專利名稱：光刻膠圖案的形成方法和陣列基板的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)，尤其涉及一種光刻膠圖案的形成方法和陣列基板的制造方法。
背景技術(shù)：
液晶顯示器是目前常用的平板顯示器，其中薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，簡稱TFT-LCD)是液晶顯示器中的主流產(chǎn)品。光刻工藝是液晶顯示器制造過程中的重要流程。一次光刻工藝是指使用一個(gè)掩模板進(jìn)行一次曝光顯影的過程，在此過程中可能包括對(duì)襯底基板上膜層的多次刻蝕。在刻蝕的過程中，光刻膠會(huì)形成包括保留區(qū)域和去除區(qū)域的光刻膠圖案。對(duì)于去除區(qū)域的光刻膠圖案，便無法繼續(xù)保護(hù)其下方的金屬薄膜。如果期望對(duì)某部分光刻膠下方的金屬薄膜進(jìn)行保護(hù)，就需要使這一部分的金屬薄膜上方的光刻膠處于完全保留區(qū)域或者部分保留區(qū)域。 形成過多的、復(fù)雜的保留區(qū)域或者部分保留區(qū)域的這種情況，無疑會(huì)增加掩模板的使用次數(shù)，或者利用到昂貴的特殊掩模板，是非常不利于降低生產(chǎn)成本的，所以現(xiàn)在迫切需要一種可以不利用特殊掩模板即可實(shí)現(xiàn)對(duì)某部分金屬薄膜的保護(hù)的方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種光刻膠圖案的形成方法和陣列基板的制作方法，以實(shí)現(xiàn)在減少光刻工藝次數(shù)的基礎(chǔ)上降低生產(chǎn)成本。本發(fā)明實(shí)施例提供了一種光刻膠圖案的形成方法，包括在膜層上涂覆光刻膠，并采用掩模板對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光顯影，形成包括保留區(qū)域和去除區(qū)域的光刻膠圖案；對(duì)形成所述圖案的光刻膠進(jìn)行加熱處理，以使得光刻膠流至待保護(hù)的膜層區(qū)域。本發(fā)明提供一種陣列基板的制造方法，包括在襯底基板上形成導(dǎo)電圖案和絕緣層的步驟，所述導(dǎo)電圖案包括柵電極、源電極、漏電極、半導(dǎo)體層和像素電極，其中，在形成所述半導(dǎo)體層圖案的過程中，所述方法還包括對(duì)光刻膠進(jìn)行加熱處理，以使所述光刻膠流至所述源電極與所述漏電極之間的溝道中。本發(fā)明提供的光刻膠圖案的形成方法和陣列基板的制造方法，通過在形成保留區(qū)域和去除區(qū)域的光刻膠圖案后，對(duì)形成上述圖案的光刻膠進(jìn)行加熱處理，以使得光刻膠變?yōu)榱黧w后流至待保護(hù)的膜層區(qū)域，以起到對(duì)某一部分處于去除區(qū)域的光刻膠下方的膜層再次受到光刻膠的保護(hù)，解決了需要使用半曝光工藝及特殊掩模板所帶來的生產(chǎn)成本提高等問題，實(shí)現(xiàn)了簡化工序、降低成本的目的。


圖1為本發(fā)明實(shí)施例一提供的光刻膠圖案的形成方法的流程圖；圖2A為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法生產(chǎn)出的陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖2B為圖2A中沿A-A線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖；圖3A至圖3J為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例三提供的陣列基板的制造方法制造陣列基板的過程中沿圖2A中A-A線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖。