專利名稱：薄膜晶體管基板的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體元件的制作方法，特別是涉及一種薄膜晶體管基板的制作方法。
背景技術(shù)：
參閱圖1，薄膜晶體管基板是液晶顯示器中最重要的元件之一，其主要是由一透明玻璃基材11，及多數(shù)整齊排列形成在基材11上的畫素單元(Pixel unit) 12所構(gòu)成，該每一畫素單元12包括一薄膜晶體管結(jié)構(gòu)(TFT) 18、一與該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)18間隔設(shè)置的儲存電容(Cst) 19，及一令該薄膜晶體管(TFT)結(jié)構(gòu)18與該儲存電容(Cst) 19彼此電連接的畫素電極17，該儲存電容19依其位置設(shè)置不同而區(qū)分兩種，一種為與gate走線連接(Cs on gate)，另一種為與common走線連接(Cs on common，圖未示)，于本實施例中該儲存電容19 為以Cs on gate做說明。圖2是圖1中取自A-A直線的剖視圖，圖3-1，及圖3-2是圖1中取自B-B直線的剖視圖。參閱圖2，該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)18包括一形成在一基材11的閘極電極182、一覆蓋該基材11及該間極電極182表面的絕緣層183、一形成在該絕緣層183表面的主動半導(dǎo)體層184a、一形成在該主動半導(dǎo)體層18 表面，且彼此間隔一通道18 設(shè)置的摻雜半導(dǎo)體層184b、分別對應(yīng)形成在該摻雜半導(dǎo)體層184b上表面且彼此間隔該通道18 相對設(shè)置的一源極電極18 與一汲極電極185b、一形成于該源極電極18 和該汲極電極18 表面的保護(hù)層186，該保護(hù)層186具有二圍壁186a，且該每一圍壁186a分別界定出一令源極電極 185a、及汲極電極18 部份表面裸露的接觸窗(Contact hole) 185c。該儲存電容19的結(jié)構(gòu)可分別具有如圖3-1或3-2所示的結(jié)構(gòu)，圖3_1為具有MIS(Metal-Insulator-kmiconductor)結(jié)構(gòu)的儲存電容19，圖3-2為具有 MIM(Metal-Insulator-Metal)結(jié)構(gòu)的儲存電容19。參閱圖3-1，該具有MIS結(jié)構(gòu)的儲存電容19包括一形成在該基材11的第一電極192、一覆蓋該基材11及該第一電極192表面的絕緣層193、一形成在該絕緣層193表面的主動半導(dǎo)體層194a、一形成在該主動半導(dǎo)體層 194a表面的摻雜半導(dǎo)體層194b、一形成在該摻雜半導(dǎo)體層194b表面的金屬層195，及一形成在該金屬層195表面的導(dǎo)電層196，且該導(dǎo)電層196即為由覆蓋在該金屬層195表面的畫素電極17所形成；參閱圖3-2，該具有MIM結(jié)構(gòu)的儲存電容19包括一形成在該基材11的第一電極192、一覆蓋該基材11及該第一電極192表面的絕緣層193，及一覆蓋該絕緣層193 表面的導(dǎo)電層196，且該導(dǎo)電層196即為由覆蓋在該絕緣層193表面的畫素電極17所形成。該畫素電極17則是覆蓋該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)18與該儲存電容19的預(yù)定表面，并令該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)18與該儲存電容19借由該畫素電極17彼此電連接。參閱圖4，目前用來制作前述圖1所示的薄膜晶體管基板的方法，大部分的液晶顯示面板業(yè)者是采用包括一間極電極形成步驟101、一半導(dǎo)體層形成步驟102、一源/汲極電極形成步驟103、一接觸窗形成步驟104，及一畫素電極形成步驟105的五層光罩制程(5-PEP Process)來生產(chǎn)制造。配合參閱圖5，該閘極電極形成步驟101是在基材11上沉積形成一第一金屬層 1 與一由正型光阻材料構(gòu)成的光阻層200后，以微影蝕刻制程配合閘極光罩(Gate Mask) Ml令該第一金屬層1 形成該閘極電極(Gate electrode) 182。配合參閱圖6，該半導(dǎo)體層形成步驟102是自該基材11及該閘極電極182表面依序形成一絕緣膜183、一主動半導(dǎo)體膜14a、一摻雜半導(dǎo)體膜14b，及一由正型光阻材料構(gòu)成的光阻層200后，以微影蝕刻制程配合一半導(dǎo)體層光罩(Active mask)M2，移除未被該光阻層200遮覆的該主動半導(dǎo)體膜14a、該摻雜半導(dǎo)體膜14b，及該絕緣膜183a的結(jié)構(gòu)，而形成一對應(yīng)該間極電極182上方的一絕緣層183、一主動半導(dǎo)體層184a、一摻雜半導(dǎo)體層184b。配合參閱圖7，該源/汲極電極形成步驟103是于該摻雜半導(dǎo)體層184b表面成一第二金屬層15，及一光阻層200，以微影蝕刻制程配合一源/汲極電極光罩(S/DMask)M3于對應(yīng)該閘極電極182上方形成讓該主動半導(dǎo)體層18 露出的通道184e，并令該第二金屬層 15形成彼此間隔該通道18 相對設(shè)置的一源極電極18 和一汲極電極18恥。配合參閱圖8，該接觸窗形成步驟104是于該源極電極185a、汲極電極18 ，及該裸露的主動半導(dǎo)體層18 表面形成一保護(hù)層186，及一光阻層200，以微影蝕刻制程配合接觸窗光罩(Contact-hole mask)M4，將對應(yīng)該源極電極18 及汲極電極18 上方預(yù)計形成該接觸窗185c位置的保護(hù)層186結(jié)構(gòu)移除至該源極電極18 及汲極電極18 的部份表面裸露出，而形成分別令該源極電極18 及汲極電極18 部分表面裸露出的接觸窗 (Contact-hole)185c0配合參閱圖9，該畫素電極形成步驟105是于該保護(hù)層186及該兩接觸窗185c上形成一透明導(dǎo)電層17a，及一光阻層200，以微影蝕刻制程配合畫素電極光罩(Pixel Mask) M5將預(yù)定部份的透明導(dǎo)電層17a移除，形成畫素電極17，即完成該如圖2所示的薄膜晶體管基板的制作。另外，該儲存電容19則會在前述的微影蝕刻制程中一并制得，由于此制程為本技術(shù)領(lǐng)域熟知因此，在此不多加詳述。