專利名稱：發(fā)光面板以及發(fā)光面板的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及發(fā)光面板以及發(fā)光面板的制造方法。
背景技術(shù)：
有機電致發(fā)光元件(有機EL元件)為在陰極電極與陽極電極之間夾著例如電子 注入層、發(fā)光層、空穴注入層的層疊構(gòu)造。如果對陽極電極與陰極電極之間施加正向偏 置電壓，則從電子注入層向發(fā)光層注入電子，從空穴注入層向發(fā)光層注入空穴，在發(fā)光 層內(nèi)電子與空穴發(fā)生再結(jié)合，從而發(fā)光層發(fā)光。發(fā)光層及空穴注入層由有機化合物構(gòu)成，通過將在溶劑中溶解了這些材料的有 機化合物溶液涂布在各像素的電極上并使其干燥而形成。在彩色顯示器中，為了防止混 色，在相鄰的像素之間形成隔壁，防止了有機化合物溶液的混合(參照專利文獻1，日本 公開特許公報特開2007-234391號公報)。為了形成隔壁，有例如將感光性樹脂涂布在基板、使用光掩模圖形化的方法。 但是，需要另外制造隔壁形成用的光掩模。此外，如果光掩模的定位精度較低，則需要 設(shè)定符合精度的邊緣，所以有1個像素區(qū)域中的發(fā)光區(qū)域的面積的比率(開口率)下降的 問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是減少在發(fā)光面板的制造時使用的光掩模的片數(shù)、并且實現(xiàn)開口
率的提高。為了解決以上的問題，根據(jù)本發(fā)明的一個技術(shù)方案，提供一種發(fā)光面板，具 備遮光部，形成在基板的上部，具有開口；第一電極，形成在上述遮光部的上述開口 的上部；隔壁，具有使上述第一電極的至少一部分露出的開口，并具備與上述遮光部的 開口形狀對應(yīng)的開口；第二電極，形成在上述第一電極的上方；以及載體輸送層，形成 在上述第一電極與上述第二電極之間，至少由一層構(gòu)成。優(yōu)選的是，在技術(shù)方案1所述的發(fā)光面板中，上述遮光部由導(dǎo)電性材料形成。優(yōu)選的是，技術(shù)方案1所述的發(fā)光面板具備對向上述第一電極的電力供給進行 控制的像素晶體管。上述遮光部將上述像素晶體管遮光。優(yōu)選的是，在技術(shù)方案3所述的發(fā)光面板中，上述遮光部包括布線，上述布線 連接至上述像素晶體管。優(yōu)選的是，在技術(shù)方案3所述的發(fā)光面板中，上述遮光部與連接至上述像素晶 體管的某個布線導(dǎo)通。優(yōu)選的是，在技術(shù)方案1所述的發(fā)光面板中，上述隔壁包括由感光性樹脂材料 形成的第一隔壁以及設(shè)置在上述第一隔壁下的第二隔壁。優(yōu)選的是，在技術(shù)方案6所述的發(fā)光面板中，僅對上述第一隔壁的上面實施了 疏液處理。
根據(jù)本發(fā)明的另一技術(shù)方案，提供一種發(fā)光面板的制造方法，該發(fā)光面板具 備第一電極，形成在基板上；第二電極，形成在上述第一電極的上方；以及載體輸送 層，形成在上述第一電極與上述第二電極之間，至少由一層構(gòu)成，該發(fā)光面板的制造方 法包括對設(shè)有具有開口的遮光部的上述基板的上面?zhèn)韧坎颊透泄庑詷渲墓ば?；?上述遮光部為掩模，從上述基板的下面朝向上述正型感光性樹脂照射光而形成隔壁的工 序，該隔壁具有與上述遮光部的上述開口的形狀對應(yīng)的形狀的開口。 優(yōu)選的是，技術(shù)方案8所述的發(fā)光面板的制造方法還包括在涂布上述正型感光 性樹脂之前、形成對上述光具有透射性的上述第一電極的工序。優(yōu)選的是，技術(shù)方案8所述的發(fā)光面板的制造方法還包括在形成具有上述開口 的隔壁的工序之后、在上述隔壁上及上述開口的內(nèi)部涂布疏液劑、從上述基板的下面照 射光、并將上述開口內(nèi)部的上述疏液劑分解的工序。優(yōu)選的是，在技術(shù)方案8所述的發(fā)光面板的制造方法中，上述疏液劑由下述化 合物構(gòu)成，該化合物具有在環(huán)上至少具有一個氮原子的雜環(huán)、多個硫醇基以及通過上述 硫醇基結(jié)合的氟化烷基。