專利名稱：散熱基底以及制造該散熱基底的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種散熱基底以及制造該散熱基底的方法。
背景技術(shù)：
為了解決目前應(yīng)用在不同領(lǐng)域的電力裝置和電源模塊的散熱問題，針對使用具有高導(dǎo)熱率的金屬材料制造各種形式的散熱基底付出了大量努力。與此同時，不僅是在發(fā)光二極管(LED)模塊和電源模塊中，在其它產(chǎn)品中也需要使用具有多層微型圖案的散熱基底。但是，相比于硅晶片，傳統(tǒng)有機(jī)印刷電路板、陶瓷基片、玻璃基片或包括金屬中心層的散熱基底由于形成微型圖案相對困難以及制造成本較高的原因處于不利狀態(tài)，因此它們的應(yīng)用受到限制。因此，目前正在進(jìn)行關(guān)于通過陽極氧化來使發(fā)熱裝置散熱最大化的散熱基底的研究。下面，對傳統(tǒng)的制造散熱基底的方法進(jìn)行說明性的描述。首先，對金屬層的一個表面進(jìn)行陽極氧化，從而在其表面上形成絕緣層。然后，將銅箔形成在絕緣層上并形成圖案，從而形成電路層。作為選擇，可以使用電鍍方法形成圖案化電路層。然后，散熱器連接到金屬層的沒有形成絕緣層的另一個表面上，并且與電路層電連接的發(fā)熱裝置安裝在絕緣層上。因為傳統(tǒng)的散熱基底對金屬具有優(yōu)良的熱傳遞效果，所以從發(fā)熱裝置產(chǎn)生的熱量通過金屬層和散熱器消散到外部。因此，由于形成在散熱基底上的發(fā)熱裝置并不會受到高熱量的影響，發(fā)熱裝置性能退化的問題因此能夠得到解決。但是，對于傳統(tǒng)的散熱基底，由于金屬層和散熱器都由具備導(dǎo)電性的金屬制成，所以在金屬層和散熱器之間會意外地出現(xiàn)電連接。因此，當(dāng)散熱器或散熱器和金屬層之間的接觸面產(chǎn)生靜電或脈沖電壓(voltage shock)時，該靜電或脈沖電壓直接傳遞給金屬層，從而影響散熱基底的電路層或發(fā)熱裝置，造成不良影響，使其性能退化。

發(fā)明內(nèi)容
因此，有鑒于在相關(guān)領(lǐng)域中遇到的問題而提出本發(fā)明，本發(fā)明旨在提供一種保持散熱性能并且防止靜電或脈沖電壓傳遞到金屬層和裝置的散熱基底，并且提供一種制造該散熱基底的方法。本發(fā)明一方面提供了一種散熱基底，該散熱基底包括基片(basesubstrate)，該基片包括金屬層、形成在所述金屬層一個表面上的絕緣層以及形成在所述絕緣層上的電路層；散熱層，該散熱層形成在所述金屬層的另一個表面上；連接器，該連接器用于相互連接所述基片和所述散熱層；開口，該開口形成在所述基片的厚度方向上，并且所述連接器插入所述開口中；以及陽極氧化層，該陽極氧化層形成在所述金屬層的另一個表面和側(cè)表面中的任意一個或兩個上。這方面中，所述陽極氧化層還可以形成在所述開口的內(nèi)表面上。這方面中，所述絕緣層可以通過陽極氧化所述金屬層或通過混合環(huán)氧樹脂和陶瓷填料形成。這方面中，所述金屬層可以包含鋁，所述絕緣層可以包含通過陽極氧化所述金屬層形成的氧化鋁。這方面中，所述金屬層可以包含鋁，所述陽極氧化層可以包含通過陽極氧化所述金屬層形成的氧化鋁。這方面中，可以進(jìn)一步包括安裝在所述基片上的裝置。同樣地，所述裝置可以是LED封裝。本發(fā)明另一方面提供一種制造散熱基底的方法，該方法包括步驟(A)在金屬層的一個表面上形成絕緣層并且在該絕緣層上形成電路層，從而制備基片；步驟(B)在所述基片的厚度方向上形成開口 ；步驟(C)在所述金屬層的另一個表面和側(cè)表面中的任意一個或兩個上形成陽極氧化層；以及步驟(D)將連接器插入所述開口中，從而使散熱層連接到所述金屬層的另一個表面上。這方面中，在所述步驟(C)中，所述陽極氧化層還可以形成在所述開口的內(nèi)表面上。這方面中，在所述步驟(A)中，所述絕緣層可以通過陽極氧化所述金屬層或通過混合環(huán)氧樹脂和陶瓷填料形成。這方面中，所述步驟㈧可以包括步驟(Al)提供包含鋁的金屬層；步驟(A2) 陽極氧化所述金屬層，從而在所述金屬層上形成包含氧化鋁的絕緣層；以及步驟(??