為了降低設(shè)備成本，目前也發(fā)展采用四層光罩制程或三層光罩制程制作薄膜晶體管基板；也就是采用具有除了完全透光和完全不透光的透光度之外，還具有透光度介于完全透光和完全不透光之間的多灰階光罩(Multi-tone mask,MTM)取代前述具有單一透光度 (即只具有完全透光和完全不透光的透光度)的該閘極光罩Ml、該半導(dǎo)體層光罩M2、該源/ 汲極電極光罩M3、該接觸窗光罩M4，或該畫素電極光罩M5。舉例來說，四層光罩制程就是用具有一個透光度介于完全透光和完全不透光之間的多灰階光罩直接取代該半導(dǎo)體層光罩M2和源/汲極電極光罩M3，并以前面所述的該半導(dǎo)體層形成步驟102、該源/汲極電極形成步驟103的實施過程制作薄膜晶體管基板；而三層光罩制程就是用兩個具有一個透光度介于完全透光和完全不透光之間的多灰階光罩，分別取代該半導(dǎo)體層光罩M2、該源/汲極電極光罩M3，和該接觸窗光罩M4，及該畫素電極光罩M5，并結(jié)合前面所述的該半導(dǎo)體層形成步驟102、該源/汲極電極形成步驟103，和該接觸窗形成步驟104、該畫素電極形成步驟105的實施過程制作薄膜晶體管基板。換句話說，目前減少光罩的制程，都是直接以具有一個不同透光度的多灰階光罩取代現(xiàn)有制程中的單一透光度光罩，配合原有的制程步驟制作薄膜晶體管基板，而達(dá)到降低昂貴的光罩設(shè)備成本的目的。參閱圖10，直接以多灰階光罩取代不同步驟使用的單一透光度光罩雖然可以降低光罩使用的數(shù)目而達(dá)到降低設(shè)備成本的目的，但是，以目前三層光罩制程為例，當(dāng)以多灰階光罩取代該接觸窗光罩M4和該畫素電極光罩M5，而要形成該畫素電極17時，由于該透明導(dǎo)電層17a會形成在該圖案化光阻200上，因此，最后會以剝離(lift-off)制程步驟移除不必要的光阻結(jié)構(gòu)，并同時將對應(yīng)形成在該圖案化光阻200上不必要的透明導(dǎo)電層17a —并移除而形成該畫素電極17，但是目前以剝離(lift-off)方式移除該導(dǎo)電層17a的過程時容易降低制程良率，同時，剝離后的導(dǎo)電層17a并不溶于去光阻液中，而容易造成過濾系統(tǒng)的濾網(wǎng)的阻塞反而造成其它設(shè)備的耗損。因此，如何引入多灰階光罩于現(xiàn)有的薄膜晶體管基板的制程中以降低設(shè)備成本， 同時又能簡化制程、提升制程良率，一直是本技術(shù)領(lǐng)域業(yè)者不斷追求改善的方向。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是在提供一種利用多灰階光罩(Multi-tone mask,MTM)制作薄膜晶體管基板的方法。因此，本發(fā)明一種薄膜晶體管基板的制作方法，其特征在于該薄膜晶體管基板的制作方法包括一間極電極形成步驟、一薄膜晶體管形成步驟，及一畫素電極形成步驟，該閘極電極形成步驟是自一基材向上依序形成一第一金屬層，及一第一光阻層后，以微影蝕刻制程配合一間極光罩令第一金屬層形成一間極電極，該薄膜晶體管形成步驟是自該基材， 及該間極電極向上依序形成一絕緣層、一主動半導(dǎo)體層、一摻雜半導(dǎo)體層、一第二金屬層、 一保護(hù)層，及一第二光阻層后，以微影蝕刻制程配合一多灰階光罩令該第二光阻層形成一遮覆該保護(hù)層、該第二金屬層、該摻雜半導(dǎo)體層，及該主動半導(dǎo)體層預(yù)定結(jié)構(gòu)的圖案化光阻層，且該圖案化光阻層在對應(yīng)該間極電極和該間極電極相反二側(cè)位置具有不同厚度，接著移除未被該圖案化光阻層遮覆的該保護(hù)層、該第二金屬層、該摻雜半導(dǎo)體層，及該主動半導(dǎo)體層的結(jié)構(gòu)，然后再以該圖案化光阻層為遮罩，配合多次蝕刻方式形成一對應(yīng)該閘極電極上方且令該主動半導(dǎo)體層裸露出的通道，及二位于該通道相反兩側(cè)并令該第二金屬層裸露的接觸窗，制得一對應(yīng)于該閘極電極的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，該畫素電極形成步驟是于該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的預(yù)定位置形成一由透明導(dǎo)電材料構(gòu)成的畫素電極，完成該薄膜晶體管基板的制作。本發(fā)明所述的薄膜晶體管基板的制作方法，該畫素電極形成步驟是先自該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)向上依序形成一透明導(dǎo)電層，及一第三光阻層后，以微影蝕刻制程令該透明導(dǎo)電層于預(yù)定位置形成該畫素電極，再將該具有非晶結(jié)構(gòu)的畫素電極進(jìn)行回火，令非晶結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)榻Y(jié)晶結(jié)構(gòu)。本發(fā)明所述的薄膜晶體管基板的制作方法，該畫素電極形成步驟是先自該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)表面形成一由透明導(dǎo)電材料構(gòu)成且具有非晶結(jié)構(gòu)的透明導(dǎo)電層，再以雷射退火方式將該透明導(dǎo)電層預(yù)定位置的結(jié)構(gòu)由非晶結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變成多晶結(jié)構(gòu)，接著將該透明導(dǎo)電層的非晶結(jié)構(gòu)蝕刻移除，令該殘留的透明導(dǎo)電層于預(yù)定位置形成一畫素電極，制得該薄膜晶體管基板。本發(fā)明所述的薄膜晶體管基板的制作方法，該畫素電極形成步驟是先自該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)表面形成一由透明導(dǎo)電材料構(gòu)成且具有非晶結(jié)構(gòu)的透明導(dǎo)電層，再利用雷射移除方式將該透明導(dǎo)電層的預(yù)定結(jié)構(gòu)移除，令殘留的透明導(dǎo)電層于預(yù)定位置形成一畫素電極， 制得該薄膜晶體管基板。本發(fā)明所述的薄膜晶體管基板的制作方法，該薄膜晶體管形成步驟中的該多灰階光罩具有一完全透光灰階、一完全不透光灰階，及至少二不同透光度的透光灰階。本發(fā)明所述的薄膜晶體管基板的制作方法，該薄膜晶體管形成步驟的該絕緣層、 該主動半導(dǎo)體層、該摻雜半導(dǎo)體層，及該保護(hù)層是由化學(xué)沉積方式形成，該第二金屬層是以濺鍍方式形成，且用以進(jìn)行化學(xué)沉積及濺鍍的設(shè)備為彼此相鄰設(shè)置。