優(yōu)選的是，技術(shù)方案8所述的發(fā)光面板的制造方法還包括在涂布上述正型感光 性樹脂的工序之前，在上述遮光部的上方形成對向上述第一電極的電力供給進行控制的 像素晶體管的工序。優(yōu)選的是，在技術(shù)方案12所述的發(fā)光面板的制造方法中，上述遮光部包括布 線，上述布線連接至上述像素晶體管。優(yōu)選的是，在技術(shù)方案12所述的發(fā)光面板的制造方法中，上述遮光部與連接至 上述像素晶體管的某個布線導(dǎo)通。根據(jù)本發(fā)明的另一技術(shù)方案，提供一種發(fā)光面板，具備第一電極，形成在基 板上；第二電極，形成在上述第一電極的上方；以及載體輸送層，形成在上述第一電極 與上述第二電極之間，至少由一層構(gòu)成，上述發(fā)光面板具備隔壁，該隔壁是在設(shè)有具有 開口的遮光部的上述基板的上面?zhèn)韧坎颊透泄庑詷渲⒉⒁陨鲜稣诠獠繛檠谀纳鲜?基板的下面朝向上述正型感光性樹脂照射光而形成的，并具有與上述遮光部的上述開口 的形狀對應(yīng)的形狀的開口。優(yōu)選的是，技術(shù)方案15所述的發(fā)光面板還具備疏液層，該疏液層是在上述隔壁 上及上述開口的內(nèi)部涂布疏液劑，從上述基板的下面照射光，并將上述開口的內(nèi)部的上 述疏液劑分解而僅在上述隔壁的上面形成的。本發(fā)明通過以下的詳細說明及附圖會更充分地得到理解，但這些僅是用來說明 的，并不限定本發(fā)明的范圍。


圖1是有機EL顯示面板10的1個像素PX的電路圖。圖2是表示1個像素PX的俯視圖。圖3是圖2的III-III向視截面圖。圖4是圖2的IV-IV向視截面圖。圖5是圖2的V-V向視截面圖。
圖6是表示有關(guān)本發(fā)明的有機EL顯示面板10的截面圖。圖7是用于說明制造與圖3相同的截面的有機EL顯示面板10的制造工序的截面 圖。圖8是用于說明制造與圖3相同的截面的有機EL顯示面板10的制造工序進行說 明的截面圖。圖9是用于說明制造與 圖3相同的截面的有機EL顯示面板10的制造工序進行說 明的截面圖。圖10是用于說明制造與圖3相同的截面的有機EL顯示面板10的制造工序進行 說明的截面圖。圖11是用于說明制造與圖3相同的截面的有機EL顯示面板10的制造工序進行 說明的截面圖。圖12是用于說明制造與圖3相同的截面的有機EL顯示面板10的制造工序進行 說明的截面圖。圖13是用于說明制造與圖3相同的截面的有機EL顯示面板10的制造工序進行 說明的截面圖。圖14是用于說明制造與圖3相同的截面的有機EL顯示面板10的制造工序進行 說明的截面圖。圖15是用于說明制造與圖3相同的截面的有機EL顯示面板10的制造工序進行 說明的截面圖。圖16是用于說明制造與圖3相同的截面的有機EL顯示面板10的制造工序進行 說明的截面圖。圖17是用于說明制造與圖3相同的截面的有機EL顯示面板10的制造工序進行 說明的截面圖。圖18是用于說明制造與圖3相同的截面的有機EL顯示面板10的制造工序進行 說明的截面圖。圖19是用于說明制造與圖3相同的截面的有機EL顯示面板10的制造工序進行 說明的截面圖。圖20是用于說明制造與圖3相同的截面的有機EL顯示面板10的制造工序進行 說明的截面圖。圖21是用于說明制造與圖3相同的截面的有機EL顯示面板10的制造工序進行 說明的截面圖。圖22是用于說明制造與圖3相同的截面的有機EL顯示面板10的制造工序進行 說明的截面圖。圖23是用于說明制造與圖3相同的截面的有機EL顯示面板10的制造工序進行 說明的截面圖。圖24是用于說明制造與圖3相同的截面的有機EL顯示面板10的制造工序進行 說明的截面圖。圖25是用于說明制造與圖3相同的截面的有機EL顯示面板10的制造工序進行 說明的截面圖。
圖26是用于說明制造與圖3相同的截面的有機EL顯示面板10的制造工序進行 說明的截面圖。圖27是用于說明制造與圖3相同的截面的有機EL顯示面板10的制造工序進行 說明的截面圖。圖28是用于說明制造與圖3相同的截面的有機EL顯示面板10的制造工序進行 說明的截面圖。圖29是用于說明制造與圖3相同的截面的有機EL顯示面板10的制造工序進行 說明的截面圖。圖30是用于說明制造與圖3相同的截面的有機EL顯示面板10的制造工序進行 說明的截面圖。圖31是用于說明制造與圖3相同的截面的有機EL顯示面板10的制造工序進行 說明的截面圖。圖32是用于說明制造與圖3相同的截面的有機EL顯示面板10的制造工序進行 說明的截面圖。
