專利名稱：封裝基板的盲孔開窗對位靶標(biāo)制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及PCB產(chǎn)品生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說，涉及一種封裝基板的盲孔開窗 對位靶標(biāo)制作方法。
背景技術(shù)：
近年來，隨著人們對微型化、輕薄化以及功能更加強(qiáng)大化的消費性電子產(chǎn)品需求 的猛增，以及半導(dǎo)體微電子技術(shù)的飛速發(fā)展，促使半導(dǎo)體封裝更加高密度化，使得導(dǎo)線的寬 度、導(dǎo)線之間的距離更加細(xì)小，導(dǎo)線之間的距離由50um向15 μ m發(fā)展，PCB板上的孔的直徑 由200 μ m發(fā)展到50 μ m,此外孔的結(jié)構(gòu)也趨于復(fù)雜化，出現(xiàn)2階孔、3階孔以及更高階的孔， PCB板層間通過鍍銅的通孔、埋孔和盲孔堆疊相連實現(xiàn)導(dǎo)電。封裝基板的高密度化的實現(xiàn)則直接取決于PCB板層間的微小孔連接和線路，且隨 著板件向著小型化和高密度化方向的發(fā)展，越來越多的板件采用盲孔的方式實現(xiàn)線路的高 密度互連，因此封裝基板的盲孔形成技術(shù)成為制造封裝基板的主要關(guān)鍵技術(shù)之一。由于盲孔的功能是連通相鄰兩層的電路，其特點是孔徑小，最小可達(dá)50 μ m，目前 所采用的機(jī)械鉆孔工藝技術(shù)因受本身加工精度和所能加工的微型孔尺寸的限制，無法進(jìn)行 封裝基板上盲孔的加工。自1994年發(fā)明了 CO2激光鉆孔機(jī)以來，已在電子電路制造行業(yè)得 到了廣泛應(yīng)用。目前盲孔使用激光技術(shù)實現(xiàn)加工，多采用開窗工藝，即在PCB板的銅箔表面貼一 層20 μ m-40 μ m的干膜，經(jīng)過曝光顯影處理，露出激光打孔位置的銅箔，然后利用蝕刻液去 除打孔位置的銅箔，露出打孔位置的樹脂，剝除殘余的干膜，PCB板經(jīng)過激光燒蝕成孔，清除 孔內(nèi)炭化殘渣后，垂直電鍍或者填孔電鍍，即可連通上下兩層電路。由于盲孔的加工精度要求非常高，在加工的過程中，需要在封裝基板上設(shè)置一套 對位靶標(biāo)，以對盲孔的加工位置進(jìn)行校正，防止其他因素影響加工精度。目前業(yè)界內(nèi)，封裝基板的激光盲孔對位方法都是采用以內(nèi)層靶標(biāo)為基準(zhǔn)，將加工 有靶標(biāo)的中心基層與封裝基板的配板進(jìn)行層壓，經(jīng)過機(jī)械鉆孔，然后貼干膜，經(jīng)過曝光、蝕 刻后將配板上的銅箔去除，然后采用激光鉆孔將配板上的樹脂進(jìn)行去除，最后去除鉆污后 進(jìn)行開銅窗以便進(jìn)行盲孔的加工，其具體流程為—層壓一鉆孔一貼干膜一曝光一蝕刻一激光鉆孔一去鉆污一開銅窗...上述激光盲孔開窗對位靶標(biāo)的制作工藝比較復(fù)雜，嚴(yán)重影響了封裝基板的激光盲 孔加工效率。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供一種封裝基板的盲孔開窗對位靶標(biāo)制作方法，簡化了封裝 基板上的激光盲孔開窗對位靶標(biāo)的制作方法，提高了工作效率。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案一種封裝基板的盲孔開窗對位靶標(biāo)制作方法，包括以下步驟
步驟a、將貼靶材料貼附在中心基板的靶標(biāo)上；步驟b、將配板層壓在所述中心基板上；步驟C、將所述配板上與所述貼靶材料所對應(yīng)的區(qū)域切除，并撕掉所述貼靶材料。優(yōu)選的，上述封裝基板的盲孔開窗對位靶標(biāo)制作方法中，步驟c具體實現(xiàn)為Cl、在所述配板上與所述貼靶材料所對應(yīng)的區(qū)域的邊緣進(jìn)行鉆孔，使得所述配板 上與所述貼靶材料所對應(yīng)的區(qū)域的邊緣分布定位孔；c2、用刀具將所述配板上與所述貼靶材料對應(yīng)的區(qū)域切除，并撕開所述貼靶材料。優(yōu)選的，上述封裝基板的盲孔開窗對位靶標(biāo)制作方法中，所述貼靶材料比靶標(biāo)的 尺寸大Imm 2mmο優(yōu)選的，上述封裝基板的盲孔開窗對位靶標(biāo)制作方法中，所述貼靶材料比所述靶 標(biāo)的尺寸大1. 5mm。