； )在所述絕緣層上形成電路層，從而制備基片。這方面中，所述金屬層可以包含鋁，所述陽極氧化層可以包含通過陽極氧化所述金屬層形成的氧化鋁。這方面中，還可以包括在所述步驟(D)之前或之后在所述基片上安裝裝置。所述裝置可以是LED封裝。本發(fā)明另一方面提供一種制造散熱基底的方法，該方法包括步驟(A)制備基片帶，該基片帶包括多個基片，該基片包括金屬層、形成在所述金屬層的一個表面上的絕緣層以及形成在所述絕緣層上的電路層；步驟(B)在每個所述基片的厚度方向上形成開口 ； 步驟(C)除了用來連接所述基片和所述基片帶的橋以外，切割所述基片帶使得每個所述基片從所述基片帶分開(set off)；步驟(D)在所述金屬層的另一個表面和側(cè)表面中的任意一個或兩個上形成陽極氧化層；步驟(E)去除所述橋，從而單獨分離所述基片；以及步驟(F)將連接器插入所述開口中，從而將散熱層連接到所述金屬層的另一個表面上。這方面中，在所述步驟(D)中，所述陽極氧化層還可以形成在所述開口的內(nèi)表面上。
這方面中，在所述步驟(A)中，所述絕緣層可以通過陽極氧化所述金屬層或通過混合環(huán)氧樹脂和陶瓷填料形成。這方面中，還可以包括在所述步驟(F)之前或之后在所述基片上安裝裝置。所述裝置可以是LED封裝。


通過以下參照附圖的詳細(xì)說明，本發(fā)明的特征和優(yōu)點將會變得顯而易見，其中圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的散熱基底的橫截面圖；圖2到圖6是根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的散熱基底的制造過程的視圖；以及圖7A和7B到圖IlA和IlB以及圖12和13是根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式的散熱基底的制造過程的視圖。
具體實施例方式下面，將參照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的具體實施方式
。在附圖中，使用相同的附圖標(biāo)記表示相同或類似的部件。此外，當(dāng)對公知技術(shù)(即使該公知技術(shù)與本發(fā)明相關(guān))的描述可能會使本發(fā)明的特征不清楚并致使說明不清楚時，則對該公知技術(shù)的描述被視為是不必要的并且可以省略。此外，在本說明書和權(quán)利要求書中所使用的術(shù)語和詞語不應(yīng)被解釋為局限于其典型含義或詞典釋義，而應(yīng)該基于如下規(guī)則(即發(fā)明人根據(jù)該規(guī)則能夠適當(dāng)?shù)叵薅ㄟ@些術(shù)語包含的概念以最準(zhǔn)確地描述其所知道的實施本發(fā)明的方法)來將這些術(shù)語和詞語解釋為具有與本發(fā)明的技術(shù)范圍相關(guān)的含義和概念。散熱基底圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的散熱基底100的橫截面圖，參照該附圖對根據(jù)本實施方式的散熱基底100做如下描述。如圖1所示，根據(jù)該實施方式的散熱基底100包括基片110，該基片110包括金屬層111、形成在所述金屬層111的一個表面上的絕緣層112以及電路層113 ；形成在所述基片110上的開口 140 ；散熱層120 ；連接器130，該連接器130插入所述開口 140中，以使所述基片110和所述散熱層120相互連接；以及陽極氧化層150，該陽極氧化層150形成在所述基片110的所述金屬層111的另一個表面Illb和側(cè)表面Illc上和/或所述開口 140上。所述金屬層111為基片110的基礎(chǔ)，具有將裝置160產(chǎn)生的熱量傳遞給所述散熱層120以使熱量分散到空氣中的功能。因為所述金屬層111由金屬制成，可以突顯其優(yōu)良的散熱性能。此外，由金屬制成的所述金屬層111比由典型的樹脂制成的中心層更強(qiáng)從而能夠很好地抵抗熱變形。