具體實施例方式以下，利用附圖對用來實施本發(fā)明的優(yōu)選的方式進行說明。但是，在以下所述的實施方式中，附加了為了實施本發(fā)明而在技術(shù)上優(yōu)選的各種限定，但并不是將發(fā)明 的范圍限定于以下的實施方式及圖示例。此外，在以下的說明中，將電致發(fā)光(Electro Luminescence)的用語簡稱作EL。圖1是有關(guān)本發(fā)明的第一實施方式的有機EL顯示面板10的1個像素PX的電路 圖。在該有機EL顯示面板10中，由紅、藍及綠的像素PX構(gòu)成1點的像素，這樣的像 素在整個顯示區(qū)域中以矩陣狀排列。如果著眼于圖1的橫向的排列，則以紅像素PX、藍 像素PX、綠像素PX的順序反復(fù)排列，如果著眼于圖1的縱向的排列，則相同的顏色排 列為一列。在該有機EL顯示面板10中，為了對像素PX輸出各種信號，設(shè)有多個信號線 51、掃描線52及共用電源線53。掃描線52和信號線51沿相互正交的方向延伸，信號線 51沿圖1的縱向延伸，掃描線52及共用電源線53沿圖1的橫向延伸。像素PX具備具有兩個η溝道型晶體管21、22和電容器27的像素電路PC以及 有機EL元件40。兩個η溝道型晶體管21、22和電容器27根據(jù)信號線51、掃描線52及 共用電源線53的輸入信號，對有機EL元件40施加電壓。圖2是表示1個像素PX的俯視圖，圖3是圖2的III-III向視截面圖，圖4是圖 2的IV-IV向視截面圖，圖5是圖2的V-V向視截面圖。另外，圖1和圖2的縱橫方向?qū)?yīng)。如圖2 圖5所示，在透明的絕緣基板2之上，在形成以矩陣狀排列的有機EL 元件20的部分之間，沿圖2的橫向隔開間隔形成有遮光膜4。遮光膜4也可以一體化在 比有機EL顯示面板10的顯示區(qū)域靠外側(cè)。在遮光膜的材料中，使用光的反射率較低、并且不會被在形成于遮光膜4的上 部的輔助信號線54的形成中使用的蝕刻劑蝕刻的金屬等的導(dǎo)電性材料、例如鉻、氧化鉻、氮化鉻、或氮氧化鉻等的鉻化合物。通過使這些材料以約50 150nm的厚度成膜而 形成遮光膜4。另外，也可以將這些薄膜層疊而形成。遮光膜4防止光從絕緣基板2側(cè) 向晶體管21、22入射。因此，能夠抑制晶體管21、22的光泄露及光劣化。此外，通過 使用光反射率較低的材料，能夠得到與形成黑矩陣(black matrix)的情況相同的效果，能 夠 抑制相鄰的像素同時發(fā)光時的混色、提高顯示品質(zhì)。在遮光膜4的上部，在形成信號線51的部分上設(shè)有輔助信號線54。輔助信號線 54例如由Al、AlTi, AlTiNd等至少包括Al的合金、銅或銀、以及包括銅或銀的合金的任 一種構(gòu)成，與遮光膜4導(dǎo)通。輔助信號線54例如可以在用濺鍍法形成厚度約200 500nm 的金屬膜之后、通過使用感光性抗蝕劑蝕刻而形成?；蛘咭部梢酝ㄟ^將厚度為0.5 μ m 5ym的金屬箔層疊而形成。由于遮光膜4和信號線51經(jīng)由輔助信號線54導(dǎo)通，所以能 夠防止遮光膜4成為浮動電位。此外，通過使輔助信號線54和信號線51—體化而信號 線51低電阻化，能夠抑制信號延遲、信號電壓的下降及焦耳熱的產(chǎn)生。輔助布線54也 可以為了防止電池反應(yīng)而與Cr等的阻擋金屬(barriermetal)層疊來構(gòu)成。遮光膜4及信號線51被平坦化膜5覆蓋。此外，在平坦化膜5上，在輔助信號 線54的上部形成有接觸孔5a。平坦化膜5可以通過將SiO2、SiN、SiON等的無機絕緣體用CVD法(Chemical Vapor Deposition 化學(xué)氣相沉積法)或濺鍍法成膜100 IOOOOnm而形成?；蛘撸梢?br> 通過涂布聚硅氧烷、聚酰亞胺、丙烯酸樹脂、氟樹脂等的有機絕緣體來形成。此外，也 可以將有機絕緣體的膜與無機絕緣體的膜層疊。在有機絕緣體的膜上設(shè)置無機絕緣體的 膜的情況下，能夠?qū)挠袡C絕緣體的膜產(chǎn)生的氣體等阻斷，所以是優(yōu)選的。此外，平坦 化膜5優(yōu)選的是光透過性膜。另外，也可以對有機絕緣體賦予感光性，并進行顯影處理而形成希望的接觸孔
