專利名稱：半導(dǎo)體發(fā)光二極管組件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體發(fā)光組件，特別是關(guān)于一種可發(fā)出多波段之發(fā)光二極管組件。
背景技術(shù)：
固態(tài)發(fā)光組件(solid state light emitting component)之技術(shù)日益進步，越來越多產(chǎn)品的發(fā)光源均采用發(fā)光二極管(light emitting diode, LED)或雷射二極管(laser diode，LD)，例如照明(lighting)或背光模塊(backlight unit)。固態(tài)發(fā)光組件相較于傳統(tǒng)燈泡其特點包含較長的壽命、較低的能量消耗、較低的熱能產(chǎn)生、較少的紅外光光譜產(chǎn)生以及組件尺寸較小(compact)。由于發(fā)光二極管組件的發(fā)光層無法單獨形成白光，一般大都采用混合光的方法產(chǎn)生具有白色光源之固態(tài)發(fā)光組件，例如發(fā)藍光的發(fā)光二極管組件搭配黃色熒光粉的封裝，或者采用紅、綠以及藍三顏色發(fā)光二極管組件的多晶粒封裝，后者可參考美國專利號7，635，870的先前技藝。藍光發(fā)光二極管組件搭配黃色熒光粉的封裝雖然能夠形成白光，但其演色性 (colorrenderingindex,CRI)不足，特別是紅色的光譜區(qū)域尤其缺乏。另外，多晶粒封裝雖然能夠產(chǎn)生演色性較佳的白光，但紅、綠以及藍三顏色發(fā)光二極管組件的光衰退程度不同， 容易導(dǎo)致組件良率下降。且多晶粒封裝中發(fā)光二極管組件與晶粒之間需要一特定距離以實施固晶打線，導(dǎo)致組件占用體積過大，倘若晶粒與晶粒之間的距離過長則容易導(dǎo)致混光不均勻以及出現(xiàn)不必要的色區(qū)等缺失。承上述先前技藝的缺失，有必要一項新的技術(shù)以克服舊有技術(shù)的缺失。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明之目的為提供一可發(fā)出多波段的半導(dǎo)體發(fā)光二極管組件。本發(fā)明揭露一半導(dǎo)體發(fā)光二極管組件，包含一基板；一發(fā)光結(jié)構(gòu)，包含一第一發(fā)光區(qū)域、一第二發(fā)光區(qū)域以及一第三發(fā)光區(qū)域分別設(shè)置于所述基板上，并且所述第一發(fā)光區(qū)域、第二發(fā)光區(qū)域以及第三發(fā)光區(qū)域分別具有一 P型半導(dǎo)體層、一 η型半導(dǎo)體層以及至少一發(fā)光層；一第一熒光轉(zhuǎn)換層設(shè)置在第一發(fā)光區(qū)域的表面，其中所述第一熒光轉(zhuǎn)換層可以將第一發(fā)光區(qū)域所發(fā)出的光線轉(zhuǎn)換成不同波長的光線；以及一第二熒光轉(zhuǎn)換層設(shè)置在所述第二發(fā)光區(qū)域的表面，其中所述第二熒光轉(zhuǎn)換層可以將第二發(fā)光區(qū)域所發(fā)出的光線轉(zhuǎn)換成不同波長的光線?？蛇x擇性地，于所述基板設(shè)置一光學(xué)感測組件，用以感測半導(dǎo)體發(fā)光二極管組件的混光穩(wěn)定性，并以回饋機制來控制輸入電流使半導(dǎo)體發(fā)光二極管組件發(fā)出的色彩在需求的條件內(nèi)。相較于發(fā)明背景所述的先前技藝，本發(fā)明之半導(dǎo)體發(fā)光二極管組件將熒光轉(zhuǎn)換層直接形成于晶粒表面，同時使半導(dǎo)體發(fā)光二極管組件具有可發(fā)出不同波段之多個發(fā)光區(qū)域產(chǎn)生混光，如此不僅使組件良率提升、混光效果佳且占用體積小。
下面參照附圖，結(jié)合具體實施例對本發(fā)明作進一步的描述。


