專利名稱：用于制造半導(dǎo)體器件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)上，在半導(dǎo)體元件上形成樹脂保護(hù)膜，以保護(hù)被切塊的半導(dǎo)體芯片免受在它 們被拾取時(shí)產(chǎn)生的劃傷，或者減輕從安裝密封樹脂施加到由二氧化硅膜或硅氮化物膜形成 的保護(hù)絕緣膜的熱應(yīng)力?？梢孕纬赏ㄟ^(guò)使用樹脂作為核心并且用導(dǎo)電膜涂覆核心表面而構(gòu)造的樹脂核心 凸塊作為半導(dǎo)體器件的凸電極。如果采用樹脂核心凸塊作為需要樹脂保護(hù)膜的半導(dǎo)體元件的凸電極，則在晶片上 形成具有不同目的的兩種樹脂，即，樹脂保護(hù)膜和樹脂核心。同樣地，在例如日本特開專利公布No. 2001-298120中公開了用于形成樹脂保護(hù) 膜和樹脂核心的技術(shù)。根據(jù)日本特開專利公布NO.200H98120中公開的該技術(shù)，在設(shè)置有保護(hù)膜的硅 芯片的保護(hù)膜上設(shè)置絕緣層，通過(guò)掩模來(lái)選擇性地曝光絕緣層的表面，將該表面顯影，對(duì)具 有所期望圖案的絕緣層執(zhí)行半蝕刻工藝并且形成突起(樹脂核心)。在這種情況下，絕緣層 中的突起之外的部分對(duì)應(yīng)于樹脂保護(hù)膜。然后，通過(guò)掩模再次選擇性地曝光絕緣層的表面，將該表面顯影，去除器件端上的 絕緣層，并且曝光器件端。也就是說(shuō)，在絕緣層中形成通過(guò)其曝光器件端的開口。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的發(fā)明人認(rèn)識(shí)到以下內(nèi)容。根據(jù)日本特開專利公布No. 200H98120中公 開的技術(shù)，由于曝光和顯影中的每個(gè)需要執(zhí)行兩次，因此工藝數(shù)目多。同樣地，難以以較少數(shù)目的工藝來(lái)形成樹脂核心和樹脂保護(hù)膜。在一個(gè)實(shí)施例中，提供了一種制造半導(dǎo)體器件的方法，其包括在形成有電極焊盤 的襯底上形成保護(hù)絕緣膜，所述保護(hù)絕緣膜具有曝光所述電極焊盤的開口 ；形成感光性樹 脂膜；通過(guò)使用多等級(jí)掩模曝光所述感光性樹脂膜并且將所述感光性樹脂膜顯影，一次性 地形成樹脂保護(hù)膜和樹脂核心，所述樹脂保護(hù)膜由所述感光性樹脂膜構(gòu)成，所述樹脂核心 由具有的厚度比所述樹脂保護(hù)膜的厚度大的所述感光性樹脂膜構(gòu)成；以及從所述樹脂核心 的上側(cè)到所述電極焊盤的上側(cè)形成互連。根據(jù)制造半導(dǎo)體器件的方法，可以通過(guò)一次曝光和顯影形成樹脂保護(hù)膜和樹脂核 心，該樹脂核心具有的厚度大于樹脂保護(hù)膜的厚度。因此，工藝數(shù)目可以減少。另外，用于形成樹脂保護(hù)膜和樹脂核心所執(zhí)行的曝光過(guò)程中使用的掩?？梢灾皇?br> 一種類型。
另外，由于可以用一次曝光和顯影來(lái)形成樹脂保護(hù)膜和樹脂核心，因此可以減少 化學(xué)制品的使用。此外，由于用一次顯影來(lái)形成樹脂保護(hù)膜和樹脂核心，因此將需要高準(zhǔn)確度和高 精確度的樹脂核心曝光于顯影溶液的次數(shù)可以減少，并且可以抑制樹脂核心由于膜減少而 產(chǎn)生的高度變形。同樣地，可以以較少的工藝數(shù)目、以高準(zhǔn)確度和高精確度來(lái)形成樹脂核心和樹脂 保護(hù)膜。根據(jù)本發(fā)明，可以以較少數(shù)目的工藝來(lái)形成樹脂核心和樹脂保護(hù)膜。


