專利名稱：有機電致發(fā)光顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有機電致發(fā)光顯示(ELD electroluminescent display)裝置，更具 體地說，涉及通過防止漏光來提高顯示質(zhì)量的有機電致發(fā)光顯示裝置。
背景技術(shù)：
盡管陰極射線管(CRT cathode ray tube)被廣泛用作顯示裝置，但諸如等離子
(PDP :plasma display panel)(LCD :liquid crystal display)
裝置和可以被稱為有機發(fā)光二極管(OLED organic light emitting diode)裝置的有機 電致發(fā)光顯示(ELD electroluminescent display)裝置的平板顯示器(FPD :flat panel display)已經(jīng)是近來研究和開發(fā)的主題。在各種FPD裝置中，發(fā)光類型的有機ELD裝置由于省略了背光單元而具有重量輕 和外形薄的優(yōu)點。另外，有機ELD裝置具有優(yōu)于LCD裝置的視角和對比度，并且在功耗方面 具有優(yōu)點，使得以低直流(DC:direct current)電壓來驅(qū)動有機ELD裝置。此外，有機ELD 裝置具有快響應(yīng)速度、對外部撞擊的優(yōu)異的耐用性以及寬的工作溫度范圍。具體地說，由于 有機ELD裝置的制造工藝簡單，所以與IXD裝置相比，有機ELD裝置具有較低的生產(chǎn)成本。根據(jù)是否存在開關(guān)元件，可以將有機ELD裝置分類為無源矩陣類型和有源矩陣類 型。在無源矩陣類型的有機ELD裝置中，按照矩陣來設(shè)置彼此交叉以限定像素區(qū)域的掃描 線和信號線而無需開關(guān)元件。在有源矩陣類型的有機ELD裝置中，按照矩陣來設(shè)置彼此交 叉以限定像素區(qū)域的掃描線和信號線，并且在各個像素區(qū)域中設(shè)置存儲電容器和作為開關(guān) 元件的薄膜晶體管(TFT :thin film transistor)。由于無源矩陣類型的有機ELD裝置在分辨率、功耗和使用壽命方面存在缺點，具 有高分辨率和大尺寸的優(yōu)點的有源矩陣類型的有機ELD裝置已經(jīng)是近來研究和開發(fā)的主 題。圖1是示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的有源矩陣類型有機電致發(fā)光顯示板的截面圖。圖1中， 有機電致發(fā)光顯示(ELD)裝置10包括彼此面對并且分隔開的第一基板1和第二基板2，并 且利用第一基板1和第二基板2的邊緣部分處的密封圖案20將第一基板1和第二基板2 彼此附接。第一基板1包括用于顯示圖像的有源區(qū)域AA和圍繞該有源區(qū)域AA的非有源區(qū) 域NA。驅(qū)動薄膜晶體管(TFT)DTr在有源區(qū)域中形成在第一基板1上。另外，構(gòu)成有機電 致發(fā)光(EL) 二極管E的第一電極11、有機發(fā)光層13和第二電極15順序地形成在第一基板 1上。第一電極11電連接到驅(qū)動TFT DTr0第一電極11和第二電極15可以分別充當(dāng)陽極 和陰極。有機發(fā)光層13在各個像素區(qū)域中包括紅色、綠色和藍(lán)色有機發(fā)光圖案13a、1 和 13c0當(dāng)有機ELD裝置10具有底發(fā)光類型時，第一電極11可以由透明導(dǎo)電材料形成，并 且第二電極15可以由導(dǎo)電材料形成，使得可以通過第一電極11來發(fā)射來自有機發(fā)光層13 的光。第二基板2包括凹槽40，并在凹槽40中形成吸收材料30以消除從外部滲入的濕氣。
通過使用掩模蝕刻第二基板2來形成凹槽40。凹槽40具有矩形形狀，并且該矩形 形狀的角部分可能由于不完全的蝕刻而存在殘余。圖2A是示出在根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的有機電致發(fā)光顯示裝置的角部分處的漏光的截面 圖，而圖2B是示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的有機電致發(fā)光顯示裝置的第二基板中的殘余的平面圖。 在圖2A和圖2B中，利用密封圖案20將具有驅(qū)動TFT DTr和有機EL 二極管E的第一基板 附接到第二基板2。該第二基板2包括凹槽40，并且在凹槽40中形成吸收材料30。