專利名稱：發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種封裝結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)一般包括反射杯，設(shè)置在反射杯底面的發(fā)光二極管芯片，以及設(shè)置在該發(fā)光二極管芯片出光面的熒光粉。一般地，為了得到白光，采用發(fā)藍(lán)光發(fā)光二極管芯片，并且在其出光面設(shè)置黃色熒光粉，藍(lán)光發(fā)光二極管芯片發(fā)出的藍(lán)光部分被熒光粉吸收，另一部分藍(lán)光與熒光粉發(fā)出的黃光混合，從而得到得白光。并且，在混光過程中，會產(chǎn)生較多的熱量以及短波長光，一般地，所述短波長的光的波長為380 480納米。然而，由于發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的反射杯一般由塑料制成，其耐熱性較差，且很容易被短波長的光線破壞，從而造成反射杯性能劣化， 進(jìn)而影響發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的使用壽命和出光效率。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，有必要提供一種使用壽命長且出光效率好的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其包括一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其包括一反射杯，一發(fā)光二極管芯片，一熒光粉以及一抗短波層。該反射杯具有一頂面。該反射杯包括一形成在該頂面且向該反射杯凹陷的凹槽，該凹槽具有一底面以及環(huán)繞該底面的側(cè)壁；該發(fā)光二極管芯片設(shè)置在該凹槽的底面。該熒光粉設(shè)置在發(fā)光二極管芯片的出光面且收容于該反射杯的凹槽內(nèi)，該熒光粉吸收該發(fā)光二極管芯片發(fā)出的光并將其轉(zhuǎn)換成白光，并產(chǎn)生短波長光。 該抗短波層設(shè)置在該凹槽的側(cè)壁，該抗短波層用于反射該短波長光。所述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的反射杯的側(cè)壁上設(shè)置有抗短波層，該抗短波層將發(fā)光二極管芯片發(fā)出的光與熒光粉混光過程所產(chǎn)生的短波長光反射并出射，從而，避免了該短波長光被反射杯所吸收而造成其性能劣化。因此，該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的使用壽命長且出光效率好。


圖1是本發(fā)明實施例提供的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。主要元件符號說明發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu) 100反射杯20頂面21凹槽22底面225側(cè)壁2 發(fā)光二極管芯片30
封裝膠40光出射面41熒光粉50抗短波層60
具體實施例方式下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明實施例作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。請參見圖1，本發(fā)明實施例提供的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100，其包括一反射杯 20，一發(fā)光二極管芯片30，一封裝膠40，一熒光粉50以及一抗短波層60。該反射杯20具有一頂面21。該反射杯20包括一形成在其頂面21且向該反射杯 20凹陷的凹槽22。該凹槽22包括有一底面225以及環(huán)繞該底面225的側(cè)壁226。在本實施例中，該反射杯20由塑料制成。該發(fā)光二極管芯片30設(shè)置在該凹槽22的底面225。在本實施例中，該發(fā)光二極管芯片30為藍(lán)光發(fā)光二極管芯片。該封裝膠40收容于該反射杯20的凹槽22內(nèi)，且覆蓋該發(fā)光二極管芯片30。該封裝膠40具有一個光出射面41，該光出射面41為一平面，且與該反射杯20的頂面21在同一平面上。該熒光粉50分布在該封裝膠40內(nèi)。在本實施例中，該熒光粉50為黃色熒光粉， 其均勻分布在該封裝膠40內(nèi)。該黃色熒光粉50吸收該藍(lán)色發(fā)光二極管芯片30發(fā)出的光并將其轉(zhuǎn)換成白光，同時，并產(chǎn)生短波長光。一般地，該短波長光的波長為380納米到480 納米。當(dāng)然，該光出射面41也可以為其他形狀。該抗短波層60設(shè)置在該凹槽22的側(cè)壁2 上。在本實施例中，該抗短波層60 的厚度小于100微米。該抗短波層60的材料為二氧化鈦(SiO2)，二氧化鋯(&02)，氧化鋅 (ZnO)，二氧化錫(SnO2)，磷化鎵(GaP)，硅(Si)，鈦酸鍶(SrTiO3)，三氧化鎢(WO3)，或者硫化鎘(CdS)。該抗短波層60用于反射該短波長光，以從該封裝膠40的光出射面41出射。從而， 防止該短波長光被反射杯20所吸收。該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100具有一抗短波層60，其可以將短波長光反射至該封裝膠40的光出射面41出射，從而防止該短波長光被該反射杯20吸收而造成該反射杯20的性能劣化，因此，該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100的使用壽命長。并且，由于該短波長光被反射并出射，從而提高了該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100的出光效率。可以理解的是，本領(lǐng)域技術(shù)人員還可于本發(fā)明精神內(nèi)做其它變化，只要其不偏離本發(fā)明的技術(shù)效果均可。這些依據(jù)本發(fā)明精神所做的變化，都應(yīng)包含在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其包括一反射杯以及一發(fā)光二極管芯片，該反射杯具有一頂面，該反射杯包括一形成在該頂面且向該反射杯凹陷的凹槽，該凹槽具有一底面以及環(huán)繞該底面的側(cè)壁；該發(fā)光二極管芯片設(shè)置在該凹槽的底面；其特征在于該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括一熒光粉以及一抗短波層，該熒光粉設(shè)置在發(fā)光二極管芯片的出光面且收容于該反射杯的凹槽內(nèi)，該熒光粉吸收該發(fā)光二極管芯片發(fā)出的光并將其轉(zhuǎn)換成白光，并產(chǎn)生短波長光；該抗短波層設(shè)置在該凹槽的側(cè)壁，該抗短波層用于反射該短波長光。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該發(fā)光二極管芯片為藍(lán)光發(fā)光二極管芯片。
3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該熒光粉為黃色熒光粉。
4.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該短波長光的波長為380納米到480納米。
5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該抗短波層的厚度小于100 微米。
6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該抗短波層的材料為二氧化鈦，二氧化鋯，氧化鋅，二氧化錫，磷化鎵，硅，鈦酸鍶，三氧化鎢，或者硫化鎘。
7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該反射杯的材料為塑料。
8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括封裝膠，該封裝膠收容于該反射杯的凹槽內(nèi)，該熒光粉分布在該封裝膠內(nèi)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其包括一反射杯，一發(fā)光二極管芯片，一熒光粉以及一抗短波層。該反射杯具有一頂面。該反射杯包括一形成在該頂面且向該反射杯凹陷的凹槽，該凹槽具有一底面以及環(huán)繞該底面的側(cè)壁；該發(fā)光二極管芯片設(shè)置在該凹槽的底面。該熒光粉設(shè)置在發(fā)光二極管芯片的出光面且收容于該反射杯的凹槽內(nèi)，該熒光粉吸收該發(fā)光二極管芯片發(fā)出的光并將其轉(zhuǎn)換成白光，并產(chǎn)生短波長光。該抗短波層設(shè)置在該凹槽的側(cè)壁，該抗短波層用于反射該短波長光。
文檔編號H01L33/56GK102479906SQ201010555819
公開日2012年5月30日 申請日期2010年11月24日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月24日
發(fā)明者郭德文 申請人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司