從以下結(jié)合附圖的某些優(yōu)選實(shí)施例的描述中，本發(fā)明的以上和其他目的、優(yōu)點(diǎn)和 特征將更清楚，其中圖IA至圖IE是示出根據(jù)實(shí)施例的制造半導(dǎo)體器件的方法中的一系列工藝的橫截 面圖；圖2A和圖2B是示出根據(jù)實(shí)施例的制造半導(dǎo)體器件的方法中的一系列工藝的平面 圖；圖3A至圖3C是示出根據(jù)實(shí)施例的制造半導(dǎo)體器件的方法中的一系列工藝的平面 圖；圖4是示出半導(dǎo)體器件的安裝實(shí)例的橫截面圖；圖5A和圖5B是示出根據(jù)第一修改形式的通過(guò)用于制造半導(dǎo)體器件的方法制造的 半導(dǎo)體器件的示意圖；圖6A和圖6B是示出根據(jù)第二修改形式的通過(guò)用于制造半導(dǎo)體器件的方法制造的 半導(dǎo)體器件的示意圖；圖7A至圖7D是示出根據(jù)第三修改形式的用于制造半導(dǎo)體器件的方法的示意圖； 以及圖8A和圖8B是示出根據(jù)第三修改形式的制造半導(dǎo)體器件的方法中的一系列工藝 的平面圖。
具體實(shí)施例方式以下，將參照附圖來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例。注意的是，在所有附圖中，將給任何類 似的組件賦予相同的附圖標(biāo)記或符號(hào)，因此將不再重復(fù)對(duì)其的說(shuō)明。在平面圖中附上陰影線，以便有助于理解本發(fā)明的實(shí)施例。圖IA至圖IE是示出 根據(jù)實(shí)施例的制造半導(dǎo)體器件的方法中的一系列工藝的橫截面圖，圖2A至圖3C是示出根 據(jù)實(shí)施例的制造半導(dǎo)體器件的方法中的一系列工藝的平面圖。圖IA至圖IE是沿著圖2A 至圖3C中的A-A線截取的橫截面圖。在根據(jù)實(shí)施例制造半導(dǎo)體器件的方法中，順序地執(zhí)行以下第一工藝至第四工藝。首先，在第一工藝中，在形成有電極焊盤2的襯底(半導(dǎo)體襯底1)上形成具有開 口 3a的保護(hù)絕緣膜3，通過(guò)開口 3a曝光電極焊盤2。接著，在第二工藝中，形成感光性樹脂膜4。
接著，在第三工藝中，使用多等級(jí)掩模5曝光感光性樹脂膜4并且將其顯影。由此， 同時(shí)形成由感光性樹脂膜4構(gòu)成的樹脂保護(hù)膜7和由具有的厚度比樹脂保護(hù)膜7的厚度大 的感光性樹脂膜4構(gòu)成的樹脂核心6。接著，在第四工藝中，從樹脂核心6的上側(cè)到電極焊盤2的上側(cè)形成互連8。下文中，將詳細(xì)描述該構(gòu)造。首先，將描述根據(jù)實(shí)施例的通過(guò)用于制造半導(dǎo)體器件的方法制造的半導(dǎo)體器件 100的構(gòu)造。如圖IE和圖3C所示，半導(dǎo)體器件100包括其中形成了構(gòu)成電路的諸如晶體管的 元件(附圖中未示出)和電極焊盤2的半導(dǎo)體襯底1。在半導(dǎo)體襯底1上形成具有開口 3a 的保護(hù)絕緣膜3，通過(guò)該開口 3a曝光電極焊盤2。半導(dǎo)體器件100包括在保護(hù)絕緣膜3上形成的多個(gè)樹脂核心6以及在保護(hù)絕緣膜 3和電路(晶體管等)上形成的樹脂保護(hù)膜7。例如，樹脂核心6被線性地布置。在圖IE和圖3C的實(shí)例中，樹脂核心6沿著與半 導(dǎo)體元件的長(zhǎng)邊相對(duì)應(yīng)的兩邊被線性地布置。