5^,0平坦化膜5的厚度可以設(shè)為100 lOOOOnm，但只要是輔助信號線54的厚度的 2倍左右，就并不限定于此。在平坦化膜5的上部設(shè)有晶體管21、22的柵極電極21G、22G，并且設(shè)有電容 器27的一個電極27a、信號線51。柵極電極21G、22G、電極27a、信號線51例如通過 將Al、AlTi, AlTiNd、MoNb等的薄膜圖形化而形成。另外，如圖2所示，電極27a和 柵極電極21—體地形成。信號線51的一部分形成在接觸孔5a內(nèi)，與輔助信號線54導(dǎo)
ο柵極電極21G、22G、電極27a、信號線51都被共用的柵極絕緣膜31覆蓋。柵 極絕緣膜31可以通過將Si02、SiN、SiON等的無機絕緣體用CVD法或濺鍍法成膜而形 成。此外，在柵極絕緣膜31上，在信號線51的上部的與晶體管22的漏極電極22D 重疊的部分上形成有接觸孔31a，在電容器27的一個電極27a的上部的與晶體管22的源 極電極22S重疊的部分上形成有接觸孔31b，在晶體管22的柵極電極22G的上部的與掃 描線52重疊的部分上形成有接觸孔31c。如圖2 圖5所示，在柵極絕緣膜31之上，以矩陣狀排列有透明的像素電極(第 一電極)41。這些像素電極41是通過將在柵極絕緣膜31上成膜的導(dǎo)電性膜(例如摻錫氧化銦(ITO)、摻鋅氧化銦、氧化銦(In2O3)、氧化錫(SnO2)、氧化鋅(ZnO)或鎘-錫氧化 物(CTO))用光刻法及蝕刻法圖形化而形成。此外，在柵極絕緣膜31之上，設(shè)有電容器27的另一個電極27b、晶體管21、22 的半導(dǎo)體膜21a、22a、溝道保護膜21b、22b、η型半導(dǎo)體膜21c、21d、22c、22d、源極 電極21S、22S及漏極電極21D、22D、掃描線52及共用電源線53。掃描線52及共用電 源線53與遮光膜4 一起構(gòu)成遮光部。半導(dǎo)體膜2ia、22a形成在柵極電極21G、22G的上方，將非晶硅(a_Si)等成膜 并圖形化而成。溝道保護膜21b、22b形成在半導(dǎo)體膜21a、22a的上部，將SiO2、SiN、 SiON等的無機絕緣體成膜并圖形化而成。η型半導(dǎo)體膜21c、21d、22c、22d形成為一部分與溝道保護膜21b、22b重疊。掃描線52及共用電源線53沿圖2的橫向形成在以矩陣狀排列的像素電極41之 間。另外，漏極電極21D與共用電源線53—體地形成，源極電極21S與電極27b — 體地形成。源極電極21S形成為一部分與像素電極41的一部分重疊，與像素電極41導(dǎo)
ο漏極電極22D的一部分形成在接觸孔31a內(nèi)，與信號線51導(dǎo)通。源極電極22S 的一部分形成在接觸孔31b內(nèi)，與電極27a導(dǎo)通。掃描線52的一部分形成在接觸孔31c 內(nèi)，與柵極電極22G導(dǎo)通。晶體管21、22的源極電極21S、22S及漏極電極21D、22D、電容器27的另一個 電極27b、掃描線52及共用電源線53、像素電極41被共用的保護絕緣膜(第二隔壁)32 覆蓋。保護絕緣膜32可以通過將Si02、SiN、SiON等的無機絕緣體用CVD法或濺鍍法 成膜而形成。在保護絕緣膜32的像素電極41的部分上形成有使像素電極41的至少一部分露 出的開口部33。通過形成開口部33，保護絕緣膜32形成為網(wǎng)眼狀以穿過像素電極41之 間，并且與像素電極41的一部分外緣部重疊，圍繞著像素電極41。在開口部33內(nèi)形成 有后述的有機EL層42。另外，從絕緣基板2到保護絕緣膜32的層疊構(gòu)造是晶體管陣列面板100。在晶體管陣列面板100上，在與遮光膜4、掃描線52及共用電源線53對應(yīng)的位 置上，形成有網(wǎng)眼狀的隔壁(第一隔壁)6，從隔壁6的開口 8露出至少一部分像素電極 41。隔壁6例如由聚酰亞胺等的正型感光樹脂形成，與晶體管21、22的各電極、信號線 51、掃描線52及共用電源線53相比足夠厚。