專利名稱：發(fā)光器件封裝和照明系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
實施方案涉及發(fā)光器件封裝和照明系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
在發(fā)光器件中，通過將周期表上III族和V族元素組合，可形成具有將電能轉(zhuǎn)化為 光能的性能的P-N結(jié)二極管。發(fā)光器件可通過控制化合物半導(dǎo)體的組成比例來實現(xiàn)各種顏 色。在發(fā)光器件中，當(dāng)施加正向電壓時，η-層的電子與P-層的空穴復(fù)合，發(fā)射出對應(yīng) 于導(dǎo)帶和價帶之間能隙的能量。該能量通常以熱或者光的形式發(fā)射。在發(fā)光器件中，能量 以光的形式發(fā)射。例如氮化物半導(dǎo)體由于其高熱穩(wěn)定性和寬能帶隙而在光學(xué)器件和高功率電子器 件領(lǐng)域中受到許多關(guān)注。特別地，使用氮化物半導(dǎo)體的藍(lán)色發(fā)光器件、綠色發(fā)光器件和UV 發(fā)光器件已經(jīng)商業(yè)化并且廣泛使用。

為形成白色發(fā)光器件封裝，作為光的三原色的紅色、綠色和藍(lán)色的發(fā)光器件可組 合，或者可將黃色磷光體例如釔鋁石榴石(YAG)和鋱鋁石榴石(TAG)作為磷光體添加到藍(lán) 色發(fā)光器件，或者可將(紅色/綠色/藍(lán)色)三色磷光體作為磷光體添加到UV發(fā)光器件。當(dāng)白色發(fā)光器件封裝包括具有磷光體的包封材料時，磷光體在模制之后隨著時間 流逝下降至發(fā)光器件封裝的底部，由此磷光體在發(fā)光器件芯片周圍可不均勻分布，并且色 溫可能寬分布。此外，因為磷光體的分布區(qū)域大于發(fā)光器件的區(qū)域，所以磷光體在發(fā)光器件周圍 可不均勻分布，并且色溫可能寬分布。

發(fā)明內(nèi)容
實施方案提供具有均勻磷光體分布的發(fā)光器件封裝和照明系統(tǒng)。在一個實施方案中，一種發(fā)光器件封裝包括發(fā)光器件芯片，包括第一導(dǎo)電型半 導(dǎo)體層、在所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層上的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、和在所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo) 體層和所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層之間的有源層；在所述發(fā)光器件芯片上的至少一個導(dǎo)線； 以及在所述導(dǎo)線之外的所述發(fā)光器件芯片上的包封材料，所述包封材料包括磷光體，其中 所述導(dǎo)線垂直于所述發(fā)光器件芯片的上表面，至少直至所述包封材料的高度。在另一實施方案中，發(fā)光器件封裝包括在所述發(fā)光器件芯片上的多個導(dǎo)線；和 在所述導(dǎo)線之間的所述發(fā)光器件芯片上的包封材料，所述包封材料包括磷光體，其中所述 導(dǎo)線包括至少一個虛擬導(dǎo)線(dummy wire)。在另一實施方案中，一種發(fā)光器件封裝包括發(fā)光器件芯片，其包括第一導(dǎo)電型半 導(dǎo)體層、在所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層上的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、和在所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo) 體層和所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層之間的有源層；在所述發(fā)光器件芯片上的至少一個導(dǎo)線； 以及在所述導(dǎo)線之外的所述發(fā)光器件芯片上的包封材料，所述包封材料包括磷光體，其中所述導(dǎo)線與所述發(fā)光器件芯片的最外部接觸。

在另一實施方案中，照明系統(tǒng)包括發(fā)光模塊，所述發(fā)光模塊包括襯底和在所述襯 底上的發(fā)光器件封裝。在附圖和以下描述中對一個或更多個實施方案的細(xì)節(jié)進(jìn)行闡述。其他特征由說明 書和附圖以及權(quán)利要求而明顯。


圖1是根據(jù)第一實施方案的發(fā)光器件封裝的橫截面圖。圖2是說明根據(jù)第一實施方案的發(fā)光器件封裝的局部平面圖。圖3 5是說明根據(jù)第二至第四實施方案的發(fā)光器件封裝的局部平面圖。圖6 8是說明根據(jù)第一實施方案的發(fā)光器件封裝的制造方法的橫截面圖。圖9是根據(jù)一個實施方案的照明單元的立體圖。圖10是根據(jù)一個實施方案的背光單元的分解立體圖。