然而，樹脂核心6可以沿著半導(dǎo)體元件的四 邊被線性地布置。在這種情況下，該線性布置包括其中樹脂核心6沿著直線呈Z字形設(shè)置 的布置以及其中樹脂核心6線性設(shè)置的布置。另外，樹脂核心6被布置成彼此分隔開。此外，樹脂核心6和樹脂保護(hù)膜7被布置成彼此分隔開。半導(dǎo)體器件100還包括互連8，所述互連8被形成為從樹脂核心6的上側(cè)延伸到電 極焊盤2的上側(cè)。另外，樹脂核心6以及互連8的存在于樹脂核心6上的部分構(gòu)成樹脂核心凸塊9。 因此，半導(dǎo)體器件100具有多個(gè)樹脂核心凸塊9。接著，將描述根據(jù)實(shí)施例的用于制造半導(dǎo)體器件的方法。首先，在半導(dǎo)體襯底1上形成構(gòu)成電路的諸如晶體管的元件(附圖中未示出)，并 且在半導(dǎo)體襯底1上形成多層互連(附圖中未示出)。多層互連在其最上層上具有電極焊
2 ο接下來(lái)，在多層互連上形成保護(hù)絕緣膜3?？梢允褂美绻柩趸锬?、硅氧化物膜 和硅氮化物膜的層壓膜或者硅氮化物膜來(lái)構(gòu)造保護(hù)絕緣膜3。接著，通過(guò)選擇性地去除保護(hù)絕緣膜3來(lái)形成開口 3a。開口 3a設(shè)置在電極焊盤2 上并且從保護(hù)絕緣膜3中曝光電極焊盤2 (參照?qǐng)DIA和圖2A)。接下來(lái)，如圖IB和圖2B所示，涂覆樹脂，在保護(hù)絕緣膜3和電極焊盤2上形成感 光性樹脂膜4。在這種情況下，可以使用例如諸如酚醛樹脂、環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂、氨基樹脂、 未飽和的聚酯樹脂、硅樹脂或烯丙基樹脂的熱固性樹脂作為感光性樹脂膜4的形成材料。接著，如圖IC和圖3A所示，通過(guò)多等級(jí)掩模5來(lái)曝光感光性樹脂膜4。這里，將描述其中感光性樹脂膜4是正型的情況。多等級(jí)掩模5具有遮光部5a、半透射部恥和全透射部5c。在感光性樹脂膜4中，透過(guò)全透射部5c的曝光光線所照射的曝光部如的曝光量 變成最大。在感光性樹脂膜4中，透過(guò)半透射部恥的曝光光線所照射的半曝光部4b被曝光的曝光量小于曝光部4c的曝光量。在感光性樹脂膜4中，沒(méi)有曝光變成遮光部fe的負(fù) 極的非曝光部如。同樣地，通過(guò)使用多等級(jí)掩模5，曝光量被設(shè)置成多個(gè)級(jí)別并且感光性樹脂膜4被
曙光ο多等級(jí)掩模5的遮光部fe被構(gòu)造成具有與樹脂核心6相對(duì)應(yīng)的形狀和布局(參 照?qǐng)DID和圖3B)。半透射部恥被構(gòu)造成具有與樹脂保護(hù)膜7相對(duì)應(yīng)的形狀和布局(參照 圖ID和圖3B)。全透射部5c被構(gòu)造成具有與保護(hù)絕緣膜3的至少開口 3a相對(duì)應(yīng)的形狀和布局。設(shè)置多等級(jí)掩模5，使得遮光部fe被轉(zhuǎn)印到感光性樹脂膜4中樹脂核心6的形成 位置，半透射部恥被轉(zhuǎn)印到感光性樹脂膜4中樹脂保護(hù)膜7的形成位置，并且透過(guò)全透射 部5c的曝光被照射到與保護(hù)絕緣膜3的至少開口 3a相對(duì)應(yīng)的位置上。樹脂保護(hù)膜7的形 成位置包括使用晶體管構(gòu)造的電路的上側(cè)。相對(duì)于半透射部恥設(shè)定透光量，使得樹脂保護(hù)膜7具有所期望的厚度。使用多種 方法，例如使用與遮光部fe的材料不同的光遮蔽膜的材料的方法或者設(shè)置比分辨率小的 隙縫的方法，作為用于形成半透射部恥的方法。