專(zhuān)利名稱(chēng)：像素結(jié)構(gòu)及雙柵極像素結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種像素結(jié)構(gòu)，且特別是有關(guān)于一種平面顯示器的像素結(jié) 構(gòu)。
背景技術(shù)：
在競(jìng)爭(zhēng)激烈的平面顯示器產(chǎn)業(yè)中，制造廠商除了致力于研發(fā)性能更優(yōu)越的平面顯 示器外，亦不斷努力的降低生產(chǎn)制造成本，以提高企業(yè)獲利并供給消費(fèi)市場(chǎng)更經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的 平面顯示器。以平面顯示器中最為普及的薄膜晶體管液晶顯示器為例，降低其生產(chǎn)制造成本的 方法有許多種。其中，有一種方法是減少制造像素結(jié)構(gòu)所需使用的光罩?jǐn)?shù)量，以節(jié)省相關(guān)制 程中人力及制程時(shí)間的耗費(fèi)，進(jìn)而達(dá)到降低生產(chǎn)制造成本的目的。一般而言，減少制造像素結(jié)構(gòu)所需使用的光罩?jǐn)?shù)量的方式是將現(xiàn)有的五道光罩制 程，減為四道光罩制程。圖IA至圖IH為公知的以四道光罩制作的像素結(jié)構(gòu)的制造流程剖 面示意圖。請(qǐng)依序參照?qǐng)DIA至圖1H，在使用四道光罩的制程中，首先，在基板100上形成第 一金屬層102，并以第一道光罩圖案化之。接著，依序全面形成柵絕緣層104、半導(dǎo)體層106 以及第二金屬層108于基板100上，之后再涂布一光阻層110于第二金屬層108上，如圖IA 所示。然后，利用半調(diào)式(half tone)或灰調(diào)式(gray tone)光罩，也就是第二道光罩 200，將涂布于第二金屬層108上的光阻層110圖案化，如圖IB所示。接著，圖案化光阻層 110后進(jìn)行第一次濕蝕刻制程，以將第二金屬層108圖案化，之后，再進(jìn)行第一次干蝕刻制 程，以將半導(dǎo)體層106圖案化，分別如圖IC及圖ID所示。然而，光阻涂布時(shí)經(jīng)常會(huì)發(fā)生厚度不均的情況，例如圖IA的光阻層110的右側(cè)中 有部份區(qū)域較薄的情況。此較薄的光阻層在依序經(jīng)過(guò)上述的光阻層圖案化制程、濕蝕刻制 程、干蝕刻制程以及接下來(lái)的灰化(O2 ashing)制程后，此較薄的光阻層有可能被完全去 除，而使得其下的部份第二金屬層108被暴露出來(lái)，如圖IE所示。這樣一來(lái)，以光阻層110為罩幕進(jìn)行第二次濕蝕刻制程時(shí)，被暴露出來(lái)的第二金 屬層108就會(huì)被蝕刻掉，而使得其下的部份半導(dǎo)體層106被暴露出來(lái)，如圖IF所示。接著， 再以光阻層110為罩幕進(jìn)行第二次干蝕刻制程時(shí)，被暴露出來(lái)的部份半導(dǎo)體層106會(huì)被減 薄，如圖IG所示。接著，移除剩余的光阻層110后，形成一保護(hù)層112于基板100上，如圖IG所示。 然后，藉由第三道光罩于保護(hù)層112中形成多個(gè)接觸窗hi、h2，如圖IH所示。需特別說(shuō)明 的是，在形成接觸窗hl、h2的同時(shí)，像素結(jié)構(gòu)的其它部分(未繪示)需做第一金屬層102與 第二金屬層108間的跳接，故與接觸窗h2對(duì)應(yīng)的部份半導(dǎo)體層106、部份柵絕緣層104會(huì)被 消耗殆盡，而使原本不應(yīng)裸露出來(lái)的第一金屬層102被暴露出來(lái)，如圖IH所示。這樣一來(lái)， 在第四道制程中形成的像素電極114就會(huì)和被暴露出的第一金屬層102接觸而形成短路， 進(jìn)而造成像素顯示異常。承上述，在四道光罩制程中，如何避免因光阻涂布不均進(jìn)而造成像素顯示異常的現(xiàn)象，實(shí)為開(kāi)發(fā)四道光罩制程的研發(fā)者所面臨的問(wèn)題之一。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)，可改善像素顯示異常的現(xiàn)象。本發(fā)明提供一種雙柵極像素結(jié)構(gòu)，亦可改善像素顯示異常的現(xiàn)象。