具體實施例方式以下，將參考附圖描述根據(jù)實施方案的發(fā)光器件封裝和照明系統(tǒng)。在實施方案的描述中，應(yīng)理解當(dāng)層(或膜)稱為在另一層或襯底“上”時，其可直 接在另一層或者襯底上，或者也可存在中間層。此外，應(yīng)理解當(dāng)層被稱為在另一層“下”時， 其可以直接在另一層下，也可存在一個或更多個中間層。另外，也應(yīng)理解當(dāng)層被稱為在兩層 “之間”時，其可以是在所述兩層之間僅有的層，或也可存在一個或更多個中間層。[實施方案]圖1是根據(jù)第一實施方案的發(fā)光器件封裝500的橫截面圖。發(fā)光器件封裝500可包括發(fā)光器件芯片200，設(shè)置于發(fā)光器件芯片200上的一個 或者更多個導(dǎo)線300，以及包括磷光體(未顯示)的并設(shè)置于導(dǎo)線300之間的發(fā)光器件芯片 200上的包封材料400。發(fā)光器件芯片200可設(shè)置在子基座110上。在該實施方案中，包封材料400的上表面可為平坦的并因此可發(fā)射表面光，由此 有利于光學(xué)設(shè)計?；蛘?，包封材料400可具有凹凸上表面(未顯示)，由此改善光提取效率。包封材料400的高度等于或者低于導(dǎo)線300的高度，其中導(dǎo)線300可設(shè)置在發(fā)光 器件芯片200的最外部的周圍并且定向為垂直于發(fā)光器件芯片200的上表面。導(dǎo)線300相 比于包封材料400高度的相對高度、導(dǎo)線300的垂直定向、發(fā)光器件芯片200的最外部周圍 的導(dǎo)線300的定位、以及包封材料400的內(nèi)在表面張力有助于在發(fā)光器件芯片200表面上 包含包封材料并促進(jìn)包封材料400的均勻性。這進(jìn)而改善發(fā)光效率。因此，根據(jù)該實施方案，包括磷光體的包封材料設(shè)置于導(dǎo)線300之間的發(fā)光器件 芯片200上，因此磷光體在發(fā)光器件芯片周圍均勻設(shè)置，并且實現(xiàn)窄的色溫分布。圖2是說明根據(jù)第一實施方案發(fā)光器件封裝的發(fā)光器件芯片的上端的局部平面 圖。根據(jù)第一實施方案，導(dǎo)線300可包括第一導(dǎo)線310和第二導(dǎo)線320，其可與實際的 墊(pad)連接。圖2中說明的芯片是水平發(fā)光器件芯片，但是本公開不限于此。圖3 5是說明根據(jù)第二至第四實施方案的發(fā)光器件封裝的的局部平面圖。
根據(jù)第二至第四實施方案，導(dǎo)線可包括一個或更多個虛擬導(dǎo)線340。例如，導(dǎo)線可 包括設(shè)置于實際的墊(未顯示)上的真實導(dǎo)線330、以及包括第一至第三虛擬導(dǎo)線341、 342和343的虛擬導(dǎo)線340。第二實施方案可應(yīng)用于垂直發(fā)光器件芯片，但是本公開不限于 此。圖3是說明根據(jù)第二實施方案的發(fā)光器件封裝500b的局部平面圖。導(dǎo)線設(shè)置于 發(fā)光器件芯片的上部角落處，但是本公開不限于此。圖4是說明根據(jù)第三實施方案的發(fā)光 器件封裝500c的局部平面圖。真實導(dǎo)線330以及包括第一至第三虛擬導(dǎo)線351、352和353 的虛擬導(dǎo)線350可設(shè)置在發(fā)光器件芯片的角落之外。圖5是說明根據(jù)第四 實施方案的發(fā)光 器件封裝500d的局部平面圖。提供虛擬導(dǎo)線360，但是本公開不限于此。在各圖3 圖5 中，每一個導(dǎo)線均定位為使得與其它導(dǎo)線中的對應(yīng)一個導(dǎo)線相對。根據(jù)該實施方案，包括磷光體的包封材料設(shè)置于導(dǎo)線300之間的發(fā)光器件芯片 200上，因此磷光體在發(fā)光器件芯片周圍均勻設(shè)置，并且實現(xiàn)窄的色溫分布。以下，將參考圖6 8描述根據(jù)一個實施方案的發(fā)光器件封裝的制造方法。首先，參考圖6，準(zhǔn)備子基座110。子基座110可具有類似于發(fā)光器件芯片材料的熱膨脹系數(shù)和高熱導(dǎo)率。例如，在 該實施方案中，子基座110可由硅(Si)形成，但是本公開不限于此。子基座110可包括反射杯(未顯示)，并且在子基座110中可設(shè)置齊納二極管型防 靜電放電(ESD)器件。在子基座110上可形成第一引線框120和第二引線框130，但是本公開對于其類型 和數(shù)目沒有限制。第一引線框120和和第二引線框130中的至少之一可為虛擬引線框。引 線框可與子基座110電絕緣。然后，將發(fā)光器件芯片200附著于子基座110上。發(fā)光器件芯片200可由諸如GaN、GaAs、GaAsP或者GaP的材料形成。