專利名稱：Mos晶體管及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，特別涉及MOS晶體管及其制作方法。
背景技術(shù)：
金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)晶體管是半導(dǎo)體制造中的最基本器件，其廣泛適用于各種集成電路中，根據(jù)主要載流子以及制造時的摻雜類型不同，分為NMOS和PMOS晶體管?，F(xiàn)有技術(shù)提供了一種MOS晶體管的制作方法。請參考圖1至圖3，為現(xiàn)有技術(shù)的 MOS晶體管的制作方法剖面結(jié)構(gòu)示意圖。請參考圖1，提供半導(dǎo)體襯底100，在所述半導(dǎo)體襯底100內(nèi)形成隔離結(jié)構(gòu)101，所述隔離結(jié)構(gòu)101之間的半導(dǎo)體襯底100為有源區(qū)，在所述有源區(qū)內(nèi)形成摻雜阱(未示出)， 在摻雜阱內(nèi)進(jìn)行調(diào)整閾值電壓注入。然后，在所述隔離結(jié)構(gòu)101之間的半導(dǎo)體襯底100上形成柵介質(zhì)層102和柵極 103，所述柵介質(zhì)層102和柵極103構(gòu)成柵極結(jié)構(gòu)。繼續(xù)參考圖1，進(jìn)行氧化工藝，形成覆蓋所述柵極結(jié)構(gòu)的氧化層104。參考圖2，在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成源/漏延伸區(qū)105、包圍所述源/ 漏延伸區(qū)105的袋狀注入?yún)^(qū)108，所述源/漏延伸區(qū)105和袋狀注入?yún)^(qū)108通過離子注入形成。所述袋狀注入?yún)^(qū)108通過袋狀(pocket)離子注入形成。袋狀離子注入的離子的摻雜離子可以為磷離子(對于NMOS晶體管)或硼離子(對于PMOS晶體管)。參考圖3，在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底上形成柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)墻111。進(jìn)行源/漏區(qū)重?fù)诫s注入(S/D)，在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底100內(nèi)形成源/漏區(qū)112，最后，進(jìn)行退火工藝，激活源/漏延伸區(qū)105、袋狀注入?yún)^(qū)108、源/漏區(qū)112的摻雜離子。在公開號為CN 101789447A的中國專利申請中可以發(fā)現(xiàn)更多關(guān)于現(xiàn)有技術(shù)的信肩、ο在實(shí)際中發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有方法制作的MOS晶體管的瞬態(tài)增強(qiáng)擴(kuò)散效應(yīng)(Transistent Enhanced Diffusion, TED)較強(qiáng)，所述瞬態(tài)增強(qiáng)擴(kuò)散效應(yīng)不僅造成了晶體管的短溝道效應(yīng) (Short Channel effect, SCE)和反短溝道效應(yīng)(Reverse Short Channel Effect, RSCE), 而且影響晶體管溝道遷移率、結(jié)電容以及結(jié)漏電流。因此，需要一種MOS晶體管的制作方法，能夠抑制瞬態(tài)增強(qiáng)效應(yīng)，抑制器件的短溝道效應(yīng)和反短溝道效應(yīng)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是提供了一種MOS晶體管的制作方法，減小了瞬態(tài)增強(qiáng)效應(yīng)， 改善了器件的短溝道效應(yīng)和反短溝道效應(yīng)。為解決上述問題，本發(fā)明提供一種MOS晶體管的制作方法，包括提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有柵極結(jié)構(gòu)；