從上述的技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明實施例中提供的封裝基板的盲孔開窗對位靶 標(biāo)制作方法中，在中心基板與配板進(jìn)行層壓之前，先在中心基板上的靶標(biāo)上貼附一層貼靶 材料，然后中心基板與配板進(jìn)行層壓，層壓后，將配板上與中心配板上的靶標(biāo)所對應(yīng)的區(qū)域 進(jìn)行切除，露出貼靶材料后將貼靶材料揭開，從而完成封裝基板的盲孔開窗定位靶標(biāo)的制 作，本發(fā)明提供的方法中，改變了現(xiàn)有技術(shù)中采用在配板上與靶標(biāo)所對應(yīng)的區(qū)域采用鉆孔、 貼干膜、曝光、蝕亥|J、激光鉆孔、去玷污等一系列的加工流程，只需要在靶標(biāo)上貼一層貼靶材 料，層壓后直接將靶標(biāo)所對應(yīng)的部位進(jìn)行切除，并揭開貼靶材料露出靶標(biāo)即可，簡化了流 程，提高了封裝基板的盲孔開窗靶標(biāo)的制作效率。


為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn) 有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本 發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以 根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明實施例提供的封裝基板的盲孔開窗對位靶標(biāo)制作方法的流程圖；圖2為本發(fā)明實施例提供的配板與所對應(yīng)的部位切除的流程圖；圖3為本發(fā)明實施例提供的封裝基板的盲孔開窗對位靶標(biāo)制作方法中貼靶前的 示意圖；圖4為本發(fā)明實施例提供的封裝基板的盲孔開窗對位靶標(biāo)制作方法中貼靶后的 示意圖；圖5為本發(fā)明實施例提供的封裝基板的盲孔開窗對位靶標(biāo)制作方法中中心基板 和配板進(jìn)行層壓的示意圖；圖6為本發(fā)明實施例提供的封裝基板的盲孔開窗對位靶標(biāo)制作方法中貼靶材料 揭開后的示意圖。
具體實施例方式為了更清楚地對本發(fā)明實施例所提供的方案進(jìn)行了解，下面將本申請文件中的技 術(shù)術(shù)語進(jìn)行解釋如下
封裝基板用于芯片保護(hù)、提供支撐和散熱及提供芯片與外部電路連通接口所用 的電路板。激光盲孔使用激光加工出來的導(dǎo)通孔，其孔一端的銅層未被打穿。靶標(biāo)用于曝光或者激光加工對位的圖形。層壓用于增加封裝基板或印刷電路板電路層數(shù)的工藝方法。蝕刻用藥液把不需要的材料通過化學(xué)方法去除。開銅窗用蝕刻的方法把某一位置的銅箔去除，其余地方的銅箔則保留。下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；?本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他 實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。本發(fā)明實施例公開了一種封裝基板的盲孔開窗對位靶標(biāo)的制作方法，簡化了激光 盲孔開窗對位靶標(biāo)的制作方法，提高了工作效率。請參考附圖1，圖1為本發(fā)明實施例提供的激光盲孔開窗對位靶標(biāo)的制作方法的 流程圖。本發(fā)明實施例提供的封裝激光盲孔開窗對位靶標(biāo)的制作方法，具體包括以下步 驟步驟a、將貼靶材料覆蓋貼附在中心基板的靶標(biāo)上；請結(jié)合圖3和圖4，中心基板包括銅箔層1和樹脂層2，中心基板在進(jìn)行棕化后，進(jìn) 行貼靶材料4的粘貼，該步驟中的貼靶材料4需要耐高溫材料制作，在200°C 300°C不會 融化，貼靶材料必須完全覆蓋住靶標(biāo)3，優(yōu)選的，貼靶材料4的尺寸大于靶標(biāo)3尺寸1. Omm 2. Omm,更優(yōu)選的，貼靶材料4的尺寸大于靶標(biāo)尺寸1. 5mm。上述步驟a中，貼靶材料4可以為耐高溫的膠帶、塑料、紙等，貼靶材料4的厚度要 求均勻。步驟b、將配板層壓在中心基板上，并在所述配板上與所述中心基板上的靶標(biāo)位置 相對應(yīng)的位置進(jìn)行定位標(biāo)記；請結(jié)合附圖5，在中心基板的樹脂層2兩側(cè)的銅箔層1上加入配板進(jìn)行層壓，配板 包括樹脂層5和設(shè)置在樹脂層5上的銅箔層6，樹脂層6經(jīng)過層壓后與中心基板的銅箔層1 貼合在一起。步驟C、將配板上與貼靶材料所對應(yīng)的部位切除，并揭開貼靶材料。上述步驟c中，在撕掉貼靶材料后即可露出內(nèi)層靶標(biāo)，所以在配板上與所述貼靶 材料所對應(yīng)的部位進(jìn)行切除的過程中，在劃開銅箔層6和樹脂層5時，應(yīng)該防止損傷內(nèi)層的 靶標(biāo)3，將貼靶材料揭開后的如圖6所示。