專利名稱：半導(dǎo)體器件的形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體器件的形成方法。
背景技術(shù)：
集成電路尤其是超大規(guī)模集成電路中的主要器件是金屬氧化物半導(dǎo)體(Metal Oxide Semiconductor，簡稱M0S)。集成電路自發(fā)明以來，其在性能和功能上的進(jìn)步是突飛猛進(jìn)的，并且MOS器件的幾何尺寸一直在不斷縮小，目前其特征尺寸已經(jīng)進(jìn)入納米尺度。在MOS器件按比例縮小的過程中，漏極電壓并不隨之減小，這就導(dǎo)致源極、漏極間的溝道區(qū)電場的增大，在強(qiáng)電場作用下，電子在兩次碰撞之間會加速到比熱運(yùn)動速度高出許多倍的速度，因此動能很大，這些電子被稱為熱電子，所述熱電子會向柵介質(zhì)層注入，從而引起熱電子效應(yīng)(hot electroneffect) 0該效應(yīng)屬于器件的小尺寸效應(yīng)，所述效應(yīng)會引起柵電極電流和半導(dǎo)體襯底電流，影響器件和電路的可靠性。上述熱電子效應(yīng)是影響MOS器件壽命(TTF)的一個關(guān)鍵因素?zé)犭娮有?yīng)越弱，器件壽命越長；反之，熱電子效應(yīng)越明顯，器件壽命越短。為了提高M(jìn)OS器件壽命，需要抑制熱電子效應(yīng)。對于NMOS器件，熱電子效應(yīng)尤為突出。因?yàn)镹MOS的載流子是電子，而PMOS的載流子是空穴，與空穴比較，電子更容易躍過半導(dǎo)體襯底與柵介質(zhì)層之間的界面勢壘，從而使得電子更容易注入柵介質(zhì)層，造成對柵介質(zhì)層的傷害。公開號為CN1393935A的中國專利申請中提供的一種具有摻雜的口袋(pocket)結(jié)構(gòu)的NMOS器件，一定程度上抑制了熱電子效應(yīng)。所述結(jié)構(gòu)如圖1所示，包括提供半導(dǎo)體襯底001，在所述半導(dǎo)體襯底001上注入硼離子，形成P型阱002和溝道區(qū)(圖中未標(biāo)示)；在所述半導(dǎo)體襯底001表面上依次形成柵極介質(zhì)層003和柵電極004，所述柵電極004兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底為源區(qū)和漏區(qū)；在所述源區(qū)和漏區(qū)內(nèi)注入銦離子，以形成口袋區(qū)域005;繼續(xù)在所述源區(qū)和漏區(qū)內(nèi)注入磷離子，形成輕摻雜區(qū)006 ；在柵介質(zhì)層003和柵電極004的兩側(cè)形成側(cè)壁007 ；最后，對所述源區(qū)和漏區(qū)進(jìn)行深摻雜，以形成源極008和漏極009?，F(xiàn)有技術(shù)的改進(jìn)主要是集中于源漏結(jié)的改進(jìn)，如上述采用輕摻雜源漏(LDD)等。 上述改進(jìn)將有效降低溝道區(qū)漏端電場，減少被激發(fā)的載流子，從而改善熱載流子效應(yīng)。但是這些改進(jìn)并不涉及減少載流子在柵氧化層中捕獲幾率，即如何有效降低柵氧化層中的界面態(tài)，主要是降低捕獲載流子的界面陷阱。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是提供一種半導(dǎo)體器件的形成方法，改善現(xiàn)有技術(shù)形成的半導(dǎo)體器件的熱電子效應(yīng)。為解決上述問題，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的形成方法，包括提供襯底，對所述襯底進(jìn)行第一離子注入，形成離子阱；在所述襯底表面上形成柵極結(jié)構(gòu)；以所述柵極結(jié)構(gòu)為掩膜，對所述襯底進(jìn)行第二離子注入，形成輕摻雜區(qū)，包括輕摻雜源區(qū)和輕摻雜漏區(qū)；在所述柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)形成側(cè)墻，并以所述側(cè)墻為掩膜，對所述襯底進(jìn)行第三離子注入，形成重?fù)诫s區(qū)，包括重?fù)诫s源區(qū)和重?fù)诫s漏區(qū)；其中，所述第一離子注入環(huán)境、第二離子注入環(huán)境和第三離子注入環(huán)境中的一種離子注入環(huán)境或多個離子注入環(huán)境中，還包含有氘離子、氟離子或氯離子中的一種或組合。