此外，本發(fā)明一種薄膜晶體管基板的制作方法，其特征在于該薄膜晶體管基板的制作方法包括一間極電極形成步驟、一薄膜晶體管形成步驟，及一畫素電極形成步驟，該閘極電極形成步驟是自一基材向上依序形成一第一金屬層，及一第一光阻層后，以微影蝕刻制程配合一間極光罩令第一金屬層形成相間隔的一間極電極，及一第一電極，該薄膜晶體管形成步驟是自該基材、該間極電極，及該第一電極表面向上依序形成一絕緣層、一主動半導(dǎo)體層、一摻雜半導(dǎo)體層、一第二金屬層、一保護(hù)層，及一第二光阻層后，以微影蝕刻制程配合一多灰階光罩令該第二光阻層形成一遮覆該保護(hù)層、該第二金屬層、該摻雜半導(dǎo)體層，及該主動半導(dǎo)體層的預(yù)定結(jié)構(gòu)，且對應(yīng)該間極電極、該間極電極相反二側(cè)位置，及該第一電極具有不同厚度的圖案化光阻層，接著移除未被該圖案化光阻層遮覆的該保護(hù)層、該第二金屬層、該摻雜半導(dǎo)體層，及該主動半導(dǎo)體層的結(jié)構(gòu)，然后以該圖案化光阻層為遮罩，配合多次蝕刻方式將對應(yīng)于該第一電極上方的該保護(hù)層結(jié)構(gòu)移除，形成一對應(yīng)該閘極電極上方且令該主動半導(dǎo)體層裸露出的通道，及二位于該通道相反兩側(cè)并令該第二金屬層裸露的接觸窗，而制得一對應(yīng)于該閘極電極的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，及一對應(yīng)于該第一電極的介電結(jié)構(gòu)，該畫素電極形成步驟，于該薄膜電晶體結(jié)構(gòu)的預(yù)定位置形成一由透明導(dǎo)電材料構(gòu)成的畫素電極。本發(fā)明所述的薄膜晶體管基板的制作方法，該畫素電極形成步驟是先自該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)向上依序形成一透明導(dǎo)電層，及一第三光阻層后，以微影蝕刻制程配合一畫素電極光罩令該透明導(dǎo)電層于預(yù)定位置形成一畫素電極，再將該非晶結(jié)構(gòu)的畫素電極進(jìn)行回火，令非晶結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)榻Y(jié)晶結(jié)構(gòu)，制得該薄膜晶體管基板。本發(fā)明所述的薄膜晶體管基板的制作方法，該畫素電極形成步驟是先自該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)表面形成一由透明導(dǎo)電材料構(gòu)成且具有非晶結(jié)構(gòu)的透明導(dǎo)電層，再以雷射退火方式將該透明導(dǎo)電層預(yù)定位置的結(jié)構(gòu)由非晶結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變成多晶結(jié)構(gòu)，再將該透明導(dǎo)電層的非晶結(jié)構(gòu)蝕刻移除，令該殘留的透明導(dǎo)電層于預(yù)定位置形成一畫素電極，制得該薄膜晶體管基板。本發(fā)明所述的薄膜晶體管基板的制作方法，該畫素電極形成步驟是先自該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)表面形成一由透明導(dǎo)電材料構(gòu)成且具有非晶結(jié)構(gòu)的透明導(dǎo)電層，再利用雷射移除方式將該透明導(dǎo)電層的預(yù)定結(jié)構(gòu)移除，令殘留的透明導(dǎo)電層于預(yù)定位置形成一畫素電極， 制得該薄膜晶體管基板。本發(fā)明所述的薄膜晶體管基板的制作方法，該薄膜晶體管形成步驟中配合的該多灰階光罩具有一完全透光灰階、一完全不透光灰階，及至少二不同的透光灰階，且該薄膜晶體管形成步驟形成的圖案化光阻層是令其在對應(yīng)預(yù)定形成該通道的位置處具有最小厚度。
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本發(fā)明所述的薄膜晶體管基板的制作方法，該薄膜晶體管形成步驟是在形成該二接觸窗時一并將對應(yīng)于該第一電極位置的該保護(hù)層結(jié)構(gòu)移除。本發(fā)明所述的薄膜晶體管基板的制作方法，該薄膜晶體管形成步驟中配合的該多灰階光罩具有一完全透光灰階、一完全不透光灰階，及至少三不同的透光灰階，且在對應(yīng)該第一電極的位置處具有最小厚度。本發(fā)明所述的薄膜晶體管基板的制作方法，該薄膜晶體管形成步驟是先將對應(yīng)該第一電極位置的光阻層結(jié)構(gòu)移除后，再移除對應(yīng)該第一電極位置處的保護(hù)層結(jié)構(gòu)至該處的主動半導(dǎo)體層結(jié)構(gòu)裸露。本發(fā)明所述的薄膜晶體管基板的制作方法，該薄膜晶體管形成步驟的該絕緣層、 該主動半導(dǎo)體層、該摻雜半導(dǎo)體層，及該保護(hù)層是由化學(xué)沉積方式形成，該第二金屬層是以濺鍍方式形成，且用以進(jìn)行化學(xué)沉積及濺鍍的設(shè)備為彼此相鄰設(shè)置。本發(fā)明的有益效果在于利用一個具有多種不同透光灰階的多灰階光罩，結(jié)合傳統(tǒng)五層光罩的制程，不僅可有效提升制程良率，且可減低光罩?jǐn)?shù)量，有效降低整體制作過程的光罩設(shè)備成本。


圖1是一種以往「薄膜晶體管基板」的輔視示意圖；圖2是該以往薄膜晶體管基板沿A-A直線的剖視圖；圖3-1是該以往薄膜晶體管基板沿B-B直線的剖視圖，且該儲存電容為MIS結(jié)構(gòu)；圖3-2是該以往薄膜晶體管基板沿B-B直線的剖視圖，且該儲存電容為MIM結(jié)構(gòu)；圖4是該以往薄膜晶體管基板的制作方法的制程流程圖；圖5是輔助說明圖4該閘極電極形成步驟的示意圖；圖6是輔助說明圖4該主動半導(dǎo)體層形成步驟的示意圖；圖7是輔助說明圖4該源/汲極電極形成步驟的示意圖；圖8是輔助說明圖4該接觸窗形成步驟的示意圖；圖9是輔助說明圖4該畫素電極形成步驟的示意圖；圖10是說明以往以三層光罩制程進(jìn)行光阻剝離時，導(dǎo)電層一并被移除的光阻結(jié)構(gòu)帶動而剝離的示意圖；圖11是一說明本發(fā)明薄膜晶體管基板的制作方法的第一較佳實施例的流程圖；圖12是一說明以本發(fā)明薄膜晶體管基板的制作方法的第一較佳實施例制作而得的薄膜晶體管基板的剖視圖；圖13是輔助說明圖11該閘極電極形成步驟的示意圖；圖14是輔助說明圖11該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)形成步驟的示意圖；圖15是輔助說明圖11該畫素電極形成步驟的示意圖；圖16是一說明以本發(fā)明薄膜晶體管基板的制作方法的第二較佳實施例制作而得的薄膜晶體管基板的剖視圖；圖17是輔助說明該第二較佳實施例的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)形成步驟的示意圖。