例如，綠色 藍(lán)色LED可由GaN(InGaN)形成，黃色 紅色LED可由InGaAlP或者AlGaAs形成，但是本公 開不限于此。發(fā)光器件芯片200可包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層(未顯示)、有源層(未顯示)和 第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層(未顯示)，但是本公開不限于此。發(fā)光結(jié)構(gòu)可使用諸如金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)、化學(xué)氣相沉積(CVD)、等離 子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)、分子束外延(MBE)和氫化物氣相外延(HVPE)的方法形成， 但是本公開不限于此。第一導(dǎo)電半型導(dǎo)體層可由摻雜有第一導(dǎo)電型摻雜劑的III-V族化合物半導(dǎo)體形 成。當(dāng)?shù)谝粚?dǎo)電型半導(dǎo)體層是N型半導(dǎo)體層時，第一導(dǎo)電型摻雜劑可包括Si、Ge、Sn、Se或 者Te作為N型摻雜劑，但是本公開不限于此。第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層可包括組成式為InxAlyGai_x_yN(0 ^ χ ^ 1,0 ^ y ^ 1, 0彡x+y彡1)的半導(dǎo)體材料。第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層可包括GaN、InN, A1N、InGaN, AlGaN, InAlGaN、Al InN、AlGaAs、InGaAs、Al InGaAs、GaP、AlGaP、InGaP、Al InGaP 和 InP 中的至少之
ο有源層可具有單量子阱結(jié)構(gòu)、多量子阱(MQW)結(jié)構(gòu)、量子線結(jié)構(gòu)和量子點結(jié)構(gòu)中 的至少之一。例如，有源層可具有多量子阱(MQW)結(jié)構(gòu)，其通過注入三甲基鎵(TMGa)氣體、氨氣(NH3)、氮氣(N2)和三甲基銦(TMIn)氣體形成，但是本公開不限于此。

第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層可包括摻雜有第二導(dǎo)電型摻雜劑的III-V族化合物半導(dǎo)體， 例如可包括組成式為InxAlyGai_x_yN(0彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)的半導(dǎo)體材料。例 如,第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層可包括 GaN、AlN、AlGaN、InGaN, InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、 GaAs、GaAsP或者AlGaInP。當(dāng)?shù)诙?dǎo)電型半導(dǎo)體層是P型半導(dǎo)體層時，第二導(dǎo)電型摻雜劑 可包括Mg、Zn、Ca、Sr或者Ba作為P型摻雜劑。在該實施方案中，第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層是N型半導(dǎo)體層，第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層是P 型半導(dǎo)體層，但是本公開不限于此。在第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層上可形成與第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體 相反導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，例如N型半導(dǎo)體層(未顯示)。因此，發(fā)光結(jié)構(gòu)可具有N-P結(jié)結(jié)構(gòu)、 P-N結(jié)結(jié)構(gòu)、N-P-N結(jié)結(jié)構(gòu)和P-N-P結(jié)結(jié)構(gòu)中的一種。圖6中說明的發(fā)光器件芯片200可為 垂直或者水平的發(fā)光器件芯片，但是本公開不限于此。例如，當(dāng)發(fā)光器件芯片200是垂直芯片時，發(fā)光器件芯片200可包括設(shè)置于第二電 極(未顯示)上的發(fā)光結(jié)構(gòu)。第二電極可包括歐姆層、反射層、耦合層和導(dǎo)電襯底中的至少 之一。