在該實(shí)施例中，形成多個(gè)樹脂核心6，使得樹脂核心6彼此分隔開。出于這個(gè)原因， 多等級(jí)掩模5的全透射部5c被構(gòu)造成具有如下的形狀和布局穿透全透射部5c的曝光光 線被照射到樹脂核心6的形成位置之間的間隙。在該實(shí)施例中，例如，樹脂核心6和樹脂保護(hù)膜7被形成為彼此分隔開。出于這個(gè) 原因，多等級(jí)掩模5的全透射部5c被構(gòu)造成具有如下的形狀和布局穿透全透射部5c的曝 光光線被照射到樹脂核心6的形成位置與樹脂保護(hù)膜7的形成位置之間的間隙。接著，將感光性樹脂膜4顯影。在去除感光性樹脂膜4中的曝光部如之前，執(zhí)行 該顯影的步驟。在這種狀態(tài)下，保持感光性樹脂膜4中的非曝光部如，并且保持半曝光部 4b，同時(shí)使半曝光部4b的厚度小于非曝光部如的厚度。通過(guò)熱處理使感光性樹脂膜4硬化。這樣，可以通過(guò)一次曝光和顯影來(lái)形成樹脂核心6和樹脂保護(hù)膜7 (參照?qǐng)DID和 圖 3B)。使用感光性樹脂膜4的圖案來(lái)構(gòu)造樹脂保護(hù)膜7，并且將樹脂保護(hù)膜7設(shè)置在使用 晶體管構(gòu)造的電路上。使用感光性樹脂膜4的圖案來(lái)構(gòu)造樹脂核心6，所述感光性樹脂膜4的圖案具有的 厚度大于樹脂保護(hù)膜7的厚度并且具有凸的形狀。接著，如圖IE和圖3C所示，從樹脂核心6的上側(cè)到電極焊盤2的上側(cè)形成互連8。也就是說(shuō)，通過(guò)使用濺射法在樹脂核心6、樹脂保護(hù)膜7、保護(hù)絕緣膜3和電極焊盤 2上形成導(dǎo)電膜(例如，Au膜(附圖中未示出))之后，在導(dǎo)電膜上形成抗蝕劑圖案(附圖 中未示出)。接著，使用抗蝕劑圖案作為掩模來(lái)蝕刻導(dǎo)電膜，選擇性地去除導(dǎo)電膜，并且將導(dǎo) 電膜處理成互連8的形狀。然后，去除抗蝕劑圖案。這樣，可以制造出半導(dǎo)體器件100。如圖4所示，半導(dǎo)體器件100可以安裝在安裝襯底150上。也就是說(shuō)，通過(guò)將半導(dǎo)體器件100的樹脂核心凸塊9連接到安裝襯底150的電極151以及將半導(dǎo)體器件100安裝在安裝襯底150上，半導(dǎo)體器件100和安裝襯底150可以彼 此電連接。電極151是島形，但不限于島形。在將半導(dǎo)體器件100安裝在安裝襯底150上之后，可以將安裝密封樹脂(附圖中 未示出)填充到安裝襯底150和半導(dǎo)體器件100之間的間隙中，并且可以將其硬化。在這種情況下，當(dāng)半導(dǎo)體器件100是用于液晶顯示裝置的驅(qū)動(dòng)器時(shí)，使用COG(玻 璃上芯片)技術(shù)，將半導(dǎo)體器件100安裝在與玻璃襯底相對(duì)應(yīng)的安裝襯底150上?？商孢x地，可以使用COF (膜上芯片)技術(shù)，將半導(dǎo)體器件100安裝在用作安裝襯 底150的互連襯底上，或者將其安裝在膜襯底上。根據(jù)上述的實(shí)施例，由于通過(guò)使用多等級(jí)掩模執(zhí)行曝光并且執(zhí)行顯影，來(lái)形成樹 脂保護(hù)膜7和具有的厚度比樹脂保護(hù)膜7的厚度更厚的樹脂核心6，因此可以通過(guò)一次曝光 和顯影來(lái)形成樹脂保護(hù)膜7和樹脂核心6。因此，可以減少工藝數(shù)目。另外，用于形成樹脂保護(hù)膜7和樹脂核心6所執(zhí)行的曝光中使用的多等級(jí)掩模5 可以只是一種類型。