形成覆蓋所述柵極結(jié)構(gòu)的氧化層；對所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行退火工藝；在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底中形成源/漏延伸區(qū)、源/漏區(qū)?？蛇x地，所述退火的氣體為惰性氣體?？蛇x地，所述退火的氣體為氮?dú)??？蛇x地，所述退火為爐管退火?？蛇x地，所述退火的溫度范圍為750 900攝氏度，時間范圍為10分鐘 30分鐘， 升溫速率范圍為30 50攝氏度/秒，降溫速率范圍為30 50攝氏度/秒?？蛇x地，所述退火為快速熱退火?？蛇x地，所述退火的溫度為900 1000攝氏度，時間為10 60秒，升溫速率為 70 250攝氏度/秒?？蛇x地，所述氧化層通過氧化工藝形成?？蛇x地，所述氧化層的厚度范圍為1. 5 4納米。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明在形成氧化層后，對半導(dǎo)體襯底進(jìn)行退火，消除所述形成氧化層的工藝在半導(dǎo)體襯底內(nèi)造成的缺陷，對半導(dǎo)體襯底進(jìn)行修復(fù)，從而防止所述缺陷在后續(xù)的源/漏延伸區(qū)和源/漏區(qū)的摻雜離子擴(kuò)散，減少器件的氧化增強(qiáng)擴(kuò)散效應(yīng)；進(jìn)一步優(yōu)化地，所述退火為快速熱退火，所述退火利用氮?dú)膺M(jìn)行，與利用惰性氣體退火相比，氮?dú)庀雽?dǎo)體襯底的缺陷的效果好，對半導(dǎo)體襯底的修復(fù)效果好。


圖1至圖3是現(xiàn)有技術(shù)的MOS晶體管的制作方法剖面結(jié)構(gòu)示意圖。圖4是本發(fā)明的MOS晶體管制作方法流程示意圖。圖5 圖8是本發(fā)明一個實(shí)施例的MOS晶體管制作方法剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有技術(shù)形成MOS晶體管的方法中，在柵極結(jié)構(gòu)外圍形成氧化層對柵極進(jìn)行保護(hù)，所述氧化層利用氧化工藝形成，所述氧化工藝會在半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成缺陷， 所述缺陷是由氧化增強(qiáng)擴(kuò)散(Oxidation-Enhanced Diffusion, 0ED)效應(yīng)引起。由于氧化增強(qiáng)擴(kuò)散效應(yīng)引起的缺陷在后續(xù)的退火工藝中會擴(kuò)散，使得源/漏延伸區(qū)和袋狀注入?yún)^(qū)的摻雜離子隨之?dāng)U散，引起瞬態(tài)增強(qiáng)效應(yīng)，引起了器件的短溝道效應(yīng)和反短溝道效應(yīng)。經(jīng)過研究發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，如果在柵極結(jié)構(gòu)外圍形成氧化層后，利用退火工藝對所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行修復(fù)，消除半導(dǎo)體襯底內(nèi)的缺陷，可以避免所述在后續(xù)激活離子的退火工藝中擴(kuò)散，從而避免源/漏延伸區(qū)和袋狀注入?yún)^(qū)的摻雜離子擴(kuò)散，消除瞬態(tài)增強(qiáng)效應(yīng)、器件的短溝道效應(yīng)和反短溝道效應(yīng)，并且可以改善器件的載流子的遷移率，提高晶體管驅(qū)動電流能力。因此，發(fā)明人提出一種MOS晶體管的制作方法，請參考圖4，為本發(fā)明的MOS晶體管制作方法流程示意圖。所述方法包括步驟Si，提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有柵極結(jié)構(gòu)；