本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)，其包括基板、第一金屬層、柵絕緣層、半導(dǎo)體層、第二金 屬層、保護(hù)層、孔洞以及像素電極。第一金屬層配置于基板上。第一金屬層包括掃描線(xiàn)、與 掃描線(xiàn)電性連接的柵極以及共享電極。共享電極與掃描線(xiàn)分離并具有一預(yù)設(shè)缺口，其中預(yù) 設(shè)缺口位于共享電極的邊緣上。柵絕緣層配置于基板上并覆蓋第一金屬層。半導(dǎo)體層配置 于柵絕緣層上。第二金屬層配置于半導(dǎo)體層上，且第二金屬層下方皆有半導(dǎo)體層。第二金 屬層包括數(shù)據(jù)線(xiàn)、源極、漏極以及儲(chǔ)存電極。數(shù)據(jù)線(xiàn)與掃描線(xiàn)交錯(cuò)。源極電性連接數(shù)據(jù)線(xiàn)。 儲(chǔ)存電極位于預(yù)設(shè)缺口的上方。保護(hù)層配置于基板上并覆蓋第二金屬層，且具有一開(kāi)口以 暴露出漏極?？锥次挥陬A(yù)設(shè)缺口內(nèi)并貫穿保護(hù)層而暴露出第二金屬層。像素電極配置于保 護(hù)層上并填入孔洞內(nèi)。像素電極透過(guò)開(kāi)口與漏極電性連接，并透過(guò)孔洞與第二金屬層電性 連接。本發(fā)明提供一種雙柵極像素結(jié)構(gòu)，其包括基板、第一金屬層、柵絕緣層、半導(dǎo)體層、 第二金屬層、保護(hù)層、孔洞以及像素電極。第一金屬層配置于基板上。第一金屬層包括二掃 描線(xiàn)、與掃描線(xiàn)電性連接的二柵極以及一共享電極。共享電極與掃描線(xiàn)分離并具有一預(yù)設(shè) 缺口，其中預(yù)設(shè)缺口位于共享電極的邊緣上。柵絕緣層配置于基板上并覆蓋第一金屬層。半 導(dǎo)體層配置于柵絕緣層上。第二金屬層配置于半導(dǎo)體層上，且第二金屬層下方皆有半導(dǎo)體 層。第二金屬層包括一數(shù)據(jù)線(xiàn)、二源極、二漏極以及二儲(chǔ)存電極。數(shù)據(jù)線(xiàn)與掃描線(xiàn)交錯(cuò)。源 極各自與數(shù)據(jù)線(xiàn)電性連接。儲(chǔ)存電極位于預(yù)設(shè)缺口的上方。保護(hù)層配置于基板上并覆蓋第 二金屬層，且具有二開(kāi)口以暴露出二漏極?？锥次挥陬A(yù)設(shè)缺口內(nèi)并貫穿保護(hù)層而暴露出第 二金屬層。像素電極配置于保護(hù)層上并填入孔洞內(nèi)。像素電極透過(guò)開(kāi)口與漏極電性連接， 并透過(guò)孔洞與第二金屬層電性連接。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，前述的貫穿保護(hù)層且位于預(yù)設(shè)缺口內(nèi)的孔洞并未貫穿第 二金屬層、半導(dǎo)體層與門(mén)絕緣層。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，前述的貫穿保護(hù)層且位于預(yù)設(shè)缺口內(nèi)的孔洞更貫穿第二 金屬層、半導(dǎo)體層與門(mén)絕緣層，而暴露出第二金屬層的側(cè)壁、半導(dǎo)體層的側(cè)壁、柵絕緣層的 側(cè)壁以及基板的表面。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，前述的共享電極位于像素電極的外圍并與其部分重迭。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，前述的共享電極與像素電極重迭的部分構(gòu)成一儲(chǔ)存電容。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，前述的共享電極與儲(chǔ)存電極重迭的部分構(gòu)成一儲(chǔ)存電容。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，前述的共享電極具有至少一彎折處，且預(yù)設(shè)缺口與彎折 處至少保持一距離。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，前述的預(yù)設(shè)缺口與儲(chǔ)存電極的邊緣至少保持一距離。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，前述的孔洞的尺寸實(shí)質(zhì)上小于預(yù)設(shè)缺口的尺寸。
