專利名稱：太陽能電池制造裝置及其系統(tǒng)及太陽能電池的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及太陽能電池，尤其涉及用于制造太陽能電池的太陽能電池制造裝置及其系統(tǒng)以及太陽能電池。
背景技術(shù)：
太陽能電池是將太陽光轉(zhuǎn)化為電能的裝置，使用稱為P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體的 2個種類的半導(dǎo)體發(fā)電。光照射到太陽能電池內(nèi)部產(chǎn)生電子和空穴，產(chǎn)生的電荷移動至P型半導(dǎo)體、N型半導(dǎo)體，根據(jù)此現(xiàn)象P型半導(dǎo)體、N型半導(dǎo)體之間產(chǎn)生電位差(光電動勢)，此時太陽能電池上連接負(fù)荷就會有電流流動。太陽能電池根據(jù)使用的材質(zhì)大體上分為使用硅材質(zhì)和化合物材質(zhì)的兩種，硅材質(zhì)的太陽能電池分為單晶、多晶系硅和非結(jié)晶系硅。目前，太陽能發(fā)電系統(tǒng)通常使用的是硅材質(zhì)的太陽能電池。尤其結(jié)晶系硅質(zhì)的單晶及多晶太陽能電池，因其變換效率佳、可靠性高而被廣泛使用。這種單晶硅質(zhì)的太陽能電池雖具有效率高等優(yōu)點，但是還具有制造費用高的缺
點ο與此相比，多晶硅質(zhì)的太陽能電池相比單晶硅基板效率低，但是具有制造費用低廉、可大量生產(chǎn)等優(yōu)點如上所述，結(jié)晶系材質(zhì)的太陽能電池，尤其是多晶材質(zhì)的太陽能電池，因制造低廉、制造簡單等優(yōu)點，其需求正日益提高，而且為完善其效率低的缺點，需要多種解決方案。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供太陽能電池制造裝置，及其系統(tǒng)以及太陽能電池，在結(jié)晶系材質(zhì)的基板表面形成多個微突起，以顯著降低反射率來提高太陽能電池效率。為實現(xiàn)所述的本發(fā)明的目的，本發(fā)明的太陽能電池制造裝置，包括真空腔室，形成有腔門；載體支撐部，設(shè)置于所述真空腔室，搭載有載體，其中所述載體裝載有多個結(jié)晶系硅基板；氣體噴射部，設(shè)置于所述載體支撐部上側(cè)，用于噴射氣體；以及電源施加部，施加電源使真空腔室內(nèi)產(chǎn)生等離子，在將形成有多個通孔的覆蓋板設(shè)置于所述載體以覆蓋所述基板的狀態(tài)下，所述太陽能電池制造裝置實施干蝕刻以在基板表面形成多個微突起。其中，在所述真空腔室的外部或者內(nèi)部以覆蓋板覆蓋所述基板。其中，形成于所述覆蓋板的通孔為狹縫。其中，優(yōu)選地，形成所述通孔的狹縫的寬度W小于或等于自所述覆蓋板的底面至所述基板的距離H的二分之一。其中，所述通孔具有上下貫通所述覆蓋板的柱狀形狀；在其上端及下端中的至少之一形成有被切開而成向外擴(kuò)張的切開部。其中，在所述通孔的上端及下端均形成有所述切開部，形成于下端的切開部更大。
其中，所述覆蓋板包括板狀部件，形成多個所述通孔；以及保持間隔部件，設(shè)置于所述板狀部件邊緣，用于保持所述板狀部件與所述基板的距離。其中，所述保持間隔部件為絕緣材質(zhì)，其中，所述保持間隔部件為透明的石英材質(zhì)。其中，優(yōu)選地，所述板狀部件的底面至所述基板的表面的距離為5. Omm 30. 0mm。其中，優(yōu)選地，所述多個通孔的開口總和為所述板狀部件表面積的5% 40%。其中，在所述板狀部件的底面至基板的距離中，優(yōu)選圍繞中央部分的周邊部分的距離比中央部分的距離更小。其中，所述板狀部件被構(gòu)成為上面形成平面，底面向上面方向凹陷。