專利名稱：一種oled面板多晶硅制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode, 0LED)顯示技術(shù) 領(lǐng)域，尤其涉及一種有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(Active Matrix/OrganicLight Emitting Diode, AM0LED)面板的工藝技術(shù)。
背景技術(shù)：
制作AMOLED面板時(shí)，需要在AMOLED面板的各個(gè)像素處制作薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (Thin Film Transistor, TFT)，TFT的有源層的不同特性決定了 AMOLED面板的不同品位。 根據(jù)TFT制作時(shí)有源層材料的不同，TFT可分為非晶硅TFT、多晶硅TFT、有機(jī)TFT等。多晶 硅TFT相比非晶硅TFT，電子遷移率快約數(shù)十倍至數(shù)百倍，并且具有可以集成在AMOLED面板 外部的驅(qū)動(dòng)IC的優(yōu)點(diǎn)，在能夠制作緊湊型器件的同時(shí)，也可以制作高分辨率、高品位的器 件。但是。圖1所示，為常見的AMOLED結(jié)構(gòu)，玻璃基板1之上為緩沖層2，緩沖層2的中間 位置之上為多晶硅材料的有源層4，緩沖層2的兩邊位置之上為層間絕緣層3，柵極絕緣層9 之上為柵極層10，柵極層10之上為層間絕緣層3，除了留出源/漏極數(shù)據(jù)線層5與多晶硅 材料的有源層4連接的接觸孔外，層間絕緣層3將緩沖層2、多晶硅有源層4和柵極層10完 全覆蓋，層間絕緣層3兩邊位置之上為源/漏極數(shù)據(jù)線層5，源/漏極數(shù)據(jù)線層5通過(guò)接觸 孔與多晶硅有源層4連接，層間絕緣層3中間位置之上和源/漏極數(shù)據(jù)線層5之上為薄膜 封裝層6，薄膜封裝層6之上為陽(yáng)極層7和保護(hù)層8，薄膜封裝層6除了留出陽(yáng)極層7與源 /漏極數(shù)據(jù)線層5連接的接觸孔外，薄膜封裝層6將源/漏極數(shù)據(jù)線層5完全覆蓋。圖中 雖然省略了陰極層、有機(jī)發(fā)光層等其它各層，但是本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員應(yīng)該能夠意識(shí) 到這種省略僅僅是為了簡(jiǎn)化繪圖和表達(dá)，并不會(huì)影響到技術(shù)人員對(duì)技術(shù)方案的正確理解， 在圖示中，未繪制或描述的各層，是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所公知的，當(dāng)敘述一層位于玻璃基 板或是另一層之上或之下時(shí)，此層可直接位于玻璃基板或是另一層之上或之下，或是其間 也可具有本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所公知的其它中間層?，F(xiàn)有的AMOLED面板的多經(jīng)硅有源層 4的制作方法中，多經(jīng)硅有源層4的結(jié)晶化和活性化通過(guò)下列步驟完成如圖1所示，首先 在玻璃基板1上制作完成緩沖層2后，在緩沖層2上依次制作非晶硅材料的有源層41 (經(jīng) 結(jié)晶化處理后成為多晶硅有源層4)、柵極絕緣層5和柵極層6，完成柵極層6的制作后，對(duì) 有源層41進(jìn)行離子摻雜注入，最后將玻璃基板1放入到結(jié)晶爐中，同時(shí)完成有源層41的結(jié) 晶化和活性化。在此過(guò)程中，有源層41結(jié)晶化處理會(huì)引起有源層41在結(jié)晶化前后體積的 變化，從而導(dǎo)致氧化物界面和硅界面間的粘合力變差引起TFT特性變差。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是為了克服現(xiàn)有的OLED面板的多晶硅有源層4的制作方法的不足， 提出了一種OLED面板的制作方法。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是一種OLED面板多晶硅制作方法，在制 作形成柵極絕緣層和柵極金屬層前，包括如下步驟