本發(fā)明提供像素結(jié)構(gòu)以及一種雙柵極像素結(jié)構(gòu)，其藉由在共享電極上設(shè)計(jì)一預(yù)留 缺口，可避免因光阻涂布不均而造成孔洞下方的部份第二金屬層、半導(dǎo)體層以與門(mén)絕緣層 被蝕刻掉，進(jìn)而導(dǎo)致共享電極與像素電極形成短路的問(wèn)題。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附圖式 作詳細(xì)說(shuō)明如下。


圖IA至圖IH為公知像素結(jié)構(gòu)制造流程剖面示意圖。圖2為本發(fā)明第一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)上視示意圖。圖3A至圖3H為沿圖2的1_1’線(xiàn)所繪示的像素結(jié)構(gòu)的制作流程剖示圖。圖4為本發(fā)明第二實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)上視示意圖。
具體實(shí)施例方式第一實(shí)施例
圖2為本發(fā)明第一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)上視示意圖。圖3A至圖3H為沿圖2的1-1’線(xiàn) 所繪示的像素結(jié)構(gòu)的制作流程剖示圖。以下，將搭配圖2以及圖3A至圖3H對(duì)本實(shí)施例的 像素結(jié)構(gòu)及其制造方法進(jìn)行詳細(xì)的描述。本實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)，其形成方法例如為以下所述請(qǐng)參照?qǐng)D3A，首先提供基板 300。接著于基板300上形成第一金屬層302，并藉由第一道光罩制程圖案化之。在本實(shí)施 例中，圖案化之后的第一金屬層302包括了掃描線(xiàn)SL以及與掃描線(xiàn)SL分離的共享電極CL， 其中，掃描線(xiàn)SL的部分區(qū)域當(dāng)作柵極使用，如圖2及圖3A中所示。值得特別注意的是，本實(shí)施例的共享電極CL具有至少一彎折處以及預(yù)設(shè)缺口 0。 其中，預(yù)設(shè)缺口 0位于共享電極CL的邊緣上，且此預(yù)設(shè)缺口 0和彎折處保持一適當(dāng)?shù)木嚯x。 在本實(shí)施例中，基板300的材質(zhì)例如為玻璃、石英、有機(jī)聚合物、不透光/反射材料(如導(dǎo)電 材料、晶圓、陶瓷、或其它可適用的材料)、或是其它可適用的材料，第一金屬層302的材料 例如為合金、金屬或其它適當(dāng)?shù)牟牧?。接著，依序于基?00上全面地形成柵絕緣層304、半導(dǎo)體層306以及第二金屬層 308以覆蓋住掃描線(xiàn)SL及共享電極CL。在本實(shí)施例中，柵絕緣層304的材質(zhì)例如為無(wú)機(jī)介 電材料(如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或上述至少二種材料的堆棧層)、有機(jī)介電材料或上 述有機(jī)與無(wú)機(jī)介電材料的組合。在本實(shí)施例中，半導(dǎo)體層306的材質(zhì)例如為非晶硅層或其 它適合的半導(dǎo)體材料。在本實(shí)施例中，第二金屬層308的材料例如為合金、金屬或其它適當(dāng) 的材料。形成上述柵絕緣層304、半導(dǎo)體層306以及第二金屬層308后，接著于第二金屬層 308上涂布一光阻層310。在本實(shí)施例中，光阻層310的材料可以是正光阻材料或負(fù)光阻材 料，本發(fā)明并不特別限定。然而，于光阻涂布制程中，經(jīng)常會(huì)發(fā)生涂布厚度不一的情況，例如 為預(yù)設(shè)缺口 0上方的光阻層310出現(xiàn)其厚度較薄的情況，如圖3A中所示。接著，藉由第二道光罩400(例如一半調(diào)式(half tone)光罩)圖案化光阻層310， 如圖3B中所示。圖案化光阻層310后，進(jìn)行第一次濕蝕刻制程，以將第二金屬層308圖案 化，如圖3C中所示。然后，再進(jìn)行光阻層圖案化后的第一次干蝕刻制程，將半導(dǎo)體層306圖案化，如圖3D中所示。