具體實施方式
下面結(jié)合附圖及實施例對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明首先要說明的是，本發(fā)明薄膜晶體管基板的制作方法可同時用于制作單獨的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，及同時具有薄膜晶體管結(jié)構(gòu)及儲存電容的薄膜晶體管基板，以下的兩個較佳實施例為以制作同時具有薄膜晶體管結(jié)構(gòu)及儲存電容的薄膜晶體管基板為例作說明。參閱圖11、圖12，本發(fā)明一種薄膜晶體管基板的制作方法的一第一較佳實施例是制作如圖12所示的薄膜晶體管基板。請先參閱圖12，與現(xiàn)有的薄膜晶體管基板類似，該薄膜晶體管基板由一透明玻璃基材31，及多數(shù)整齊排列形成在基材31上的畫素單元4所構(gòu)成。該每一畫素單元4包括一形成在該基材31上的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)32、一形成在該基材31，與該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)32間隔設(shè)置的儲存電容33、及一覆蓋該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)32與該儲存電容33，令該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)32與該儲存電容33彼此電連接的畫素電極34。該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)32包括一形成在該基材31的閘極321、一覆蓋該基材31及該閘極電極321表面的絕緣層322、一形成在該絕緣層322表面的主動半導(dǎo)體層323a、一形成在該主動半導(dǎo)體層323a表面，且彼此間隔一通道35設(shè)置的摻雜半導(dǎo)體層32 、形成在該摻雜半導(dǎo)體層32 上表面且彼此間隔該通道35相對設(shè)置的一源極電極3M和一汲極電極 325、一形成于該源極電極3M與該汲極電極325上表面的保護(hù)層326，該保護(hù)層3 具有二圍壁3^a，且該每一圍壁326a分別界定出一令該源極電極324、及該汲極電極325部份面裸露的接觸窗36。該儲存電容33的結(jié)構(gòu)為一般通稱的MlS(metal-insulator-kmiconductor)結(jié)構(gòu)，包括一形成在基材31的第一電極331、一覆蓋該第一電極331的絕緣層332、一形成在該絕緣層332表面的主動半導(dǎo)體層333a、一形成在該主動半導(dǎo)體層333a表面的摻雜半導(dǎo)體層33北，及一形成在該摻雜半導(dǎo)體層33 表面的第二金屬334。該畫素電極34覆蓋該二圍壁3^a，及該二接觸窗36界定的源極電極3M與汲極電極325裸露的表面，并自該汲極電極325延伸覆蓋該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)32鄰近該儲存電容 33的一側(cè)面，及該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)32與該儲存電容33之間的基材31表面，至覆蓋儲存電容33頂面。詳細(xì)地說，該閘極電極321與該第一電極331是選自Al、Cu、Mo、Ti、Cr、MoW、AlNd、 AlNiHf，或其中一組合構(gòu)成的單層結(jié)構(gòu)，或多層結(jié)構(gòu)，例如Mo/AINd或Mo/Al/Mo等雙層或三層結(jié)構(gòu)；該絕緣層322、332可選自氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、硅氧氮化物(SiOxNy)等材料，該主動半導(dǎo)體層323a、333a為由非晶硅(a_Si)構(gòu)成并形成在該絕緣層322、332表面，該摻雜半導(dǎo)體層323b、33!3b是由N型摻雜非晶硅(n+-a-Si)構(gòu)成，該源汲電極324、汲極電極325和該第二電極334是選自與該閘極電極321相同的材料所構(gòu)成的單層或多層結(jié)構(gòu)，該保護(hù)層3 為選自與該絕緣層322、332相同的材料所構(gòu)成，該畫素電極34為由例如 IT0、AZ0、GZ0、IZ0、CNTs等透明導(dǎo)電材料構(gòu)成，由于該畫素單元4的各材料種類選擇為本技術(shù)領(lǐng)域業(yè)者所周知且非為本發(fā)明的重點因此不再多加贅述。上述該薄膜晶體管基板在配合以下本發(fā)明薄膜晶體管基板的制作方法的第一較佳實施例的說明，當(dāng)可更清楚明白。參閱圖11，本發(fā)明薄膜晶體管基板的制作方法的第一較佳實施例包括一閘極電極形成步驟61、一薄膜晶體管形成步驟62，及一畫素電極形成步驟63。
配合參閱圖13，該閘極電極形成步驟61，是先在一基材31上沉積形成一層第一金屬層100，再以微影蝕刻制程令該第一金屬層100形成彼間隔設(shè)置的閘極電極(gate electrode)321，及第一電極 331。更詳細(xì)地說，是先在該第一金屬層100上形成一光阻層200，該光阻層200的材料可選自正型光阻材料或負(fù)型光阻材料，由于光阻材料的選擇為本技術(shù)領(lǐng)域者所周知，且非為本發(fā)明的重點因此不多加贅述，于本實施例中該光阻層200是以正型光阻材料為例作說明。再使用現(xiàn)有光罩制程中單一透光的閘極光罩M1，將前述形成的光阻層200于預(yù)定位置形成預(yù)定圖案化光阻后，再以濕式或干式蝕刻方式將未被預(yù)定圖案光阻覆蓋的第一金屬層100移除，最后再將預(yù)定圖案光阻移除，即可令第一金屬層形成閘極電極321與第一電極 331。