步驟S2，形成覆蓋所述柵極結(jié)構(gòu)的氧化層；步驟S3，對所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行退火工藝；步驟S4，在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底中形成源/漏延伸區(qū)、源/漏區(qū)。下面將結(jié)合具體的實(shí)施例對本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)的描述。請參考圖5 圖 8，為本發(fā)明一個實(shí)施例的MOS晶體管制作方法剖面結(jié)構(gòu)示意圖。首先，請參考圖5，提供半導(dǎo)體襯底200，所述半導(dǎo)體襯底200內(nèi)形成有隔離結(jié)構(gòu) 201，所述隔離結(jié)構(gòu)201之間的區(qū)域?yàn)橛性磪^(qū)。所述半導(dǎo)體襯底200上形成有柵介質(zhì)層202 和柵極203，所述柵介質(zhì)層202與柵極203構(gòu)成柵極結(jié)構(gòu)。其中，所述半導(dǎo)體襯底200可以為硅(Si)或絕緣體上硅(SOI)。所述隔離結(jié)構(gòu)201 可以為淺溝槽隔離(STI)結(jié)構(gòu)或者局部氧化硅(LOCOS)隔離結(jié)構(gòu)。所述隔離結(jié)構(gòu)201之間的半導(dǎo)體襯底200為有源區(qū)。所述有源區(qū)內(nèi)還形成有摻雜阱(未示出)。所述摻雜阱通過擴(kuò)散或離子注入的方法形成。所述摻雜阱的摻雜離子的類型與該有源區(qū)待形成的MOS晶體管的種類有關(guān)，若待形成的MOS晶體管的導(dǎo)電溝道為N型， 則所述摻雜阱的摻雜離子為P型，例如可以為硼離子。若待形成的MOS晶體管的導(dǎo)電類型為P型，則所述摻雜阱的摻雜離子為N型，例如為磷離子。所述柵介質(zhì)層202可以為氧化硅(SiO2)或氮氧化硅(SiNO)。在65nm以下工藝節(jié)點(diǎn)，柵極的特征尺寸很小，柵介質(zhì)層202優(yōu)選高介電常數(shù)(高K)材料。所述高K材料包括氧化鉿、氧化鉿硅、氮氧化鉿硅、氧化鑭、氧化鋯、氧化鋯硅、氧化鈦、氧化鉭、氧化鋇鍶鈦、氧化鋇鈦、氧化鍶鈦、氧化鋁等。特別優(yōu)選的是氧化鉿、氧化鋯和氧化鋁。柵介質(zhì)層202的形成工藝可以采用本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的任何現(xiàn)有技術(shù)，比較優(yōu)選的為化學(xué)氣相沉積法，柵極介電層110的厚度為15到60埃。所述柵極203可以是包含半導(dǎo)體材料的多層結(jié)構(gòu)，例如硅、鍺、金屬或其組合。所述柵極203的形成工藝可以采用本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的任何現(xiàn)有技術(shù)，比較優(yōu)選的為化學(xué)氣相沉積法，例如低壓等離子體化學(xué)氣相沉積或者等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積工藝。柵極 203的厚度為800到3000埃。然后，參考圖6，進(jìn)行氧化工藝，形成覆蓋所述柵極結(jié)構(gòu)的氧化層204。所述氧化工藝的溫度為700 1200攝氏度，時間為10 100分鐘。本實(shí)施例中所述氧化工藝時間范圍為15分鐘 40分鐘。利用上述工藝條件，形成的氧化層的厚度為 1. 5 4納米。所述氧化工藝會在整個半導(dǎo)襯底200表面形成氧化層，然后，需要進(jìn)行刻蝕工藝， 去除位于柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底200上的氧化層，保留覆蓋所述柵極結(jié)構(gòu)的氧化層 204。由于氧化工藝?yán)醚鯕馀c半導(dǎo)體襯底200的硅反應(yīng)，在半導(dǎo)體襯底200表面形成氧化層的同時，會消耗部分半導(dǎo)體襯底200的硅，使得部分硅原子形成懸掛鍵，在半導(dǎo)體襯底200內(nèi)形成缺陷。所述缺陷如果不消除，可能造成其在后續(xù)激活摻雜離子的退火工藝中擴(kuò)散，并引起摻雜離子隨著所述缺陷的擴(kuò)散而擴(kuò)散，從而引起器件的瞬態(tài)增強(qiáng)效應(yīng)、器件的短溝道效應(yīng)和反短溝道效應(yīng)，使得所述載流子的遷移率下降，影響晶體管的驅(qū)動電流能力。因此，在氧化工藝后，對所述半導(dǎo)體襯底200進(jìn)行退火工藝，以修復(fù)氧化工藝在所述半導(dǎo)體襯底200內(nèi)造成的缺陷。