隔壁6是將由遮光膜4、掃描線52及共用 電源線53構(gòu)成的遮光部作為掩模、經(jīng)由從絕緣基板2側(cè)的背面曝光而形成的。遮光膜 4、掃描線52及共用電源線53的形狀與隔壁6的形狀對應(yīng)。隔壁6的開口 8的形狀與由 遮光部的遮光膜4、掃描線52及共用電源線53包圍的開口的形狀對應(yīng)。對于隔壁6的上面，通過疏液劑70實施了疏液處理。疏液處理通過涂布下述疏 液劑來進行，該疏液劑由具有在環(huán)上至少具有一個氮原子的雜環(huán)、多個硫醇基、和經(jīng)由 硫醇基結(jié)合的氟化烷基的化合物構(gòu)成。在這樣的疏液劑中，例如有三嗪硫醇氟化烷衍生 物。
1.在像素電極41上依次層疊空穴注入層43、發(fā)光層44而形成有機EL層42 (載 體輸送層)?？昭ㄗ⑷雽?3由作為導(dǎo)電性高分子的PEDOT (聚乙撐二氧噻吩)及作為摻 雜劑的PSS (聚苯乙烯磺酸鈉)構(gòu)成，發(fā)光層44由聚對苯乙炔(poly phenylene vinylene) 類發(fā)光材料或聚芴類發(fā)光材料等的共軛聚合物構(gòu)成。將各個材料設(shè)定為在子像素是紅 的情況下，發(fā)光層44發(fā)光為紅色，在子像素是綠的情況下，發(fā)光層44發(fā)光為綠色，在子 像素是藍的情況下，發(fā)光層44發(fā)光為藍色?？昭?注入層43及發(fā)光層44通過濕式涂布法(例如噴墨印刷法)成膜。在此情況下，將含有作為空穴注入層43的PEDOT及PSS的有機化合物含有液 涂布在像素電極41上而成膜，然后涂布含有作為發(fā)光層44的共軛聚合物發(fā)光材料的有機 化合物含有液而成膜。另外，由于設(shè)置厚膜的隔壁6，所以能夠防止涂布在相鄰的像素電 極41上的有機化合物含有液越過隔壁6而混合。另外，也可以在發(fā)光層44之上還設(shè)置電子輸送層。此外，有機EL層42也可以 是由形成在像素電極41之上的發(fā)光層、電子輸送層構(gòu)成的二層構(gòu)造，載體輸送層與發(fā)光 層的組合可以任意地設(shè)定。此外，在這些層構(gòu)造中，也可以是在適當(dāng)?shù)膶娱g夾著限制載 體輸送的中間層的層疊構(gòu)造，也可以是其他層疊構(gòu)造。在發(fā)光層44、保護絕緣膜32及隔壁6的上部，成膜有作為有機EL元件40的陰 極的一部分的電子注入層45。電子注入層45由功函數(shù)比像素電極41低的材料形成，例 如由包括銦、鎂、鈣、鋰、鋇等的堿類金屬或堿土類金屬、或稀土類金屬的至少一種的 單體或合金形成為1 IOnm的厚度?；蛘?，電子注入層45也可以為層疊了上述各種材 料的層的層疊構(gòu)造。在電子注入層45的上部，形成有例如使鋁、鉻、銀、或鈀銀類的合金等的導(dǎo)電 性材料通過氣相生長法成膜的作為陰極的一部分的對置電極(第二電極)46。依次層疊了像素電極41、有機EL層42、電子注入層45、對置電極46的結(jié)構(gòu)為 有機EL元件40。在形成有上述有機EL元件40的晶體管陣列面板100上，如圖6所示，在形成有 對置電極46的面的外周部上作為封閉部件而涂布粘接劑3，通過用粘接劑3將基板2與對 置基板9接合，將有機EL元件40封閉，形成有機EL顯示面板10。由于有機EL元件 40具有底部發(fā)光型的發(fā)光構(gòu)造，所以由有機EL層42發(fā)出的光經(jīng)由像素電極41及絕緣基 板2向絕緣基板2的另一面?zhèn)?圖3 圖5的下方)射出。接著，對EL顯示器面板10的制造工序進行說明。首先，如圖7所示，通過以作為遮光膜的材料的氧化鉻、氮化鉻或氮氧化鉻等 為靶的濺鍍法等，使金屬膜61以厚度50 150nm成膜在絕緣基板2上。接著，使用感 光性抗蝕劑、用包括硝酸鈰銨的蝕刻劑對金屬膜61進行濕式蝕刻，從而如圖8所示那樣 留下希望的圖形的遮光膜4。接著，如圖9所示，形成厚度約200 500nm的金屬膜(輔助信號線金屬62)。 在形成輔助信號線金屬62方面，有例如以Al、AlTi, AlTiNd等至少包括Al的金屬、或 銅、銀、或包括它們的合金為靶的濺鍍法?；蛘?