在完成上述步驟后，為了清除表面有機(jī)物，會(huì)進(jìn)行一灰化(O2 ashing)制程。在進(jìn) 行灰化(O2 ashing)制程時(shí)，位于掃描線(xiàn)SL上方的部份光阻層310會(huì)被去除，而暴露出部 份第二金屬層308。同時(shí)，位于預(yù)設(shè)缺口 0上方且厚度已相當(dāng)薄的部分光阻層310亦會(huì)被去 除，而暴露出其下方的部份金屬層308，如圖3E中所示。圖案化光阻層310后，進(jìn)行第二次濕蝕刻制程，將掃描線(xiàn)SL上方暴露出的部份第 二金屬層308蝕刻掉，以使源極S和漏極D成形并暴露出部份半導(dǎo)體層306，如圖3F中所 示。同時(shí)間，預(yù)設(shè)缺口 0上方被暴露出的部份第二金屬層308也會(huì)被蝕刻掉并暴露出其下 方的部份半導(dǎo)體層306，如圖3F中所示。圖案化光阻層310后，進(jìn)行第二次干蝕刻制程。此時(shí)，掃描線(xiàn)SL上方被暴露出的 部份半導(dǎo)體層306被蝕刻掉一小部分，如圖3G中所示。同時(shí)間，位于預(yù)設(shè)缺口 0上方的部 份半導(dǎo)體層306亦會(huì)被蝕刻掉一小部份，如圖3G中所示。到此，便完成了所有第二道光罩 制程。在上述的第二道光罩制程中，主要的目的是將第二金屬層308以及半導(dǎo)體層306 圖案化。在本實(shí)施例中，圖案化之后的第二金屬層308包括了數(shù)據(jù)線(xiàn)DL、源極S、漏極D以 及儲(chǔ)存電極CE，如圖2及圖3G中所示。從圖2可知，數(shù)據(jù)線(xiàn)DL與掃描線(xiàn)SL交錯(cuò)，源極S與 漏極D系彼此電性絕緣，且覆蓋于部分的半導(dǎo)體層306以及部分的柵絕緣層304上。值得特別注意的是，由于本實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)是采用四道光罩制程來(lái)制作的，也 就是說(shuō)，是依序全面形成柵絕緣層304、半導(dǎo)體層306以及第二金屬層308后，再以同一張光 罩將其圖案化，因此在完成上述步驟后，本實(shí)施例的數(shù)據(jù)線(xiàn)DL、源極S、漏極D以及儲(chǔ)存電極 CE之下便均有半導(dǎo)體層306。其中，本實(shí)施例的儲(chǔ)存電極CE位于預(yù)設(shè)缺口 0上，并與共享 電極CL部份區(qū)域重迭，因此共享電極CL與儲(chǔ)存電極CE重迭的部分便可構(gòu)成儲(chǔ)存電容。此 外，本實(shí)施例的儲(chǔ)存電極的一邊緣CE-a與預(yù)設(shè)缺口的一邊緣Ο-a至少保持一距離d，儲(chǔ)存電 極的一邊緣CE-a與共同電極的一邊緣CL-a至少保持一距離d’。在本實(shí)施例中，上述的距 離d與d’大于0，較佳的是距離d與d’皆大于對(duì)位制程上的最大可容許誤差(例如3um)。 如此一來(lái)，當(dāng)對(duì)位制程中發(fā)生可容許范圍內(nèi)的誤差時(shí)，由共同電極CL與儲(chǔ)存電極CE所重迭 的面積不會(huì)因?qū)ξ恢瞥躺系恼`差而產(chǎn)生變化，進(jìn)而造成共同電極CL與儲(chǔ)存電極CE所構(gòu)成 的儲(chǔ)存電容值改變。這樣一來(lái)，便可避免因儲(chǔ)存電容值改變而造成相關(guān)的電性問(wèn)題。在完成所有第二道光罩制程后，接著去除剩余的光阻層310，然后于基板300上形 成保護(hù)層312，并覆蓋第二金屬層308，如圖3G中所示。然后，藉由第三道光罩制程在保護(hù) 層312中形成開(kāi)口 W以及孔洞H，如圖3H中所示。需特別說(shuō)明的是，在形成開(kāi)口 W、孔洞H的同時(shí)，與孔洞H對(duì)應(yīng)的部份半導(dǎo)體層 306、部份柵絕緣層304會(huì)被消耗殆盡，而使此貫穿保護(hù)層312且位于預(yù)設(shè)缺口 0內(nèi)的孔洞 H貫穿第二金屬層308、半導(dǎo)體層306與門(mén)絕緣層304，而暴露出第二金屬層308的側(cè)壁、半 導(dǎo)體層306的側(cè)壁、柵絕緣層304的側(cè)壁以及基板300的表面，如圖3H中所示。接著，藉由第三道光罩制程于基板300上形成像素電極PE。