可選的，所述離子阱為N型阱或者P型阱?？蛇x的，若為P型阱，所述第一離子為硼離子；若為N型阱，所述第一離子為砷或者是磷離子?？蛇x的，所述氘離子的注入劑量為IX IO13 IX IOlfVcm2，注入能量為200ev 25Kev，注入角度為0 60度?？蛇x的，所述氟離子的注入劑量為IX IO13 IX IOlfVcm2，注入能量為200ev 25Kev，注入角度為0 60度。可選的，所述氯離子的注入劑量為IX IO13 IX IOlfVcm2，注入能量為200ev 25Kev，注入角度為0 60度。本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體器件的形成方法，包括提供襯底，對所述襯底進(jìn)行第一離子注入，形成離子阱；
在所述襯底表面上形成柵極結(jié)構(gòu)；以所述柵極結(jié)構(gòu)為掩膜，對所述襯底進(jìn)行第二離子注入，形成輕摻雜區(qū)，包括輕摻雜源區(qū)和輕摻雜漏區(qū)；在所述柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)形成側(cè)墻，并以所述側(cè)墻為掩膜，對所述襯底進(jìn)行第三離子注入，形成重?fù)诫s區(qū)，包括重?fù)诫s源區(qū)和重?fù)诫s漏區(qū)；在所述第一離子注入、第二離子注入和第三離子注入中的一種離子注入工藝或多個離子注入工藝后，還包含有氘離子注入、氟離子注入或氯離子注入中的一種或組合?？蛇x的，所述離子阱為N型阱或者P型阱。可選的，若為P型阱，所述第一離子為硼離子；若為N型阱，所述第一離子為砷或者是磷離子?？蛇x的，所述氘離子的注入劑量為IX IO13 IX IOlfVcm2，注入能量為200ev 25Kev，注入角度為0 60度?？蛇x的，所述氟離子的注入劑量為IX IO13 IX IOlfVcm2，注入能量為200ev 25Kev，注入角度為0 60度?？蛇x的，所述氯離子的注入劑量為IX IO13 IX IOlfVcm2，注入能量為200ev 25Kev，注入角度為0 60度。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下優(yōu)點(diǎn)將氘離子、氟離子和氯離子的一種或多種引入所述離子阱、輕摻雜區(qū)和重?fù)诫s區(qū)內(nèi)，以飽和襯底表面的硅懸掛鍵。同時所述硅氘、硅氟和硅氯鍵的鍵能均較大，在外界的工藝環(huán)境中，不容易造成斷鍵，減少位于所述離子阱靠近襯底表面的硅懸掛鍵，抑制熱電子效應(yīng)。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2為本發(fā)明一個實(shí)施例的半導(dǎo)體器件形成方法流程示意圖。圖3至圖8為本發(fā)明一個實(shí)施例的半導(dǎo)體器件形成方法結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的形成方法，包括提供襯底，對所述襯底進(jìn)行第一離子注入，形成離子阱；在所述襯底表面上形成柵極結(jié)構(gòu)；以所述柵極結(jié)構(gòu)為掩膜，對所述襯底進(jìn)行第二離子注入，形成輕摻雜區(qū)，包括輕摻雜源區(qū)和輕摻雜漏區(qū)；在所述柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)形成側(cè)墻，并以所述側(cè)墻為掩膜，對所述襯底進(jìn)行第三離子注入，形成重?fù)诫s區(qū)，包括重?fù)诫s源區(qū)和重?fù)诫s漏區(qū)；其中所述第一離子注入環(huán)境、第二離子注入環(huán)境和第三離子注入環(huán)境中的一種離子注入環(huán)境或多個離子注入環(huán)境中，還包含有氘離子、氟離子或氯離子中的一種或組合。如圖2所示，所述半導(dǎo)體器件的形成方法包括步驟Si，提供襯底，對所述襯底進(jìn)行第一離子注入，形成離子阱，所述離子阱為P 型阱或N型阱，所述第一離子注入環(huán)境包含有氘離子、氟離子或氯離子中的一種或組合；步驟S2，在所述襯底表面上形成柵極結(jié)構(gòu)；步驟S3，以所述柵極結(jié)構(gòu)為掩膜，對所述襯底進(jìn)行第二離子注入，形成輕摻雜區(qū)， 所述第二離子注入環(huán)境包含有氘離子、氟離子或氯離子中的一種或組合；步驟S4，在所述柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)形成側(cè)墻，并以所述側(cè)墻為掩膜，對所述襯底進(jìn)行第三離子注入，形成源區(qū)和漏區(qū)，所述第三離子注入環(huán)境包含有氘離子、氟離子或氯離子中的一種或組合。