其中，所述板狀部件被構(gòu)成為具有一定厚度，且自所述周邊部分至所述中央部分逐漸凸起。其中，在所述板狀部件的底面形成有曲面或段差。其中，結(jié)合所述板狀部件和所述保持間隔部件，優(yōu)選地，以在所述板狀部件的底面和所述保持間隔部件的內(nèi)面相交的部分形成大于90°的角度。其中，結(jié)合所述板狀部件和所述保持間隔部件，以使所述板狀部件的底面和所述保持間隔部件的內(nèi)面形成平緩的曲面。其中，所述保持間隔部件的內(nèi)面俯視觀察呈矩形，在所述保持間隔部件的各邊的內(nèi)面與其相鄰的邊的內(nèi)面相交的部分，優(yōu)選地，所述保持間隔部件的各邊的內(nèi)面與其相鄰的邊的內(nèi)面形成大于90°的角度。其中，所述保持間隔部件的各邊與其相鄰的邊的內(nèi)面相互形成平緩的曲面。其中，所述干蝕刻是反應(yīng)離子蝕刻。本發(fā)明提供太陽能電池制造系統(tǒng)包括一個以上工序模組；以及基板交換模組， 相互交換通過所述工序模組完成工序的基板和將要進(jìn)行工序的基板。其中太陽能制造系統(tǒng)包括移送裝置，將裝載有將要實施工序的多個基板的載體從所述基板交換模組傳送至任意一個所述的工序模組，將裝載有已經(jīng)完成工序的多個基板的載體從任意一個所述的工序模組傳送至所述基板交換模組， 其中，所述基板交換模組及所述移送裝置在大氣壓下運行。還包括緩沖模組，臨時裝載從所述工序模組導(dǎo)出的載體和/或由所述基板交換模組傳送的載體。其中，在所述基板交換模組或所述緩沖模組，以所述覆蓋板覆蓋所述基板。本發(fā)明還提供根據(jù)權(quán)利要求20所述的太陽能電池制造裝置制造的太陽能電池。根據(jù)本發(fā)明的太陽能電池制造裝置及其系統(tǒng)及太陽能電池，在以形成有多個通孔的覆蓋板覆蓋基板的狀態(tài)下，進(jìn)行干蝕刻，從而可以在基板表面形成均勻的微突起。尤其，在根據(jù)本發(fā)明的太陽能電池的基板表面即受光面均勻地形成微突起，由此可顯著地降低基板的反射率，使太陽能電池的效率極大化。而且，根據(jù)本發(fā)明的太陽能電池制造裝置，提供了關(guān)于形成有多個通孔的覆蓋板的最佳結(jié)構(gòu)，從而具有在基板的受光面可以形成更為均勻的微突起的優(yōu)點。而且，根據(jù)本發(fā)明的太陽能電池制造裝置，處理大型基板或一次性地處理多個基板時，由于隨著大面積化而導(dǎo)致中央部分和周邊部分的工序條件有所區(qū)別，從而導(dǎo)致了在現(xiàn)有技術(shù)中存在對基板的處理不均勻的問題，然而根據(jù)本發(fā)明的太陽能電池制造裝置，改善了中央部分及周邊部分的覆蓋板的結(jié)構(gòu)，從而在處理多個基板時，根據(jù)其位置而導(dǎo)致的基板處理不均勻性的問題可以得到改善。


圖1是太陽能電池的一實施例概念示意圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明的太陽能電池制造裝置的截面示意圖；圖3是圖2的太陽能電池制造裝置所使用的覆蓋板立體示意圖；圖4是圖3的IV-IV方向的截面示意圖；圖fe及圖恥是圖2太陽能電池制造裝置所使用的變形的覆蓋板截面圖；圖6是圖2的太陽能電池制造裝置使用的變形的另一覆蓋板的部分截面示意圖；圖7是部分顯示圖2的太陽能電池制造裝置所使用的變形的另一覆蓋板的平面示意圖。