此像素電極PE經(jīng)由開(kāi) 口 W與漏極D電性連接，經(jīng)由孔洞H與第二金屬層的儲(chǔ)存電容CE以及被暴露出的基板300 連接，而不會(huì)發(fā)生同先前技術(shù)所述的像素電極PE和第一金屬層302短路的情況。換而言之，由于本實(shí)施例的共享電極CL于孔洞H下方設(shè)計(jì)了一預(yù)留缺口 0，且此預(yù)設(shè)缺口 0的實(shí)際尺寸大于孔洞的尺寸。此時(shí)，若發(fā)生如同先前技術(shù)所述的光阻涂布不均的 情況時(shí)，像素電極PE僅能透過(guò)孔洞H和第二金屬層的儲(chǔ)存電極CE以及基板300接觸，而無(wú) 法與共享電極CL接觸而形成短路。換言之，先前技術(shù)中所述的因光阻涂布不均進(jìn)而造成像 素顯示異常的問(wèn)題可藉由上述的方式獲得解決，從而提升本實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的顯示質(zhì)量 及電性表現(xiàn)。需補(bǔ)充說(shuō)明的是，若光阻層310涂布未發(fā)生異常，也就是說(shuō)，光阻層310涂布厚度 均勻的話(huà)，貫穿保護(hù)層312且位于預(yù)設(shè)缺口 0內(nèi)的孔洞H則不會(huì)貫穿第二金屬層308、半導(dǎo) 體層306與門(mén)絕緣層304。換句話(huà)說(shuō)，孔洞H僅曝露第二金屬層308，而未貫穿第二金屬層 308及曝露或貫穿半導(dǎo)體層306與門(mén)絕緣層304?；谏鲜?，本實(shí)施例亦可提出一種像素結(jié)構(gòu)，其包括前述基板300、前述第一金屬 層302、前述柵絕緣層304、前述半導(dǎo)體層306、前述第二金屬層308、前述保護(hù)層312、前述 孔洞H以及前述像素電極PE。第一金屬層302配置于基板300上，且第一金屬層302包括 掃描線(xiàn)SL、與掃描線(xiàn)電性連接的柵極與共享電極CL，其中共享電極CL與掃描線(xiàn)SL分離并 具有一預(yù)設(shè)缺口 0，且預(yù)設(shè)缺口 0位于共享電極CL的邊緣上，如圖2與圖3H所示。另外，柵 絕緣層304配置于基板300上并覆蓋第一金屬層302，而半導(dǎo)體層306配置于柵絕緣層304 上。在本實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)中，第二金屬層308配置于半導(dǎo)體層306上，且第二金屬層 308下方皆有半導(dǎo)體層306，其中第二金屬層308包括數(shù)據(jù)線(xiàn)DL、源極S、漏極D以及儲(chǔ)存電 極CE。數(shù)據(jù)線(xiàn)DL與掃描線(xiàn)SL交錯(cuò)，源極D電性連接數(shù)據(jù)線(xiàn)DL，且儲(chǔ)存電極CE位于預(yù)設(shè)缺 口 0的上方。另外，保護(hù)層312配置于基板上并覆蓋第二金屬層308，且具有一開(kāi)口 W以暴 露出漏極D。在本實(shí)施例中，孔洞H位于預(yù)設(shè)缺口 0內(nèi)并貫穿保護(hù)層312而暴露出第二金屬 層308，且像素電極PE配置于保護(hù)層312上并填入孔洞H內(nèi)，其中像素電極PE透過(guò)開(kāi)口 0 與漏極D電性連接，并透過(guò)孔洞H與第二金屬層308電性連接。在本實(shí)施例中，由于像素結(jié)構(gòu)的共享電極CL在設(shè)計(jì)時(shí)已于孔洞H下方設(shè)計(jì)了一預(yù) 留缺口 0，且此預(yù)設(shè)缺口 0的實(shí)際尺寸大于孔洞的尺寸，使得發(fā)生同先前技術(shù)所述的光阻涂 布不均的情況時(shí)，像素電極PE僅能透過(guò)孔洞H和第二金屬層的儲(chǔ)存電極CE以及基板300 接觸，從而可提升像素結(jié)構(gòu)的電性表現(xiàn)，及其應(yīng)用于顯示裝置時(shí)可具有較佳的顯示質(zhì)量。第二實(shí)施例