為了使散熱效果最大化，所述金屬層111可以包含具有高導(dǎo)熱率的金屬，例如鋁(Al)、鎳(Ni)、鎂 (Mg)、鈦(Ti)、鋅(Zn),II (Ta)或它們的合金。所述絕緣層112形成在所述金屬層111的一個表面Illa上，用于使所述金屬層 111和所述電路層113彼此絕緣，從而所述電路層113不能使所述金屬層111短路。所述絕緣層112可以包括通常作為隔層絕緣材料使用的復(fù)合聚合樹脂，例如預(yù)浸料(PPG)、ABF絕緣膜(Ajinomoto Build-Up Film)等。另外，為提高所述絕緣層112的散熱效果，所述絕緣層112可以通過混合環(huán)氧基樹脂(例如，F(xiàn)R-4或雙馬來酰亞胺三嗪樹脂 (BT))和陶瓷填料形成。并且，為了使所述絕緣層112的散熱效果最大化，可以通過陽極氧化所述金屬層111形成所述絕緣層112。同樣，在所述金屬層111由包含鋁的金屬組成時，所述絕緣層112可以包含通過陽極氧化金屬層111得到的氧化鋁(Al2O3)。在所述絕緣層112 通過陽極氧化形成的情況下，特別地，在所述絕緣層112通過陽極氧化鋁形成的情況下，散熱效果得到提升，從而無需形成相對厚的金屬層111并且因此可以減小散熱基底100的厚度。所述電路層113形成在所述絕緣層112上，用來使所述裝置160和所述散熱基底 100彼此電連接。所述電路層113直接形成在所述絕緣層112上并且因此可以迅速地將熱量從所述裝置160傳遞到所述絕緣層112和所述金屬層111。并且，為了使散熱效果最大化，所述電路層113可以寬闊地形成為墊狀而不是線狀。用來電連接散熱基底100和所述裝置160的所述電路層113可以使用例如金、銀、銅、鎳或類似金屬的導(dǎo)電金屬形成圖案。另一方面，所述電路層113還可以進(jìn)一步包括晶種層(seed layer)(未示出)。所述散熱層120形成在所述基片110的另一個表面Illb上，從所述金屬層111吸收所述裝置160產(chǎn)生的熱量然后將熱量分散到外部。由于所述散熱層120從所述金屬層111吸收熱量然后將熱量分散到外部，所以它可以由具有高導(dǎo)熱率的金屬制成，例如，銅(Cu)、鋁或類似金屬。另外，為了使散熱更有效果，在所述散熱層120的與所述金屬層111所接觸的表面相反的的表面上可以形成有多個突出部分。在所述散熱層120以上述形狀形成的情況下，所述散熱層120的表面面積得到增大從而擴(kuò)大了與空氣的接觸面積，因此在同一時間段內(nèi)增加了分散到外部的熱量。用于彼此連接所述基片110和所述散熱層120的所述連接器130，通過形成在所述基片110上的所述開口 140插入。彼此連接所述基片110和所述散熱層120的所述連接器130可以包括例如將部件固定在一起的金屬螺釘。另外，所述連接器130通過所述基片110的所述開口 140并裝配在所述散熱層120的所述凹槽121內(nèi)，以使所述基片110和所述散熱層120可以牢固地保
持在一起。所述開口 140相互間隔，而且在所述開口 140中插入有所述連接器130，所述開口 140在所述基片110的厚度方向上形成。當(dāng)所述連接器130是金屬螺釘時，所述開口 140可以以孔的形式設(shè)置，所述孔的內(nèi)表面形成為內(nèi)螺紋的形狀。通過陽極氧化所述金屬層111形成的陽極氧化層150，可以形成在所述金屬層111 的另一個表面Illb和/或側(cè)表面Illc上。特別地，在所述陽極氧化層150形成在所述金屬層111的另一個表面Illb上(即在彼此接觸的所述金屬層111和所述散熱層120之間的接觸面上)的情況下，可以防止所述金屬層111與所述散熱層120電連接。因此，可以防止散熱層120產(chǎn)生的靜電傳遞到所述金屬層111和/或所述基片110，還可以減少施加在所述金屬層111上從而使裝置160性能惡化的脈沖電壓。另外，在所述陽極氧化層150形成在所述金屬層111的側(cè)表面Illc上的情況下，所述金屬層111和/或所述裝置160可以被保護(hù)，免受由于靜電或脈沖電壓所弓I 起的空氣中的自由電子或從散熱層120回彈的自由電子的影響。