具體實施例方式以下，結(jié)合附圖對本發(fā)明的太陽能電池制造裝置及其系統(tǒng)以及太陽能電池進(jìn)行詳細(xì)說明。首先，簡要說明適用本發(fā)明的太陽能電池。具體如下適用本發(fā)明的太陽能電池100的一實施例，如圖1所示，其包括硅基板110 ；半導(dǎo)體層120，形成于硅基板110的受光面；防反射膜130，形成于半導(dǎo)體層120 ；第一電極140， 形成于防反射膜130 ；以及第二電極150，形成于硅基板110的底面。硅基板110為單晶或多晶硅，具有P型或者N型半導(dǎo)體特性。此時，半導(dǎo)體層120 具有的半導(dǎo)體特性與硅基板110的半導(dǎo)體特性相反。硅基板110為單晶時，由引上法等形成；多晶時，切割由鑄造法形成的硅錠而制造。另外，作為降低受光面的反射率來提高硅基板110效率的方法，優(yōu)選地，對其受光面進(jìn)行粗糙化，即在受光面形成多個微突起220。作為在硅基板110表面形成微突起220的方法有使用堿性水溶液或者酸性水溶液的濕蝕刻方法，以及使用如反應(yīng)離子蝕刻(Reactive IonEtching)那樣的干蝕刻等方法。在此，濕蝕刻方法依賴于硅的結(jié)晶結(jié)構(gòu)，在具有不規(guī)則結(jié)晶結(jié)構(gòu)的多晶硅基板上形成均勻的微突起220有一定難度。與此相比，干蝕刻方法不受硅基板的結(jié)晶結(jié)構(gòu)的影響，都可適用，并且具有可均勻地形成微突起220的優(yōu)點。優(yōu)選地，通過干蝕刻在基板100的受光面形成微突起220。以下，對根據(jù)本發(fā)明的太陽能電池制造裝置進(jìn)行詳細(xì)說明。如圖2所示，根據(jù)本發(fā)明的太陽能電池制造裝置300被設(shè)置為通過干蝕刻在基板 100的受光面形成微突起220，其包括形成有腔門320的真空腔室310 ；載體支撐部件330， 設(shè)置于真空腔室310，直接地或者通過載體230支撐基板110 ；氣體噴射部340，設(shè)置于載體支撐部330的上側(cè)，用于噴射氣體；電源施加部，施加電源以使真空腔室310能夠形成等離子。
真空腔室310被設(shè)置為能夠?qū)嵤└晌g刻，其可以具有如可相互分離地結(jié)合以形成真空的空間等多種結(jié)構(gòu)。載體支撐部330被設(shè)置為直接地或者通過載體230支撐基板110，例如硅基板110 裝載于載體230時，載體230搭載于載體支撐部330。在此，載體230被設(shè)置為裝載多個基板110并移送基板110，其可具有多種結(jié)構(gòu)。氣體噴射部340被設(shè)置為在真空腔室310內(nèi)噴射氣體以實施干蝕刻，其可具有多種結(jié)構(gòu)。電源施加部被設(shè)置為用于實施干蝕刻。根據(jù)不同工序，其可以具有多種結(jié)構(gòu)。作為一個實施例，可以構(gòu)成為使真空腔室310及氣體噴射部340進(jìn)行接地，并對載體支撐部330 施加RF電源360。另外，優(yōu)選地，為了在基板110的受光面形成多個均勻的微突起220，將形成有多個通孔的覆蓋板設(shè)置于所述載體以覆蓋所述基板，然后實施干蝕刻。覆蓋板240將氣體、等離子化的氣體、以及與基板110反應(yīng)產(chǎn)生的化合物等封鎖在覆蓋板240及載體230之間的空間內(nèi)，從而在基板110的受光面可均勻地形成多個微突起 220。尤其，封鎖在覆蓋板240及載體230之間的物質(zhì)中，與基板110反應(yīng)而產(chǎn)生的部分化合物附著于基板110的受光面，附著的化合物作為掩膜，在基板110的受光面形成多個微突起220。為形成用于封鎖氣體、等離子化的氣體、以及與基板等反應(yīng)產(chǎn)生的化合物等的空間，覆蓋板可以被設(shè)置為在載體230上與基板110相隔距離H等，其還可具有多種結(jié)構(gòu)。即，如圖2及圖3所示，覆蓋板240可以包括板狀部件M2，形成有多個通孔Ml ； 保持間隔部件對3，設(shè)置在板狀部件邊緣，用于保持板狀部件和基板110的間隔，即保持距離H。