附圖標(biāo)記1-襯底基板；2-柵線；3-柵電極；4-柵絕緣層； 5-數(shù)據(jù)線；6-半導(dǎo)體層；61-本征半導(dǎo)體層；62-重?fù)诫s半導(dǎo)體層；7-源電極；8-漏電極；9-鈍化層；10-鈍化層過孔；11-像素電極；12-公共電極線； 13-溝道；14-光刻膠； 15-數(shù)據(jù)線金屬薄膜；30-像素區(qū)域；40-接口區(qū)域。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。實(shí)施例一本發(fā)明實(shí)施例一提供了一種光刻膠圖案的形成方法，其流程圖如圖1所示，該方法包括101 在膜層上涂覆光刻膠，并采用掩模板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光顯影，形成包括保留區(qū)域和去除區(qū)域的光刻膠圖案；其中，基于所采用的掩模板的不同，保留區(qū)域可以為完全保留區(qū)域，和/或，部分保留區(qū)域。102 對(duì)形成上述圖案的光刻膠進(jìn)行加熱處理，以使得光刻膠流至待保護(hù)的膜層區(qū)域。其中，可以將光刻膠加熱到50至200攝氏度之間，以使得光刻膠呈流體狀，這種情況下，可以呈現(xiàn)一種漸變的光刻膠形態(tài)，從而對(duì)應(yīng)于漸變的保留區(qū)域和去除區(qū)域，進(jìn)而形成特殊掩模板都無法形成的光刻膠圖案。本發(fā)明實(shí)施例提供了一種光刻膠的形成方法，通過在形成保留區(qū)域和去除區(qū)域的光刻膠圖案后，對(duì)形成上述圖案的光刻膠進(jìn)行加熱處理，以使得光刻膠變?yōu)榱黧w后流至待保護(hù)的膜層區(qū)域，以起到對(duì)某一部分處于去除區(qū)域的光刻膠下方的膜層再次受到光刻膠的保護(hù)，解決了需要使用半曝光工藝及特殊掩模板所帶來的生產(chǎn)成本提高等問題，實(shí)現(xiàn)了簡化工序、降低成本的目的。實(shí)施例二本發(fā)明實(shí)施例二提供了一種陣列基板的制造方法，假設(shè)利用該陣列基板的制造方法生產(chǎn)出的陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖可以如圖2A所示。圖2B為圖2A中沿A-A線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖。該陣列基板的制造方法包括在襯底基板1上形成導(dǎo)電圖案和絕緣層圖案的步驟，其中的導(dǎo)電圖案可以包括柵電極3、源電極7、漏電極8、半導(dǎo)體層6和像素電極11。其中，在形成半導(dǎo)體層6的圖案過程中，該陣列基板的制造方法還包括對(duì)光刻膠進(jìn)行加熱處理，以使光刻膠流至源電極7與漏電極8之間的溝道13中。本實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法，通過在形成半導(dǎo)體層圖案的過程中對(duì)光刻膠進(jìn)行熱處理，使得光刻膠在高溫狀態(tài)下變?yōu)榱黧w流至溝道，有效保護(hù)了有源層薄膜中的本征半導(dǎo)體層，克服了 4次光刻中需要使用半曝光工藝及特殊掩模板所帶來的生產(chǎn)成本提高等問題，實(shí)現(xiàn)了簡化工序、降低成本的目的。實(shí)施例三本發(fā)明實(shí)施例三提供了一種陣列基板的制造方法，假設(shè)利用該陣列基板的制造方法生產(chǎn)出的陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖可以如圖2A所示，下面結(jié)合附圖對(duì)該陣列基板的制造方法進(jìn)行說明。圖3A至圖3J根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例三提供的陣列基板的制造方法制造陣列基板的過程中沿圖2A中A-A線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3A所示，在襯底基板1上沉積柵金屬薄膜，并采用第一塊單色調(diào)掩膜板，通過構(gòu)圖工藝刻蝕該柵金屬薄膜，形成包括柵線2和柵電極3的圖案。