發(fā)光結(jié)構(gòu)可包括第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、有源層和第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層。然后，可通過使用聚合物粘合劑或者用于鍍覆發(fā)光器件芯片的共晶金屬的方法， 將發(fā)光器件芯片200附著于子基座110。例如，在其中需要高熱導(dǎo)率的情況下，發(fā)光器件芯片可通過使用具有改善工藝的 Ag導(dǎo)電環(huán)氧樹脂的焊接工藝或者共晶接合工藝來進(jìn)行附著。 然后，參考圖7，可實施引線接合工藝以對發(fā)光器件芯片200施加電流。例如，對于 垂直型發(fā)光器件芯片，可實施單引線接合工藝，對于水平型發(fā)光器件芯片，可實施雙引線接 合工藝。導(dǎo)線可包括金線、銅線和鋁線中的至少之一，引線接合可包括球引線接合或者邊緣 引線接合。根據(jù)第一實施方案，導(dǎo)線300可包括第一導(dǎo)線310和第二導(dǎo)線320，其可與實際的 墊連接。參考圖3 5，在根據(jù)第二實施方案的發(fā)光器件封裝中，導(dǎo)線可包括一個或者更多 個虛擬導(dǎo)線340、350和360。例如，導(dǎo)線可包括設(shè)置于實際的墊(未顯示)上的真實導(dǎo)線 330以及包括第一至第三虛擬導(dǎo)線341、342和343的虛擬導(dǎo)線340。根據(jù)該實施方案，包括磷光體的包封材料設(shè)置于導(dǎo)線300之間的發(fā)光器件芯片 200上，因此磷光體在發(fā)光器件芯片周圍均勻設(shè)置，并且實現(xiàn)窄的色溫分布。然后，參考圖8，在導(dǎo)線300之間的發(fā)光器件芯片200上形成包括磷光體的包封材 料 400。例如，在發(fā)光器件芯片200上形成包括磷光體(未顯示)的包封材料400以保護(hù) 發(fā)光器件芯片200和提高光提取效率。包封材料400的高度等于或者低于導(dǎo)線300的高度，導(dǎo)線300可設(shè)置在發(fā)光器件 芯片200的周圍。因此，根據(jù)該實施方案，包括磷光體的包封材料設(shè)置于導(dǎo)線300之間的發(fā)光器件 芯片200上，因此磷光體在發(fā)光器件芯片周圍均勻設(shè)置，并且實現(xiàn)窄的色溫分布。包封材料400可為環(huán)氧包封材料或者硅包封材料，但是本公開不限于此。在該實施方案中，發(fā)光器件芯片可包括綠色 藍(lán)色LED、黃色 紅色LED或者UVLED,并且可通過添加磷光體至包封材料來形成白色光。例如，在該實施方案中，可將黃色磷光體例如釔鋁石榴石(YAG)和鋱鋁石榴石 (TAG)作為磷光體添加到藍(lán)色發(fā)光器件，或者可將(紅色/綠色/藍(lán)色)三色磷光體作為磷 光體添加到UV LED，但是本公開不限于此。磷光體可包括基質(zhì)材料和活性材料。例如，可使用釔鋁石榴石(YAG)作為基質(zhì)材 料和鈰(Ce)作為活性材料，或者可使用基于硅酸鹽的基質(zhì)材料和銪(Eu)活性材料，但是本 公開不限于此。封裝工藝可以以組合、混合、排出和固化的次序?qū)嵤Ｊ褂冒獠牧系陌夥椒ò?括諸如分散、鑄模、傳遞模塑、真空印刷、絲網(wǎng)印刷的方法。包封材料400的上表面可為平坦的，但是本公開不限于此。包封材料400在發(fā)光 器件芯片200上均勻地平面設(shè)置，因此磷光體在發(fā)光器件芯片周圍均勻地設(shè)置。可發(fā)射表 面光以有利于光學(xué)設(shè)計。在該實施方案中，包封材料可具有凹凸上表面(未顯示)，由此改善光提取效 率。 例如，在包封工藝之后可部分實施濕蝕刻工藝以在包封材料400的上表面上形成凹凸表 面?；蛘?，實施使用具有凹凸表面的模具的傳遞模塑，以在包封材料的上表面上形成凹凸表 面。然后，在包封材料400上可形成半球形外透鏡以提高光提取效應(yīng)和保護(hù)導(dǎo)線(未
顯不)ο因此，根據(jù)該實施方案，包括磷光體的包封材料設(shè)置于導(dǎo)線之間的發(fā)光器件芯片 上，因此磷光體在發(fā)光器件芯片周圍均勻設(shè)置，并且實現(xiàn)窄的色溫分布。在襯底上可布置多個根據(jù)實施方案的發(fā)光器件封裝，并且可設(shè)置導(dǎo)光板、棱鏡板、 擴(kuò)展板和熒光板作為在由發(fā)光器件封裝發(fā)射的光的路徑上的光學(xué)元件。發(fā)光器件封裝、襯 底和光學(xué)元件用作背光單元或者照明單元。例如，照明系統(tǒng)可包括背光單元、照明單元、指 示器、燈和路燈。圖9是根據(jù)一個實施方案的照明單元1100的立體圖。照明單元1100是照明系統(tǒng) 的一個實例，但是本公開不限于此。參考圖9，照明單元1100可包括殼體1110、設(shè)置于殼體1110中的發(fā)光模塊1130、 以及設(shè)置于殼體1110中以接收來自外部電源的電力的接線端子1120。