凹槽 40具有矩形形狀，并具有自第二基板2的內(nèi)表面起的第一深度tl。通過使用掩模蝕刻第二基板2來形成凹槽40，并且由于蝕刻源的較慢流動，可能 在凹槽40的角部分處形成殘余40a。因此，除了角部分，凹槽40的側(cè)壁和底表面在側(cè)部中 形成直角，同時凹槽40的側(cè)壁和底表面由于角部分中的殘余40a而形成圓角。各個殘余 40a自角點(corner point)起可以具有分別對應(yīng)于第一深度tl的側(cè)面。殘余40a引起漏光，并且由于漏光，有機ELD裝置10的諸如亮度和顏色均勻性的 顯示質(zhì)量下降。來自有機發(fā)光層13的光可以通過第二電極15被發(fā)射到殘余40a。另外，光 在殘余40a處被反射和折射，并被透射到第一基板1。結(jié)果，通過第二電極15的光(不希望 出現(xiàn)的光)從有機ELD裝置10發(fā)射，以形成漏光。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明致力于一種基本上消除了由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺點所導(dǎo)致的一個 或更多個問題的有機電致發(fā)光顯示裝置。本發(fā)明的目的是提供一種防止漏光的有機電致發(fā)光顯示裝置。本發(fā)明的附加特征和優(yōu)點將在以下描述中得到闡明，并且將根據(jù)該描述而部分地 變得明顯，或者可以通過本發(fā)明的實踐來得到了解。通過書面的說明書及其權(quán)利要求書以 及附圖中具體指出的結(jié)構(gòu)可以實現(xiàn)和獲得本發(fā)明的這些目的和其它優(yōu)點。為了實現(xiàn)這些和其它優(yōu)點，根據(jù)本發(fā)明的目的，如具體實施和廣泛描述的，一種有 機電致發(fā)光顯示裝置包括第一基板，其具有顯示圖像的有源區(qū)域和圍繞所述有源區(qū)域的 非有源區(qū)域；開關(guān)薄膜晶體管和驅(qū)動薄膜晶體管，該驅(qū)動薄膜晶體管連接到所述第一基板 上的所述有源區(qū)域中的所述開關(guān)薄膜晶體管；有機電致發(fā)光二極管，其連接到所述驅(qū)動薄 膜晶體管；虛設(shè)(dummy)金屬圖案，其在所述第一基板上的所述非有源區(qū)域的角部分處；第 二基板，其與所述第一基板面對并且與所述第一基板分隔開，該第二基板包括凹槽；以及密 封圖案，其附接所述第一基板和所述第二基板，其中，所述虛設(shè)金屬圖案與所述凹槽的角部 分處的殘余重疊。應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明的以上總體描述和以下詳細(xì)描述都是示例性的和說明性的，其 旨在提供對所要求保護(hù)的本發(fā)明的進(jìn)一步解釋。


附圖被包括在本說明書中以提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并結(jié)合到本說明書中且 構(gòu)成本說明書的一部分，附圖示出了本發(fā)明的實施方式，并且與說明書一起用于解釋本發(fā) 明的原理。在附圖中圖1是示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的有源矩陣類型有機電致發(fā)光顯示板的截面圖2A是示出在根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的有機電致發(fā)光顯示裝置的角部分處的漏光的截面 圖；圖2B是示出在根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的有機電致發(fā)光顯示裝置的第二基板中的殘余的平 面圖；圖3是示出根據(jù)本發(fā)明實施方式的有機電致發(fā)光顯示裝置的截面圖；圖4是示出在根據(jù)本發(fā)明實施方式的有機電致發(fā)光顯示裝置的角部分處的防漏 光的截面圖；圖5是示出根據(jù)本發(fā)明實施方式的有機電致發(fā)光顯示裝置的平面圖；圖6A是示出在根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的有機電致發(fā)光顯示裝置中的漏光的視圖；圖6B是示出在根據(jù)本發(fā)明實施方式的有機電致發(fā)光顯示裝置中的防漏光的視 圖。