圖1為本發(fā)明第一實施例之半導(dǎo)體發(fā)光二極 組件的剖面示意圖
圖2A至2E為本發(fā)明第一實施例的不同電路結(jié)構(gòu)示意圖3為本發(fā)明第二實施例之半導(dǎo)體發(fā)光二極 組件的剖面示意圖
圖4為本發(fā)明第三.實施例之半導(dǎo)體發(fā)光二極 組件的剖面示意圖
圖5為本發(fā)明第四實施例之半導(dǎo)體發(fā)光二極 組件的剖面示意圖
圖6為本發(fā)明第五實施例之半導(dǎo)體發(fā)光二極 組件的剖面示意圖
主要元件符號說明
半導(dǎo)體發(fā)光二極管組件 1、2、3、4、5
基板10,30
第一發(fā)光區(qū)域11,31
第二發(fā)光區(qū)域12,32
第三發(fā)光區(qū)域13,33
第一熒光轉(zhuǎn)換層14,34
第二熒光轉(zhuǎn)換層15,35
發(fā)光結(jié)構(gòu)20、40
第三熒光轉(zhuǎn)換層36
光學(xué)感測組件100
P型半導(dǎo)體層111、121、131、311、321、331
發(fā)光層112、122、132、312、322、332
η型半導(dǎo)體層113、123、133、210、313、323、
333,410
具體實施例方式本發(fā)明在此所探討的方向為一種半導(dǎo)體發(fā)光組件。為了能徹底地了解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳盡的步驟及其組成。顯然地，本發(fā)明的施行并未限定于半導(dǎo)體發(fā)光組件之技藝者所熟習(xí)的特殊細節(jié)。另一方面，眾所周知的組成或步驟并未描述于細節(jié)中，以避免造成本發(fā)明不必要之限制。本發(fā)明的較佳實施例會詳細描述如下，然而除了這些詳細描述之外，本發(fā)明還可以廣泛地施行在其它的實施例中，且本發(fā)明的范圍不受限定，其以之后的權(quán)利要求范圍為準。下文將配合圖標(biāo)與范例，詳細說明本發(fā)明提供之各個較佳實施例及技術(shù)內(nèi)容。請參照圖1的第一實施例，本發(fā)明揭露一半導(dǎo)體發(fā)光二極管組件1，包含一基板 10、一發(fā)光結(jié)構(gòu)20、一第一熒光轉(zhuǎn)換層14以及一第二熒光轉(zhuǎn)換層15。本發(fā)明實施例中，所述基板10為半導(dǎo)體基板，其材質(zhì)可以為氧化鋁、碳化硅、鋁酸鋰、鎵酸鋰、硅、氮化鎵、氧化鋅、 氧化鋁鋅、砷化鎵、磷化鎵、銻化鎵、磷化銦、砷化銦、硒化鋅或是金屬。所述發(fā)光結(jié)構(gòu)20設(shè)置于基板10上，其中發(fā)光結(jié)構(gòu)20包含一第一發(fā)光區(qū)域11、一第二發(fā)光區(qū)域12以及一第三發(fā)光區(qū)域13。本發(fā)明實施例中，所述第一發(fā)光區(qū)域11、第二發(fā)光區(qū)域12以及第三發(fā)光區(qū)域13彼此的間距小于50微米(μπι)。第一發(fā)光區(qū)域11、第二發(fā)光區(qū)域12以及第三發(fā)光區(qū)域13分別具有一 ρ型半導(dǎo)體層111、121、131，一 η型半導(dǎo)體層 113、123、133以及一發(fā)光層112、122、132，其中發(fā)光層112、122、132分別位于ρ型半導(dǎo)體層 111、121、131與η型半導(dǎo)體層113、123、133之間。于本發(fā)明實施例中，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)20可為III-V或II-IV族的化合物半導(dǎo)體磊晶層，利用有機金屬化學(xué)氣相沉積(metal organic chemical vapor deposition, MOCVD)或分子束幕晶成長法(molecular beam epitaxy, MBE)形成，其材質(zhì)可以為氮化鎵(GaN)、氮化銦鎵(InGaN)、氮化鋁鎵(AWaN)、氮化鋁銦鎵 (AlInGaN)、氧化鋅(SiO)或硫化鋅(ZnS)。