專利名稱：電連接器組合及制造方法
電連接器組合及制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電連接器組合，尤指一種將芯片模塊電性連接至電路板的電連接
器組合。
背景技術(shù)：
美國專利公告第7674113號揭示了一種電連接器組合，其包括絕緣本體，所述絕緣本體內(nèi)設(shè)有若干的金屬管，芯片模塊的錫球及電路板的錫球可同時收容于金屬管的上、 下兩端，并與金屬管電性連接，從而實現(xiàn)芯片模塊與電路板之間的電性連接。但是上述電連接器組合至少存在以下缺陷，若芯片模塊的錫球之間的間距或者電路板的墊片之間的間距由之前上下相同的間距變?yōu)椴煌拈g距的時候，上述收容孔無法同時即收容芯片模塊的錫球又與電路板的墊片相連接的現(xiàn)象，進(jìn)而會影響到芯片模塊與電路板之間的電性連接。因此，確有必要對現(xiàn)有的電連接器組合進(jìn)行改進(jìn)以克服現(xiàn)有技術(shù)的前述缺陷。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種電連接器組合，該電連接器組合可與不同間距的芯片模塊及電路板電性連接。本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)一種電連接器組合，用于連接芯片模塊至電路板，其包括設(shè)有若干收容孔的絕緣本體絕緣本體，所述收容孔分別貫穿絕緣本體的上、下表面，所述收容孔包括靠近收容孔上表面的上收容孔及自上收容孔向下傾斜并靠近收容孔下表面的下收容孔，所述上收容孔的間距小于下收容孔的間距，并且收容孔內(nèi)還設(shè)有與其側(cè)壁緊密結(jié)合的錫柱。所述錫柱由加熱熔化若干填充至收容孔中的填充錫球所形成，所述錫柱完全融合于收容孔內(nèi)并與收容孔的側(cè)壁融合為一體，形成導(dǎo)電介質(zhì)。所述收容孔的側(cè)壁呈不規(guī)則設(shè)置，側(cè)壁的表面電鍍有鍍銅層，所述收容孔的側(cè)壁包括位于上、下兩端的豎直狀側(cè)壁及連接上、下兩豎直狀側(cè)壁的傾斜狀側(cè)壁，所述上收容孔設(shè)有均勻間距，下收容孔設(shè)有均勻間距， 且與上收容孔的間距不同。所述芯片模塊設(shè)有錫球，電路板包括墊片，所述收容孔的上收容孔收容芯片模塊的錫球。所述錫柱設(shè)有位于上收容孔內(nèi)且其上表面呈平面的頂部，芯片模塊的錫球與錫柱的頂部上表面相接觸，錫柱還設(shè)有凸出于下收容孔并呈凸出球面以與電路板的墊片相接觸的底部。本發(fā)明的目的還可以通過另一種技術(shù)方案實現(xiàn)一種電連接器組合的制造方法， 步驟如下a.提供一絕緣本體，其包括基體及形成于基體上的若干收容孔，收容孔的側(cè)壁呈不規(guī)則設(shè)置，收容孔包括靠近基體上表面的上收容孔及自上收容孔向下傾斜并靠近基體下表面的下收容孔；b.所述側(cè)壁的表面電鍍鍍銅層；C.將若干直徑較大的填充錫球收容于收容孔的下收容孔中，將若干直徑小的填充錫球從上收容孔的開口中置于收容孔中；d.高溫加熱，使位于收容孔中的填充錫球受熱融化后形成錫柱。
所述基體的收容孔的上收容孔相鄰間距與下收容孔相鄰間距不同，且下收容孔內(nèi)的尺寸大于上收容孔的尺寸。所述收容孔設(shè)有側(cè)壁，所述收容孔的側(cè)壁包括位于上、下兩端的豎直狀側(cè)壁及連接上、下兩豎直狀側(cè)壁的傾斜狀側(cè)壁。所述芯片模塊設(shè)有錫球，電路板包括墊片，所述收容孔的上收容孔收容芯片模塊的錫球。所述錫柱設(shè)有位于上收容孔內(nèi)且其上表面呈平面的頂部，芯片模塊的錫球并與錫柱的頂部上表面相接觸，錫柱還設(shè)有凸出于下收容孔并呈凸出球面以與電路板的墊片相接觸的底部。相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明電連接器組合具有如下有益效果電連接器組合可與不同間距的芯片模塊及電路板電性連接。