因為陽極氧化層150相比其它絕緣構(gòu)件具有更高的導(dǎo)熱率，因此熱量可以無視形成在所述金屬層111的另一個表面上的陽極氧化層150，在所述金屬層111和所述散熱層 120之間有效地交換。另外，在金屬層111由含有鋁的金屬制成的情況下，所述陽極氧化層 150可以包含陽極氧化鋁得到的氧化鋁。在這種情況下，熱交換率會得到進(jìn)一步提升。所述陽極氧化層150也可以在形成于所述基片110上的所述開口 140的內(nèi)表面上形成。在使用金屬螺釘作為連接器130的情況下，所述金屬層111可以通過所述連接器130 使所述散熱層120短路。因此，所述陽極氧化層150也可以形成在開口 140的內(nèi)表面上，以使所述金屬層111免受所述散熱層120或外部電子、靜電等的影響。安裝在所述基片110上的所述裝置160，可以通過所述電路層113與所述基片110 電連接。所述裝置160可以包括例如半導(dǎo)體裝置、無源器件(passive device)、有源器件 (active device)等。任何產(chǎn)生大量熱量的裝置都可以用作裝置160。例如，絕緣柵雙極晶體管(IGBT)或二極管都可以使用，特別有利地可以為LED封裝。另一方面，從所述裝置160 產(chǎn)生的熱量可以順序經(jīng)過所述絕緣層112、所述金屬層111和所述散熱層120，然后分散到
空氣中。制造散熱基底的方法圖2至6是根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的散熱基底IOOa的制作過程的視圖。參考這些附圖對本發(fā)明的第一實施方式的散熱基底IOOa的制作方法做如下描述。如圖2所示，絕緣層112形成在金屬層111的一個表面Illa上，并且電路層113 形成在所述絕緣層112上，從而制備基片110?？梢酝ㄟ^陽極氧化所述金屬層111或通過混合環(huán)氧樹脂和陶瓷填料形成所述絕緣層112。特別地，在通過陽極氧化形成所述絕緣層112的情況下，所述金屬層111與直流電源的正極連接并浸入酸性溶液(電解液)中，因此獲得包括形成在所述金屬層111表面上的陽極氧化層在內(nèi)的所述絕緣層112。例如，在所述金屬層111包含鋁的情況下，所述金屬層111的表面與電解液(酸性溶液)反應(yīng)，以使鋁離子(Al3+)形成在它們之間的邊界表面上。由于施加在所述金屬層111上的電壓，電流密度集中在所述金屬層111的表面上，從而產(chǎn)生局部熱量，并通過此熱量形成更多的鋁離子。結(jié)果，所述金屬層111的表面上形成有多個凹槽，并且氧離子(02_)通過電場力進(jìn)入凹槽中，進(jìn)而與電解鋁離子反應(yīng)，從而形成包括氧化鋁層在內(nèi)的所述絕緣層112。所述電路層113可以通過已知方法形成在所述絕緣層112上，例如，半加成法(semi-additive process)、減成法(subtractive process)、或力口成法(additive process)。然后，如圖3所示，開口 140形成在所述基片110上所述開口 140形成在所述基片110的厚度方向上以具有適于在其中插入連接器 130的尺寸。例如，在所述連接器130為用來把部件固定在一起的金屬螺釘?shù)那闆r下，所述開口 140可以設(shè)置為孔的形式，所述孔的內(nèi)表面可以形成為內(nèi)螺紋的形狀。并且，可以使用例如鉆孔的方法形成所述開口 140.然后，如圖4所示，陽極氧化層150形成在所述基片110的另一個表面Illb和側(cè)表面Illc上和/或所述開口 140上。