于第一實(shí)施例中所述的在共享電極CL中設(shè)計(jì)一預(yù)留缺口的概念亦可應(yīng)用在本發(fā)明第 二實(shí)施例的雙柵極像素結(jié)構(gòu)中，使得本實(shí)施例的雙柵極像素結(jié)構(gòu)亦可避免像素電極和共享 電極發(fā)生短路的情況。本實(shí)施例的雙柵極像素結(jié)構(gòu)其形成方式與各膜層可使用的材料與第一實(shí)施例的 像素結(jié)構(gòu)相同，于此就不再贅述。以下，僅針對(duì)本實(shí)施例的雙柵極像素結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例的 像素結(jié)構(gòu)圖案設(shè)計(jì)上不同之處做詳細(xì)的說(shuō)明。圖4為本發(fā)明第二實(shí)施例的雙柵極像素結(jié)構(gòu)的上視示意圖，沿圖4剖線(xiàn)II - II’及 III - ΙΙΓ所繪的剖面示意圖，同圖3H。請(qǐng)參照?qǐng)D4及圖3H，本實(shí)施例的雙柵極像素結(jié)構(gòu)可由位于數(shù)據(jù)線(xiàn)DL左右兩側(cè)的像 素所組成。在本實(shí)施例中，雙柵極像素結(jié)構(gòu)中數(shù)據(jù)線(xiàn)DL右側(cè)的像素，其結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例 的像素結(jié)構(gòu)(如圖2所示)相同。若將此右側(cè)的像素先對(duì)掃描線(xiàn)SL延伸方向做第一次鏡射，再對(duì)數(shù)據(jù)線(xiàn)DL延伸方向做第二次鏡射，則以此方法構(gòu)成的像素即為本實(shí)施例的雙柵極 像素結(jié)構(gòu)單元中左側(cè)的像素。值得注意的是，本實(shí)施例的雙柵極像素結(jié)構(gòu)單元中左右側(cè)的 像素是共享一條數(shù)據(jù)線(xiàn)DL，且數(shù)據(jù)線(xiàn)DL左右兩側(cè)的像素的共享電極CL是藉由同一膜層的 連接部CL-I互相電性連接的，如圖4所示。 由于本實(shí)施例的雙柵極像素結(jié)構(gòu)，其數(shù)據(jù)線(xiàn)DL左右兩側(cè)的像素是共享一數(shù)據(jù)線(xiàn) DL,因此可減少像素結(jié)構(gòu)中所需的數(shù)據(jù)線(xiàn)DL數(shù)目，進(jìn)而使包含此雙柵極像素結(jié)構(gòu)的顯示面 板所需的驅(qū)動(dòng)集成電路組件(Integrated Circuit, IC)數(shù)目減少，進(jìn)而達(dá)到降低制造成本 的效果。 然而，本實(shí)施例的雙柵極像素結(jié)構(gòu)容易因第一金屬層302 (共享電極CL)與第二金 屬層308 (儲(chǔ)存電極CE)間對(duì)位上的偏移，導(dǎo)致數(shù)據(jù)線(xiàn)DL左右兩側(cè)的儲(chǔ)存電容大小不一，而 使具有此像素結(jié)構(gòu)的顯示面板其顯示質(zhì)量受到嚴(yán)重的影響。為了改善上述問(wèn)題，在本實(shí)施例的雙柵極像素結(jié)構(gòu)中，數(shù)據(jù)線(xiàn)DL左右兩側(cè)的儲(chǔ)存 電極CE，其各自的邊緣CE-a與各自對(duì)應(yīng)的預(yù)設(shè)缺口邊緣Ο-a至少保持一距離d。數(shù)據(jù)線(xiàn)DL 左右兩側(cè)的儲(chǔ)存電極CE，其各自的邊緣CE-a與各自對(duì)應(yīng)的共同電極邊緣CL-a至少保持一 距離d’。在本實(shí)施例中，上述的距離d與d’大于0，較佳的是距離d與d’皆大于對(duì)位制 程上的最大可容許誤差(例如3um)。如此一來(lái)，當(dāng)?shù)谝唤饘賹?02與第二金屬層308間的 對(duì)位有誤差時(shí)，數(shù)據(jù)線(xiàn)DL左右兩側(cè)的像素的儲(chǔ)存電容值不易受到影響。因此，由資料線(xiàn)DL 左右兩側(cè)的儲(chǔ)存電容大小不一而引起的顯示質(zhì)量下降的問(wèn)題，如輝度不均以及串音(cross talk)等，便可獲得改善。綜合以上所述，本發(fā)明藉由共享電極上預(yù)留缺口的設(shè)計(jì)，可避免因光阻涂布不均 而造成孔洞下方的部份第二金屬層、半導(dǎo)體層以與門(mén)絕緣層被蝕刻掉，進(jìn)而導(dǎo)致共享電極 與像素電極形成短路的問(wèn)題。此外，經(jīng)由適當(dāng)?shù)冒才蓬A(yù)留缺口的位置，可進(jìn)一步地改善因第一金屬層與第二金 屬層間的對(duì)位誤差所引起的顯示質(zhì)量下降問(wèn)題。