(1)對(duì)玻璃基板進(jìn)行清洗之后，通過(guò)等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PECVD)在其上 沉積氧化硅(SiOx)緩沖層；(2)利用低壓化學(xué)氣相沉積法(LPCVD)往玻璃基板上沉積一定厚度的非晶硅形成
非晶娃層；(3)對(duì)玻璃基板進(jìn)行光刻前清洗，并在非晶硅層上均勻涂布一定厚度的光刻膠 層；(4)對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光并顯影；(5)對(duì)顯影后的玻璃基板進(jìn)行硅刻蝕得到非晶硅有源層；(6)在光刻膠剝離液中進(jìn)行光刻膠的剝離；(7)對(duì)基板進(jìn)行清洗，通過(guò)濺射方法蒸鍍一定厚度的鎳；(8)將基板放入結(jié)晶爐中通過(guò)金屬橫向誘導(dǎo)法(MILC)進(jìn)行低溫多晶硅結(jié)晶化處 理形成多晶硅材料的有源層4 ；(9)在硫酸雙氧水混合液中進(jìn)行鎳去除工藝消除鎳。在制作完成多晶硅材料的有源層后，還包括步驟(10)通過(guò)等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PECVD)進(jìn)行氧化硅(SiOx)柵極絕緣層沉 積；(11)對(duì)玻璃基板進(jìn)行清洗，并通過(guò)濺射方法蒸鍍柵極金屬層；(12)對(duì)玻璃基板進(jìn)行清洗后，進(jìn)行柵極金屬層光刻工藝，涂布光刻膠，并進(jìn)行曝 光、顯影；(13)進(jìn)行柵極金屬層刻蝕工藝；(14)進(jìn)行柵極絕緣層干刻蝕工藝；(15)對(duì)玻璃基板1進(jìn)行清洗之后對(duì)與源/漏極數(shù)據(jù)線層相連的有源層兩端進(jìn)行離 子摻雜；(16)對(duì)多晶硅有源層進(jìn)行活性化處理；(17)對(duì)玻璃基板進(jìn)行清洗之后，通過(guò)等離子提高化學(xué)氣相沉積進(jìn)行層間絕緣層沉 積；(18)進(jìn)行接觸孔工藝，形成源/漏極數(shù)據(jù)線層穿過(guò)層間絕緣層與有源層連接的接 觸孔；(19)對(duì)玻璃基板進(jìn)行清洗之后進(jìn)行，通過(guò)濺射進(jìn)行源/漏極數(shù)據(jù)線層沉積；(20)通過(guò)光刻工藝，對(duì)玻璃基板進(jìn)行光刻膠涂布、曝光、顯影之后，對(duì)源/漏極數(shù) 據(jù)線層進(jìn)行進(jìn)行刻蝕；(21)進(jìn)行光刻膠剝離之后，對(duì)玻璃基板進(jìn)行清洗，然后通過(guò)等離子提高化學(xué)氣相 沉積進(jìn)行薄膜封裝層沉積；(22)進(jìn)行薄膜封裝層刻蝕；(23)通過(guò)光刻工藝，進(jìn)行光刻膠涂布、曝光、顯影之后，進(jìn)行接觸孔工藝，形成陽(yáng)極 ΙΤ0/ΙΖ0金屬穿過(guò)薄膜封裝層與源/漏極數(shù)據(jù)線層連接的接觸孔；(24)對(duì)玻璃基板進(jìn)行清洗之后，進(jìn)行陽(yáng)極ΙΤ0/ΙΖ0金屬沉積；(25)通過(guò)光刻工藝，進(jìn)行光刻膠涂布、曝光、顯影、烘干之后，進(jìn)行保護(hù)層制作。本發(fā)明的有益效果是本發(fā)明的方案先完成非晶硅材料的有源層的結(jié)晶化處理后再進(jìn)行后續(xù)的柵極絕緣層和柵極層工藝，因此，在進(jìn)行后續(xù)工藝時(shí)，有源層不會(huì)發(fā)生變形從 而影響TFT的特性。