本發(fā)明實施例中提供的封裝基板的盲孔開窗對位靶標(biāo)制作方法中，在中心基板與 配板進(jìn)行層壓之前，先在中心基板上的靶標(biāo)上貼附一層貼靶材料，然后中心基板與配板進(jìn) 行層壓，層壓后，將配板上與中心配板上的靶標(biāo)所對應(yīng)的區(qū)域進(jìn)行切除，露出貼靶材料后將 將貼靶材料揭開，從而完成封裝基板的盲孔開窗定位靶標(biāo)的制作，本發(fā)明提供的方法中，改 變了現(xiàn)有技術(shù)中采用在配板上與靶標(biāo)所對應(yīng)的區(qū)域采用，鉆孔、貼干膜、曝光、蝕刻、激光鉆 孔、去玷污等一系列的加工流程，只需要在靶標(biāo)上貼一層貼靶材料，層壓后直接將靶標(biāo)所對應(yīng)的部位進(jìn)行切除即可，簡化了流程，提高了封裝基板的盲孔開窗靶標(biāo)的制作效率。上述實施例中提供的激光盲孔開窗對位靶標(biāo)制作方法中，步驟c具體實現(xiàn)為Cl、在所述配板上與貼靶材料所對應(yīng)的區(qū)域邊緣進(jìn)行鉆孔，使得所述配板上分布 定位孔；c2、用刀具將所述配板上與貼靶材料對應(yīng)的部位切除，并揭開所述貼靶材料。本實施例中提供的步驟c中在配板上與貼靶材料對應(yīng)的區(qū)域進(jìn)行鉆孔，以標(biāo)記處 配板上與貼靶材料相對應(yīng)的區(qū)域，采用刀具直接上配板上與貼靶材料相對應(yīng)的區(qū)域切除， 上述步驟中采用定位孔定位簡單，采用刀具直接切除，操作簡單，效率高。本說明書中各個實施例采用遞進(jìn)的方式描述，每個實施例重點說明的都是與其他 實施例的不同之處，各個實施例之間相同相似部分互相參見即可。對所公開的實施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。 對這些實施例的多種修改對本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的 一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現(xiàn)。因此，本發(fā)明 將不會被限制于本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一 致的最寬的范圍。
權(quán)利要求
1.一種封裝基板的盲孔開窗對位靶標(biāo)制作方法，其特征在于，包括以下步驟 步驟a、將貼靶材料貼附在中心基板的靶標(biāo)上；步驟b、將配板層壓在所述中心基板上；步驟C、將所述配板上與所述貼靶材料所對應(yīng)的區(qū)域切除，并撕掉所述貼靶材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝基板的盲孔開窗對位靶標(biāo)制作方法，其特征在于，步驟c 具體實現(xiàn)為Cl、在所述配板上與所述貼靶材料所對應(yīng)的區(qū)域的邊緣進(jìn)行鉆孔，使得所述配板上與 所述貼靶材料所對應(yīng)的區(qū)域的邊緣分布定位孔；c2、用刀具將所述配板上與所述貼靶材料對應(yīng)的區(qū)域切除，并撕開所述貼靶材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝基板的盲孔開窗對位靶標(biāo)制作方法，其特征在于，所述 貼靶材料比靶標(biāo)的尺寸大Imm 2mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的封裝基板的盲孔開窗對位靶標(biāo)制作方法，其特征在于，所述 貼靶材料比所述靶標(biāo)的尺寸大1. 5mm。
全文摘要
本發(fā)明實施例公開了一種封裝基板的盲孔開窗對位靶標(biāo)制作方法，包括以下步驟步驟a、將貼靶材料貼附在中心基板的靶標(biāo)上；步驟b、將配板層壓在所述中心基板上；步驟c、將所述配板上與所述貼靶材料所對應(yīng)的區(qū)域切除，并撕掉所述貼靶材料。本發(fā)明實施例中提供的封裝基板的盲孔開窗對位靶標(biāo)制作方法中，改變了現(xiàn)有技術(shù)中采用在配板上與靶標(biāo)所對應(yīng)的區(qū)域采用鉆孔、貼干膜、曝光、蝕刻、激光鉆孔和去玷污等一系列的加工流程，只需要在靶標(biāo)上貼一層貼靶材料，層壓后直接將靶標(biāo)所對應(yīng)的部位進(jìn)行切除，并揭開貼靶材料露出靶標(biāo)即可，簡化了流程，提高了封裝基板的盲孔開窗靶標(biāo)的制作效率。
文檔編號H01L21/48GK102044446SQ201010525679
公開日2011年5月4日 申請日期2010年10月27日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月27日
發(fā)明者劉建輝, 武曉培 申請人:深南電路有限公司