殼體1110可由具有改善的散熱特性的材料形成。例如，殼體1110可由金屬材料 或者樹脂材料形成。發(fā)光模塊1130可包括襯底1132和在襯底1132上安裝的至少一個發(fā)光器件封裝 500?？稍诮^緣材料上印刷電路圖案以形成襯底1132。例如，襯底1132可包括印刷電路 板(PCB)、金屬芯PCB、柔性PCB或者陶瓷PCB。而且，襯底1132可由可有效反射光的材料形成。襯底1132的表面可涂有色材料， 例如通過其有效反射光的白色或者銀色材料。發(fā)光器件封裝500可安裝在襯底1132上。發(fā)光器件封裝500可包括至少一個發(fā) 光器件芯片200。發(fā)光器件封裝500不限于第一實施方案，因此可包括根據(jù)第二至第四實施方案的發(fā)光器件封裝500b、500c或者500d。發(fā)光模塊1130可包括多個發(fā)光器件封裝500以獲得各種顏色和亮度。例如，白色 發(fā)光器件、紅色發(fā)光器件和綠色發(fā)光器件可彼此結(jié)合設(shè)置以確保高顯色指數(shù)(CRI)。接線端子1120可與發(fā)光模塊1130電連接以供電。如圖9所示，雖然接線端子1120 以插座方式旋入外部電源中，但是本公開不限于此。例如，接線端子1120可為插銷型。因 此，接線端子1120可插入外部電源中或者使用互連與外部電源連接。圖10是根據(jù)一個實施方案的背光單元1200的分解立體圖。照明單元1200 是照 明系統(tǒng)的一個實例，但是本公開不限于此。根據(jù)一個實施方案的背光單元1200可包括導(dǎo)光板1210、發(fā)光模塊1240、反射元 件1220和底蓋1230，但是不限于此。發(fā)光模塊1240可為導(dǎo)光板1210提供光?？稍趯?dǎo)光 板1210下設(shè)置反射元件1220。底蓋1230可容納導(dǎo)光板1210、發(fā)光模塊1240和反射元件 1220。導(dǎo)光板1210將光散射以產(chǎn)生平面光。導(dǎo)光板1210可由透明材料形成。例如，導(dǎo)光 板1210可由基于丙烯酸樹脂的材料例如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚對苯二甲酸乙二醇 酯(PET)樹脂、聚碳酸酯(PC)樹脂、環(huán)烯烴共聚物(COC)樹脂和聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN) 樹脂中的一種形成。發(fā)光模塊1240為導(dǎo)光板1210的至少一個表面提供光。因此，發(fā)光模塊1240可用 作包括背光單元的顯示器的光源。發(fā)光模塊1240可接觸導(dǎo)光板1210，但是不限于此。特別地，發(fā)光模塊1240可包括 襯底1242和安裝在襯底1242上的多個發(fā)光器件封裝500。襯底1242可接觸導(dǎo)光板1210， 但是不限于此。襯底1242可為包括電路圖案(未顯示)的PCB。然而，襯底1242可包括金屬芯 PCB或者柔性PCB以及PCB，但是不限于此。所述多個發(fā)光器件封裝500可設(shè)置在襯底1242上，并且其各個發(fā)光表面可與導(dǎo)光 板1210間隔開預(yù)定距離?？稍趯?dǎo)光板1210下設(shè)置反射元件1220。反射元件1220將入射到導(dǎo)光板1210的 下表面上的光反射以沿著向上的方向行進(jìn)，由此改善背光單元的亮度。例如，反射元件可由 PET、PC和PVC中的一種形成，但是不限于此。底蓋1230可容納導(dǎo)光板1210、發(fā)光模塊1240和反射元件1220。為此，底蓋1230 可為具有開口上側(cè)的盒形，但是不限于此。底蓋1230可由金屬材料或者樹脂材料形成。而且，底蓋1230可使用壓制成形工 藝或者擠出模制工藝制造。如上所述，根據(jù)實施方案的照明系統(tǒng)包括根據(jù)實施方案的發(fā)光器件封裝，由此改
善可靠性。在本說明書中對〃 一個實施方案〃、‘‘實施方案〃、‘‘示例性實施方案〃等的任 何引用，表示與實施方案相關(guān)描述的具體的特征、結(jié)構(gòu)或特性包含于本發(fā)明的至少一個實 施方案中。在說明書不同地方出現(xiàn)的這些措詞不必都涉及相同的實施方案。此外，當(dāng)結(jié)合 任何實施方案描述具體的特征、結(jié)構(gòu)或特性時，認(rèn)為將這種特征、結(jié)構(gòu)或特性與實施方案的 其它特征、結(jié)構(gòu)或特性關(guān)聯(lián)均在本領(lǐng)域技術(shù)人員的范圍之內(nèi)。