雖然本發(fā)明已以實(shí)施例公開(kāi)如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù) 領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，故本 發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視前述的申請(qǐng)專(zhuān)利范圍所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括 一基板；一第一金屬層，配置于該基板上，其中該第一金屬層包括 一掃描線(xiàn)；一柵極，電性連接該掃描線(xiàn)；一共享電極，與該掃描線(xiàn)分離并具有一預(yù)設(shè)缺口，其中該預(yù)設(shè)缺口位于該共享電極的 邊緣上；一柵絕緣層，配置于該基板上并覆蓋該第一金屬層； 一半導(dǎo)體層，配置于該柵絕緣層上；一第二金屬層，配置于該半導(dǎo)體層上，且該第二金屬層下方皆有該半導(dǎo)體層，其中該第 二金屬層包括一數(shù)據(jù)線(xiàn)，與該掃描線(xiàn)交錯(cuò)； 一源極，電性連接該數(shù)據(jù)線(xiàn)； 一漏極；一儲(chǔ)存電極，位于該預(yù)設(shè)缺口的上方；一保護(hù)層，配置于該基板上并覆蓋該第二金屬層，且該保護(hù)層具有一開(kāi)口以暴露出該 漏極；一孔洞，位于該預(yù)設(shè)缺口內(nèi)并貫穿該保護(hù)層而暴露出該第二金屬層；以及 一像素電極，配置于該保護(hù)層上并填入該孔洞內(nèi)，其中該像素電極透過(guò)該開(kāi)口與該漏 極電性連接，并透過(guò)該孔洞與該第二金屬層電性連接。
2.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，貫穿該保護(hù)層且位于該預(yù)設(shè)缺口內(nèi)的 該孔洞并未貫穿該第二金屬層、該半導(dǎo)體層及該柵絕緣層。
3.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，貫穿該保護(hù)層且位于該預(yù)設(shè)缺口內(nèi)的 該孔洞更貫穿該第二金屬層、該半導(dǎo)體層及該柵絕緣層，而暴露出該第二金屬層的側(cè)壁、該 半導(dǎo)體層的側(cè)壁、該柵絕緣層的側(cè)壁以及該基板的表面。
4.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該共享電極位于該像素電極的外圍并 與其部分重迭。
5.如權(quán)利要求4所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該共享電極與該像素電極重迭的部分 構(gòu)成一儲(chǔ)存電容。
6.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該共享電極與該儲(chǔ)存電極重迭的部分 構(gòu)成一儲(chǔ)存電容。
7.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該共享電極具有至少一彎折處，且該預(yù) 設(shè)缺口與該彎折處至少保持一距離。
8.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該預(yù)設(shè)缺口與該儲(chǔ)存電極的邊緣至少保持一距離。
9.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該孔洞的尺寸實(shí)質(zhì)上小于該預(yù)設(shè)缺口 的尺寸。