如圖;3B所示，在形成柵線2和柵電極3圖案的襯底基板1上通過等離子體化學(xué)沉積或其他方式沉積形成柵絕緣層4、半導(dǎo)體層薄膜和數(shù)據(jù)線金屬薄膜15。其中的半導(dǎo)體層薄膜包括本征半導(dǎo)體層61和重?fù)诫s半導(dǎo)體層62。如圖3C所示，在已形成的本征半導(dǎo)體層61、重?fù)诫s半導(dǎo)體層62和數(shù)據(jù)線金屬薄膜 15的襯底基板1上涂布光刻膠14，采用第二塊單色調(diào)掩模板，通過構(gòu)圖工藝刻蝕掉無光刻膠14保護(hù)部位的數(shù)據(jù)線金屬薄膜15，形成包括數(shù)據(jù)線5、源電極7和漏電極8的圖案。其中，光刻膠14的厚度可以根據(jù)實(shí)際操作過程控制在1微米至4微米之間，材料可以選用AZ (安智)公司的HF-100型正性光刻膠及SR-300型正性光刻膠。如圖3D所示，刻蝕掉無光刻膠14保護(hù)部位的重?fù)诫s半導(dǎo)體層62，在柵電極3上形成溝道13。其中，采用第二塊單色調(diào)掩模板，通過構(gòu)圖工藝刻蝕掉無光刻膠14保護(hù)部位的數(shù)據(jù)線金屬薄膜15，形成包括數(shù)據(jù)線5、源電極7和漏電極8的圖案，刻蝕掉無光刻膠14保護(hù)部位的重?fù)诫s半導(dǎo)體層62，在柵電極3上形成溝道13?？梢跃唧w為以下步驟(1)采用單色調(diào)掩模板對(duì)光刻膠14進(jìn)行曝光顯影，形成包括完全保留區(qū)域和完全去除區(qū)域的光刻膠圖案；(2)進(jìn)行第一次刻蝕，刻蝕掉完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的數(shù)據(jù)線金屬薄膜15，形成包括數(shù)據(jù)線5、源電極7和漏電極8的圖案；(3)進(jìn)行第二次刻蝕，刻蝕掉完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的半導(dǎo)體層薄膜的重?fù)诫s半導(dǎo)體層62，形成溝道13的圖案。如圖3E所示，對(duì)光刻膠14進(jìn)行熱處理，利用光刻膠14在高溫狀態(tài)下的回流特性使其回流至溝道13部位，起到對(duì)溝道13部位剩余本征半導(dǎo)體層61的保護(hù)作用。加熱溫度可以在50攝氏度到200攝氏度之間的范圍內(nèi)，具體的加熱時(shí)間與光刻膠14的厚度及材料有關(guān)。如圖3F所示，刻蝕掉其他無光刻膠14保護(hù)部位的本征半導(dǎo)體層61。
如圖3G所示，剝離掉光刻膠14。其中，可以通過灰化等方式去除光刻膠14。如圖3H所示，在形成上述圖案的襯底基板1上形成鈍化層9。如圖31所示，采用第三塊單色調(diào)掩模板，通過構(gòu)圖工藝刻蝕鈍化層9形成鈍化層過孔10的圖案。如圖3J所示，在形成上述圖案的襯底基板1上沉積透明導(dǎo)電薄膜，并采用第四塊單色調(diào)掩模板，通過構(gòu)圖工藝刻蝕透明導(dǎo)電薄膜形成包括像素電極11的圖案。本實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法，通過在刻蝕掉重?fù)诫s半導(dǎo)體層之后對(duì)光刻膠進(jìn)行熱處理，使得光刻膠在高溫狀態(tài)下變?yōu)榱黧w流至溝道，有效保護(hù)了半導(dǎo)體層薄膜中的本征半導(dǎo)體層，克服了 4次光刻中需要使用半曝光工藝及特殊掩模板所帶來的生產(chǎn)成本提高等問題，實(shí)現(xiàn)了簡化工序、降低成本的目的。利用一次光刻工藝即可以形成源電極、漏電極、溝道及硅島圖案，方法簡單，可操作性強(qiáng)。實(shí)施例四本發(fā)明實(shí)施例四提供了一種陣列基板的制造方法，假設(shè)利用該陣列基板的制造方法生產(chǎn)出的陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖可以如圖2A所示，下面結(jié)合附圖對(duì)該陣列基板的制造方法進(jìn)行說明，該方法包括在襯底基板1上沉積柵金屬薄膜，并采用第一塊單色調(diào)掩膜板，通過構(gòu)圖工藝刻蝕該柵金屬薄膜，形成包括柵線2和柵電極3的圖案。