專利名稱：溝槽式二極管芯片的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種二極管芯片的制造方法，特別是指一種在溝槽中形成切割道，利 用切割道對基板進(jìn)行切割的溝槽式二極管芯片制造方法。
背景技術(shù)：
二極管亦稱為半導(dǎo)體二極管，是一種由半導(dǎo)體材料制成的，具有單向?qū)щ娞匦?的器件。二極管的核心器件是二極管芯片，芯片經(jīng)過封裝形成各種外觀尺寸的二極管產(chǎn)品?，F(xiàn)有的二極管芯片的一種制造方法如下
一種常用二極管芯片基板10(參考圖2A)，根據(jù)二極管芯片的位置，在其上蝕刻出縱向與 橫向垂直交錯的復(fù)數(shù)溝槽101 (參考圖2B)，為了保護(hù)該溝槽101的側(cè)壁不受水氣、重金屬污 染與離子性污染，必須在該溝槽101的側(cè)壁(參考圖2C)附予保護(hù)層，在基板10的溝槽101中 填充保護(hù)膠層20，其中該保護(hù)膠層20為玻璃粉與聚酯的混和物(參考圖2D)，接著對該基 板10加以升溫烘烤保護(hù)膠層20，燒除保護(hù)膠層20內(nèi)的聚酯成分留下玻璃粉，再提高加熱溫 度，令玻璃粉因高溫熔融而形成一玻璃保護(hù)層202 (參考圖2E)。當(dāng)形成玻璃保護(hù)層202后， 采用背切方式，自該基板10底部開始切割，切割過程止于該基板10與玻璃保護(hù)層202之交接 處，再以外力方式將該玻璃保護(hù)層202沿其切割處折斷以形成二極體(參考圖2F)。由于該玻璃保護(hù)層202由機(jī)械式外力折斷，不僅容易導(dǎo)致該玻璃保護(hù)層202的斷 面發(fā)生不規(guī)則破裂，該玻璃保護(hù)層202斷裂面也容易產(chǎn)生玻璃裂痕203，因玻璃系為一種非 晶結(jié)構(gòu)的材質(zhì)，玻璃裂痕203的形成方向系無法預(yù)估與控制，甚至在玻璃保護(hù)層202與基板 10之間將形成縫隙204(參考圖2F)。若二極管芯片尺寸越大，所產(chǎn)生的玻璃裂痕203與縫 隙204問題將更明顯，該玻璃裂痕203與縫隙204將成為水氣、離子或重金屬污染該基板10 的管道，降低二極管芯片的質(zhì)量?，F(xiàn)有的二極管芯片的另一種制造方法如下
一種常用二極管芯片已被蝕刻出溝槽101的基板10，在其上先涂布一保護(hù)膠層20，該 保護(hù)膠層20為玻璃粉與聚酯的混和物(參考圖3A)，經(jīng)過晶片制作過程常用的黃光制程后， 形成環(huán)繞于該溝槽101的保護(hù)膠層20，烘烤該保護(hù)膠層20以燒除聚酯而留下玻璃粉201 (參考圖3B)，再持續(xù)升溫以燒結(jié)該玻璃粉成為玻璃保護(hù)層202，其中切割道103形成于該 溝槽101中未受該玻璃保護(hù)層202覆蓋處(參考圖3C)，最后可沿該切割道103進(jìn)行切割， 制成二極管芯片(參考圖3D)。該二極管芯片包含有二極管芯片本體IOa與玻璃保護(hù)層202，因利用切割道103對 基板10進(jìn)行切割，所以不會損壞玻璃保護(hù)層202 (參考圖3D)。然而，上述制造二極管芯片 的過程相當(dāng)繁復(fù)，雖然在切割時刻避免玻璃裂痕203與縫隙204，，但上述過程包含有晶片 制作過程常用的曝光與顯影等制程，耗費許多時間與材料成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種溝槽式二極管芯片的制造方法，所制出的
3二極管芯片可以避免其玻璃保護(hù)層在切割過程中碎裂，且制作方法較容易。本發(fā)明溝槽式二極管芯片的制造方法包含以下步驟 第一步，在一基板上蝕刻出縱橫交錯的溝槽；
第二步，填充保護(hù)膠層于基板上的復(fù)數(shù)溝槽中，保護(hù)膠層為玻璃粉與聚酯的混和物； 第三步，切割保護(hù)膠層，對保護(hù)膠層進(jìn)行切割，使保護(hù)膠層形成一延伸至溝槽底面的分 隔道；