為形成有多個通孔Ml，板狀部件242可使用板(plate)或網(wǎng)(mesh)狀結(jié)構(gòu)等多種部件，可使用對等離子具有較強(qiáng)耐性的鋁、鋁合金等金屬材質(zhì)，陶瓷材質(zhì)、玻璃材質(zhì)等多種材質(zhì)。而且，形成于板狀部件M2的通孔M1，如圖3所示，可根據(jù)設(shè)計進(jìn)行選擇，可具有狹縫形狀。在此，構(gòu)成通孔的多個狹縫可形成在板狀部件242中且相互平行地排列，其末端與平行設(shè)置的相鄰狹縫的末端平行或相互錯開。此時，對于覆蓋板240而言，即在板狀部件242形成的通孔241為狹縫時，形成通孔Ml的狹縫的寬度W優(yōu)選為覆蓋板MO的底面至基板110的距離H的二分之一以下。根據(jù)實驗，形成通孔241的狹縫的寬度W為覆蓋板240的底面至基板110的距離的二分之一以下時，狹縫的圖案不會轉(zhuǎn)印至基板110上、不形成色差，能夠均勻地形成微突起 220。而且，如圖4所示，通孔241上下貫通覆蓋板M0，即板狀部件242的柱狀形狀，優(yōu)選在上端及下端中的至少一個上形成有被切開而成的向外擴(kuò)張的切開部M6J47。在此，在通孔Ml的上端及下端均形成切開部M6J47，優(yōu)選在下端形成的更大切開部對7。另外，形成于通孔241的切開部M6J47，其面可形成平緩的曲面或平面。在此，切開部246、247形成的平緩的曲面的曲率半徑優(yōu)選的是至少為0. 5mm以上。如對形成微突起 220沒有影響，考慮到加工可能性，可形成更大的尺寸。作為形成切開部M6J47的一實施例，狹縫的寬度W為3mm，板狀部件Ml的厚度為6mm時，則在板狀部件Ml的上面，其垂直深度分別可以約為0. 9mm。由于形成有切開部M6J47，因而在其附近可防止產(chǎn)生不穩(wěn)定的等離子，因此可良好的進(jìn)行基板處理。而且，板狀部件對2的底面至基板110的表面之間的距離H優(yōu)選為5. Omm 30.Omm0如果板狀部件242的底面至基板110的表面的距離H過大，會抵消設(shè)置覆蓋板MO 的效果；如果過小，將出現(xiàn)通孔MI的圖案轉(zhuǎn)印至基板110而產(chǎn)生斑點等問題。而且，形成于板狀部件M2的多個通孔Ml的開口總和優(yōu)選為板狀部件242表面積的5% 40%。針對形成于板狀部件242的多個通孔241的開口總和，如果開口率過大，則沒有封鎖氣體、等離子化的氣體、以及與基板等的反應(yīng)生成的化合物等的效果；如果開口率過低， 則會有對氣體、等離子化的氣體供給不足的問題。保持間隔部件243被設(shè)置為在板狀部件242及載體230之間形成空間從而使得板狀部件242與載體230，即與基板110的表面保持一定的距離H的結(jié)構(gòu)，其可形成多種結(jié)構(gòu)。而且，如圖如及恥所示，優(yōu)選地，在板狀部件242的底面至基板110的距離H中， 與中央部分的距離相比，圍繞中央部分的周邊部分的距離更小。 如上所述的板狀部件M2的底面至基板110的距離H，如圖如及恥所示，如果與中央部分的距離相比圍繞中央部分的周邊部分的距離更小時，針對位于中央部分的基板110 以及位于周邊部分的基板110，可無色差地更均勻地形成微突起220。在此，如圖如所示，板狀部件242被形成為上面為平面，底面向上面方向凹陷；或如圖恥所示，板狀部件242被形成為具有一定厚度的板，從周邊部分至中央部分凸起等，但板狀部件242也可以具有其他各種形狀結(jié)構(gòu)。尤其，板狀部件242的底面可形成曲面或者段差。而且，板狀部件M2的底面設(shè)置有至少一個能夠穩(wěn)定地維持與基板110之間的距離H的柱狀體或壁體。而且，對于板狀部件M2的底面至基板110的距離H，作為將圍繞中央部分的周邊部分的距離設(shè)置成小于中央部分的距離的方法，裝載基板110時，可以將中央部分裝載成高于圍繞中央部分的周邊部分。