配合參閱圖14，接著實施該薄膜晶體管形成步驟62，先自該基材31、該閘極電極 321，及該第一電極331表面依序形成一絕緣層301、一主動半導(dǎo)體層30 、一摻雜半導(dǎo)體層 302b、一第二金屬層303，及一保護(hù)層304 ；于本實施例中，是以相關(guān)化學(xué)氣相沉積(CVD)方式，例如電漿增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(以下簡稱PECVD)自該基材31、該閘極電極321、及該第一電極331表面依序沉積一由氮化硅(SiNx)構(gòu)成的絕緣層301、一由非晶硅(a-Si)構(gòu)成的主動半導(dǎo)體層30 ，和一由η+型非晶硅(n+-a-Si)構(gòu)成的摻雜半導(dǎo)體層302b，接著以濺鍍 (sputtering)或蒸鍍(evaporation)方式于該摻雜半導(dǎo)體層30 上形成一由Mo/Al/Mo構(gòu)成的第二金屬層303，最后再以PECVD方式沉積形成由氮化硅(SiNx)構(gòu)成的保護(hù)層304。特別要說明的是，由于本發(fā)明該絕緣層301、主動半導(dǎo)體層30 、摻雜半導(dǎo)體層 302b、第二金屬層303，及保護(hù)層304為連續(xù)沉積制得，因此，用以形成該些不同層體的設(shè)備，例如本實施中用以沉積該絕緣層301、主動半導(dǎo)體層30 、摻雜半導(dǎo)體層302b，及該保護(hù)層304的PECVD設(shè)備與形成該第二金屬層303的濺渡設(shè)備可彼此相鄰設(shè)置，不僅可用以節(jié)省設(shè)備空間，且由于本制程為連續(xù)沉積該些不同的鍍層后再進(jìn)行后續(xù)的沉積、微影，或蝕刻步驟，不像習(xí)知于每一層鍍層形成后均須經(jīng)過微影蝕刻制程，或必須因不連續(xù)沉積而再拉移出沉積設(shè)備后，因環(huán)境污染而必須要重新清洗才可進(jìn)行下一制程的沉積，因此，可避免因多次進(jìn)入各制程所造成的污染并可有效減少制程與傳輸時間。例如，于本實施例中用以進(jìn)行沉積前述該由SiNx\a-Si\n+a_Si\Mo\Al\Mo\SiNx 所構(gòu)成的絕緣層301\主動半導(dǎo)體層302a\摻雜半導(dǎo)體層302b\第二金屬層303\保護(hù)層 304的PECVD及濺鍍設(shè)備，可分別依制程需求彼此相鄰呈環(huán)狀排列，或是成直線排列；或是可進(jìn)一步將分別用以沉積不同材料，但為使用相同沉積方式，如于本實施例中SiNx\a_Si\ n+a-Si均為利用PECVD方式沉積，Μο\Α1\Μο為以濺鍍方式形成，因此，可以把分別用以沉積 SiNx、a-Si，及n+a-Si的PECVD設(shè)備，及沉積Mo、Al的濺鍍設(shè)備各自整合成單一制程設(shè)備， 而令其相鄰排列，如此，可更有效減少設(shè)備空間及制程與傳輸時間。接著于該保護(hù)層304上形成一光阻層200，再以微影蝕刻制程配合一多灰階光罩 MTMl令該光阻層200形成圖案化光阻層201。適用于本實施例的該多灰階光罩MTMl可為半調(diào)光罩(Half-tone mask)或灰階光罩Gray-tone mask)，半調(diào)光罩(Half-tone mask)為利用在透光基板上形成不同厚度的阻光膜層，而可令光線具有不同穿透度的光罩，光線在通過該不同厚度的阻光膜層時會造成曝光量不均勻，而使得光阻表面受到不同的曝光能量，因此，曝光后的光阻在顯影后會形成高度不一的圖案化光阻；而灰階光罩(Gray-tone mask)則是一種在透光基板上具有由不同寬度的光柵組成的微結(jié)構(gòu)的光罩，利用光穿過該微結(jié)構(gòu)造成的干涉及繞射效應(yīng)，造成曝光量不均勻，而使得光阻表面受到不同的曝光能量，因此，顯影后也會形成高度不一的圖案化光阻。于本實施例中，該多灰階光罩MTMl是以半調(diào)光罩為例作說明，借由阻光膜層的控制，可令其具有完全透光灰階G1、完全不透光灰階G2，及兩個透光度介于完全透光灰階Gl 和完全不透光灰階G2之間的透光灰階G3、G4，因此，以微影制程配合該多灰階光罩MTMl，即可令該圖案化光阻層201在對應(yīng)該閘極電極321預(yù)定形成該通道35的位置、位于該閘極電極321兩側(cè)預(yù)定形成該兩接觸窗36的位置，及對應(yīng)該第一電極331位置分別具有不同厚度 a及b，且厚度a具有最小厚度。接著，以濕式蝕刻及干式蝕刻方式分別將未被該圖案化光阻層201覆蓋的該保護(hù)層304及該第二金屬層303移除，再接著以該圖案化光阻層201為遮罩，利用多次蝕刻方式，于對應(yīng)該間極電極321位置形成該通道35，及二個位于該間極電極321位置兩側(cè)的接觸窗36。詳細(xì)地說，是先以灰化(Ashing)方式，將該圖案化光阻層201對應(yīng)該閘極電極321 預(yù)定形成通道35位置的光阻結(jié)構(gòu)移除，令該保護(hù)層304露出，接著，再以濕式蝕刻或干式蝕刻方式自該露出的保護(hù)層304向下蝕刻移除至該主動半導(dǎo)體層30 裸露出，令該第二金屬層303形成以該通道35彼此間隔的該源極電極324，及該汲極電極325 ；接著再將該圖案化光阻層201位于該閘極電極321兩側(cè)預(yù)定形成接觸窗36的光阻結(jié)構(gòu)，及對應(yīng)該第一電極 331位置的光阻結(jié)構(gòu)以灰化方式移除，令該保護(hù)層304露出，再以干式蝕刻方式將前述露出的該保護(hù)層304移除至該源極電極3M及該汲極電極325部份表面裸露，形成二個分別對應(yīng)該源極電極3 及該汲極電極325位置的接觸窗36，而得到對應(yīng)于該閘極電極321的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)32，及對應(yīng)該第一電極331的儲存電容33。接著，再于該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)32，及該儲存電容33的側(cè)壁裸露出的該主動半導(dǎo)體層30 ，及該摻雜半導(dǎo)體層302b表面形成一阻隔絕緣層，以保護(hù)該通道35防止短路，該阻隔絕緣層可以利用氧氮化(Oxyintridation)制程，或可再加入PSG制程、BSG制程，或BPSG 制程，再經(jīng)Reflow制程制得，由于該些制程為此技術(shù)領(lǐng)域者所知悉，且非為本技術(shù)的重點， 因此，不再多加贅述，于本實施例是利用氧氮化制程于該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)32，及該儲存電容 33側(cè)壁裸露出的該主動半導(dǎo)體層30加，及該摻雜半導(dǎo)體層302b表面形成一由SiOxNy構(gòu)成的阻隔絕緣層。