第四步，對基板升溫烘烤，以燒除保護(hù)膠層中的聚酯而留下玻璃粉，并持續(xù)升溫?zé)Y(jié)該 玻璃粉，使其形成一玻璃保護(hù)層，其中，前述分隔道形成為一切割道； 第五步，沿切割道對基板進(jìn)行切割，以獲得二極管芯片。在所述第三步切割保護(hù)膠層中，以鐳射切割方式在保護(hù)膠層中形成一分隔道；也 可以以刀具切割方式在保護(hù)膠層中形成一分隔道。有益效果由于切割道形成于未被玻璃保護(hù)層所覆蓋處，故切割時得以避開玻璃 保護(hù)層而不會導(dǎo)致該玻璃保護(hù)層破損，其次，本制造方法較簡單且節(jié)省成本，省去在先前技 術(shù)中，使用黃光制程以形成在溝槽側(cè)壁保護(hù)膠層的部分。


圖IA是本發(fā)明溝槽式二極管芯片的基板結(jié)構(gòu)示意圖； 圖IB是本發(fā)明芯片基板上蝕刻出溝槽的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖IC是本發(fā)明蝕刻出的溝槽與基板的局部放大圖； 圖ID是本發(fā)明在基板的溝槽中填充保護(hù)膠層的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖IE是本發(fā)明切割保護(hù)膠層的示意圖IF是本發(fā)明燒除保護(hù)膠層，燒結(jié)玻璃粉形成玻璃保護(hù)層形成切割道的結(jié)構(gòu)示意
圖IG是本發(fā)明沿切割道對基板進(jìn)行切割的示意圖； 圖IH是本發(fā)明所得的二極管芯片示意圖； 圖2A是現(xiàn)有技術(shù)中方法一的二極管芯片基板結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2B是現(xiàn)有技術(shù)中方法一的芯片基板上蝕刻出溝槽的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2C是現(xiàn)有技術(shù)中方法一的蝕刻出的溝槽與基板的局部放大圖； 圖2D是現(xiàn)有技術(shù)中方法一的在基板之溝槽中填充保護(hù)膠層。圖2E是現(xiàn)有技術(shù)中方法一的燒除保護(hù)膠層，燒結(jié)玻璃粉形成玻璃保護(hù)層，采背 切方式切割基板的結(jié)構(gòu)示意圖2F是現(xiàn)有技術(shù)中方法一的以機(jī)械外力方式將玻璃保護(hù)層折斷以形成二極體的示意
圖3A是現(xiàn)有技術(shù)中方法二的二極管芯片基板上蝕刻出的溝槽中填充保護(hù)膠層的結(jié)構(gòu) 示意圖3B是現(xiàn)有技術(shù)中方法二的ν的黃光制程后燒除聚酯，留下玻璃粉的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖3C是現(xiàn)有技術(shù)中方法二的燒結(jié)玻璃粉成為玻璃保護(hù)層，溝槽中形成切割道的結(jié)構(gòu) 示意圖3D是現(xiàn)有技術(shù)中方法二的所得二極管芯片示意圖。圖中10 —基板、IOa—二極管芯片本體、IOb —凹部、IOc—側(cè)邊緣、101—溝槽、102—分隔道、103—切割道、20—保護(hù)膠層、201—玻璃粉、202—玻璃保護(hù)層、202a —玻璃 保護(hù)層外緣、203—玻璃裂痕、204—縫隙。
具體實施例方式
下面結(jié)合附圖對本發(fā)明溝槽式二極管芯片的制造方法作進(jìn)一步描述。第一步在一基板上蝕刻出縱橫交錯的復(fù)數(shù)溝槽。一種常用二極管芯片基板10，參考圖1A，根據(jù)二極管芯片的定義位置，在其上蝕 刻出縱向與橫向垂直交錯的復(fù)數(shù)溝槽101，參考圖1B。第二步填充保護(hù)膠層于基板上的復(fù)數(shù)溝槽中，其中該保護(hù)膠層為玻璃粉與聚酯 之混合物。溝槽101與基板10的局部放大圖請參考圖1C，為了保護(hù)溝槽101的側(cè)壁不受水 氣、重金屬污染與離子性污染，必須在該溝槽101的側(cè)壁賦予保護(hù)層，該保護(hù)層的制作方 法在基板10的溝槽101中填充保護(hù)膠層20，其中保護(hù)膠層20為玻璃粉與聚酯的混和 物，參考圖1D。第三步切割保護(hù)膠層，對保護(hù)膠層進(jìn)行切割，使保護(hù)膠層形成一延伸至溝槽底面 的分隔道.