S卩，針對板狀部件M2的底面至基板110的距離H，作為將圍繞中央部分的周邊部分的距離設(shè)置成小于中央部分的距離的方法，在裝載有基板Iio的載體支撐部330或載體 230的上面，在與各基板110對應(yīng)的位置，將圍繞中央部分的周邊部分的高度設(shè)置成高于中央部分的高度。另外，板狀部件242的底面和保持間隔部件243的內(nèi)面的結(jié)合角度小于90°時，在其附近會發(fā)生異常放電或者強(qiáng)放電，從而會阻礙在基板Iio表面形成微突起220。由此，如圖6所示，在板狀部件242的底面和保持間隔部件243相交的部分248上， 優(yōu)選地，板狀部件M2的底面和保持間隔部件243形成大于90°的角度。
在此，結(jié)合所述板狀部件242和所述保持間隔部件243時，使板狀部件242的底面和保持間隔部件對3的內(nèi)面形成平緩的曲面。在此，平緩的曲面的曲率半徑優(yōu)選為約大于 2mm ο另外，板狀部件M2的底面和保持間隔部件M3的底面與各面形成大于90°的平面。而且，當(dāng)保持間隔部件M3的各邊的內(nèi)面與相鄰邊的內(nèi)面在相交的部分形成小于 90°的角度時，如上所述，在其附近會發(fā)生異常放電或者強(qiáng)放電，從而阻礙在基板110的表面形成微突起220。由此，如圖7所示，保持間隔部件M3的內(nèi)面從俯視方向觀察時呈矩形，保持間隔部件M3的各邊的內(nèi)面與相鄰邊的內(nèi)面在相交的部分249優(yōu)選形成大于90°的角度。在此，保持間隔部件243的各邊內(nèi)面與相鄰的邊的內(nèi)面可形成平緩的曲面。在此， 平緩的曲面的曲率半徑優(yōu)選約大于2mm。而且，保持間隔部件M3的各邊的內(nèi)面和相鄰的邊的內(nèi)面可形成大于90°角度的平面。另外，板狀部件242可使用金屬材質(zhì)，但為防止在板狀部件242上通電，優(yōu)選使用絕緣材質(zhì)。在此，保持間隔部件243可采用石英材質(zhì)等透明的材質(zhì)，從而可對由板狀部件M2 及載體230形成的空間進(jìn)行觀察。而且，雖然說明了保持間隔部件243與板狀部件242結(jié)合的結(jié)構(gòu)，但是也可以不與板狀部件242結(jié)合，而與載體230結(jié)合，或可分離地設(shè)置于載體230上。而且，當(dāng)處理多個基板110時，為確保對各基板110的處理的一致性，在覆蓋板MO 的底面和載體230之間形成或設(shè)置一個以上隔離壁(未圖示)，用于分隔載體230及覆蓋板 240形成的空間，從而將載體230及覆蓋板240所形成的空間分隔為多個。另外，具有所述結(jié)構(gòu)的太陽能電池制造裝置300，可用于太陽能電池制造系統(tǒng)的工序模組。S卩，根據(jù)本發(fā)明的太陽能電池制造系統(tǒng)，包括所述的一個以上太陽能電池制造裝置的工序模組；基板交換模組，將載體230上的完成工序的基板110交換成將要實施工序的基板110?；褰粨Q模組被構(gòu)成為在載體230上裝載將要實施工序的基板110或?qū)С鲆呀?jīng)完成工序的基板110，但還可以具有多種結(jié)構(gòu)?；褰粨Q模組可以被構(gòu)成為在載體230上， 以將要實施工序的基板110自動或手動交換已經(jīng)完成工序的基板110。另外，根據(jù)本發(fā)明的太陽能電池制造系統(tǒng)包括移送裝置，用于在實施工序時，將裝載多個基板110的載體230從基板交換模組轉(zhuǎn)送至任意一個工序模組，將裝載有已經(jīng)完成工序的多個基板100的載體230從任意一個工序模組轉(zhuǎn)送至基板交換模組。在此，基板交換模組及移送裝置可以在大氣壓下運行，此時，針對工序模組，在實施工序所需的真空壓和因交換載體而開放的大氣壓之間出現(xiàn)壓力轉(zhuǎn)換。