qū)，其具有至少 一個(gè)基板載荷端口，和一個(gè)基板傳送裝置；以及一個(gè)第二大氣傳送區(qū)，其具有一或多個(gè)基板 放置匣，和一個(gè)滑軌；以及至少一個(gè)工藝處理模塊，其具有一個(gè)緩沖室，和至少一個(gè)工藝室， 其中所述第二大氣傳送區(qū)連接至所述第一大氣傳送區(qū)上，其中所述工藝處理模塊連接至所 述第二大氣傳送區(qū)上，并且由所述工藝處理模塊中的緩沖室的一側(cè)與所述第二大氣傳送區(qū) 相連接，其中所述工藝處理模塊中的緩沖室，其具有一或多個(gè)基板傳送裝置，所述工藝室內(nèi) 可以放置至少一個(gè)基板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體基板加工設(shè)備，其特征在于其中第一大氣傳送區(qū)的 所述基板載荷端口排列在其一側(cè)，所述第二大氣傳送區(qū)連接在其另一側(cè)，所述基板傳送裝 置設(shè)在上述兩側(cè)之間，并且位于所述第一大氣傳送區(qū)內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體基板加工設(shè)備，其特征在于其中第二大氣傳送 區(qū)具有長方形底座，其較短的一邊與所述第一大氣傳送區(qū)連接，所述滑軌呈直線狀設(shè)置在 其較短的兩個(gè)邊之間，并且與所述第一大氣傳送區(qū)垂直，一或多個(gè)所述基板放置匣設(shè)置在 所述滑軌上，并且可以在所述滑軌上滑行。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體基板加工設(shè)備，其特征在于其中第二大氣傳送 區(qū)具有長方形底座，其較短的一邊與所述第一大氣傳送區(qū)連接，所述滑軌呈環(huán)線狀設(shè)置在 其較短的兩個(gè)邊之間，一或多個(gè)所述基板放置匣設(shè)置在所述滑軌上，并且可以在所述滑軌 上滑行。
5.根據(jù)權(quán)利要求1和3或4所述的半導(dǎo)體基板加工設(shè)備，其特征在于其中第二大氣 傳送區(qū)內(nèi)的所述基板放置匣進(jìn)一步包含至少一個(gè)基板支撐架。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體基板加工設(shè)備，其特征在于其中第二大氣傳送區(qū)的 長度可以是變化的，其長度由與其連接的所述工藝處理模塊的數(shù)量而決定，所述工藝處理 模塊的數(shù)量不受限制。
7.根據(jù)權(quán)利要求1和6所述的半導(dǎo)體基板加工設(shè)備，其特征在于其中第二大氣傳送 區(qū)連接的多個(gè)所述工藝處理模塊可以一直線地相鄰排列在其具有較長邊的同一側(cè)，也可以 相隔著所述第二大氣傳送區(qū)面對(duì)面地排列其具有較長邊的兩側(cè)，并且所述工藝處理模塊的 數(shù)量可以隨著所述第二大氣傳送區(qū)的長度增長而增加。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體基板加工設(shè)備，其特征在于其中工藝處理模塊的所 述緩沖室，其正面與所述第二大氣傳送區(qū)連接，其側(cè)面或反面與所述工藝室連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或8所述的半導(dǎo)體基板加工設(shè)備，其特征在于其中工藝處理模塊 的所述緩沖室具有一個(gè)氣體導(dǎo)入口，和一個(gè)抽氣口，并且所述氣體導(dǎo)入口與一個(gè)氣體源連 接，所述抽氣口與一個(gè)真空抽氣系統(tǒng)連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體基板加工設(shè)備，其特征在于其中工藝處理模塊的所 述工藝室內(nèi)可以放置一個(gè)或多個(gè)基板，并且同時(shí)對(duì)一個(gè)或多個(gè)所述基板實(shí)施等離子體增強(qiáng) 化學(xué)氣相沉積。
11.根據(jù)權(quán)利要求1和10所述的半導(dǎo)體基板加工設(shè)備，其特征在于其中工藝處理模 塊的所述工藝室具有一個(gè)氣體導(dǎo)入口，一個(gè)氣壓控制系統(tǒng)，和一個(gè)抽氣口，并且所述氣體導(dǎo) 入口與一個(gè)氣體源連接，所述抽氣口與一個(gè)真空抽氣系統(tǒng)連接，所述氣壓控制系統(tǒng)進(jìn)一步 包含一個(gè)氣壓計(jì)，和一個(gè)蝶閥。
12.根據(jù)權(quán)利要求1和10所述的半導(dǎo)體基板加工設(shè)備，其特征在于其中工藝處理模 塊的所述工藝室內(nèi)可以放置多個(gè)基板，每個(gè)所屬基板配置有一個(gè)射頻導(dǎo)入電極，一個(gè)氣體 導(dǎo)入機(jī)構(gòu)，一個(gè)基板支持臺(tái)，并且所述基板支持臺(tái)內(nèi)設(shè)置有加熱機(jī)構(gòu)，可以對(duì)所述基板實(shí)施 加熱。
13.根據(jù)權(quán)利要求1、10和12所述的半導(dǎo)體基板加工設(shè)備，其特征在于其中工藝室的 每個(gè)所述射頻導(dǎo)入電極與一個(gè)射頻電源系統(tǒng)連接，所述射頻電源系統(tǒng)包含一個(gè)高頻射頻電 源，一個(gè)低頻射頻電源，和一個(gè)匹配器。
全文摘要
半導(dǎo)體基板加工設(shè)備，主要解決了現(xiàn)有技術(shù)中每臺(tái)設(shè)備所能搭載的工藝室數(shù)量有限，生產(chǎn)成本高的難題。該設(shè)備包括第一大氣傳送區(qū)，第二大氣傳送區(qū)和工藝處理模塊等三個(gè)部分。第一大氣傳送區(qū)進(jìn)一步包括基板載荷端口和基板傳送機(jī)械裝置。第二大氣傳送區(qū)進(jìn)一步包括基板放置匣和滑軌。工藝處理模塊進(jìn)一步包括緩沖室和工藝室。所述第二大氣傳送區(qū)的長度越長，其能夠連接的工藝處理模塊數(shù)量也越多。因此，理論上設(shè)備可搭載的工藝處理模塊數(shù)量不受限制。本發(fā)明可以用于對(duì)半導(dǎo)體基板實(shí)施化學(xué)氣相沉積，原子層沉積和等離子刻蝕等加工工藝。具有可搭載多個(gè)工藝處理模塊，并且能夠被同時(shí)平行使用，可提高半導(dǎo)體器件生產(chǎn)速度，降低半導(dǎo)體器件生產(chǎn)商操作成本的特點(diǎn)。
文檔編號(hào)H01L21/02GK102064095SQ20101057396
公開日2011年5月18日 申請(qǐng)日期2010年12月3日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月3日
發(fā)明者劉憶軍, 李茂程, 王祥慧 申請(qǐng)人:孫麗杰