圖1為本發(fā)明電連接器組合的立體組合圖。圖2為本發(fā)明電連接器組合的立體分解圖。圖3沿圖1中的A-A線的剖視示意圖。圖4為本發(fā)明電連接器組合與芯片模塊連接的剖視示意圖。
具體實施方式請參閱圖1和圖4所示，本發(fā)明電連接器組合100將芯片模塊2電性連接至電路板4，其包括絕緣本體1及收容于絕緣本體1中的填充錫球3。請參閱圖2所示，所述芯片模塊2大致呈板狀結(jié)構(gòu)，其底部陣列設(shè)有若干錫球20。 所述絕緣本體1包括基體10及位于基體10四周的外壁13。其中，所述基體10中部設(shè)有若干收容孔11，所述收容孔11分別貫穿絕緣本體1的上、下表面，包括靠近絕緣本體1上表面的部分定義為上收容孔110，靠近絕緣本體1下表面的部分定義為下收容孔111，所述上收容孔Iio與下收容孔111相互貫通。所述外壁13包括向上凸伸的凸伸部12，所述凸伸部 12可將芯片模塊2定位于絕緣本體1內(nèi)。請具體參閱圖3和圖4所示，收容孔11的側(cè)壁112呈不規(guī)則設(shè)置，側(cè)壁112的表面電鍍有鍍銅層113。所述收容孔11的側(cè)壁112包括位于上、下兩端的豎直狀側(cè)壁112及連接上、下兩豎直狀側(cè)壁112的傾斜狀側(cè)壁112。上收容孔110設(shè)有均勻間距，自上收容孔 110向外側(cè)并向下傾斜形成下收容孔111，所述下收容孔111設(shè)有均勻間距，所述上收容孔 110之間的間距與下收容孔111之間的間距需要通過精密的設(shè)計及計算制造而成。下收容孔111的間距與上收容孔110的間距不同，下收容孔111相鄰間距大于上收容孔110相鄰間距，下收容孔111內(nèi)的直徑大于上收容孔110的直徑。所述收容孔11的上收容孔110內(nèi)可收容間距較小的芯片模塊2的錫球20于其中?？筛鶕?jù)芯片模塊2的錫球20之間的排布密度及電路板4的墊片40之間的排布方式再經(jīng)過精密的設(shè)計及計算而設(shè)置出收容孔11的上收容孔110及下收容孔111的間距。基體10的收容孔11內(nèi)需放置填充錫球3，其制造方法如下將若干直徑較大的填充錫球3通過相應(yīng)的治具收容于收容孔11的下收容孔111中，然后將若干直徑逐漸變小的填充錫球3從上收容孔110的開口中分別置于收容孔11中，再經(jīng)過高溫加熱后，位于收容孔11中的填充錫球3受熱融化后形成錫柱30，所述錫柱30完全融合于收容孔11內(nèi)并與收容孔U的側(cè)壁112融合為一體，從而形成導(dǎo)電介質(zhì)。位于收容孔11中的錫柱30的頂部位于上收容孔Iio內(nèi)其上表面大致呈平面，芯片模塊2的錫球20收容于收容孔11的上收容孔110內(nèi)并與錫柱30的上表面相接觸，錫柱30的底部凸出于下收容孔111并大致呈凸出球面以與電路板4的墊片40相接觸。 本發(fā)明的電連接器組合100的絕緣本體1的收容孔11可根據(jù)不同的需求同時收容排布密度較高的芯片模塊2的錫球20于上收容孔110內(nèi)，并使較為稀松的電路板4的墊片40與下收容孔111內(nèi)的錫柱30相互接觸，可同時連接不同間距的電子元件。將若干填充錫球3直接置入收容孔11內(nèi)并將其融化后形成具有導(dǎo)電性質(zhì)的錫柱30，以錫柱30替代現(xiàn)有的導(dǎo)電端子具有連接的可靠性高的優(yōu)勢，進(jìn)而提高電連接器組合100電性連接芯片模塊2及電路板4的連接可靠性。
權(quán)利要求
1.一種電連接器組合，用于連接芯片模塊至電路板，其包括設(shè)有若干收容孔的絕緣本體絕緣本體，所述收容孔分別貫穿絕緣本體的上、下表面，其特征在于所述收容孔包括靠近收容孔上表面的上收容孔及自上收容孔向下傾斜并靠近收容孔下表面的下收容孔，所述上收容孔的間距小于下收容孔的間距，并且收容孔內(nèi)還設(shè)有與其側(cè)壁緊密結(jié)合的錫柱。