所述ρ型半導(dǎo)體層111、121、131可為摻雜二族原子的半導(dǎo)體層，例如鎂原子(Mg)。所述η型半導(dǎo)體層113、123、133可為摻雜四族原子的半導(dǎo)體層，例如硅原子(Si)。所述發(fā)光層112、122、132可為單量子井層(single quantum well)或多重量子井層(multiple quantum wells)的結(jié)構(gòu)，并且發(fā)光層112、122、132可發(fā)出相同波長的光線，例如紫外光、藍光或綠光。值得說明的是，半導(dǎo)體發(fā)光二極管組件1之發(fā)光結(jié)構(gòu)20具有復(fù)數(shù)個η型半導(dǎo)體層113、123、133，所述復(fù)數(shù)個η型半導(dǎo)體層113、123、133 彼此分離，且所述第一發(fā)光區(qū)域11、第二發(fā)光區(qū)域12以及第三發(fā)光區(qū)域13具有獨立的電性。于不同實施例中，如圖2Α至2Ε所示，第一發(fā)光區(qū)域11、第二發(fā)光區(qū)域12以及第三發(fā)光區(qū)域13可實施串聯(lián)、并聯(lián)、混聯(lián)、AC電路或具有個別獨立的電路。另外，所述第一發(fā)光區(qū)域 11、第二發(fā)光區(qū)域12以及第三發(fā)光區(qū)域13的電路連結(jié)并不局限于圖2Α至2Ε所示，亦包含其它自由的變換。本發(fā)明實施例中，η型半導(dǎo)體層113、123、133系分別形成在基板10上。然而，η型半導(dǎo)體層113、123、133以及基板10之間可以分別包含多個未摻雜的半導(dǎo)體層(圖未示)， 其材料與發(fā)光結(jié)構(gòu)20相同。所述未摻雜的半導(dǎo)體層系用以降低基板10與化合物半導(dǎo)體層之間的晶格常數(shù)或熱膨脹系數(shù)的差異而造成貫穿式差排密度，由此設(shè)置未摻雜的半導(dǎo)體層可以得到良好晶體質(zhì)量的化合物半導(dǎo)體磊晶層。請繼續(xù)參照圖1，所述第一熒光轉(zhuǎn)換層14設(shè)置在第一發(fā)光區(qū)域11的表面，其中第一熒光轉(zhuǎn)換層14可以將第一發(fā)光區(qū)域11所發(fā)出的部份光線轉(zhuǎn)換成不同波長的光線，例如發(fā)光層112發(fā)出藍色的光線，而第一熒光轉(zhuǎn)換層14可以將部份藍色光線轉(zhuǎn)換成紅色的光線。同樣地，所述第二熒光轉(zhuǎn)換層15設(shè)置在第二發(fā)光區(qū)域12的表面，其中第二熒光轉(zhuǎn)換層 15可以將第二發(fā)光區(qū)域12所發(fā)出的部份光線轉(zhuǎn)換成不同波長的光線，例如發(fā)光層122發(fā)出藍色的光線，而第二熒光轉(zhuǎn)換層15可以將部份藍色光線轉(zhuǎn)換成綠色的光線。如此一來，使得半導(dǎo)體發(fā)光二極管組件1可同時發(fā)出紅、綠、藍波段的光線并產(chǎn)生預(yù)定的混光效果。請參照圖3之第二實施例，本發(fā)明另揭露一半導(dǎo)體發(fā)光二極管組件2，其中部份結(jié)構(gòu)與第一實施例相同則不再贅述。所述半導(dǎo)體發(fā)光二極管組件2具有一光學(xué)感測組件 (photo-detector device) 100設(shè)置在所述基板10上，其用以感測半導(dǎo)體發(fā)光二極管組件2 的混光穩(wěn)定性，并以回饋機制來控制輸入電流使半導(dǎo)體發(fā)光二極管組件2發(fā)出的色彩在需求的條件內(nèi)。