，也可以將Al、AlTi, AlTiNd、銅、銀 等的金屬薄膜通過導(dǎo)電性粘接劑粘貼。接著，使用感光性抗蝕劑將輔助信號線金屬62蝕刻，由此如圖10所示那樣形成輔助信號線54。作為Al合金類的蝕刻劑，可以使用長瀨(t if力)Al蝕刻劑。作為銅 或包括銅的合金的蝕刻劑，可以使用關(guān)東化學(xué)的Cu-I銅蝕刻劑液等，作為銀或包括銀的 合金的蝕刻劑，可以使用SEA-I銀蝕刻劑液等。接著，如圖11所示形成平坦化膜5。接著，通過對平坦化膜5進行干式蝕刻， 如圖12所示形成接觸孔5a。接著，如圖13所示，通過Al、AlTi, AlTiNd等的金屬形成柵極金屬層63。接 著，如圖14所示，通過將柵極金屬層63圖形化，形成柵極電極21G、22G、電極27a、 信號線51。接著，如圖15所示形成柵極絕緣膜31。接著，在柵極絕緣膜31的上部，依次形成作為半導(dǎo)體膜21a、22a的非晶硅層 64、作為溝道保護膜21b、22b的絕緣膜65。接著，如圖16所示，將非晶硅層64、絕緣 膜65圖形化，形成半導(dǎo)體膜21a、22a、溝道保護膜21b、22b。接著，如圖17所示，將作為η型半導(dǎo)體膜21c、21d、22c、22d的雜質(zhì)膜66成 膜。接著，如圖18所示，將雜質(zhì)膜66圖形化而形成η型半導(dǎo)體膜21c、21d、22c、22d。接著，如圖19所示，使ITO等的透明電極膜67成膜。接著，如圖20所示，將 透明電極膜67圖形化而形成像素電極41。接著，如圖21所示，通過對柵極絕緣膜31進行干式蝕刻，形成接觸孔31a、 31b、 31c。接著，如圖22所示，使漏極金屬層68成膜。接著，如圖23所示，將漏極金屬 層68圖形化而形成電極27b、源極電極21S、22S及漏極電極21D、22D、掃描線52及共 用電源線53。接著，如圖24所示，形成保護絕緣膜32。接著，如圖25所示，在保護絕緣膜 32上形成開口部33，使像素電極41的至少一部分露出。接著，如圖26所示，涂布聚酰亞胺類等的正型感光性樹脂材料69。接著，如圖 27所示，從絕緣基板2側(cè)將遮光膜4、掃描線52及共用電源線53作為掩模，使感光性樹 脂材料69曝光。接著，將曝光部分的可溶解的感光性樹脂材料69去除。然后，通過進 行顯影處理，如圖28所示形成具有與遮光膜4、掃描線52及共用電源線53的形狀對應(yīng)的 形狀的開口的隔壁6。另外，掃描線52與共用電源線53的間隙、并且是被保護絕緣膜32覆蓋的部分 因為寬度較窄、并且曝光部分沒有接觸到顯影液，因此作為隔壁6殘留。接著，如圖29所示，涂布如三嗪硫醇氟化烷衍生物那樣的疏液劑70，該疏液劑 70由下述化合物構(gòu)成，該化合物具有在環(huán)上至少具有一個氮原子的雜環(huán)、多個硫醇基、 和經(jīng)由硫醇基結(jié)合的氟化烷基。接著，如圖30所示，從絕緣基板2側(cè)，將遮光膜4、掃 描線52及共用電源線53作為掩模，使疏液劑70曝光。此時，由于疏液劑70通過光反 應(yīng)被分解，所以如圖31所示，僅將被遮光的隔壁6的上面有選擇地進行疏液處理。通過 以上，晶體管陣列面板100完成。接著，如圖32所示，將在水中溶解了空穴注入材料(例如作為導(dǎo)電性高分子的 PEDOT及作為摻雜劑的PSS)的有機化合物含有液涂布在像素電極41上。作為涂布方 法，既可以使用噴墨印刷法(液滴吐出法)或其他印刷方法，也可以使用浸涂法、旋涂法等涂法。 然后，在暴露在大氣中的狀態(tài)下，使用加熱板使晶體管陣列面板100在160 200°C的溫度下干燥，并進行殘留溶劑的去除，從而形成空穴注入層43。接著，將發(fā)光色為紅、綠、藍的共軛聚合物發(fā)光材料分別溶解到有機溶劑(例 如氫化萘、四甲基苯、均三甲苯(mesitylene))中，準(zhǔn)備紅、綠、藍各自的有機化合物含 有液。接著，在紅色的子像素的空穴注入層43上涂布紅色的有機化合物含有液，在綠色 的子像素的空穴注入層43上涂布綠色的有機化合物含有液，在藍色的子像素的空穴注入 層43上涂布藍色的有機化合物含有液。由此，在空穴注入層43上成膜發(fā)光層44。作為 涂布方法，使用噴墨印刷法(液滴吐出法)或其他印刷方法，按照顏色進行分開涂布。