此外，由于可以減少工藝數(shù)目，因此涂覆到晶片上的樹脂或清洗劑的量可以降低， 并且可以減少顯影步驟中使用的化學(xué)制品。因此，可以減小環(huán)境負(fù)擔(dān)。此外，由于可以用于一次顯影形成樹脂保護(hù)膜7和樹脂核心6，因此將需要高準(zhǔn)確 度和高精確度的樹脂核心6曝光于顯影溶液的次數(shù)可以減少，所以可以抑制由于膜減少導(dǎo) 致的樹脂核心6的高度變化。同樣地，可以以較少的工藝數(shù)目、以高準(zhǔn)確度和高精確度來(lái)形成樹脂核心6和樹 脂保護(hù)膜7。根據(jù)當(dāng)前通常使用的安裝技術(shù)，如在實(shí)施例中的一樣，多個(gè)樹脂核心6被形成為 彼此分隔開，并且樹脂核心6和樹脂保護(hù)膜7被形成為彼此分隔開，從而得到以下效果。首先，即使在樹脂核心6由于安裝步驟而變形的情況下，可以充分確保安裝密封 樹脂(NCF(非導(dǎo)電膜))或NCP(非導(dǎo)電膏)的流動(dòng)通道。因此，由于填充安裝密封樹脂時(shí)的 流動(dòng)變得優(yōu)良，因此可以抑制在安裝密封樹脂中產(chǎn)生空隙。由此，可以提高半導(dǎo)體器件100 和安裝襯底150的粘附性。由于在樹脂核心6的裙部周圍沒(méi)有樹脂，因此可以充分確保在樹脂核心6被按壓 的情況下的變形量。因此，可以穩(wěn)定地執(zhí)行用作外部電極的電極151和樹脂核心凸塊9的 電連接。在具有優(yōu)良粘附性的保護(hù)絕緣膜3上，可以形成從電極焊盤2到樹脂核心6的互 連。因此，可以抑制互連8被去除。〈第一修改形式〉圖5A和圖5B示出根據(jù)第一修改形式的通過(guò)用于制造半導(dǎo)體器件的方法制造的半 導(dǎo)體器件200的構(gòu)造。圖5A是沿著圖5B中的A-A線截取的橫截面圖，圖5B是平面圖。在以上的實(shí)施例中，描述了其中樹脂核心6 (樹脂核心凸塊9)和樹脂保護(hù)膜7被 形成為彼此分隔開的實(shí)例。然而，如在圖5A和圖5B所示的半導(dǎo)體器件200中，樹脂保護(hù)膜 7和樹脂核心6的至少一部分可以被一體化地形成?？梢酝ㄟ^(guò)如下步驟實(shí)現(xiàn)制造方法將圖IC所示的多等級(jí)掩模5中的半透射部恥 與遮光部fe的一部分之間設(shè)置的全透射部5c變?yōu)榘胪干洳繍u。
<第二修改形式>圖6A和圖6B示出根據(jù)第二修改形式的通過(guò)用于制造半導(dǎo)體器件的方法制造的半 導(dǎo)體器件300的構(gòu)造。圖6A是沿著圖6B中的B-B線截取的橫截面圖，以及圖6B是平面圖。在以上的實(shí)施例中，描述了其中多個(gè)樹脂核心6被形成為彼此分隔開的情況的實(shí) 例。然而，如在圖6A和圖6B所示的半導(dǎo)體器件300中，多個(gè)樹脂核心6可以一體化地形成。 也就是說(shuō)，樹脂核心6的裙部可以被連接?？梢酝ㄟ^(guò)以下步驟實(shí)現(xiàn)制造方法改變多等級(jí)掩模5中每個(gè)遮光部fe的布局，使 得樹脂核心6的布置(感光性樹脂膜4中的非曝光部如的布置)變得密集。也就是說(shuō)，如果感光性樹脂膜4中的非曝光部如被密集布置，則在顯影時(shí)在非曝 光部如的底部生成顯影剩余物。結(jié)果，多個(gè)樹脂核心6可以彼此連接于其裙部中。<第三修改形式>圖7A至圖7D是示出根據(jù)第三修改形式的用于制造半導(dǎo)體器件的方法中的一系列 工藝的橫截面圖。圖8A和圖8B是示出根據(jù)第三修改形式的用于制造半導(dǎo)體器件的方法中 的一系列工藝的平面圖。