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在進(jìn)行退火工藝以消除所述缺陷時，退火工藝的參數(shù)需要進(jìn)行優(yōu)化設(shè)置，以將半導(dǎo)體襯底200內(nèi)的缺陷消除。所述退火工藝的參數(shù)設(shè)置需要結(jié)合半導(dǎo)體襯底200內(nèi)的缺陷進(jìn)行具體的設(shè)置。所述缺陷的數(shù)目越高，需要的退火溫度越高，退火的時間也越長。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，氧化工藝在所述半導(dǎo)體襯底200內(nèi)造成的缺陷的數(shù)目與氧化層的厚度、氧化工藝的溫度、氧化工藝的時間有關(guān)系。具體地，氧化工藝的溫度越高，氧化的速度越快，從而在半導(dǎo)體襯底200內(nèi)形成的缺陷越多。氧化工藝的時間越長，在半導(dǎo)體襯底200內(nèi)形成的缺陷越多。氧化工藝要形成的氧化層的厚度越厚，在半導(dǎo)體襯底200內(nèi)形成的缺陷越多。作為一個實(shí)施例，所述氧化工藝的溫度為700 1200攝氏度，時間為10 100分鐘。本實(shí)施例中所述氧化工藝時間范圍為15分鐘 40分鐘。利用上述工藝條件，形成的氧化層的厚度為1.5 4納米。對應(yīng)地，若所述退火工藝為快速熱退火，所述快速熱退火的溫度范圍為900 1000攝氏度，時間為10 60秒，升溫速率為70 250攝氏度/秒；若所述退火工藝為爐管退火，所述退火的時間范圍為10 30分鐘。優(yōu)選地，所述退火工藝為快速熱退火，以利用快速熱退火具有升溫速率快和降溫速率快、退火時間短的優(yōu)點(diǎn)，充分修復(fù)半導(dǎo)體襯底200內(nèi)的缺陷。所述退火工藝(包括快速熱退火和爐管退火)的溫度設(shè)置與退火時間的長短具有一定的對應(yīng)關(guān)系。具體地，所述退火工藝的溫度越高，退火時間越短，所述退火工藝的溫度越低，退火時間越長。作為一個實(shí)施例，當(dāng)所述退火溫度設(shè)置為750 800攝氏度時，退火時間設(shè)置為20 30分鐘；當(dāng)退火工藝的溫度設(shè)置為850 900攝氏度時，退火的時間優(yōu)選為15 20分鐘；當(dāng)所述退火工藝的溫度設(shè)置為100 1050攝氏度時，退火的時間優(yōu)選為 1 10分鐘。所述退火工藝?yán)玫獨(dú)饣蚨栊詺怏w進(jìn)行。所述惰性氣體可以為氬氣、氦氣等。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，利用氮?dú)馔嘶?，修?fù)半導(dǎo)體襯底200內(nèi)的缺陷效果優(yōu)于利用惰性氣體的修復(fù)的效果，因此，所述退火工藝優(yōu)選利用氮?dú)膺M(jìn)行。所述退火工藝消除了所述半導(dǎo)體襯底200內(nèi)的缺陷，使得半導(dǎo)體襯底200內(nèi)的晶格結(jié)構(gòu)由無序變?yōu)檩^為整齊，避免半導(dǎo)體襯底內(nèi)的缺陷在后續(xù)的激活摻雜離子的退火工藝中擴(kuò)散。然后，參考圖7，對柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底進(jìn)行離子注入，形成源/漏延伸區(qū) 205、包圍所述源/漏延伸區(qū)205的袋狀注入?yún)^(qū)213。所述源/漏延伸區(qū)205的摻雜離子與要形成的晶體管溝道的導(dǎo)電類型有關(guān)，即當(dāng)要形成晶體管的溝道為N型導(dǎo)電類型時，所述源/漏延伸區(qū)205的摻雜離子可以為N型摻雜離子，例如可以為磷離子、砷離子；當(dāng)要形成晶體管的溝道為P型導(dǎo)電類型時，所述源/漏延伸區(qū)205的摻雜離子可以為P型摻雜離子，例如可以為硼離子、二氟化硼離子等。所述源 /漏延伸區(qū)205的摻雜離子的類型與現(xiàn)有技術(shù)相同，作為本領(lǐng)域技術(shù)人員的公知技術(shù)，在此不做詳細(xì)的說明。作為一個實(shí)施例，所述源/漏延伸區(qū)205離子為硼離子，離子注入的能量范圍為 2KeV至5KeV，離子注入劑量范圍為5E14至2E15/cm2。作為又一實(shí)施例，所述源/漏延伸區(qū) 205離子為磷離子或砷離子，離子注入的能量范圍為0. 5KeV至4KeV，離子注入劑量為5E14 至 2E15/cm2。