接著，在惰性氣體環(huán)境(例如氮氣環(huán)境)下通過加熱板使晶體管陣列面板100干 燥，進行殘留溶劑的去除。另外，也可以在真空中進行基于封裝加熱器(SheathHeater) 或紅外線加熱器等的干燥。在這樣通過濕式涂布法形成了空穴注入層43及發(fā)光層44的情況下，由于隔壁6 的上面被疏液處理，所以涂布在相鄰的像素電極41上的有機化合物含有液不會越過隔壁 6而混合。因此，能夠按照像素電極41獨立地形成空穴注入層43。接著，如圖3 圖5所示，在發(fā)光層44、保護絕緣膜32及隔壁6的上部通過氣 相生長法成膜電子注入層45。然后，通過在電子注入層45的上部上用蒸鍍或濺鍍法形成 金屬膜，形成對置電極46。由此，在晶體管陣列面板100上形成有機EL元件40。最后，如圖6所示，在基板2的形成有對置電極46的面的外周部上涂布粘接劑 3，通過將基板2與對置電極9粘接而封入有機EL元件40。由此，EL顯示面板10完 成。如以上所示，根據(jù)本發(fā)明，由于能夠從絕緣基板2側(cè)以遮光膜4、掃描線52及共 用電源線53為掩模形成隔壁6，所以沒有掩模偏移的擔(dān)心。由此，不需要為掩模偏移準(zhǔn) 備而設(shè)置邊緣，能夠提高開口率。此外，由于能夠從絕緣基板2側(cè)以遮光膜4、掃描線 52及共用電源線53為掩模，僅將隔壁6的上面有選擇地進行疏液處理，所以不需要另外 設(shè)置光掩模，也不需要進行定位。因此，能夠減少光掩模的片數(shù)，能夠削減制造工序數(shù) 而實現(xiàn)制造成本的降低。另外，本發(fā)明并不限定于上述實施方式，在不脫離本發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)也可 以進行各種改良及設(shè)計變更。例如，在上述實施方式中，對EL顯示面板那樣的顯示裝置 進行了說明，但本發(fā)明并不限于此，也可以應(yīng)用到例如印刷頭等的曝光裝置中。此外，在上述實施方式中，將掃描線52及共用電源線53沿與遮光膜4交叉的方 向設(shè)置，但本發(fā)明并不限于此，也可以僅將掃描線52或共用電源線53的其一沿與遮光膜 4交叉的方向設(shè)置?；蛘咭部梢詫⒄诠饽?沿與信號線51交叉的方向設(shè)置。此外，在上述實施方式中，設(shè)置了開口部8以使像素電極41的至少一部分露 出，但本發(fā)明并不限于此，也可以設(shè)置像素電極41的全部露出那樣的開口部8。這里引用2009年9月14日提出申請的日本專利申請第2009-211230號的包括說 明書、權(quán)利要求書、附圖、說明書摘要的全部內(nèi)容。以上表示并說明了各種典型的實施方式，但本發(fā)明并不限定于上述實施方式。 因而，本發(fā)明的范圍僅由以下的權(quán)利要求書限定。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光面板，具備遮光部，形成在基板的上部，具有開口 ； 第一電極，形成在上述遮光部的上述開口的上部；隔壁，具有使上述第一電極的至少一部分露出的開口，并具備與上述遮光部的開口 形狀對應(yīng)的開口；第二電極，形成在上述第一電極的上方；以及載體輸送層，形成在上述第一電極與上述第二電極之間，至少由一層構(gòu)成。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光面板，其中， 上述遮光部由導(dǎo)電性材料形成。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光面板，其中，具備像素晶體管，該像素晶體管控制向上述第一電極的電力供給； 上述遮光部將上述像素晶體管遮光。
4.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光面板，其中，上述遮光部包括布線，上述布線連接至上述像素晶體管。
5.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光面板，其中，上述遮光部與連接至上述像素晶體管的某個布線導(dǎo)通。