可以通過陽極氧化所述金屬層111形成所述陽極氧化層150。所述陽極氧化層150 不僅可以形成在所述基片110的另一個表面Illb和/或側(cè)表面Illc上，還可以形成在所述開口 140的內(nèi)表面上。然后，如圖5所示，所述連接器130插入所述開口 140中，以使所述散熱層120與所述金屬層111的另一個表面Illb連接?？梢允褂贸叽缗c所述開口 140的尺寸相對應(yīng)的連接器130，并且，該連接器130可以包括任何部件(例如金屬螺釘)，只要其能夠插入所述基片Iio的所述開口 140使所述基片110和所述散熱層120相互連接即可。所述連接器130可以通過所述基片110的所述開口 140裝配在所述散熱層120的所述凹槽121中。然后，如圖6所示，裝置160安裝在所述基片110上。盡管已經(jīng)描述了涉及本實施方式的在連接所述散熱層120后安裝所述裝置160， 但是這兩個步驟也可以以先安裝所述裝置160隨后連接所述散熱層120的順序進(jìn)行。后者的順序也包含在本發(fā)明的范圍內(nèi)。如圖6所示，使用上述制造方法制造根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的所述散熱基底 IOOa0圖7A和7B到圖IlA和IlB和圖12和13是根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式的散熱基底IOOb的制造過程的視圖。參考這些附圖，對根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式的散熱基底IOOb 的制造方法做如下描述。與第一實施方式相同或相應(yīng)的部件使用相同的附圖標(biāo)記標(biāo)注，并且省略與第一實施方式重疊的描述。如圖7A和圖7B所示，制備的是包括多個基片110的基片帶200，所述基片110包括金屬層111、形成在所述金屬層111的一個表面Illa上的絕緣層112以及形成在所述絕緣層112上的電路層113。在多個基片110制作在一個單獨的基片帶200上的情況下，所述多個基片110所包括的金屬層111、絕緣層112和電路層113可以一次形成，因此減少了加工時間和成本。 盡管圖7A說明了在所述基片帶200上的兩個圓形基片110的形成，但是根據(jù)產(chǎn)品的設(shè)計條件，所述基片110可以具有不同的平面形狀，并且所述基片帶200包括的基片110的數(shù)量也不局限于此。然后，如圖8A和8B所示，用來將散熱層120連接到基片110的連接器130所插入的開口 140形成在所述基片110的厚度方向上。在每個基片110上可以有一個或多個開口 140。然后，如圖9A和9B所示，所述基片帶200部分切開以制備多個單一的基片110。在用來連接所述基片帶200和所述基片110的橋210保持在適當(dāng)位置的基礎(chǔ)上， 所述基片帶200可以被切開以獲得單獨的基片110。在形成稍后將要描述的陽極氧化層150 時，可以縮短所述橋210的寬度以使所述陽極氧化層150可以形成在盡可能大的區(qū)域上。同樣，注意保持適于將所述基片110固定在所述基片帶200上的橋的寬度。可以使用例如刳刨機(jī)(router)或壓基加工(press-based process)對所述基片110進(jìn)行切割。另外，可以對所述橋210的上部和下部進(jìn)行V形切割(V-cut)，以使所述基片110 從所述基片帶200輕松地分離。具體地，除了橋210的一部分，可以使用例如刀片在所述橋 210的上部和下部形成溝槽。
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然后，如圖IOA和IOB所示，所述陽極氧化層150形成在所述基片帶200包括的所述基片110的金屬層111的另一個表面Illb上和側(cè)表面IllC上和/或所述開口 140的內(nèi)
表面上。因為所述基片110通過所述橋210與所述基片帶200連接，所以所述陽極氧化層 150可以在整個基片帶200上一次形成，從而使制作過程變得方便。具體地，當(dāng)整個基片帶 200浸入電解液中時，所述陽極氧化層150可以形成在所述多個基片110上，從而可以減少生產(chǎn)時間和成本。另外，在所述陽極氧化層150形成在所述金屬層111的側(cè)表面Illc上的情況下，所述橋210形成的區(qū)域不能形成陽極氧化層150，因而可以將所述橋210的寬度設(shè)計得盡可能地窄。然后，如圖IlA和IlB所示，所述橋210被移除，所述基片110單獨從所述基片帶 200分離。因為所述橋210被移除，所以所述基片110不在全部區(qū)域與所述基片帶200連接， 從而可以從所述基片帶200分離。