10.一種雙柵極像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括 一基板；一第一金屬層，配置于該基板上，其中該第一金屬層包括二掃描線(xiàn)；二柵極，分別電性連接該些掃描線(xiàn)；一共享電極，與該些掃描線(xiàn)分離，且該共享電極具有一位于該共享電極邊緣上的二預(yù) 設(shè)缺口 ；一柵絕緣層，配置于該基板上并覆蓋該第一金屬層；一半導(dǎo)體層，配置于該柵絕緣層上；一第二金屬層，配置于該半導(dǎo)體層上，且該第二金屬層下方皆有該半導(dǎo)體層，其中該第 二金屬層包括一數(shù)據(jù)線(xiàn)，與該些掃描線(xiàn)交錯(cuò)；二源極，各自與該數(shù)據(jù)線(xiàn)電性連接；二漏極；二儲(chǔ)存電極，分別位于相對(duì)應(yīng)的該預(yù)設(shè)缺口的上方；一保護(hù)層，配置于該基板上并覆蓋該第二金屬層，且該保護(hù)層具有二開(kāi)口以暴露出該 些漏極；二孔洞，分別位于該些預(yù)設(shè)缺口內(nèi)并貫穿該保護(hù)層而暴露出該第二金屬層；以及二像素電極，配置于該保護(hù)層上并分別填入該些孔洞內(nèi)，其中該些像素電極分別透過(guò) 該些開(kāi)口與該些漏極電性連接，并透過(guò)該些孔洞與該些第二金屬層電性連接。
11.如權(quán)利要求10所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，貫穿該保護(hù)層且位于該預(yù)設(shè)缺口內(nèi) 的該孔洞并未貫穿該第二金屬層、該半導(dǎo)體層及該柵絕緣層。
12.如權(quán)利要求10所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，貫穿該保護(hù)層且位于該預(yù)設(shè)缺口內(nèi) 的該孔洞更貫穿該第二金屬層、該半導(dǎo)體層及該柵絕緣層，而暴露出該第二金屬層的側(cè)壁、 該半導(dǎo)體層的側(cè)壁、該柵絕緣層的側(cè)壁以及該基板的表面。
13.如權(quán)利要求10所述的雙柵極像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該共享電極分別位于該些像 素電極的外圍，并分別與像素電極部分重迭。
14.如權(quán)利要求13所述的雙柵極像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該共享電極分別與該些像素 電極重迭的部分構(gòu)成一儲(chǔ)存電容。
15.如權(quán)利要求10所述的雙柵極像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該共享電極分別與該些儲(chǔ)存 電極重迭的部分構(gòu)成一儲(chǔ)存電容。
16.如權(quán)利要求10所述的雙柵極像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該共享電極各具有至少一彎 折處，且該預(yù)設(shè)缺口與該彎折處至少保持一距離。
17.如權(quán)利要求10所述的雙柵極像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該些預(yù)設(shè)缺口分別與相對(duì)應(yīng) 的該些儲(chǔ)存電極的邊緣至少保持一距離。
18.如權(quán)利要求10所述的雙柵極像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該些孔洞的尺寸分別實(shí)質(zhì)上 小于該些預(yù)設(shè)缺口的尺寸。
全文摘要
像素結(jié)構(gòu)及雙柵極像素結(jié)構(gòu)；一種像素結(jié)構(gòu)，其包括基板、第一金屬層、柵絕緣層、半導(dǎo)體層、第二金屬層、保護(hù)層、孔洞以及像素電極。第一金屬配置于基板上。第一金屬層包括掃描線(xiàn)、柵極與共享電極。共享電極具有一預(yù)設(shè)缺口。柵絕緣層覆蓋第一金屬層。半導(dǎo)體層配置于柵絕緣層上。第二金屬層配置于半導(dǎo)體層上，且第二金屬層下方皆有半導(dǎo)體層。保護(hù)層覆蓋第二金屬層?？锥次挥陬A(yù)設(shè)缺口內(nèi)并貫穿保護(hù)層而暴露出第二金屬層。像素電極配置于保護(hù)層上并填入孔洞內(nèi)。像素電極透過(guò)孔洞與第二金屬層電性連接。一種雙柵極像素結(jié)構(gòu)亦被提出。
文檔編號(hào)H01L21/77GK102130136SQ20101055906
公開(kāi)日2011年7月20日 申請(qǐng)日期2010年11月25日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月25日
發(fā)明者吳紀(jì)良, 林柏辛 申請(qǐng)人:中華映管股份有限公司, 華映視訊(吳江)有限公司