在形成柵線2和柵電極3圖案的襯底基板1上通過等離子體化學(xué)沉積或其他方式沉積形成柵絕緣層4、半導(dǎo)體層薄膜和數(shù)據(jù)線金屬薄膜15。其中的半導(dǎo)體層薄膜包括本征半導(dǎo)體層61和重?fù)诫s半導(dǎo)體層62。在已形成的本征半導(dǎo)體層61、重?fù)诫s半導(dǎo)體層62和數(shù)據(jù)線金屬薄膜15的襯底基板1上涂布光刻膠14，采用第二塊單色調(diào)掩模板，通過構(gòu)圖工藝刻蝕掉無光刻膠14保護(hù)部位的數(shù)據(jù)線金屬薄膜15，形成包括數(shù)據(jù)線5、源電極7和漏電極8的圖案，源電極7與漏電極8之間的部位形成為溝道13。其中，光刻膠14的厚度可以根據(jù)實(shí)際操作過程控制在1微米至4微米之間，材料可以選用AZ (安智)公司的HF-100型正性光刻膠及SR-300型正性光刻膠。對(duì)光刻膠14進(jìn)行熱處理，利用光刻膠14在高溫狀態(tài)下的回流特性使其回流至溝道13部位，起到對(duì)溝道13部位半導(dǎo)體層6的保護(hù)作用。加熱溫度可以在50攝氏度到200 攝氏度之間的范圍內(nèi)，具體的加熱時(shí)間與光刻膠14的厚度及材料有關(guān)?？涛g掉其他無光刻膠14保護(hù)部位的重?fù)诫s半導(dǎo)體層62、以及本征半導(dǎo)體層61。剝離光刻膠14?？涛g掉溝道13部分的重?fù)诫s半導(dǎo)體層62。在形成上述圖案的襯底基板1上形成鈍化層9。采用第三塊單色調(diào)掩模板，通過構(gòu)圖工藝刻蝕鈍化層9形成鈍化層過孔10的圖案。在形成上述圖案的襯底基板1上沉積透明導(dǎo)電薄膜，并采用第四塊單色調(diào)掩模板，通過構(gòu)圖工藝刻蝕透明導(dǎo)電薄膜形成包括像素電極11的圖案。本實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法，通過在刻蝕半導(dǎo)體層之前對(duì)光刻膠進(jìn)行熱處理，使得光刻膠在高溫狀態(tài)下變?yōu)榱黧w流至溝道，使得刻蝕本征半導(dǎo)體層時(shí)不會(huì)對(duì)溝道部位的本征半導(dǎo)體層造成傷害，剝離光刻膠后對(duì)溝道部位的重?fù)诫s半導(dǎo)體層進(jìn)行刻蝕，對(duì)溝道部位的本征半導(dǎo)體層影響很小，有效保護(hù)了本征半導(dǎo)體層，克服了 4次光刻中需要使用半曝光工藝及特殊掩模板所帶來的生產(chǎn)成本提高等問題，實(shí)現(xiàn)了簡化工序、降低成本的目的。利用一次光刻工藝即可以形成源電極、漏電極、溝道及硅島圖案，方法簡單，可操作性強(qiáng)。 最后應(yīng)說明的是以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種光刻膠圖案的形成方法，其特征在于，包括在膜層上涂覆光刻膠，并采用掩模板對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光顯影，形成包括保留區(qū)域和去除區(qū)域的光刻膠圖案；對(duì)形成所述圖案的光刻膠進(jìn)行加熱處理，以使得光刻膠流至待保護(hù)的膜層區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻膠圖案的形成方法，其特征在于，所述保留區(qū)域包括完全保留區(qū)域和/或部分保留區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光刻膠圖案的形成方法，其特征在于，所述對(duì)形成所述圖案的光刻膠進(jìn)行加熱處理，包括將所述光刻膠加熱到50至200攝氏度之間，使得所述光刻膠呈流體狀。