所述橋210可以通過例如刳刨機(jī)或壓基加工移除。在所述橋210的寬度狹窄的情況下，可以使用鉆孔的方法移除橋210。然后，如圖12和13所示，在單獨的基片110上，所述連接器130插入所述開口 140 中，從而所述散熱層120與所述金屬層111的另一個表面Illb連接，然后裝置160安裝在所述基片110上。這樣，所述裝置160的安裝以及隨后的所述散熱層120的連接都是可能的。如圖13所示，根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式的散熱基底IOOb使用上述制造方法制造。如上文所述，本發(fā)明提供一種散熱基底和一種制造該散熱基底的方法。根據(jù)本發(fā)明，具有高導(dǎo)熱率的陽極氧化層形成在金屬層和散熱層之間的接觸面上，即所述金屬層的另一個表面和/或側(cè)表面上，從而在保持散熱性能的同時防止靜電或脈沖電壓傳遞到所述金屬層和所述裝置上。并且，根據(jù)本發(fā)明，在形成用來連接所述金屬層和所述散熱層的連接器所插入的開口的情況下，所述陽極氧化層形成在所述開口上，從而防止所述金屬層與所述散熱層電連接。并且，根據(jù)本發(fā)明，所述金屬層包含鋁，所述絕緣層包含陽極氧化所述金屬層產(chǎn)生的氧化鋁。因此，從裝置產(chǎn)生的熱量能夠更快地分散到外部，從而有利于使所述金屬層更薄地形成。并且，根據(jù)本發(fā)明，能夠從包括多個基片的基片帶中制造所述散熱基底，從而降低了制造成本和時間。盡管出于說明的目的已經(jīng)描述了本發(fā)明的散熱基底和制造該散熱基底的方法的優(yōu)選實施方式，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解的是，在不脫離附帶的權(quán)利要求所公開的本發(fā)明的范圍和精神的前提下，能夠?qū)Ρ景l(fā)明作出各種改變、增加和替換。因此，這些改變、增加和替換也應(yīng)當(dāng)被理解為落入本發(fā)明的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種散熱基底，該散熱基底包括基片，該基片包括金屬層、形成在該金屬層的一個表面上的絕緣層以及形成在該絕緣層上的電路層；散熱層，該散熱層形成在所述金屬層的另一個表面上； 連接器，該連接器用于相互連接所述基片和所述散熱層；開口，該開口形成在所述基片的厚度方向上，并且所述連接器插入所述開口中；以及陽極氧化層，該陽極氧化層形成在所述金屬層的所述另一個表面和側(cè)表面中的任意一個或兩個上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的散熱基底，其中，所述陽極氧化層還形成在所述開口的內(nèi)表面上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的散熱基底，其中，所述絕緣層通過陽極氧化所述金屬層或通過混合環(huán)氧樹脂和陶瓷填料而形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的散熱基底，其中，所述金屬層包含鋁，所述絕緣層包含通過陽極氧化所述金屬層而形成的氧化鋁。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的散熱基底，其中，所述金屬層包含鋁，所述陽極氧化層包含通過陽極氧化所述金屬層而形成的氧化鋁。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的散熱基底，其中，該散熱基底還包括安裝在所述基片上的裝置。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的散熱基底，其中，所述裝置為發(fā)光二極管封裝。