例如當(dāng)光學(xué)感測組件100感測到第二發(fā)光區(qū)域12的光強度不足時，便以回饋機制增加第二發(fā)光區(qū)域12的控制輸入電流，使半導(dǎo)體發(fā)光二極管組件2產(chǎn)生穩(wěn)定的色溫。 或者，為了使半導(dǎo)體發(fā)光二極管組件2達到預(yù)定的色彩需求，可利用光學(xué)感測組件100感測光強度，同時輸入控制電流以增加特定發(fā)光區(qū)域的光強度。請參照圖4之第三實施例，本發(fā)明另揭露一半導(dǎo)體發(fā)光二極管組件3，其中部份結(jié)構(gòu)與第一實施例相同則不再贅述。半導(dǎo)體發(fā)光二極管組件3以及半導(dǎo)體發(fā)光二極管組件1 不同之處在于，半導(dǎo)體發(fā)光二極管組件3之第一發(fā)光區(qū)域11、第二發(fā)光區(qū)域12以及第三發(fā)光區(qū)域13具有相同的一 η型半導(dǎo)體層210。進一步說明之，發(fā)光結(jié)構(gòu)21具有一 η型半導(dǎo)體層210，復(fù)數(shù)個ρ型半導(dǎo)體層111、121、131以及復(fù)數(shù)個發(fā)光層112、122、132，所述發(fā)光層 112、122、132分別設(shè)置在η型半導(dǎo)體層210上。而第一發(fā)光區(qū)域11、第二發(fā)光區(qū)域12以及第三發(fā)光區(qū)域13分別具有ρ型半導(dǎo)體層111、121、131，部份η型半導(dǎo)體層210以及發(fā)光層 112、122、132。值得說明的是，半導(dǎo)體發(fā)光二極管組件3之發(fā)光區(qū)域具有相同的η型半導(dǎo)體層210，因此所述第一發(fā)光區(qū)域11、第二發(fā)光區(qū)域12以及第三發(fā)光區(qū)域13具有共電極的電路特性，使得第一發(fā)光區(qū)域11、第二發(fā)光區(qū)域12以及第三發(fā)光區(qū)域13可實施并聯(lián)或部份并聯(lián)的電路。請參照圖5之第四實施例，本發(fā)明另揭露一半導(dǎo)體發(fā)光二極管組件4，包含一基板 30、一發(fā)光結(jié)構(gòu)40、一第一熒光轉(zhuǎn)換層34、一第二熒光轉(zhuǎn)換層35以及一第三熒光轉(zhuǎn)換層36， 其中發(fā)光結(jié)構(gòu)40包含一第一發(fā)光區(qū)域31、一第二發(fā)光區(qū)域32以及一第三發(fā)光區(qū)域33。本發(fā)明實施例中，所述第一發(fā)光區(qū)域31、第二發(fā)光區(qū)域32以及第三發(fā)光區(qū)域33彼此的間距小于50微米(μ m)。所述第一發(fā)光區(qū)域31、第二發(fā)光區(qū)域32以及第三發(fā)光區(qū)域33分別具有一 P型半導(dǎo)體層311、321、331，一 η型半導(dǎo)體層313、323、333以及一發(fā)光層312、322、332，其中發(fā)光層312、322、332分別位于ρ型半導(dǎo)體層311、321、331與η型半導(dǎo)體層313、323、333 之間。值得說明的是，所述半導(dǎo)體發(fā)光二極管組件4與第一實施例不同之處在于半導(dǎo)體發(fā)光二極管組件4更包含一第三熒光轉(zhuǎn)換層36設(shè)置在第三發(fā)光區(qū)域33的表面。所述發(fā)光層 112、122、132可發(fā)出相同波長的光線，例如紫外光。