4.一種陣列基板的制造方法，包括在襯底基板上形成導(dǎo)電圖案和絕緣層的步驟，所述導(dǎo)電圖案包括柵電極、源電極、漏電極、半導(dǎo)體層和像素電極，其特征在于，在形成所述半導(dǎo)體層圖案的過程中，所述方法還包括對(duì)光刻膠進(jìn)行加熱處理，以使所述光刻膠流至所述源電極與所述漏電極之間的溝道中。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體層包括重?fù)诫s半導(dǎo)體層和本征半導(dǎo)體層，相應(yīng)的，所述形成所述半導(dǎo)體層圖案包括采用單色調(diào)掩模板，通過構(gòu)圖工藝刻蝕所述半導(dǎo)體層中的重?fù)诫s半導(dǎo)體層和本征半導(dǎo)體層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述在形成所述半導(dǎo)體層圖案過程中，對(duì)光刻膠進(jìn)行加熱處理，以使所述光刻膠流至所述源電極與所述漏電極之間的溝道中，具體包括在刻蝕所述重?fù)诫s半導(dǎo)體層之前，對(duì)光刻膠進(jìn)行加熱處理，以使所述光刻膠流至所述源電極與所述漏電極之間的溝道中。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述刻蝕所述半導(dǎo)體層中的本征半導(dǎo)體層之后，所述方法還包括剝離所述光刻膠，通過構(gòu)圖工藝刻蝕所述溝道內(nèi)剩余的重?fù)诫s半導(dǎo)體層。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述在形成所述半導(dǎo)體層圖案過程中，對(duì)光刻膠進(jìn)行加熱處理，以使所述光刻膠流至所述源電極與所述漏電極之間的溝道中，包括在刻蝕所述重?fù)诫s半導(dǎo)體層之后，對(duì)光刻膠進(jìn)行加熱處理，以使所述光刻膠流至所述源電極與所述漏電極之間的溝道中。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述刻蝕所述半導(dǎo)體層中的本征半導(dǎo)體層之后，所述方法還包括剝離所述光刻膠。
10.根據(jù)權(quán)利要求4至9中任一項(xiàng)所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述對(duì)所述光刻膠進(jìn)行熱處理，以使所述光刻膠流至所述溝道，具體包括將所述光刻膠加熱到50至200攝氏度之間，使得所述光刻膠呈流體狀，流入所述溝道。
11.根據(jù)權(quán)利要求4至9中任一項(xiàng)所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述光刻膠的厚度在1微米至4微米之間。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種光刻膠圖案的形成方法和陣列基板的制造方法。該光刻膠圖案的形成方法包括在金屬薄膜上涂覆光刻膠，并采用掩模板對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光顯影，形成包括保留區(qū)域和去除區(qū)域的光刻膠圖案；對(duì)形成所述圖案的光刻膠進(jìn)行加熱處理，以使得所述光刻膠流至待保護(hù)的膜層區(qū)域。該陣列基板的制造方法包括在襯底基板上形成導(dǎo)電圖案和絕緣層的步驟，導(dǎo)電圖案包括柵電極、源電極、漏電極、半導(dǎo)體層和像素電極，在形成半導(dǎo)體層圖案的過程中，方法還包括對(duì)光刻膠進(jìn)行加熱處理，以使光刻膠流至源電極與漏電極之間的溝道中。本發(fā)明實(shí)施例提供的方案，實(shí)現(xiàn)了簡化工序、降低成本的目的。
文檔編號(hào)H01L21/027GK102455593SQ20101052510
公開日2012年5月16日 申請日期2010年10月25日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月25日
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