具體實施例方式下面將詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，在附圖中例示出了本發(fā)明的優(yōu)選實施方 式的示例。圖3是示出根據(jù)本發(fā)明實施方式的有機電致發(fā)光顯示裝置的截面圖。在圖3中，有機電致發(fā)光顯示(ELD)裝置100具有底發(fā)光類型。有機ELD裝置可 以分類為頂發(fā)光類型和底發(fā)光類型。由于底發(fā)光類型有機ELD裝置在穩(wěn)定性和制造的自由 度方面具有優(yōu)點，所以已經(jīng)對底發(fā)光類型有機ELD裝置進(jìn)行了廣泛的研究。有機ELD裝置100包括彼此面對并且分隔開的第一基板101和第二基板102，并且 利用第一基板101和第二基板102的邊緣部分處的密封圖案120將第一基板101和第二基 板102彼此附接。第一基板101包括用于顯示圖像的有源區(qū)域AA和圍繞有源區(qū)域AA的非 有源區(qū)域NA。盡管在圖3中未示出，但是在第一基板101的內(nèi)表面上在有源區(qū)域AA中形 成選通線、數(shù)據(jù)線和電力線，并且該選通線和該數(shù)據(jù)線彼此交叉以限定像素區(qū)域P。在第一 基板101的內(nèi)表面上在各個像素區(qū)域P中形成開關(guān)薄膜晶體管(TFT)(未示出)、驅(qū)動TFT DTr和有機電致發(fā)光(EL) 二極管E。開關(guān)TFT連接到選通線和數(shù)據(jù)線，并且驅(qū)動TFT DTr 連接到該開關(guān)TFT和電力線。有機EL 二極管E包括第一電極111、有機發(fā)光層113和第二 電極115。此外，在第二基板102中形成凹槽140，并且在凹槽140中形成吸收材料130以 消除從外部滲入的濕氣。第二基板102用于封裝第一基板101的有機EL 二極管E。在第一基板101的內(nèi)表面上形成硅的半導(dǎo)體層103，并且在半導(dǎo)體層103上形成柵 絕緣層105。半導(dǎo)體層103包括本征非晶硅的有源區(qū)103a以及摻雜硅的源區(qū)10 和漏區(qū) 103c。有源區(qū)103a用作溝道區(qū)，并且源區(qū)10 和漏區(qū)103c被設(shè)置在有源區(qū)103a的兩側(cè) 處。在柵絕緣層105上形成連接到選通線的柵極107。另外，在柵極107和選通線上形成第 一層間絕緣層109a。第一層間絕緣層109a和柵絕緣層105包括分別暴露源區(qū)10 和漏區(qū) 103c的第一半導(dǎo)體接觸孔116a和第二半導(dǎo)體接觸孔116b。在第一層間絕緣層109a上形成源極IlOa和漏極110b。源極IlOa通過第一半導(dǎo) 體接觸孔116a連接到源區(qū)103b，并且漏極IlOb通過第二半導(dǎo)體接觸孔116b連接到漏區(qū) 103c。半導(dǎo)體層103、柵絕緣層105、柵極107、源極IlOa和漏極IlOb構(gòu)成驅(qū)動TFT DTr0 而且，在第一層間絕緣層109a上形成數(shù)據(jù)線。開關(guān)TFT可以具有與驅(qū)動TFT DTr相同的結(jié)構(gòu)。盡管圖3的實施方式中的開關(guān)TFT和驅(qū)動TFT DTr中的每一個具有在半導(dǎo)體層上方形 成柵極的頂柵型，但其它實施方式中的開關(guān)TFT和驅(qū)動TFT DTr中的每一個可以具有在柵 極上方形成半導(dǎo)體層的底柵型。此外，第二層間絕緣層109b形成在源極IlOa和漏極IlOb上。第二層間絕緣層 109b包括暴露驅(qū)動TFT DTr的漏極IlOb的漏接觸孔117。第一電極111、有機發(fā)光層113 和第二電極115順序地形成在第二層間絕緣層109b上。第一電極111、有機發(fā)光層113和 第二電極115構(gòu)成有機EL 二極管E。第一電極111通過漏接觸孔117連接到驅(qū)動TFT DTr 的漏極IlOb0在各個像素區(qū)域P中形成第一電極111，并且在第一電極111和第二層間絕緣層 109b的邊界部分上形成提層(bank) 119。提層119具有包括開口的矩陣形狀并對應(yīng)于相鄰 像素區(qū)域P之間的邊界。當(dāng)有機ELD裝置100具有底發(fā)光類型時，第一電極111可以包括諸如銦錫氧化物 (ITO)和銦鋅氧化物(IZO)的具有較高功函數(shù)的透明導(dǎo)電材料，并且第二電極115可以包括 諸如鋁(Al)和鋁合金(例如，釹化鋁(AlNd))的具有較低功函數(shù)的金屬材料。