所述半導(dǎo)體發(fā)光二極管組件4之發(fā)光結(jié)構(gòu)40具有復(fù)數(shù)個η型半導(dǎo)體層313、323、333，所述復(fù)數(shù)個η型半導(dǎo)體層313、323、333彼此分離，因此所述第一發(fā)光區(qū)域31、第二發(fā)光區(qū)域32以及第三發(fā)光區(qū)域33具有電性獨立的特性，使得第一發(fā)光區(qū)域31、第二發(fā)光區(qū)域32以及第三發(fā)光區(qū)域33可實施串聯(lián)、并聯(lián)、混聯(lián)、 AC電路或個別獨立的電路。本發(fā)明實施例中，η型半導(dǎo)體層313、323、333系分別形成在基板30上。同樣地，η型半導(dǎo)體層313、323、333以及基板30之間可以分別包含多個未摻雜的半導(dǎo)體層(圖未示)。所述第一熒光轉(zhuǎn)換層34設(shè)置在第一發(fā)光區(qū)域31的表面，其中第一熒光轉(zhuǎn)換層34 可以將第一發(fā)光區(qū)域31所發(fā)出的部份光線轉(zhuǎn)換成不同波長的光線，例如發(fā)光層312發(fā)出紫外光，而第一熒光轉(zhuǎn)換層34可以將部份紫外光線轉(zhuǎn)換成紅色的光線。同樣地，所述第二熒光轉(zhuǎn)換層35設(shè)置在第二發(fā)光區(qū)域32的表面，其中第二熒光轉(zhuǎn)換層35可以將第二發(fā)光區(qū)域 32所發(fā)出的部份光線轉(zhuǎn)換成不同波長的光線，例如發(fā)光層322發(fā)出紫外光，而第二熒光轉(zhuǎn)換層35可以將部份紫外光轉(zhuǎn)換成綠色的光線。而第三熒光轉(zhuǎn)換層36設(shè)置在第三發(fā)光區(qū)域 33的表面，其中第三熒光轉(zhuǎn)換層36可以將第三發(fā)光區(qū)域33所發(fā)出的部份光線轉(zhuǎn)換成不同波長的光線，例如發(fā)光層332發(fā)出紫外光，而第三熒光轉(zhuǎn)換層36可以將部份紫外光線轉(zhuǎn)換成藍色的光線。如此一來，使得半導(dǎo)體發(fā)光二極管組件4可同時發(fā)出紅、綠及藍的光線并產(chǎn)生預(yù)定的混光效果。于本發(fā)明一實施例中，一光學(xué)感測組件(photo-detector)設(shè)置在所述基板30上(圖未示)，用以感測半導(dǎo)體發(fā)光二極管組件4的混光穩(wěn)定性，并以回饋機制來控制輸入電流使半導(dǎo)體發(fā)光二極管組件4發(fā)出的色彩在需求的條件內(nèi)。請參照圖6之第五實施例，本發(fā)明另揭露一半導(dǎo)體發(fā)光二極管組件5，其中部份結(jié)構(gòu)與第四實施例相同則不再贅述。第五實施例的半導(dǎo)體發(fā)光二極管組件5以及第四實施例的半導(dǎo)體發(fā)光二極管組件4不同之處在于，半導(dǎo)體發(fā)光二極管組件5之第一發(fā)光區(qū)域31、第二發(fā)光區(qū)域32以及第三發(fā)光區(qū)域33具有相同的一 η型半導(dǎo)體層410。進一步說明之，發(fā)光結(jié)構(gòu)50具有一 η型半導(dǎo)體層410，復(fù)數(shù)個ρ型半導(dǎo)體層311、321、331以及復(fù)數(shù)個發(fā)光層 312、322、332，所述發(fā)光層312、322、332分別設(shè)置在η型半導(dǎo)體層410上。而第一發(fā)光區(qū)域 31、第二發(fā)光區(qū)域32以及第三發(fā)光區(qū)域33分別具有ρ型半導(dǎo)體層311、321、331，部份η型半導(dǎo)體層410以及發(fā)光層312、322、332。值得說明的是，半導(dǎo)體發(fā)光二極管組件5之發(fā)光區(qū)域具有相同的η型半導(dǎo)體層410，因此所述第一發(fā)光區(qū)域31、第二發(fā)光區(qū)域32以及第三發(fā)光區(qū)域33具有共電極的電路特性，使得第一發(fā)光區(qū)域31、第二發(fā)光區(qū)域32以及第三發(fā)光區(qū)域33可實施并聯(lián)或部份并聯(lián)的電路。