為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說明。在以下描述中闡述了具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以多種不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣。因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施的限制。圖3至圖8為本發(fā)明一個實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的形成方法結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3所示，提供襯底110，所述半導(dǎo)體襯底110可以是硅或硅鍺，也可以是絕緣體上硅(SOI)，或者還可以包括其它的材料，例如砷化鎵等III-V族化合物。所述襯底110內(nèi)還形成有隔離結(jié)構(gòu)120，用于隔離后續(xù)形成的有源區(qū)。繼續(xù)參考圖3，在所述半導(dǎo)體襯底110內(nèi)進(jìn)行第一離子注入，形成離子阱130，所述離子阱130為P型阱或N型阱。若所述離子阱130為P型阱，可通過注入劑量為1 5X 1013/Cm2的硼，注入能量為10 500Kev，優(yōu)選地為200Kev。若所述離子阱130為N型阱，則可以選擇通過注入劑量為1 5X 1013/Cm2的砷或者是磷，注入能量為10 500Kev，優(yōu)選地為200Kev。其中，所述第一離子注入環(huán)境中，除了用于摻雜的P型或者N型第一離子，還包括有氘離子、氟離子和氯離子中的一種或多種。本實(shí)施例中，為氘離子、氟離子和氯離子的組合。具體地，可以通過電離氘氣產(chǎn)生氘離子、電離氟化硼產(chǎn)生氟離子，電離氯化氫產(chǎn)生氯離子。通過上述方法將所述氘離子、氟離子和氯離子引入所述離子阱內(nèi)，以飽和所述離子阱靠近襯底表面的硅懸掛鍵。同時所述硅氘、硅氟和硅氯鍵的鍵能均較大，在外界的工藝環(huán)境中，不容易造成斷鍵，減少位于所述離子阱靠近襯底表面的硅懸掛鍵，抑制熱電子效應(yīng)。所述氘離子的注入劑量為1 X IO13 1 X IO1Vcm2,注入能量為200ev 25Kev ；所述氟離子的注入劑量為IXlO13 IX IOlfVcm2，注入能量為200ev 25Kev ；所述氯離子的注入劑量為1 X IO13 1 X IO1Vcm2,注入能量為200ev 25Kev。本實(shí)施例中，所述離子阱130為P型離子阱，所述第一離子為硼離子，在200Kev的加速能量和大約3.0X1013/Cm2的劑量下，硼離子被注入到半導(dǎo)體襯底110中，從而形成P 型阱130 ；同時，所述第一離子注入環(huán)境中還包括有劑量為3. OX IO1Vcm2的氘離子、劑量為 3. OX IO1Vcm2的氟離子，劑量為3. OX IO1Vcm2的氯離子，用于飽和所述P型阱130靠近襯底表面的硅懸掛鍵。進(jìn)一步地，還可以在20Kev的加速能量和大約5. OX 1012/cm2的劑量下，注入硼離子形成位于襯底110上表面的溝道區(qū)(圖中未標(biāo)示)，以調(diào)節(jié)閾值電壓。如圖4所示，所述襯底110上形成有柵極結(jié)構(gòu)。所述柵極結(jié)構(gòu)包括柵介質(zhì)層140 和柵電極150。本實(shí)施例中，所述柵介質(zhì)層140包括氧化硅、氮化硅，所述柵介質(zhì)層140的形成工藝如下，包括1蒸汽原位生成(situ stream-generated, ISSG)或者是快速熱處理(RTO)，形成基礎(chǔ)氧化層，所述形成的溫度范圍為700 1100°C，所述基礎(chǔ)氧化物的厚度為0. 5 3nm ；2在氮?dú)猸h(huán)境中進(jìn)行去耦等離子氮處理(decoupled plasma nitridation, DPN)；3進(jìn)行后退火處理，形成柵介質(zhì)層140。