結(jié)果，第一 電極111和第二電極115分別充當(dāng)陰極和陽極，并且來自有機發(fā)光層113的光通過第一電 極111被發(fā)射?？梢酝ㄟ^低溫沉積方法來形成金屬材料的第二電極115以使有機發(fā)光層113的退 化最小化。結(jié)果，第二電極115可以退化為具有低的膜質(zhì)量和高電阻系數(shù)。第二電極115 的退化引起顯示質(zhì)量和功耗的惡化。為了解決金屬材料的第二電極115的上述問題，在其 它實施方式中，第二電極115可以由薄金屬材料和厚透明導(dǎo)電材料的雙層形成。有機發(fā)光層113可以具有單層或多層，這包括空穴注入層(HIL :hole injecting layer)、空穴傳輸層(HTL :hole transporting layer)、發(fā)光材料層(EML :emitting material layer)、電子傳輸層(ETL :electron transporting layer)禾口電子注入層(EIL electron injecting layer)，以提高發(fā)光效率。在有機ELD裝置100中，當(dāng)對第一電極111和第二電極115施加數(shù)據(jù)信號的電壓 時，從第一電極111注入的空穴和從第二電極115注入的電子被傳輸?shù)接袡C發(fā)光層113，并 通過有機發(fā)光層113中的空穴和電子來生成激發(fā)子(exciton)。另外，通過從激發(fā)子的激發(fā) 態(tài)到基態(tài)的躍遷來在有機發(fā)光層113中產(chǎn)生光，并作為可見光線發(fā)射該光。來自有機發(fā)光 層113的光通過第一電極111被發(fā)射，使得有機ELD裝置100可以顯示圖像。第二基板102面對第一基板101并與第一基板101分隔開。第二基板102可以由 玻璃或金屬箔形成。利用密封圖案120將第一基板101與第二基板102彼此附接，從而封 裝有機EL 二極管。例如，密封圖案120可以由熱可固化樹脂或紫外線(UV =Ultraviolet) 可固化樹脂形成。第一基板101可以包括玻璃或不銹鋼中的一種。當(dāng)有機ELD裝置100具有底發(fā)光 類型時，第一基板101由玻璃形成。第二基板102可以包括金屬箔。當(dāng)?shù)诙?02由金 屬箔形成時，與玻璃的第二基板相比，第二基板102的厚度被減小，并且有機ELD裝置100 可以具有較薄的外形。另外，與包括玻璃的第二基板的有機ELD裝置相比，包括金屬箔的第 二基板的有機ELD裝置100的耐用性和熱輻射特性得到提高。第二基板115包括凹槽140，并且在凹槽140中形成諸如氧化鋇(BaO)和氧化鈣(CaO)的吸收材料。另外，在第二基板102的凹槽140的四個角部分中形成殘余140a，并且 在第一基板101的非有源區(qū)域NA的四個角部分處形成虛設(shè)金屬圖案200，以防止由于殘余 140a而導(dǎo)致的漏光。圖4是示出在根據(jù)本發(fā)明實施方式的有機電致發(fā)光顯示裝置的角部分處的防漏 光的截面圖。在圖4中，在第一基板101的非有源區(qū)域NA的四個角部分的每一個處形成虛設(shè)金 屬圖案200。另外，虛設(shè)金屬圖案200對應(yīng)于第二基板102的凹槽140的各個角部分G處的 殘余140a，使得可以防止由于殘余140a而導(dǎo)致的漏光。通過使用掩模的蝕刻方法來在第二 基板102中形成凹槽140，并且在凹槽140中形成吸收材料130。與在凹槽140的中央部分 處相比，諸如蝕刻溶液或蝕刻氣體的蝕刻源的流動在蝕刻區(qū)域(即，凹槽140)與非蝕刻區(qū) 域(即，除了凹槽140之外的第二基板10 之間的邊界部分處慢下來，尤其在凹槽140的 四個角部分處慢下來。結(jié)果，第二基板102的一部分未被蝕刻而保留為殘余140a。例如，殘 余140a可以具有三角形形狀，該三角形形狀在平面圖中具有圓形的底邊(base side)。當(dāng) 凹槽140具有第一深度tl時，殘余140a的三角形形狀的各條斜邊可以是與第一深度tl相 對應(yīng)的距離。由于有機ELD裝置100具有底發(fā)光類型，所以來自有機發(fā)光層113的光通過第一 電極111被發(fā)射以顯示圖像。另外，有機發(fā)光層113的通過第二電極115的光的大部分被吸 收并在有機ELD裝置100中消散。但是，有機發(fā)光層113的通過第二電極115的光的一部 分在各個角部分G的殘余140a處被反射和折射，以透射到第一基板101。