配合參閱圖15，最后實施該畫素電極形成步驟63，于該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)32及該儲存電容33表面的預(yù)定位置形成一由透明導(dǎo)電材料構(gòu)成的畫素電極34。詳細(xì)的說，該畫素電極形成步驟63是以濺鍍(sputtering)或蒸鍍(evaporation) 方式先自該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)向上依序形成一包括ITO、AZO、IZO、GZO、CNTs等透明導(dǎo)電材料，且為非晶結(jié)構(gòu)的透明導(dǎo)電層，及一第三光阻層后，配合一畫素電極光罩M5，再以微影蝕刻制程將該透明導(dǎo)電層的預(yù)定部分移除，令該殘留的透明導(dǎo)電層于預(yù)定位置形成該畫素電極34，再將該具有非晶結(jié)構(gòu)的畫素電極34進(jìn)行回火，令其由非晶結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)榻Y(jié)晶結(jié)構(gòu)，即完成該薄膜晶體管基板的制作。
于本實施例中，該步驟63是先以濺鍍(sputtering)方式自該薄膜晶體管結(jié)構(gòu) 32及該儲存電容33表面形成一由氧化銦錫(ITO)為材料構(gòu)成且為非晶結(jié)構(gòu)的透明導(dǎo)電層305，再于該透明導(dǎo)電層305上形成一光阻層200，接著以微影制程配合現(xiàn)有五道光罩制程中的該畫素電極光罩M5，將該光阻層200于對應(yīng)該通道35及鄰近通道35的光阻結(jié)構(gòu)移除，形成圖案化光阻，再以濕式蝕刻方式將未被該圖案化光阻覆蓋的透明導(dǎo)電層305結(jié)構(gòu)移除，接著再將該圖案化光阻蝕刻移除后，即可于該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)32及該儲存電容33表面的預(yù)定位置形成該畫素電極34，最后再于TFT的活化溫度下將該畫素電極34進(jìn)行回火， 令其結(jié)構(gòu)由非晶結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變成結(jié)晶結(jié)構(gòu)，即得到如圖12所示的薄膜晶體管基板。值得一提的是，該畫素電極形成步驟63也可不必使用微影制程，而采用雷射退火處理方式使雷射光穿過光罩，令該透明導(dǎo)電層305的結(jié)晶結(jié)構(gòu)產(chǎn)生變化，并利用結(jié)晶結(jié)構(gòu)不同所造成的溶解度差之后，再以蝕刻方式將非晶結(jié)構(gòu)移除，而制得該畫素電極34，或是也可利用雷射移除方式，使雷射光穿過光罩直接將不必要的透明導(dǎo)電層305結(jié)構(gòu)移除，而制得該畫素電極34。具體地說，該雷射退火處理方式是先自該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)32表面形成一包括IT0、AZ0、IZ0、GZ0、CNTs等透明導(dǎo)電材料且具有非晶結(jié)構(gòu)的透明導(dǎo)電層305，再利用功率介于50 200mJ/cm2的雷射照射該透明導(dǎo)電層305的預(yù)定位置，令該被雷射照射后的透明導(dǎo)電層305的結(jié)構(gòu)由非晶結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變成多晶結(jié)構(gòu)，接著以濕式蝕刻方式，例如以草酸蝕刻液，將未被雷射照射仍維持非晶結(jié)構(gòu)的透明導(dǎo)電層305移除，令該殘留的透明導(dǎo)電層305于預(yù)定位置形成一畫素電極34，制得該薄膜晶體管基板。該畫素電極形成步驟63不論是利用微影制程或是雷射退火處理方式形成該畫素電極34，由于其所移除的透明導(dǎo)電層305均是非晶結(jié)構(gòu)，因此可利用蝕刻液(例如草酸蝕刻液)直接溶除，所以不會像現(xiàn)有的三道光罩制程以剝離方式移除透明導(dǎo)電層17a結(jié)構(gòu)時所造成的良率問題及過濾系統(tǒng)阻塞的問題，而可有效提升制程良率。參閱圖16、圖17，本發(fā)明薄膜晶體管基板的制作方法的一第二較佳實施例還可以制作如圖16所示的薄膜晶體管基板。參閱圖16，本發(fā)明該第二較佳實施例與該第一較佳實施例所制得的薄膜晶體管基板類似，是由一透明玻璃基材31，及多數(shù)個整齊排列形成在該基材31上的畫素單元4’所構(gòu)成，且該每一畫素單元4’包括一形成在該基材31上的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)32、一儲存電容33’， 及一畫素電極34，不同處在于該儲存電容33，為一般通稱的MIM(Metal-insulator-metal) 結(jié)構(gòu)，具有一形成在該基材31的第一電極331、一覆蓋該第一電極331的絕緣層332，及一形成在該絕緣層332上的第二電極335，且該第二電極335即為該覆蓋在該絕緣層332上的畫素電極；34所形成。本發(fā)明薄膜晶體管基板的制作方法的該第二較佳實施例與該第一較佳實施例的制作方法大致相同，不同處在于薄膜晶體管形成步驟62’。配合參閱圖17，該第二較佳實施例于進(jìn)行該薄膜晶體管形成步驟62’時使用的多灰階光罩MTM2仍是以半調(diào)光罩為例作說明，不同的是，該多灰階光罩MTM2具有完全透光 G1、完全不透光62，及另外三個不同透光灰階65、66、67，且透光度為67>66>65 ；因此， 以微影制程配合該多灰階光罩MTM2進(jìn)行微影制程時，即可令形成的圖案化光阻層202會在對應(yīng)該間極電極321上方預(yù)定形成通道35的位置、位于該間極電極321兩側(cè)預(yù)定形成接觸窗36的位置，及對應(yīng)該第一電極片331位置分別具有不同厚度a、b，及c，其中，c具有最小厚度，且b的厚度大于a。