另外，太陽能電池制造系統(tǒng)還包括緩沖模組，用于臨時裝載從工序模組導(dǎo)出的載體230和/或從基板交換模組轉(zhuǎn)送的載體230。只要是能夠臨時保管載體230的結(jié)構(gòu)，緩沖模組均可以采用，并且與基板交換模組相同，可在大氣壓下運行。如上所述的太陽能電池制造系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)為依次設(shè)置基板交換模組和工序模組的流線式(in line type)結(jié)構(gòu)，以及沿著以移送機(jī)械臂進(jìn)行移送的移送路徑排列多個工序模組的群組式(cluster type)結(jié)構(gòu)。在此，移送機(jī)械臂被構(gòu)成為能夠沿導(dǎo)軌移動，用于移送裝載有基板110的基板交換模組、工序模組、以及緩沖模組。根據(jù)具有上述結(jié)構(gòu)的太陽能電池制造裝置制造的太陽能電池，詳細(xì)說明如下。根據(jù)本發(fā)明的太陽能電池制造裝置以通過干蝕刻在硅基板110的受光面形成多個微突起220為目的，其特征在于以覆蓋板240覆蓋基板110后，實施干蝕刻，在基板110 的受光面形成微突起220。此時，覆蓋板240可以在載體230搭載至載體支撐部330前或者之后覆蓋基板 110。但是當(dāng)覆蓋板240在基板110搭載至載體支撐部330之后覆蓋基板110時，需要在真空腔室310內(nèi)部設(shè)置覆蓋及去除覆蓋板MO的結(jié)構(gòu)，因此真空腔室310的結(jié)構(gòu)會變得復(fù)雜。由此，更優(yōu)選地，在真空腔室310的外部，覆蓋板240設(shè)置于裝載有基板110的載體230上，然后再將其搭載至真空腔室310內(nèi)的載體支撐部330。尤其，覆蓋板240在基板交換模組或者緩沖模組中，由覆蓋板240覆蓋基板110。另外，所述太陽能電池制造裝置實施的工序條件根據(jù)基板110的材質(zhì)、太陽能電池結(jié)構(gòu)等可具有多種結(jié)構(gòu)。對用于形成多數(shù)微突起220的工序條件的一實施例說明如下。注入到真空腔室110的氣體是包括F以及Cl的氣體，例如包括CHF3、Cl2, 02、SF6 等的氣體，可使用 18 25sccm 的 CHF3、48 52sccm 的 Cl2、9 Ilsccm 的 02、75 82sccm 的SF6。其中可以還包括吐0。反應(yīng)壓力約為71 8Pa，施加的電源約為500W左右，工序時間約為3分鐘-10分鐘。另外，如上所述，在基板110的受光面上通過干蝕刻形成微突起220后，為了進(jìn)行形成半導(dǎo)體層等后續(xù)工序，有必要去除附著在基板110的化合物。作為去除附著于基板的化合物的方法，具有將基板110浸于裝有水等去除液的容器內(nèi)然后施加超聲波以去除化合物的方法；以及將基板Iio浸于裝有HF水溶液的容器內(nèi)進(jìn)行去除的方法。另外，在基板110的表面形成多個微突起220后，基板110依次通過半導(dǎo)體層形成步驟、反射膜形成步驟及電極形成步驟被制成太陽能電池。另外，以上以結(jié)晶系硅基板的受光面進(jìn)行粗糙化的方案對根據(jù)本發(fā)明的太陽能電池制造裝置及其系統(tǒng)進(jìn)行了說明，但是除結(jié)晶系硅基板以外，本發(fā)明還可以適用非結(jié)晶系硅基板、玻璃基板、金屬、塑料等基板而不受基板材質(zhì)的限制，只要是以粗糙地形成基板表面為目的均可適用。