所述袋狀注入?yún)^(qū)213通過袋狀注入(Pocket implant)，所述袋狀注入的傾斜角度為20 40度注入，以便于袋狀注入?yún)^(qū)213包圍所述源/漏延伸區(qū)205。所述袋狀注入?yún)^(qū) 213的深度介于源/漏延伸區(qū)205與后續(xù)形成的源/漏區(qū)之間，所述袋狀注入?yún)^(qū)213的導(dǎo)電類型與源/漏延伸區(qū)205的導(dǎo)電類型相反。作為一個實(shí)施例，所述袋狀離子注入213的導(dǎo)電類型為P型，其摻雜離子為硼離子，其能量范圍為3KeV至8KeV，離子注入的劑量范圍為 2E13至5E13/cm2，袋狀離子注入的傾斜角度為25 37度。本發(fā)明所述的離子注入的傾斜角度，具體是指，離子束線(ion beam)的方向與半導(dǎo)體襯底的法線方向的夾角。作為優(yōu)選的實(shí)施例，在形成所述源/漏延伸區(qū)205、袋狀注入?yún)^(qū)213后，對所述源/ 漏延伸區(qū)205、袋狀注入?yún)^(qū)213的摻雜離子進(jìn)行退火，以修復(fù)離子注入工藝對半導(dǎo)體襯底造成的損傷，激活所述源/漏延伸區(qū)205、袋狀注入?yún)^(qū)213的摻雜離子。所述退火可以為爐管退火(furnace anneal)或快速熱退火(Rapid Thermal Anneal, RTA)。由于快速熱退火具有升/降溫速率快、工藝時間短、工藝均勻度好等優(yōu)點(diǎn)，作為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，利用快速熱退火對氮離子進(jìn)行退火。所述退火的氣體為氮?dú)夂脱鯕獾幕旌蠚怏w，所述氧氣在混合氣體中的體積比例為 10%。由于在退火氣氛中添加少量的氧氣，可以保護(hù)半導(dǎo)體襯底的硅，防止半導(dǎo)體襯底中的摻雜離子的劑量損失。需要說明的是，形成所述源/漏延伸區(qū)205、袋狀注入?yún)^(qū)213的順序可以根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行設(shè)置，例如可以首先形成所述源/漏延伸區(qū)205，然后形成所述袋狀注入?yún)^(qū)213 ；或者可以首先形成形成所述袋狀注入?yún)^(qū)213，最后形成所述源/漏延伸區(qū)205。作為其他的實(shí)施例，所述源/漏延伸區(qū)205、袋狀注入?yún)^(qū)213可以分別利用退火步驟進(jìn)行。但是源/漏延伸區(qū)205、袋狀注入?yún)^(qū)213分別退火，可能會增加半導(dǎo)體襯底的熱預(yù)算，在實(shí)際中本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)工藝的需要進(jìn)行選擇。然后，請參考圖8，在所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底上形成側(cè)墻211。形成側(cè)墻 211的方法與現(xiàn)有技術(shù)相同，作為本領(lǐng)域技術(shù)人員的公知技術(shù)，在此不做詳細(xì)的說明。最后，仍然參考圖8，在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底200內(nèi)進(jìn)行源/漏離子注入，形成晶體管的源/漏區(qū)212。所述源/漏離子注入作為本領(lǐng)域技術(shù)人員公知技術(shù)，在此不作詳細(xì)描述。經(jīng)過上述方法，形成的MOS晶體管請參考圖8，所述MOS晶體管包括半導(dǎo)體襯底 200，所述半導(dǎo)體襯底200內(nèi)形成有隔離結(jié)構(gòu)201，隔離結(jié)構(gòu)201之外的區(qū)域?yàn)橛性磪^(qū)；柵介質(zhì)層202和柵極202，位于有源區(qū)上方，所述柵介質(zhì)層202和柵極203構(gòu)成柵極結(jié)構(gòu)；側(cè)墻211，位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底200上；源/漏區(qū)212，分別位于所述側(cè)墻211兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底200內(nèi)；源/漏延伸區(qū)205，位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底200內(nèi)；袋狀注入?yún)^(qū)213，位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底200內(nèi)，所述袋狀注入?yún)^(qū) 213包圍所述源/漏延伸區(qū)205 ；氧化層204，覆蓋所述柵極結(jié)構(gòu)。