繼續(xù)參考圖4所示，還包括在所述柵介質(zhì)層140上形成多晶硅層，形成柵電極層 150，所述柵電極層150形成方法可以為化學(xué)氣相沉積法。如圖5所示，對所述柵介質(zhì)層140和柵電極層150圖案化，并依次刻蝕所述柵介質(zhì)層140和柵電極層150，形成柵極結(jié)構(gòu)。具體地，在所述柵電極層150上形成圖案化的光刻膠層(未圖示)，以所述光刻膠層為掩膜，依次刻蝕所述所述柵電極層150和柵介質(zhì)層140， 形成柵極結(jié)構(gòu)。位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的襯底為源區(qū)和漏區(qū)。如圖6所示，以所述柵極結(jié)構(gòu)為掩膜，對位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的襯底110進(jìn)行第二離子摻雜，形成位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的輕摻雜離子區(qū)160。本實(shí)施例中，所述第二離子為磷離子。具體地，利用柵介質(zhì)層140和柵電極層150作為掩膜，在1 ^ev的加速能量和大約1E14 2. 5E14/cm2的劑量下，對位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的襯底110注入磷離子，以形成摻有磷離子的輕摻雜區(qū)160，其注入深度為數(shù)十至幾百埃。作為一個實(shí)施例，選取的加速能量為4kev，磷離子的注入劑量為2. 0E14/cm2。其中所述第二離子注入環(huán)境中，還包括有氘離子、氟離子和氯離子中的一種或多種。本實(shí)施例中，為氘離子、氟離子和氯離子的組合。具體地，可以通過電離氘氣產(chǎn)生氘離子、電離氟化硼產(chǎn)生氟離子，電離氯化氫產(chǎn)生氯離子。通過上述方法將所述氘離子、氟離子和氯離子引入所述輕摻雜區(qū)160內(nèi)，以飽和位于所述輕摻雜區(qū)160和所述柵介質(zhì)層140的界面處的硅懸掛鍵，所述硅氘、硅氟和硅氯鍵的鍵能均較大，在外界的工藝環(huán)境中，不容易造成斷鍵，減少位于所述輕摻雜區(qū)160和所述柵介質(zhì)層140的界面處的硅懸掛鍵，抑制熱電子效應(yīng)。所述氘離子的注入劑量為1 X IO13 1 X IO1Vcm2,注入能量為200ev 25Kev ；所述氟離子的注入劑量為IXlO13 IX IOlfVcm2，注入能量為200ev 25Kev ；所述氯離子的注入劑量為1 X IO13 1 X IO1Vcm2,注入能量為200ev 25Kev。形成所述輕摻雜區(qū)域160形成后，對所述半導(dǎo)體襯底101進(jìn)行熱處理，使輕摻雜區(qū)域的摻雜離子發(fā)生縱向與橫向的擴(kuò)散，使其部分?jǐn)U散至柵介質(zhì)層140下方的襯底110內(nèi)，形成輕摻雜源極和輕摻雜漏極。如圖7所示，在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)形成側(cè)墻。具體包括在所述襯底110上形成介質(zhì)層(未示出)，本實(shí)施例中，所述介質(zhì)層為氧化硅材料，形成方式可以為低壓化學(xué)氣相淀積 (LPCVD)，厚度高于所述柵電極層150的高度，所述介質(zhì)層也可選用氧化層-氮化硅-氧化層(ONO)結(jié)構(gòu)；接著對所述介質(zhì)層進(jìn)行回刻(etch back)工藝，在所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)形成側(cè)墻170。所述側(cè)墻170的作用為保護(hù)柵電極層150。如圖8所示，以所述側(cè)墻170為掩膜，位于所述側(cè)墻170兩側(cè)的襯底110行深摻雜， 形成源極和漏極。具體包括如圖8所示，在所述襯底110表面，以側(cè)墻170為掩膜，對輕摻雜區(qū)160， 包括輕摻雜源區(qū)和輕摻雜漏區(qū)進(jìn)行第三離子注入，形成重?fù)诫s區(qū)190，包括重?fù)诫s源區(qū)和重?fù)诫s漏區(qū)。所述重?fù)诫s源區(qū)作為晶體管的源極，所述重?fù)诫s漏區(qū)作為晶體管的漏極。本發(fā)明實(shí)施例中注入的第三離子類型為N型，如磷、砷、銻。所述源極、漏極注入的離子劑量為IO14 1015/cm2數(shù)量級，注入離子能量為10至lOOKev。