雖然已經(jīng)參考若干說明性實施方案描述了實施方案，但是應(yīng)理解本 領(lǐng)域技術(shù)人員 可設(shè)計很多的其它改變和實施方案，這些也將落入本公開的原理的精神和范圍內(nèi)。更具體 地，在本公開、附圖和所附的權(quán)利要求的范圍內(nèi)，在本發(fā)明的組合排列的構(gòu)件和/或結(jié)構(gòu)中 可能具有各種的變化和改變。除構(gòu)件和/或結(jié)構(gòu)的變化和改變之外，對本領(lǐng)域技術(shù)人員而 言，可替代的用途也會是顯而易見的。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光器件封裝，包括發(fā)光器件芯片，所述發(fā)光器件芯片包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、在所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo) 體層上的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層以及在所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層和所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體 層之間的有源層；附著于所述發(fā)光器件芯片的上表面并從所述發(fā)光器件芯片的上表面垂直突出的至少 一個導(dǎo)線；和在所述發(fā)光器件芯片上的包封材料，其中所述包封材料包括磷光體，并且其中所述包 封材料的上表面的高度等于或者低于所述至少一個導(dǎo)線的高度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件封裝，其中所述包封材料的上表面是基本平坦的。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件封裝，其中所述包封材料具有凹凸上表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件封裝，還包括附著于所述發(fā)光器件芯片的上表面并且從所述發(fā)光器件芯片的上表面垂直突出的多 個導(dǎo)線，并且其中一個或者更多個所述導(dǎo)線是虛擬導(dǎo)線。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光器件封裝，其中所述多個導(dǎo)線設(shè)置在所述發(fā)光器件芯片 周圍。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光器件封裝，其中所述多個導(dǎo)線接觸所述發(fā)光器件芯片的 周邊部分。
7.一種發(fā)光器件封裝，包括發(fā)光器件芯片，所述發(fā)光器件芯片包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、在所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo) 體層上的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層以及在所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層和所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體 層之間的有源層；在所述發(fā)光器件芯片上的多個導(dǎo)線；和在包含于所述多個導(dǎo)線之間的所述發(fā)光器件芯片上的包封材料，其中所述包封材料包 括磷光體，并且其中所述多個導(dǎo)線中的至少之一是虛擬導(dǎo)線。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光器件封裝，其中所述多個導(dǎo)線設(shè)置在所述發(fā)光器件芯片 周圍，并且其中所述多個導(dǎo)線中的每一個定位為與其它導(dǎo)線中的對應(yīng)一個導(dǎo)線相對。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光器件封裝，其中所述多個導(dǎo)線包括兩個真實導(dǎo)線以及一 個或者更多個虛擬導(dǎo)線。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光器件封裝，其中所述多個導(dǎo)線中的每一個均接觸所述 發(fā)光器件芯片的最外部。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光器件封裝，其中所述多個導(dǎo)線中的每一個均與所述發(fā) 光器件芯片的上表面基本垂直，并且其中所述包封材料的高度等于或者低于所述多個導(dǎo)線 中的每一個的高度。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光器件封裝，其中所述包封材料具有基本平坦的上表面。