圖1為常見的AMOLED結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本發(fā)明進(jìn)行到步驟3時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖。圖3是本發(fā)明進(jìn)行到步驟4時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖。圖4是本發(fā)明進(jìn)行到步驟5時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖。圖5是本發(fā)明進(jìn)行到步驟7時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖。圖6是本發(fā)明進(jìn)行到步驟9時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖。圖7是本發(fā)明進(jìn)行到步驟11時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖。圖8是本發(fā)明進(jìn)行到步驟14時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖。附圖標(biāo)記說(shuō)明玻璃基板1、緩沖層2、層間絕緣層3、有源層4、非晶硅層41、光刻 膠層42、非晶硅有源層43、鎳膜44、源/漏極數(shù)據(jù)線層5、薄膜封裝層6、陽(yáng)極ΙΤ0/ΙΖ0金屬 7、保護(hù)層8、柵極絕緣層9、柵極金屬層10。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明。為了制作完成如圖1所示的AMOLED結(jié)構(gòu)，需要依次進(jìn)行如下步驟(1)對(duì)玻璃基板1進(jìn)行清洗之后，通過(guò)等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PECVD)在其上 沉積氧化硅(SiOx)緩沖層2。(2)利用低壓化學(xué)氣相沉積法(LPCVD)往玻璃基板1上沉積非晶硅500埃形成非 晶硅層41 ；非晶硅的厚度可以根據(jù)需要進(jìn)行調(diào)節(jié)。(3)對(duì)玻璃基板進(jìn)行光刻前清洗，并在非晶硅層41上均勻涂布光刻膠層42，光刻 膠的厚度為1.2微米，形成如圖2所示的結(jié)構(gòu)，光刻膠的厚度可以根據(jù)需要進(jìn)行調(diào)節(jié)。(4)對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光并顯影；消除多余的光刻膠層42后形成如圖3所示結(jié)構(gòu)。(5)對(duì)顯影后的玻璃基板進(jìn)行硅刻蝕得到非晶硅有源層；形成如圖4所示的結(jié)構(gòu)。(6)在光刻膠剝離液中于60°C下處理20分鐘，進(jìn)行光刻膠的剝離，光刻膠的剝離 條件可以根據(jù)需要進(jìn)行調(diào)節(jié)，以能夠完全剝離光刻膠為宜。(7)對(duì)基板進(jìn)行清洗，通過(guò)濺射方法蒸鍍鎳50埃；形成如圖5所示結(jié)構(gòu)，鎳的厚度 可以根據(jù)需要進(jìn)行調(diào)節(jié)，以能夠順利進(jìn)行步驟(8)為準(zhǔn)；(8)將基板放入結(jié)晶爐中進(jìn)行低溫多晶硅結(jié)晶化，于560°C條件下，處理1個(gè)小時(shí)； 該過(guò)程即金屬橫向誘導(dǎo)法(MILC)，通過(guò)該方法采用金屬鎳誘導(dǎo)非晶硅形成多晶硅，具體工 作條件可以根據(jù)需要設(shè)定。(9)在硫酸雙氧水(質(zhì)量比6 4)混合液中進(jìn)行70分鐘鎳去除工藝，形成如圖 6所示結(jié)構(gòu)；具體工作條件可以根據(jù)需要設(shè)定。