而再以該圖案化光阻層202為遮罩進(jìn)行多次蝕刻時，則是先將對應(yīng)該第一電極 331位置的光阻結(jié)構(gòu)移除，令該第一電極331上方位置的該保護(hù)層304露出，再分別以濕式蝕刻及干式蝕刻方式自該處的保護(hù)層304向下蝕刻移除該保護(hù)層304、該第二金屬層303， 至該主動半導(dǎo)體層30 裸露出，之后，再以與該第一較佳實施例相同的蝕刻方式形成該通道35及該二接觸窗36，而得到一對應(yīng)于該閘極電極321的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)32，及一對應(yīng)該第一電極331的介電結(jié)構(gòu)33a ；接著，再于該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)32的通道35形成一 SiOxNy絕緣層，即可制得如圖17所示的結(jié)構(gòu)。最后再進(jìn)行該畫素電極形成步驟63，于該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)32，及該介電結(jié)構(gòu)33a 預(yù)定表面位置該形成畫電極34后，即可制得如圖16所示具有該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)32與MIM 結(jié)構(gòu)的該儲存電容33’的畫素單元4’。本發(fā)明利用具有多種不同透光灰階的多灰階光罩同時取代現(xiàn)有五層光罩制程的半導(dǎo)體層光罩M2、源/汲極電極光罩M3和接觸窗光罩M4，可成功將薄膜晶體管基板的制程由五層光罩制程減少至三層光罩制程；同時，若進(jìn)一步利用雷射處理方式形成該畫素電極， 則更可以將薄膜晶體管的制程簡化到只有二層光罩制程，而有效簡化制程、降低光罩設(shè)備成本，同時，本發(fā)明設(shè)計的實施步驟過程并不使用lift-off制程，因此不會在移除不必要的光阻及導(dǎo)電層結(jié)構(gòu)時導(dǎo)致制程良率降低，以及剝離后的導(dǎo)電層結(jié)構(gòu)阻塞過濾系統(tǒng)反而造成其它設(shè)備耗損的問題，確實達(dá)成本發(fā)明的目的。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管基板的制作方法，其特征在于該薄膜晶體管基板的制作方法包括一閘極電極形成步驟、一薄膜晶體管形成步驟，及一畫素電極形成步驟，該間極電極形成步驟是自一基材向上依序形成一第一金屬層，及一第一光阻層后，以微影蝕刻制程配合一閘極光罩令第一金屬層形成一間極電極，該薄膜晶體管形成步驟是自該基材，及該間極電極向上依序形成一絕緣層、一主動半導(dǎo)體層、一摻雜半導(dǎo)體層、一第二金屬層、一保護(hù)層，及一第二光阻層后，以微影蝕刻制程配合一多灰階光罩令該第二光阻層形成一遮覆該保護(hù)層、 該第二金屬層、該摻雜半導(dǎo)體層，及該主動半導(dǎo)體層預(yù)定結(jié)構(gòu)的圖案化光阻層，且該圖案化光阻層在對應(yīng)該間極電極和該間極電極相反二側(cè)位置具有不同厚度，接著移除未被該圖案化光阻層遮覆的該保護(hù)層、該第二金屬層、該摻雜半導(dǎo)體層，及該主動半導(dǎo)體層的結(jié)構(gòu)，然后再以該圖案化光阻層為遮罩，配合多次蝕刻方式形成一對應(yīng)該間極電極上方且令該主動半導(dǎo)體層裸露出的通道，及二位于該通道相反兩側(cè)并令該第二金屬層裸露的接觸窗，制得一對應(yīng)于該閘極電極的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，該畫素電極形成步驟是于該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的預(yù)定位置形成一由透明導(dǎo)電材料構(gòu)成的畫素電極，完成該薄膜晶體管基板的制作。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板的制作方法，其特征在于所述的該畫素電極形成步驟是先自該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)向上依序形成一透明導(dǎo)電層，及一第三光阻層后，以微影蝕刻制程令該透明導(dǎo)電層于預(yù)定位置形成該畫素電極，再將該具有非晶結(jié)構(gòu)的畫素電極進(jìn)行回火，令非晶結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)榻Y(jié)晶結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板的制作方法，其特征在于所述的該畫素電極形成步驟是先自該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)表面形成一由透明導(dǎo)電材料構(gòu)成且具有非晶結(jié)構(gòu)的透明導(dǎo)電層，再以雷射退火方式將該透明導(dǎo)電層預(yù)定位置的結(jié)構(gòu)由非晶結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變成多晶結(jié)構(gòu)，接著將該透明導(dǎo)電層的非晶結(jié)構(gòu)蝕刻移除，令該殘留的透明導(dǎo)電層于預(yù)定位置形成一畫素電極，制得該薄膜晶體管基板。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板的制作方法，其特征在于所述的該畫素電極形成步驟是先自該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)表面形成一由透明導(dǎo)電材料構(gòu)成且具有非晶結(jié)構(gòu)的透明導(dǎo)電層，再利用雷射移除方式將該透明導(dǎo)電層的預(yù)定結(jié)構(gòu)移除，令殘留的透明導(dǎo)電層于預(yù)定位置形成一畫素電極，制得該薄膜晶體管基板。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板的制作方法，其特征在于所述的該薄膜晶體管形成步驟中的該多灰階光罩具有一完全透光灰階、一完全不透光灰階，及至少二不同透光度的透光灰階。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板的制作方法，其特征在于所述的該薄膜晶體管形成步驟的該絕緣層、該主動半導(dǎo)體層、該摻雜半導(dǎo)體層，及該保護(hù)層是由化學(xué)沉積方式形成，該第二金屬層是以濺鍍方式形成，且用以進(jìn)行化學(xué)沉積及濺鍍的設(shè)備為彼此相鄰設(shè)置。