13.一種發(fā)光器件封裝，包括發(fā)光器件芯片，所述發(fā)光器件芯片包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、在所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo) 體層上的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層以及在所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層和所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體 層之間的有源層；在所述發(fā)光器件芯片上的至少一個導(dǎo)線；和在所述發(fā)光器件芯片上的包封材料，所述包封材料包括磷光體，其中所述導(dǎo)線接觸所述發(fā)光器件芯片的最外部。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的發(fā)光器件封裝，還包括在所述發(fā)光器件芯片上的多個導(dǎo)線，其中所述多個導(dǎo)線包括至少一個虛擬導(dǎo)線。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的發(fā)光器件封裝，其中所述至少一個導(dǎo)線垂直于所述發(fā)光器 件芯片的上表面，并且其中所述包封材料的高度等于或者低于所述至少一個導(dǎo)線的高度。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的發(fā)光器件封裝，其中所述包封材料具有平坦的上表面。
17.一種發(fā)光模塊，包括襯底；和在所述襯底上的發(fā)光器件封裝，其中所述發(fā)光器件封裝包括發(fā)光器件芯片，所述發(fā)光器件芯片包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、在所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo) 體層上的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層以及在所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層和所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體 層之間的有源層；附著于所述發(fā)光器件芯片的上表面并從所述發(fā)光器件芯片的上表面垂直突出的至少 一個導(dǎo)線；和在所述發(fā)光器件芯片上的包封材料，其中所述包封材料包括磷光體，并且其中所述包 封材料的上表面的高度等于或者低于所述至少一個導(dǎo)線的高度。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的發(fā)光模塊，其中所述發(fā)光器件封裝還包括附著于所述發(fā) 光器件芯片的上表面并且從所述發(fā)光器件芯片的上表面垂直突出的多個導(dǎo)線，并且其中所 述多個導(dǎo)線中的每一個設(shè)置在所述發(fā)光器件芯片的最外部的周圍。
全文摘要
本發(fā)明提供發(fā)光器件封裝和照明系統(tǒng)。發(fā)光器件封裝包括發(fā)光器件芯片、至少一個導(dǎo)線以及包封材料。發(fā)光器件芯片包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、在所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層上的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、和在所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層和所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層之間的有源層；導(dǎo)線在發(fā)光器件芯片上。包封材料在導(dǎo)線之外的發(fā)光器件芯片上并且包括磷光體。導(dǎo)線垂直于發(fā)光器件芯片的上表面，至少直至包封材料的高度。
文檔編號H01L33/48GK102044618SQ20101052266
公開日2011年5月4日 申請日期2010年10月20日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月22日
發(fā)明者黃貞夏 申請人:Lg伊諾特有限公司