(10)通過(guò)等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PECVD)進(jìn)行氧化硅(SiOx)柵極絕緣層9 沉積；(11)對(duì)玻璃基板1進(jìn)行清洗，并通過(guò)濺射方法蒸鍍柵極金屬層10，形成如圖7所示結(jié)構(gòu)；(12)對(duì)玻璃基板1進(jìn)行清洗后，進(jìn)行柵極金屬層10光刻工藝，涂布光刻膠，并進(jìn)行 曝光、顯影；(13)進(jìn)行柵極金屬層10刻蝕工藝；(14)進(jìn)行柵極絕緣層9干刻蝕工藝，形成如圖8所示結(jié)構(gòu)；(15)對(duì)玻璃基板1進(jìn)行清洗之后對(duì)與源/漏極數(shù)據(jù)線層5相連的有源層4兩端進(jìn) 行離子摻雜；(16)在氫氣流量為130SCCM、590°C、常壓狀態(tài)下進(jìn)行活性化處理2小時(shí)，具體工作 條件可以根據(jù)需要設(shè)定；(17)對(duì)玻璃基板1進(jìn)行清洗之后，通過(guò)等離子提高化學(xué)氣相沉積進(jìn)行層間絕緣層 3沉積；(18)進(jìn)行接觸孔工藝，形成源/漏極數(shù)據(jù)線層5穿過(guò)層間絕緣層3與有源層4連 接的接觸孔；(19)對(duì)玻璃基板1進(jìn)行清洗之后進(jìn)行，通過(guò)濺射進(jìn)行源/漏極數(shù)據(jù)線層5沉積；(20)通過(guò)光刻工藝，對(duì)玻璃基板1進(jìn)行光刻膠涂布、曝光、顯影之后，對(duì)源/漏極數(shù) 據(jù)線層5進(jìn)行進(jìn)行刻蝕；(21)進(jìn)行光刻膠剝離之后，對(duì)玻璃基板1進(jìn)行清洗，然后通過(guò)等離子提高化學(xué)氣 相沉積進(jìn)行薄膜封裝層6沉積；(22)進(jìn)行薄膜封裝層6刻蝕；(23)通過(guò)光刻工藝，進(jìn)行光刻膠涂布、曝光、顯影之后，進(jìn)行接觸孔工藝，形成陽(yáng)極 ΙΤ0/ΙΖ0金屬7穿過(guò)薄膜封裝層6與源/漏極數(shù)據(jù)線層5連接的接觸孔；(24)對(duì)玻璃基板1進(jìn)行清洗之后，進(jìn)行陽(yáng)極ΙΤ0/ΙΖ0金屬7沉積；(25)通過(guò)光刻工藝，進(jìn)行光刻膠涂布、曝光、顯影、烘干之后，進(jìn)行保護(hù)層8制作； (26)完成TFT基板制作。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將會(huì)意識(shí)到，這里所述的實(shí)施例是為了幫助讀者理解本發(fā) 明的原理，應(yīng)被理解為本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于這樣的特別陳述和實(shí)施例。本領(lǐng)域的 普通技術(shù)人員可以根據(jù)本發(fā)明公開的這些技術(shù)啟示做出各種不脫離本發(fā)明實(shí)質(zhì)的其它各 種具體變形和組合，這些變形和組合仍然在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
一種OLED面板多晶硅制作方法，其特征在于，在制作形成柵極絕緣層和柵極金屬層前，包括如下步驟(1)對(duì)玻璃基板進(jìn)行清洗之后，通過(guò)等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PECVD)在其上沉積氧化硅(SiOx)緩沖層；(2)利用低壓化學(xué)氣相沉積法(LPCVD)往玻璃基板上沉積一定厚度的非晶硅形成非晶硅層；(3)對(duì)玻璃基板進(jìn)行光刻前清洗，并在非晶硅層上均勻涂布一定厚度的光刻膠層；(4)對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光并顯影；(5)對(duì)顯影后的玻璃基板進(jìn)行硅刻蝕得到非晶硅有源層；(6)在光刻膠剝離液中進(jìn)行光刻膠的剝離；(7)對(duì)基板進(jìn)行清洗，通過(guò)濺射方法蒸鍍一定厚度的鎳；(8)將基板放入結(jié)晶爐中通過(guò)金屬橫向誘導(dǎo)法(MILC)進(jìn)行低溫多晶硅結(jié)晶化處理形成多晶硅材料的有源層4；(9)在硫酸雙氧水混合液中進(jìn)行鎳去除工藝消除鎳。