8.—種制造散熱基底的方法，該方法包括步驟(A)在金屬層的一個表面上形成絕緣層并且在該絕緣層上形成電路層，從而制備基片；步驟(B)在所述基片的厚度方向上形成開口 ；步驟(C)在所述金屬層的另一個表面和側(cè)表面中的任意一個或兩個上形成陽極氧化層；以及步驟(D)將連接器插入所述開口中，從而使散熱層連接到所述金屬層的所述另一個表面上。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，在所述步驟(C)中，所述陽極氧化層還形成在所述開口的內(nèi)表面上。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，在所述步驟(A)中，所述絕緣層通過陽極氧化所述金屬層或通過混合環(huán)氧樹脂和陶瓷填料而形成。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述步驟(A)包括 步驟(Al)提供包含鋁的金屬層；步驟m 陽極氧化所述金屬層，從而在所述金屬層上形成包含氧化鋁的絕緣層；以及步驟(??； )在所述絕緣層上形成電路層，從而制備基片。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述金屬層包含鋁，所述陽極氧化層包含通過陽極氧化所述金屬層而形成的氧化鋁。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，該方法還包括以下步驟在所述步驟(D)之前或之后，在所述基片上安裝裝置。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述裝置為發(fā)光二極管封裝。
15.一種制造散熱基底的方法，該方法包括步驟(A)制備基片帶，該基片帶包括多個基片，該基片包括金屬層、形成在該金屬層的一個表面上的絕緣層以及形成在該絕緣層上的電路層； 步驟(B)在每個所述基片的厚度方向上形成開口 ；步驟(C)除了用來連接所述基片和所述基片帶的橋以外，切割所述基片帶，從而使得每個所述基片從所述基片帶分開；步驟(D)在所述金屬層的另一個表面和側(cè)表面中的任意一個或兩個上形成陽極氧化層；步驟(E)去除所述橋，從而單獨分離所述基片；以及步驟(F)將連接器插入所述開口中，從而將散熱層連接到所述金屬層的所述另一個表面上。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，在所述步驟(D)中，所述陽極氧化層還形成在所述開口的內(nèi)表面上。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，在所述步驟(A)中，所述絕緣層通過陽極氧化所述金屬層或通過混合環(huán)氧樹脂和陶瓷填料而形成。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，該方法還包括以下步驟在所述步驟(F)之前或之后，在所述基片上安裝裝置。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述裝置為發(fā)光二極管封裝。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種散熱基底，該散熱基底包括基片，該基片包括金屬層、形成在所述金屬層的一個表面上的絕緣層以及形成在所述絕緣層上的電路層；散熱層，該散熱層形成在所述金屬層的另一個表面上；連接器，該連接器用于相互連接所述基片和所述散熱層；開口，該開口形成在所述基片的厚度方向上，并且所述連接器插入所述開口中；以及陽極氧化層，該陽極氧化層形成在所述金屬層的另一個表面和側(cè)表面中的任意一個或兩個上，并且在所述散熱基底中，所述金屬層和散熱層通過陽極氧化層彼此絕緣，從而防止靜電或脈沖電壓傳遞到金屬層。本發(fā)明還提供一種制造該散熱基底的方法。
文檔編號H01L23/60GK102299126SQ20101052833
公開日2011年12月28日 申請日期2010年10月22日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月23日
發(fā)明者徐基浩, 樸志賢, 李榮基, 申常鉉, 許哲豪, 金泰勛 申請人:三星電機(jī)株式會社