所述第三離子注入環(huán)境中，除所述第三離子，如如磷、砷、銻等摻雜離子外，還包括有氘離子、氟離子和氯離子中的一種或多種。本實(shí)施例中，為氘離子、氟離子和氯離子的組合。具體地，可以通過電離氘氣產(chǎn)生氘離子、電離氟化硼產(chǎn)生氟離子，電離氯化氫產(chǎn)生氯離子。通過上述方法將所述氘離子、氟離子和氯離子引入所述重?fù)诫s區(qū)190內(nèi)，以飽和位于所述重?fù)诫s區(qū)190和所述柵介質(zhì)層140的界面處的硅懸掛鍵，所述硅氘、硅氟和硅氯鍵的鍵能均較大，在外界的工藝環(huán)境中，不容易造成斷鍵，減少位于所述重?fù)诫s區(qū)190和所述柵介質(zhì)層140的界面處的硅懸掛鍵，抑制熱電子效應(yīng)。所述氘離子的注入劑量為1 X IO13 1 X IO1Vcm2,注入能量為200ev 25Kev ；所述氟離子的注入劑量為IXlO13 IX IOlfVcm2，注入能量為200ev 25Kev ；所述氯離子的注入劑量為1 X IO13 1 X IO1Vcm2,注入能量為200ev 25Kev。本實(shí)施例中，在第一離子注入環(huán)境、第二離子注入環(huán)境和第三離子注入環(huán)境均同時含有氘離子、氟離子和氯離子的一種或組合。作為其他實(shí)施例，還可以在選擇性的第一離子注入環(huán)境、第二離子注入環(huán)境和第四離子注入環(huán)境中的一個或多個離子注入環(huán)境中含有氘離子、氟離子和氯離子的一種或組合。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在第一離子、第二離子和第三離子注入后，還進(jìn)行有高溫退火，經(jīng)過所述高溫退火，所述氘離子、氟離子和氯離子的有效注入劑量將會降低，降低飽和襯底內(nèi)的硅懸掛鍵的作用。為解決上述問題，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的形成方法，包括提供襯底，對所述襯底進(jìn)行第一離子注入，形成離子阱；在所述襯底表面上形成柵極結(jié)構(gòu)；以所述柵極結(jié)構(gòu)為掩膜，對所述襯底進(jìn)行第二離子注入，形成輕摻雜區(qū)，包括輕摻雜源區(qū)和輕摻雜漏區(qū)； 在所述柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)形成側(cè)墻，并以所述側(cè)墻為掩膜，對所述襯底進(jìn)行第三離子注入，形成重?fù)诫s區(qū)，包括重?fù)诫s源區(qū)和重?fù)诫s漏區(qū)；其中在所述第一離子注入、第二離子注入和第三離子注入中的一種離子注入工藝或多個離子注入工藝后，還包含有氘離子注入、氟離子注入或氯離子注入中的一種或組合。所述氘離子、氟離子和氯離子在第一離子、第二離子或第三離子注入、包括離子注入的高溫退火工藝后進(jìn)行，提高所述氘離子、氟離子、氯離子的有效濃度，提高飽和襯底內(nèi)的硅懸掛鍵的作用。雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
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權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件的形成方法，包括提供襯底，對所述襯底進(jìn)行第一離子注入，形成離子阱；在所述襯底表面上形成柵極結(jié)構(gòu)；以所述柵極結(jié)構(gòu)為掩膜，對所述襯底進(jìn)行第二離子注入，形成輕摻雜區(qū)，包括輕摻雜源區(qū)和輕摻雜漏區(qū)；在所述柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)形成側(cè)墻，并以所述側(cè)墻為掩膜，對所述襯底進(jìn)行第三離子注入，形成重?fù)诫s區(qū)，包括重?fù)诫s源區(qū)和重?fù)诫s漏區(qū)；其特征在于，所述第一離子注入環(huán)境、第二離子注入環(huán)境和第三離子注入環(huán)境中的一種離子注入環(huán)境或多個離子注入環(huán)境中，還包含有氘離子、氟離子或氯離子中的一種或組I=I O