切割溝槽101中的保護(hù)膠層20，切割過程止于溝槽101的底面，使保護(hù)膠層20形成一 延伸至溝槽101底面的分隔道102，其中，切割保護(hù)膠層20的方式可利用鐳射切割或刀具 切割等方式對該保護(hù)膠層20進(jìn)行切割，但是切割保護(hù)膠層20的方式不以此兩方式為限，只 要可于該保護(hù)膠層20形成一分隔道102的切割方式即可，參考圖1E。第四步對基板升溫烘烤以燒除保護(hù)膠層中的聚酯而留下玻璃粉，并持續(xù)升溫?zé)?結(jié)該玻璃粉，使其形成一玻璃保護(hù)層，其中，前述分隔道形成為一切割道.
對基板10加以升溫以烘烤保護(hù)膠層20，燒除保護(hù)膠層20內(nèi)的聚酯成分而留下玻璃粉， 接著再提高加熱溫度，令玻璃粉因高溫熔融而形成一玻璃保護(hù)層202，其中如圖IE所述的 分隔道102形成一切割道103，且該切割道103未被玻璃保護(hù)層202所覆蓋，參考圖1F。第五步沿切割道對基板進(jìn)行切割，以獲得二極管芯片。沿該切割道103進(jìn)行切割，以獲得一完整的二極管芯片，由于該切割道103形成于 未被該玻璃保護(hù)層202所覆蓋處，故切割時得以避開該玻璃保護(hù)層202而不會導(dǎo)致該玻璃 保護(hù)層202破損，參考圖1G。當(dāng)利用上述方法制作完成二極管芯片后，該二極管芯片包含有 二級管芯片本體IOa與玻璃保護(hù)層202，參考圖1H，由圖可知，該二極管芯片本體IOa的側(cè) 面環(huán)繞有凹部10b，且該玻璃保護(hù)層202成形于該凹部IOb中，其中該玻璃保護(hù)層外緣202a 與該二極管芯片本體IOa之側(cè)壁緣IOc尚維持有一距離。本發(fā)明利用簡單的制造步驟即可形成具有完整玻璃保護(hù)層202的二極管芯片，由 于該切割道103形成于未被該玻璃保護(hù)層202所覆蓋處，故切割時得以避開該玻璃保護(hù)層 202而不會導(dǎo)致該玻璃保護(hù)層202發(fā)生破損、不規(guī)則斷裂面、縫隙等問題，維持玻璃保護(hù)層 202的完整性，以提供良好的防護(hù)效果。
權(quán)利要求
一種溝槽式二極管芯片的制造方法，其特征在于，包含以下步驟第一步，在一基板上蝕刻出縱橫交錯的溝槽；第二步， 填充保護(hù)膠層于基板上的復(fù)數(shù)溝槽中，保護(hù)膠層為玻璃粉與聚酯的混和物；第三步，切割保護(hù)膠層，對保護(hù)膠層進(jìn)行切割，使保護(hù)膠層形成一延伸至溝槽底面的分隔道；第四步，對基板升溫烘烤，以燒除保護(hù)膠層中的聚酯而留下玻璃粉，并持續(xù)升溫?zé)Y(jié)該玻璃粉使其形成一玻璃保護(hù)層，其中，前述分隔道形成為一切割道；第五步，沿切割道對基板進(jìn)行切割，以獲得二極管芯片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽式二極管芯片的制造方法，其特征在于在所述第三步 切割保護(hù)膠層中，以鐳射切割方式在保護(hù)膠層中形成一分隔道。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽式二極管芯片的制造方法，其特征在于在所述第三步 切割保護(hù)膠層中，以刀具切割方式在保護(hù)膠層中形成一分隔道。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種溝槽式二極管芯片的制造方法，包含以下步驟第一步，在一基板上蝕刻出縱橫交錯的溝槽；第二步，填充保護(hù)膠層于基板上的復(fù)數(shù)溝槽中，保護(hù)膠層為玻璃粉與聚酯的混和物；第三步，切割保護(hù)膠層，對保護(hù)膠層進(jìn)行切割，使保護(hù)膠層形成一延伸至溝槽底面的分隔道；第四步，對基板升溫烘烤，以燒除保護(hù)膠層中的聚酯而留下玻璃粉，并持續(xù)升溫?zé)Y(jié)該玻璃粉，使其形成一玻璃保護(hù)層，其中，前述分隔道形成為一切割道；第五步，沿切割道對基板進(jìn)行切割，以獲得二極管芯片。由于切割道形成于未被玻璃保護(hù)層所覆蓋處，故切割時得以避開玻璃保護(hù)層而不會導(dǎo)致該玻璃保護(hù)層破損，其次，制造方法較簡單且節(jié)省成本，省去在先前技術(shù)中，使用黃光制程以形成在溝槽側(cè)壁保護(hù)膠層的部分。
文檔編號H01L21/329GK101982872SQ201010525778
公開日2011年3月2日 申請日期2010年10月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月30日
發(fā)明者林加斌, 許資彬 申請人:強(qiáng)茂電子(無錫)有限公司