以上僅對可以實施本發(fā)明的部分優(yōu)選實施例進(jìn)行了說明，本發(fā)明的范圍不限于所述的實施例，所述說明的本發(fā)明的技術(shù)思想和以其基礎(chǔ)的技術(shù)思想都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種太陽能電池制造裝置，包括真空腔室，形成有腔門；載體支撐部，設(shè)置于所述真空腔室，搭載有載體，其中所述載體裝載有多個結(jié)晶系硅基板；氣體噴射部，設(shè)置于所述載體支撐部上側(cè)，用于噴射氣體；以及電源施加部，施加電源使真空腔室內(nèi)產(chǎn)生等離子，其特征在于，在將形成有多個通孔的覆蓋板設(shè)置于所述載體以覆蓋所述基板的狀態(tài)下，所述太陽能電池制造裝置實施干蝕刻以在基板表面形成多個微突起。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池制造裝置，其特征在于， 在所述真空腔室的外部或者內(nèi)部以覆蓋板覆蓋所述基板。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池制造裝置，其特征在于， 形成于所述覆蓋板的通孔為狹縫。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的太陽能電池制造裝置，其特征在于，形成所述通孔的狹縫的寬度W小于或等于自所述覆蓋板的底面至所述基板的距離H的二分之一。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的太陽能電池制造裝置，其特征在于，所述通孔具有上下貫通所述覆蓋板的柱狀形狀；在其上端及下端中的至少之一形成有被切開而成向外擴(kuò)張的切開部。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的太陽能電池制造裝置，其特征在于， 在所述通孔的上端及下端均形成有所述切開部，形成于下端的切開部更大。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池制造裝置，其特征在于，所述覆蓋板包括 板狀部件，形成有多個所述通孔；以及保持間隔部件，設(shè)置于所述板狀部件邊緣，用于保持所述板狀部件與所述基板的距離。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的太陽能電池制造裝置，其特征在于， 所述保持間隔部件為絕緣材質(zhì)。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的太陽能電池制造裝置，其特征在于， 所述保持間隔部件為透明的石英材質(zhì)。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的太陽能電池制造裝置，其特征在于， 所述板狀部件的底面至所述基板的表面的距離為5. Omm 30. 0mm。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的太陽能電池制造裝置，其特征在于， 所述多個通孔的開口總和為所述板狀部件表面積的5% 40%。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的太陽能電池制造裝置，其特征在于，在所述板狀部件的底面至基板的距離中，圍繞中央部分的周邊部分的距離比中央部分的距離更小。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的太陽能電池制造裝置，其特征在于， 所述板狀部件被構(gòu)成為上面形成平面，底面向上面方向凹陷。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的太陽能電池制造裝置，其特征在于，所述板狀部件被構(gòu)成為具有一定厚度，且自所述周邊部分至所述中央部分逐漸凸起。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的太陽能電池制造裝置，其特征在于， 在所述板狀部件的底面形成有曲面或段差。