7.一種薄膜晶體管基板的制作方法，其特征在于該薄膜晶體管基板的制作方法包括一閘極電極形成步驟、一薄膜晶體管形成步驟，及一畫素電極形成步驟，該間極電極形成步驟是自一基材向上依序形成一第一金屬層，及一第一光阻層后，以微影蝕刻制程配合一閘極光罩令第一金屬層形成相間隔的一間極電極，及一第一電極，該薄膜晶體管形成步驟是自該基材、該間極電極，及該第一電極表面向上依序形成一絕緣層、一主動半導(dǎo)體層、一摻雜半導(dǎo)體層、一第二金屬層、一保護(hù)層，及一第二光阻層后，以微影蝕刻制程配合一多灰階光罩令該第二光阻層形成一遮覆該保護(hù)層、該第二金屬層、該摻雜半導(dǎo)體層，及該主動半導(dǎo)體層的預(yù)定結(jié)構(gòu)，且對應(yīng)該間極電極、該間極電極相反二側(cè)位置，及該第一電極具有不同厚度的圖案化光阻層，接著移除未被該圖案化光阻層遮覆的該保護(hù)層、該第二金屬層、該摻雜半導(dǎo)體層，及該主動半導(dǎo)體層的結(jié)構(gòu)，然后以該圖案化光阻層為屏蔽，配合多次蝕刻方式將對應(yīng)于該第一電極上方的該保護(hù)層結(jié)構(gòu)移除，形成一對應(yīng)該閘極電極上方且令該主動半導(dǎo)體層裸露出的通道，及二位于該通道相反兩側(cè)并令該第二金屬層裸露的接觸窗，而制得一對應(yīng)于該閘極電極的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，及一對應(yīng)于該第一電極的介電結(jié)構(gòu)，該畫素電極形成步驟，于該薄膜電晶體結(jié)構(gòu)的預(yù)定位置形成一由透明導(dǎo)電材料構(gòu)成的畫素電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管基板的制作方法，其特征在于所述的該畫素電極形成步驟是先自該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)向上依序形成一透明導(dǎo)電層，及一第三光阻層后，以微影蝕刻制程配合一畫素電極光罩令該透明導(dǎo)電層于預(yù)定位置形成一畫素電極，再將該非晶結(jié)構(gòu)的畫素電極進(jìn)行回火，令非晶結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)榻Y(jié)晶結(jié)構(gòu)，制得該薄膜晶體管基板。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管基板的制作方法，其特征在于所述的該畫素電極形成步驟是先自該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)表面形成一由透明導(dǎo)電材料構(gòu)成且具有非晶結(jié)構(gòu)的透明導(dǎo)電層，再以雷射退火方式將該透明導(dǎo)電層預(yù)定位置的結(jié)構(gòu)由非晶結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變成多晶結(jié)構(gòu)，再將該透明導(dǎo)電層的非晶結(jié)構(gòu)蝕刻移除，令該殘留的透明導(dǎo)電層于預(yù)定位置形成一畫素電極，制得該薄膜晶體管基板。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管基板的制作方法，其特征在于所述的該畫素電極形成步驟是是先自該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)表面形成一由透明導(dǎo)電材料構(gòu)成且具有非晶結(jié)構(gòu)的透明導(dǎo)電層，再利用雷射移除方式將該透明導(dǎo)電層的預(yù)定結(jié)構(gòu)移除，令殘留的透明導(dǎo)電層于預(yù)定位置形成一畫素電極，制得該薄膜晶體管基板。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管基板的制作方法，其特征在于所述的該薄膜晶體管形成步驟中配合的該多灰階光罩具有一完全透光灰階、一完全不透光灰階，及至少二不同的透光灰階，且該薄膜晶體管形成步驟形成的圖案化光阻層是令其在對應(yīng)預(yù)定形成該通道的位置處具有最小厚度。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的薄膜晶體管基板的制作方法，其特征在于所述的該薄膜晶體管形成步驟，是在形成該二接觸窗時一并將對應(yīng)于該第一電極位置的該保護(hù)層結(jié)構(gòu)移除。
13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管基板的制作方法，其特征在于所述的該薄膜晶體管形成步驟中配合的該多灰階光罩具有一完全透光灰階、一完全不透光灰階，及至少三不同的透光灰階，且在對應(yīng)該第一電極的位置處具有最小厚度。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的薄膜晶體管基板的制作方法，其特征在于所述的該薄膜晶體管形成步驟是先將對應(yīng)該第一電極位置的光阻層結(jié)構(gòu)移除后，再移除對應(yīng)該第一電極位置處的保護(hù)層結(jié)構(gòu)至該處的主動半導(dǎo)體層結(jié)構(gòu)裸露。
15.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管基板的制作方法，其特征在于所述的該薄膜晶體管形成步驟的該絕緣層、該主動半導(dǎo)體層、該摻雜半導(dǎo)體層，及該保護(hù)層是由化學(xué)沉積方式形成，該第二金屬層是以濺鍍方式形成，且用以進(jìn)行化學(xué)沉積及濺鍍的設(shè)備為彼此相鄰設(shè)置。
全文摘要
本發(fā)明提供一種薄膜晶體管基板的制作方法，主要是利用一個具有多種不同透光度的多灰階光罩(Multi-tone mask，MTM)取代現(xiàn)有的薄膜晶體管制作時所使用具有單一透光度的光罩，而可簡化現(xiàn)在薄膜晶體管的五層光罩制程，不僅可使設(shè)備整合，降低設(shè)備投資、材料，及制作成本，且簡化光罩、降低光罩設(shè)計成本，可有效提升制程良率、降低生產(chǎn)時程(cycle time)及制程成本。
文檔編號H01L21/77GK102437114SQ201010501529
公開日2012年5月2日 申請日期2010年9月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月29日
發(fā)明者賴文儀 申請人:薛英家