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述離子阱為N型阱或者 P型阱。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，若為P型阱，所述第一離子為硼離子；若為N型阱，所述第一離子為砷或者是磷離子。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述氘離子的注入劑量為1 X IO13 1 X IO1Vcm2,注入能量為200ev 25Kev，注入角度為0 60度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述氟離子的注入劑量為1 X IO13 1 X IO1Vcm2,注入能量為200ev 25Kev，注入角度為0 60度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述氯離子的注入劑量為1 X IO13 1 X IO1Vcm2,注入能量為200ev 25Kev，注入角度為0 60度。
7.一種半導(dǎo)體器件的形成方法，包括提供襯底，對所述襯底進(jìn)行第一離子注入，形成離子阱；在所述襯底表面上形成柵極結(jié)構(gòu)；以所述柵極結(jié)構(gòu)為掩膜，對所述襯底進(jìn)行第二離子注入，形成輕摻雜區(qū)，包括輕摻雜源區(qū)和輕摻雜漏區(qū)；在所述柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)形成側(cè)墻，并以所述側(cè)墻為掩膜，對所述襯底進(jìn)行第三離子注入，形成重?fù)诫s區(qū)，包括重?fù)诫s源區(qū)和重?fù)诫s漏區(qū)；其特征在于，在所述第一離子注入、第二離子注入和第三離子注入中的一種離子注入工藝或多個離子注入工藝后，還包含有氘離子注入、氟離子注入或氯離子注入中的一種或組合。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述離子阱為N型阱或者 P型阱。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，若為P型阱，所述第一離子為硼離子；若為N型阱，所述第一離子為砷或者是磷離子。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述氘離子的注入劑量為1 X IO13 1 X IO1Vcm2,注入能量為200ev 25Kev，注入角度為0 60度。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述氟離子的注入劑量為1 X IO13 1 X IO1Vcm2,注入能量為200ev 25Kev，注入角度為0 60度。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述氯離子的注入劑量為1 X IO13 1 X IO1Vcm2,注入能量為200ev 25Kev，注入角度為0 60度。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的形成方法，包括提供襯底，對所述襯底進(jìn)行第一離子注入，形成離子阱；在所述襯底表面上形成柵極結(jié)構(gòu)；以所述柵極結(jié)構(gòu)為掩膜，對所述襯底進(jìn)行第二離子注入，形成輕摻雜區(qū)，包括輕摻雜源區(qū)和輕摻雜漏區(qū)；在所述柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)形成側(cè)墻，并以所述側(cè)墻為掩膜，對所述襯底進(jìn)行第三離子注入，形成重?fù)诫s區(qū)，包括重?fù)诫s源區(qū)和重?fù)诫s漏區(qū)；所述第一離子注入環(huán)境、第二離子注入環(huán)境和第三離子注入環(huán)境中的一種離子注入環(huán)境或多個離子注入環(huán)境中，還包含有氘離子、氟離子或氯離子中的一種或組合。本發(fā)明通過氘離子、氟離子或氯離子，用以飽和襯底與柵極結(jié)構(gòu)界面處的硅懸掛鍵，抑制熱電子效應(yīng)。
文檔編號H01L21/265GK102487007SQ20101056939
公開日2012年6月6日 申請日期2010年12月1日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月1日
發(fā)明者何永根, 盧炯平, 陳志豪 申請人:中芯國際集成電路制造(北京)有限公司