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所示的一種OLED面板多晶硅制作方法，其特征在于，在制作完成多 晶硅材料的有源層4后，還包括步驟(10)通過(guò)等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PECVD)進(jìn)行氧化硅(SiOx)柵極絕緣層沉積；(11)對(duì)玻璃基板進(jìn)行清洗，并通過(guò)濺射方法蒸鍍柵極金屬層；(12)對(duì)玻璃基板進(jìn)行清洗后，進(jìn)行柵極金屬層光刻工藝，涂布光刻膠，并進(jìn)行曝光、顯影；(13)進(jìn)行柵極金屬層刻蝕工藝；(14)進(jìn)行柵極絕緣層干刻蝕工藝；(15)對(duì)玻璃基板1進(jìn)行清洗之后對(duì)與源/漏極數(shù)據(jù)線層相連的有源層兩端進(jìn)行離子摻雜；(16)對(duì)多晶硅有源層進(jìn)行活性化處理；(17)對(duì)玻璃基板進(jìn)行清洗之后，通過(guò)等離子提高化學(xué)氣相沉積進(jìn)行層間絕緣層沉積；(18)進(jìn)行接觸孔工藝，形成源/漏極數(shù)據(jù)線層穿過(guò)層間絕緣層與有源層連接的接觸孔；(19)對(duì)玻璃基板進(jìn)行清洗之后進(jìn)行，通過(guò)濺射進(jìn)行源/漏極數(shù)據(jù)線層沉積；(20)通過(guò)光刻工藝，對(duì)玻璃基板進(jìn)行光刻膠涂布、曝光、顯影之后，對(duì)源/漏極數(shù)據(jù)線 層進(jìn)行進(jìn)行刻蝕；(21)進(jìn)行光刻膠剝離之后，對(duì)玻璃基板進(jìn)行清洗，然后通過(guò)等離子提高化學(xué)氣相沉積 進(jìn)行薄膜封裝層沉積；(22)進(jìn)行薄膜封裝層刻蝕；(23)通過(guò)光刻工藝，進(jìn)行光刻膠涂布、曝光、顯影之后，進(jìn)行接觸孔工藝，形成陽(yáng)極 ΙΤ0/ΙΖ0金屬穿過(guò)薄膜封裝層與源/漏極數(shù)據(jù)線層連接的接觸孔；(24)對(duì)玻璃基板進(jìn)行清洗之后，進(jìn)行陽(yáng)極ΙΤ0/ΙΖ0金屬沉積；(25)通過(guò)光刻工藝，進(jìn)行光刻膠涂布、曝光、顯影、烘干之后，進(jìn)行保護(hù)層制作。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種OLED面板多晶硅制作方法。在制作形成柵極絕緣層和柵極金屬層前，包括如下步驟(1)對(duì)玻璃基板進(jìn)行清洗之后，通過(guò)等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PECVD)在其上沉積氧化硅(SiOx)緩沖層；(2)利用低壓化學(xué)氣相沉積法(LPCVD)往玻璃基板上沉積一定厚度的非晶硅形成非晶硅層等步驟。本發(fā)明的有益效果是先完成非晶硅材料的有源層的結(jié)晶化處理后再進(jìn)行后續(xù)的柵極絕緣層和柵極層工藝，因此在進(jìn)行后續(xù)工藝時(shí)，有源層不會(huì)發(fā)生變形從而影響TFT的特性。
文檔編號(hào)H01L21/336GK101976649SQ20101027541
公開日2011年2月16日 申請(qǐng)日期2010年9月8日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月8日
發(fā)明者徐正勛, 李惠元, 高昕偉 申請(qǐng)人:四川虹視顯示技術(shù)有限公司