圖7A至圖7D是沿著圖8A和圖8B中的A-A線截取的橫截面圖。在第三修改形式中，樹脂核心6的形成區(qū)域中的曝光量被設(shè)定成多個(gè)級(jí)別。如圖 7C和圖8B所示，在樹脂核心6的側(cè)面之中，側(cè)面6a在互連8的引出方向上的傾斜度比側(cè)面 6b在樹脂核心6的對(duì)準(zhǔn)方向上的傾斜度更緩和。即使在第三修改形式的情況下，圖IA和圖2A中的工藝以及圖IB和圖2B中的工 藝與實(shí)施例的相同。接下來(lái)，在第三修改形式中，如圖7A和圖8A中所示，通過(guò)多等級(jí)掩模50對(duì)感光性 樹脂膜4進(jìn)行曝光，其中樹脂核心6的形成區(qū)域中的曝光量可以被設(shè)定為多個(gè)級(jí)別。也就是說(shuō)，多等級(jí)掩模50與多等級(jí)掩模5的不同之處在于，多等級(jí)掩模50具有與 遮光部fe相鄰的第二半透射部5d。在感光性樹脂膜4中，透過(guò)第二半透射部5d的曝光光線所照射的第二半曝光部4d 被曝光的曝光量小于曝光部4c的曝光量。遮光部fe和第二半透射部5d被構(gòu)造成具有與樹脂核心6相對(duì)應(yīng)的形狀和布局。 第二半透射部5d相對(duì)于遮光部fe被設(shè)置在電極焊盤2側(cè)上。接著，與以上實(shí)施例相類似，對(duì)感光性樹脂膜4進(jìn)行顯影。在這種狀態(tài)下，如圖7B 所示，保持感光性樹脂膜4中的非曝光部4a，并且保持第二半曝光部4d，同時(shí)使第二半曝光 部4d具有的厚度小于非曝光部如的厚度。出于這個(gè)原因，通過(guò)使用非曝光部如和第二半曝光部4d構(gòu)造的樹脂核心6被形 成為向著電極焊盤2側(cè)下降的階梯形狀。接著，與以上實(shí)施例類似的，將感光性樹脂膜4硬化。通過(guò)這個(gè)硬化步驟，如圖7C 和圖8B所示，樹脂核心6的側(cè)面通過(guò)樹脂流動(dòng)而變形并且變成傾斜表面。如上所述，在硬化之前的步驟中的樹脂核心6被形成為向著電極焊盤2側(cè)下降的 階梯形狀。出于這個(gè)原因，在硬化之后，電極焊盤2側(cè)處的樹脂核心6的側(cè)面的傾斜度，即， 在互連8的引出方向上的側(cè)面6a的傾斜度比其他側(cè)面(包括在樹脂核心6的對(duì)準(zhǔn)方向上 的側(cè)面6b)的傾斜度更緩和。在多等級(jí)掩模50中，與樹脂核心6的形成位置相對(duì)應(yīng)的部分被構(gòu)造為兩個(gè)層次部，即遮光部fe和第二半透射部5d。然而，第二半透射部5d的層次可以被設(shè)定成多個(gè)級(jí) 別，使得從遮光部如到第二半透射部5d構(gòu)造連續(xù)層次部，并且相應(yīng)部分中的層次的數(shù)目可 以增大。接著，如圖7D所示，與以上實(shí)施例相類似，可以形成互連8并且可以制造半導(dǎo)體器 件 400。根據(jù)第三修改形式，在樹脂核心6的側(cè)面之中，由于在互連8的引出方向上的側(cè)面 6a的傾斜度更緩和，因此可以抑制互連8在側(cè)面6a上斷開。由于側(cè)面6a的傾斜度比在樹脂核心6的對(duì)準(zhǔn)方向上的側(cè)面6b的傾斜度更緩和， 即，側(cè)面6b的傾斜比側(cè)面6a的傾斜更陡峭，因此樹脂核心6的布置間隔可以變窄并且可以 改進(jìn)樹脂核心6的布置密度。即使在第三修改形式中，由于可以通過(guò)一次曝光來(lái)形成樹脂保護(hù)膜7和樹脂核心 6，因此對(duì)準(zhǔn)余量變成不必要，并且可以容易地控制最終的形狀。