6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光面板，其中，上述隔壁包括由感光性樹脂材料形成的第一隔壁以及設(shè)置在上述第一隔壁下的第二隔壁。
7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光面板，其中， 僅對上述第一隔壁的上面實施了疏液處理。
8.—種發(fā)光面板的制造方法，該發(fā)光面板具備第一電極，形成在基板上；第二電 極，形成在上述第一電極的上方；以及載體輸送層，形成在上述第一電極與上述第二電 極之間，至少由一層構(gòu)成，該發(fā)光面板的制造方法包括對設(shè)有具有開口的遮光部的上述基板的上面?zhèn)韧坎颊透泄庑詷渲墓ば颍?以上述遮光部為掩模，從上述基板的下面朝向上述正型感光性樹脂照射光而形成隔 壁的工序，該隔壁具有與上述遮光部的上述開口的形狀對應(yīng)的形狀的開口。
9.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光面板的制造方法，其中，還包括在涂布上述正型感光性樹脂之前，形成對上述光具有透射性的上述第一電極 的工序。
10.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光面板的制造方法，其中，還包括在形成具有上述開口的隔壁的工序之后，在上述隔壁上及上述開口的內(nèi)部涂 布疏液劑，從上述基板的下面照射光并將上述開口的內(nèi)部的上述疏液劑分解的工序。
11.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光面板的制造方法，其中，上述疏液劑由下述化合物構(gòu)成，該化合物具有在環(huán)上至少具有一個氮原子的雜環(huán)、 多個硫醇基以及通過上述硫醇基結(jié)合的氟化烷基。
12.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光面板的制造方法，其中，還包括在涂布上述正型感光性樹脂的工序之前，在上述遮光部的上方形成像素晶體 管的工序，該像素晶體管控制向上述第一電極的電力供給。
13.如權(quán)利要求12所述的發(fā)光面板的制造方法，其中，上述遮光部包括布線，上述布線連接至上述像素晶體管。
14.如權(quán)利要求12所述的發(fā)光面板的制造方法，其中，上述遮光部與連接至上述像素晶體管的某個布線導(dǎo)通。
15.—種發(fā)光面板，具備第一電極，形成在基板上；第二電極，形成在上述第一電 極的上方；以及載體輸送層，形成在上述第一電極與上述第二電極之間，至少由一層構(gòu) 成，上述發(fā)光面板具備隔壁，該隔壁是在設(shè)有具有開口的遮光部的上述基板的上面?zhèn)韧?布正型感光性樹脂、并以上述遮光部為掩模從上述基板的下面朝向上述正型感光性樹脂 照射光而形成的，并具有與上述遮光部的上述開口的形狀對應(yīng)的形狀的開口。
16.如權(quán)利要求15所述的發(fā)光面板，其中，還具備疏液層，該疏液層是在上述隔壁上及上述開口的內(nèi)部涂布疏液劑，從上述 基板的下面照射光，并將上述開口的內(nèi)部的上述疏液劑分解而僅在上述隔壁的上面形成 的。
全文摘要
本發(fā)明的發(fā)光面板以及發(fā)光面板的制造方法，減少在發(fā)光面板的制造時使用的光掩模，實現(xiàn)開口率的提高。具備遮光部，形成在基板(2)的上部，具有開口；第一電極(41)，形成在遮光部的開口的上部；隔壁(6)，具有第一電極(41)露出的開口(8)；載體輸送層(42)，形成在第一電極(41)上，至少由一層構(gòu)成；以及第二電極(46)，形成在隔壁(6)及載體輸送層(42)上；遮光部的形狀與隔壁(6)的形狀對應(yīng)。
文檔編號H01L27/32GK102024843SQ201010284220
公開日2011年4月20日 申請日期2010年9月14日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月14日
發(fā)明者下田悟, 松本廣 申請人:卡西歐計算機株式會社