透射到第一基板 101的光的一部分在非有源區(qū)域NA的各個角部分處被虛設(shè)金屬圖案200遮擋，從而防止了 由于殘余140a的反射和折射所導(dǎo)致的漏光。結(jié)果，提高了有機ELD裝置100的顯示質(zhì)量。虛設(shè)金屬圖案200可以由與(圖3的)驅(qū)動TFT DTr的(圖3的)柵極107或驅(qū) 動TFT DTr的(圖3的)源極IlOa和漏極IlOb相同的層和相同的材料形成。虛設(shè)金屬圖 案200可以在非有源區(qū)域NA的各個角部分處形成，以對應(yīng)于在凹槽140的各個角部分G處 的殘余140a。另外，虛設(shè)金屬圖案200可以具有三角形形狀，該三角形形狀在平面圖中具 有平的底邊，并且該三角形形狀的各條斜邊可以具有在第一深度tl的約1. 5倍至第一深度 tl的約2.5倍的范圍內(nèi)的第一距離(11((1.5){1彡(11 ( Q.5)tl)。由于虛設(shè)金屬圖案200 的面積大于殘余140a的面積，所以，可以在密封圖案120與第一基板101之間形成虛設(shè)金 屬圖案200，以部分地與密封圖案120重疊。圖5是示出根據(jù)本發(fā)明實施方式的有機電致發(fā)光顯示裝置的平面圖。在圖5中，在(圖3的)第一基板101上在圍繞有源區(qū)域AA的非有源區(qū)域NA中 形成密封圖案120，并且在非有源區(qū)域NA的各個角部分處形成虛設(shè)金屬圖案200以與密封 圖案120重疊。第二基板102包括凹槽140并且在凹槽140的各個角部分G處形成殘余 140a。虛設(shè)金屬圖案200對應(yīng)于殘余140a。因此，在第一基板101上在非有源區(qū)域NA中形 成虛設(shè)金屬圖案200，并且虛設(shè)金屬圖案200與密封圖案120以及凹槽140的各個角部分G 處的殘余140a重疊。殘余140a可以具有三角形形狀，該三角形形狀在平面圖中具有圓形的底邊，并且 虛設(shè)金屬圖案200可以具有三角形形狀，該三角形形狀在平面圖中具有平的底邊。當(dāng)凹槽 具有第一深度tl時，殘余140a的斜邊可以具有對應(yīng)于第一深度tl的距離，并且虛設(shè)金屬圖案200的斜邊可以具有第一深度tl的大約1. 5倍至第一深度tl的大約2. 5倍的范圍 內(nèi)的第一距離dl((1.5)tl < dl < (2.5)tl)。結(jié)果，虛設(shè)金屬圖案200的面積可以在殘余 140a的面積的大約2. 25倍至殘余140a的面積的大約6. 25倍的范圍內(nèi)。例如，當(dāng)凹槽的第 一深度大約為300 μ m時，殘余140a的斜邊大約為300 μ m,并且虛設(shè)金屬圖案200的斜邊在 大約450 μ m至大約750 μ m的范圍內(nèi)。結(jié)果，虛設(shè)金屬圖案200的形狀為等邊直角三角形， 該等邊直角三角形的面積在大約101250 μ m2至大約觀1250 μ m2的范圍內(nèi)。當(dāng)虛設(shè)金屬圖案200的面積不夠大時，光可能未被完全遮擋。另外，當(dāng)虛設(shè)金屬圖 案200的面積足夠大時，光可以被完全遮擋，并且可以完全防止漏光。但是，隨著虛設(shè)金屬 圖案200的面積增加，非有源區(qū)域NA也增加，并且有機ELD裝置100的孔徑比(aperture ratio)降低。結(jié)果，虛設(shè)金屬圖案200可以形成為具有在第一深度tl的大約1.5倍至第一 深度tl的大約2. 5倍的范圍內(nèi)的第一距離dl的斜邊。圖6A是示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的有機電致發(fā)光顯示裝置中的漏光的視圖，而圖6B是 示出根據(jù)本發(fā)明實施方式的有機電致發(fā)光顯示裝置中的防漏光的視圖。在圖6A中，在有機ELD裝置的非有源區(qū)域NA的角部分處檢查到漏光。在圖6B中， 在有機ELD裝置的非有源區(qū)域NA的角部分處沒有檢查到漏光。盡管通過第二電極的有機發(fā) 光層的光在凹槽的各個角部分的殘余處被反射和折射，但所反射和所折射的光被(圖5的) 虛設(shè)金屬圖案200遮擋，并且在根據(jù)本發(fā)明實施方式的有機ELD裝置中防止了漏光。結(jié)果， 在根據(jù)本發(fā)明實施方式的有機ELD裝置中提高了諸如亮度和顏色均勻性的顯示質(zhì)量。結(jié)果，在根據(jù)本發(fā)明實施方式的有機電致發(fā)光顯示裝置中，通過在非有源區(qū)域的 角部分處的虛設(shè)金屬圖案防止了由于在用于吸收材料的凹槽的角部分處的殘余而導(dǎo)致的 漏光。