出于這個(gè)原因，由于側(cè)面6b 和6c的額外區(qū)域(參照?qǐng)D7C和圖7D)變成不必要，因此可以改進(jìn)樹脂核心6的布置密度。雖然描述的是其中感光性樹脂膜4是正型的情況的實(shí)例，但是感光性樹脂膜4也 可以是負(fù)型。在這種情況下，多等級(jí)掩模5中的全透射部5c和遮光部fe的布置可以改變。 可替選地，多等級(jí)掩模50中的全透射部5c和遮光部fe的布置可以改變，并且半透射部恥 和第二半透射部5d的布置可以改變。描述了其中保護(hù)絕緣膜3被形成在樹脂核心6和電極焊盤2之間的區(qū)域中的情況 的實(shí)例。然而，如果在互連8的粘附性沒(méi)有問(wèn)題，則可以不在樹脂核心6和電極焊盤2之間 的區(qū)域中形成保護(hù)絕緣膜3。明顯的是，本發(fā)明不限于以上的實(shí)施例，在不脫離本發(fā)明的范圍和精神的情況下， 可以將本發(fā)明進(jìn)行變形和改變。
權(quán)利要求
1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括在形成有電極焊盤的襯底上，形成保護(hù)絕緣膜，所述保護(hù)絕緣膜具有用以曝光所述電 極焊盤的開口；形成感光性樹脂膜；通過(guò)使用多等級(jí)掩模來(lái)曝光所述感光性樹脂膜并且將所述感光性樹脂膜顯影，一次性 地形成由所述感光性樹脂膜構(gòu)成的樹脂保護(hù)膜和由具有的厚度比所述樹脂保護(hù)膜的厚度 大的所述感光性樹脂膜構(gòu)成的樹脂核心；以及從所述樹脂核心的上側(cè)到所述電極焊盤的上側(cè)形成互連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在所述的形成樹脂保護(hù)膜和樹脂核心中，多個(gè)所 述樹脂核心被形成為彼此分隔開。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在所述的形成樹脂保護(hù)膜和樹脂核心中，所述樹 脂核心和所述樹脂保護(hù)膜被形成為彼此分隔開。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在所述的形成樹脂保護(hù)膜和樹脂核心中，多個(gè)所 述樹脂核心被線性地布置，所述樹脂核心的形成區(qū)域中的曝光量被設(shè)定為多個(gè)級(jí)別，并且 在所述樹脂核心的側(cè)面之中，在所述互連的引出方向上的側(cè)面的傾斜度比在所述樹脂核心 的對(duì)準(zhǔn)方向上的側(cè)面的傾斜度緩和。
全文摘要
本發(fā)明涉及用于制造半導(dǎo)體器件的方法。所述方法包括在形成有電極焊盤的襯底上形成保護(hù)絕緣膜，所述保護(hù)絕緣膜具有曝光所述電極焊盤的開口；形成感光性樹脂膜；通過(guò)使用多等級(jí)掩模曝光所述感光性樹脂膜并且將所述感光性樹脂膜顯影，一次性地形成由所述感光性樹脂膜構(gòu)成的樹脂保護(hù)膜和由具有的厚度比所述樹脂保護(hù)膜的厚度大的所述感光性樹脂膜構(gòu)成的樹脂核心；以及從所述樹脂核心的上側(cè)到所述電極焊盤的上側(cè)形成互連。
文檔編號(hào)H01L21/60GK102082104SQ201010537188
公開日2011年6月1日 申請(qǐng)日期2010年11月5日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月6日
發(fā)明者別宮史浩 申請(qǐng)人:瑞薩電子株式會(huì)社