16.根據(jù)權(quán)利要求7所述的太陽能電池制造裝置，其特征在于，所述板狀部件和所述保持間隔部件被結(jié)合以在所述板狀部件的底面和所述保持間隔部件的內(nèi)面相交的部分形成大于90°的角度。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的太陽能電池制造裝置，其特征在于，所述板狀部件和所述保持間隔部件被結(jié)合以使所述板狀部件的底面和所述保持間隔部件的內(nèi)面形成平緩的曲面。
18.根據(jù)權(quán)利要求7所述的太陽能電池制造裝置，其特征在于，所述保持間隔部件的內(nèi)面俯視觀察呈矩形，在所述保持間隔部件的各邊的內(nèi)面與其相鄰的邊的內(nèi)面相交的部分，所述保持間隔部件的各邊的內(nèi)面與其相鄰的邊的內(nèi)面形成大于90°的角度。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的太陽能電池制造裝置，其特征在于，所述保持間隔部件的各邊與其相鄰的邊的內(nèi)面相互形成平緩的曲面。
20.根據(jù)權(quán)利要求1至19任一項所述的太陽能電池制造裝置，其特征在于，所述干蝕刻是反應(yīng)離子蝕刻。
21.一種太陽能電池制造系統(tǒng)，包括一個以上根據(jù)權(quán)利要求1至19任一項所述的太陽能電池制造裝置的工序模組；以及基板交換模組，相互交換通過所述工序模組完成工序的基板和將要進(jìn)行工序的基板。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的太陽能制造系統(tǒng)，其特征在于，包括移送裝置，將裝載有將要實施工序的多個基板的載體從所述基板交換模組傳送至任意一個所述的工序模組，將裝載有已經(jīng)完成工序的多個基板的載體從任意一個所述的工序模組傳送至所述基板交換模組，其中，所述基板交換模組及所述移送裝置在大氣壓下運行。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的太陽能制造系統(tǒng)，其特征在于，還包括緩沖模組，臨時裝載從所述工序模組導(dǎo)出的載體和/或由所述基板交換模組傳送的載體。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的太陽能制造系統(tǒng)，其特征在于，在所述基板交換模組或所述緩沖模組，以所述覆蓋板覆蓋所述基板。
25.一種根據(jù)權(quán)利要求20所述的太陽能電池制造裝置制造的太陽能電池。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種太陽能電池制造裝置，包括真空腔室，形成有腔門；載體支撐部，設(shè)置于所述真空腔室，搭載有載體，該載體裝載多個結(jié)晶系硅基板；氣體噴射部，設(shè)置于所述載體支撐部上側(cè)，用于噴射氣體；電源施加部，施加電源使真空腔室內(nèi)產(chǎn)生等離子，其特征在于，所述太陽能電池制造裝置在以形成多個通孔的覆蓋板覆蓋所述基板地設(shè)置于所述載體上的狀態(tài)下進(jìn)行實施干蝕刻，從而在基板表面形成多個微突起。
文檔編號H01L31/04GK102479877SQ20101057095
公開日2012年5月30日 申請日期2010年11月19日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月19日
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