因此，提高了根據(jù)本發(fā)明的有機電致發(fā)光顯示裝置的諸如亮度和顏色均勻性的顯示 質(zhì)量。對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言很明顯，在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，可以 對本發(fā)明的有機電致發(fā)光顯示裝置進(jìn)行各種修改和變型。因此，本發(fā)明旨在涵蓋落入所附 權(quán)利要求及其等同物的范圍內(nèi)的本發(fā)明的這些修改和變型。本申請要求2009年11月23日在韓國提交的韓國專利申請No. 10-2009-0113399 的優(yōu)先權(quán)，以引證的方式將其全部內(nèi)容并入本文。
權(quán)利要求
1.一種有機電致發(fā)光顯示裝置，該有機電致發(fā)光顯示裝置包括第一基板，其具有顯示圖像的有源區(qū)域和圍繞所述有源區(qū)域的非有源區(qū)域；開關(guān)薄膜晶體管和驅(qū)動薄膜晶體管，該驅(qū)動薄膜晶體管連接到所述第一基板上的所述 有源區(qū)域中的所述開關(guān)薄膜晶體管；有機電致發(fā)光二極管，其連接到所述驅(qū)動薄膜晶體管；虛設(shè)金屬圖案，其在所述第一基板上的所述非有源區(qū)域的角部分處；第二基板，其與所述第一基板面對并且與所述第一基板分隔開，所述第二基板包括凹 槽；以及密封圖案，其將所述第一基板與所述第二基板附接，其中，所述虛設(shè)金屬圖案與所述凹槽的角部分處的殘余重疊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光顯示裝置，其中，所述虛設(shè)金屬圖案與所述密 封圖案重疊。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光顯示裝置，其中，所述殘余具有三角形形狀，該 三角形形狀具有圓形的底邊，并且所述虛設(shè)金屬圖案具有三角形形狀，該三角形形狀具有 平的底邊。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機電致發(fā)光顯示裝置，其中，所述凹槽具有第一深度并且 所述虛設(shè)金屬圖案的斜邊具有在所述第一深度的大約1. 5倍至所述第一深度的大約2. 5倍 的范圍內(nèi)的第一距離。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機電致發(fā)光顯示裝置，其中，所述虛設(shè)金屬圖案具有等邊 直角三角形形狀。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光顯示裝置，其中，所述驅(qū)動薄膜晶體管包括半 導(dǎo)體層、柵極、源極和漏極。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光顯示裝置，其中，所述虛設(shè)金屬圖案包括與所 述柵極相同的層和相同的材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光顯示裝置，其中，所述虛設(shè)金屬圖案包括與所 述源極和所述漏極相同的層和相同的材料。
全文摘要
有機電致發(fā)光顯示裝置。該有機電致發(fā)光顯示裝置包括第一基板，其具有顯示圖像的有源區(qū)域和圍繞所述有源區(qū)域的非有源區(qū)域；開關(guān)薄膜晶體管和驅(qū)動薄膜晶體管，該驅(qū)動薄膜晶體管連接到所述第一基板上的所述有源區(qū)域中的所述開關(guān)薄膜晶體管；有機電致發(fā)光二極管，其連接到所述驅(qū)動薄膜晶體管；虛設(shè)金屬圖案，其在所述第一基板上的所述非有源區(qū)域的角部分處；第二基板，其與所述第一基板面對并且與所述第一基板分隔開，所述第二基板包括凹槽；以及密封圖案，其將所述第一基板與所述第二基板附接，其中，所述虛設(shè)金屬圖案與所述凹槽的角部分處的殘余重疊。
文檔編號H01L27/32GK102097453SQ201010541070
公開日2011年6月15日 申請日期2010年11月8日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月23日
發(fā)明者孫瑛訓(xùn), 李眩鎬 申請人:樂金顯示有限公司