綜上，本發(fā)明提供的MOS晶體管及其制作方法，在柵極結(jié)構(gòu)外圍形成氧化層后，進(jìn)行退火工藝，消除氧化工藝在半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成的缺陷，使得所述半導(dǎo)體襯底的晶格結(jié)構(gòu)更加優(yōu)化，之后形成源/漏延伸區(qū)、袋狀注入?yún)^(qū)和源/漏區(qū)，防止源/漏延伸區(qū)、袋狀注入?yún)^(qū)和源/漏區(qū)隨著缺陷的擴(kuò)散而擴(kuò)散，消除瞬態(tài)增強(qiáng)效應(yīng)、器件的短溝道效應(yīng)和反短溝道效應(yīng)，并且可以改善器件的載流子的遷移率，提高晶體管驅(qū)動電流能力。
雖然本發(fā)明己以較佳實(shí)施例披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種MOS晶體管的制作方法，其特征在于，包括 提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有柵極結(jié)構(gòu)； 形成覆蓋所述柵極結(jié)構(gòu)的氧化層；對所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行退火工藝；在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底中形成源/漏延伸區(qū)、源/漏區(qū)。
2.如權(quán)利要求1所述的MOS晶體管的制作方法，其特征在于，所述退火的氣體為惰性氣體。
3.如權(quán)利要求1所述的MOS晶體管的制作方法，其特征在于，所述退火的氣體為氮?dú)狻?br> 4.如權(quán)利要求1所述的MOS晶體管的制作方法，其特征在于，所述退火為爐管退火。
5.如權(quán)利要求1所述的MOS晶體管的制作方法，其特征在于，所述退火為快速熱退火。
6.如權(quán)利要求4或5所述的MOS晶體管的制作方法，其特征在于，所述退火的溫度范圍為750 900攝氏度，時間范圍為10分鐘 30分鐘，升溫速率范圍為30 50攝氏度/ 秒，降溫速率范圍為30 50攝氏度/秒。
7.如權(quán)利要求4或5所述的MOS晶體管的制作方法，其特征在于，所述退火的溫度為 900 1000攝氏度，時間為10 60秒，升溫速率為70 250攝氏度/秒。
8.如權(quán)利要求1所述的MOS晶體管的制作方法，其特征在于，所述氧化層通過氧化工藝形成。
9.如權(quán)利要求1所述的MOS晶體管的制作方法，其特征在于，所述氧化層的厚度范圍為 1. 5 4納米。
全文摘要
本發(fā)明提供一種MOS晶體管的制作方法，包括提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有柵極結(jié)構(gòu)；形成覆蓋所述柵極結(jié)構(gòu)的氧化層；對所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行退火工藝；在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底中形成源/漏延伸區(qū)、源/漏區(qū)。本發(fā)明改善了袋狀注入?yún)^(qū)和源/漏延伸區(qū)的摻雜離子隨著缺陷擴(kuò)散，消除了氧化增強(qiáng)擴(kuò)散效應(yīng)，抑制了瞬態(tài)增強(qiáng)擴(kuò)散效應(yīng)，減少了器件漏電流。
文檔編號H01L21/324GK102446762SQ20101050893
公開日2012年5月9日 申請日期2010年10月13日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月13日
發(fā)明者趙猛 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司