2.如權(quán)利要求1所述的電連接器組合，其特征在于所述錫柱由加熱熔化若干填充至收容孔中的填充錫球所形成，所述錫柱完全融合于收容孔內(nèi)并與收容孔的側(cè)壁融合為一體，形成導(dǎo)電介質(zhì)。
3.如權(quán)利要求2所述的電連接器組合，其特征在于所述收容孔的側(cè)壁呈不規(guī)則設(shè)置， 側(cè)壁的表面電鍍有鍍銅層，所述收容孔的側(cè)壁包括位于上、下兩端的豎直狀側(cè)壁及連接上、 下兩豎直狀側(cè)壁的傾斜狀側(cè)壁，所述上收容孔設(shè)有均勻間距，下收容孔設(shè)有均勻間距，且與上收容孔的間距不同。
4.如權(quán)利要求3所述的電連接器組合，其特征在于所述芯片模塊設(shè)有錫球，電路板包括墊片，所述收容孔的上收容孔收容芯片模塊的錫球。
5.如權(quán)利要求4所述的電連接器組合，其特征在于所述錫柱設(shè)有位于上收容孔內(nèi)且其上表面呈平面的頂部，芯片模塊的錫球與錫柱的頂部上表面相接觸，錫柱還設(shè)有凸出于下收容孔并呈凸出球面以與電路板的墊片相接觸的底部。
6.一種電連接器組合的制造方法，其特征在于其包括以下步驟a.提供一絕緣本體， 其包括基體及形成于基體上的若干收容孔，收容孔的側(cè)壁呈不規(guī)則設(shè)置，收容孔包括靠近基體上表面的上收容孔及自上收容孔向下傾斜并靠近基體下表面的下收容孔；b.所述側(cè)壁的表面電鍍鍍銅層；c.將若干直徑較大的填充錫球收容于收容孔的下收容孔中，將若干直徑小的填充錫球從上收容孔的開口中置于收容孔中；d.高溫加熱，使位于收容孔中的填充錫球受熱融化后形成錫柱。
7.如權(quán)利要求6所述的電連接器組合的制造方法，其特征在于所述基體的收容孔的上收容孔相鄰間距與下收容孔相鄰間距不同，且下收容孔內(nèi)的尺寸大于上收容孔的尺寸。
8.如權(quán)利要求7所述的電連接器組合的制造方法，其特征在于所述收容孔的側(cè)壁包括位于上、下兩端的豎直狀側(cè)壁及連接上、下兩豎直狀側(cè)壁的傾斜狀側(cè)壁。
9.如權(quán)利要求8所述的電連接器組合的制造方法，其特征在于所述芯片模塊設(shè)有錫球，電路板包括墊片，所述收容孔的上收容孔收容芯片模塊的錫球。
10.如權(quán)利要求9所述的電連接器組合的制造方法，其特征在于所述錫柱設(shè)有位于上收容孔內(nèi)且其上表面呈平面的頂部，芯片模塊的錫球并與錫柱的頂部上表面相接觸，錫柱還設(shè)有凸出于下收容孔并呈凸出球面以與電路板的墊片相接觸的底部。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電連接器組合，用于連接芯片模塊至電路板，其包括設(shè)有若干收容孔的絕緣本體及填充錫球，所述收容孔分別貫穿絕緣本體的上、下表面，且收容孔包括靠近收容孔上表面的上收容孔及自上收容孔向下傾斜并靠近收容孔下表面的下收容孔，所述上收容孔的間距小于下收容孔的間距，填充錫球填充于收容孔內(nèi)經(jīng)受熱融化后形成具有導(dǎo)電性質(zhì)的錫柱，錫柱的上表面位于上收容孔內(nèi)，錫柱的下表面凸出于下收容孔。本發(fā)明的電連接器組合可連接導(dǎo)電體間距不同的芯片模塊及電路板。
文檔編號H01R12/00GK102456968SQ20101052827
公開日2012年5月16日 申請日期2010年11月1日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月1日
發(fā)明者張衍智, 陳克豪 申請人:富士康(昆山)電腦接插件有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司