從本發(fā)明之手段與具有的功效中，可以得到本發(fā)明具有諸多的優(yōu)點。首先，本發(fā)明將熒光轉(zhuǎn)換層直接形成于半導(dǎo)體發(fā)光二極管組件表面，相較于先前技藝，不需設(shè)置多個發(fā)光二極管晶粒組件中，可減少組件所占用體積。另外，本發(fā)明之半導(dǎo)體發(fā)光二極管組件具有多個能產(chǎn)生多種波段光線的發(fā)光區(qū)域，其光源的光衰程度相同，能使得組件具有較佳的良率。再者，本發(fā)明之熒光轉(zhuǎn)換層系直接形成于半導(dǎo)體發(fā)光二極管組件表面，其混光效果佳， 不會因為晶粒與晶粒之間的距離差異而導(dǎo)致混光不均勻以及出現(xiàn)不必要的色區(qū)等缺失。顯然地，依照上面實施例中的描述，本發(fā)明可能有許多的修正與差異。因此需要在其附加的權(quán)利要求之范圍內(nèi)加以理解，除了上述詳細的描述外，本發(fā)明還可以廣泛地在其它的實施例中施行。上述僅為本發(fā)明之較佳實施例而已，并非用以限定本發(fā)明之權(quán)利要求； 凡其它未脫離本發(fā)明所揭示之精神下所完成的等效改變或修飾，均應(yīng)包含在下述權(quán)利要求范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一半導(dǎo)體發(fā)光二極管組件，包含一基板；一發(fā)光結(jié)構(gòu)包含一第一發(fā)光區(qū)域、一第二發(fā)光區(qū)域以及一第三發(fā)光區(qū)域分別設(shè)置于該基板上，并且該第一發(fā)光區(qū)域、該第二發(fā)光區(qū)域以及該第三發(fā)光區(qū)域分別具有一 P型半導(dǎo)體層、一η型半導(dǎo)體層以及至少一發(fā)光層；一第一熒光轉(zhuǎn)換層設(shè)置在該第一發(fā)光區(qū)域的表面，其中該第一熒光轉(zhuǎn)換層可以將該第一發(fā)光區(qū)域所發(fā)出的部份光線轉(zhuǎn)換成不同波長的光線；以及一第二熒光轉(zhuǎn)換層設(shè)置在該第二發(fā)光區(qū)域的表面，其中該第二熒光轉(zhuǎn)換層可以將該第二發(fā)光區(qū)域所發(fā)出的部份光線轉(zhuǎn)換成不同波長的光線。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光二極管組件，其特征在于該第一發(fā)光區(qū)域、該第二發(fā)光區(qū)域以及該第三發(fā)光區(qū)域的η型半導(dǎo)體層為彼此不相連的結(jié)構(gòu)。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光二極管組件，其特征在于該第一發(fā)光區(qū)域、該第二發(fā)光區(qū)域以及該第三發(fā)光區(qū)域的η型半導(dǎo)體層為彼此相連的結(jié)構(gòu)。
4.如權(quán)利要求2或3所述的半導(dǎo)體發(fā)光二極管組件，其特征在于該第一發(fā)光區(qū)域、該第二發(fā)光區(qū)域以及該第三發(fā)光區(qū)域之間是串聯(lián)連接、并聯(lián)連接、混聯(lián)連接、AC電路或者個別獨立的電路。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光二極管組件，其特征在于更包含一光學(xué)感測組件設(shè)置在該基板上。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光二極管組件，其特征在于該第一熒光轉(zhuǎn)換層可將該第一發(fā)光區(qū)域所發(fā)出的光線轉(zhuǎn)換成紅光，而該第二熒光轉(zhuǎn)換層可將該第二發(fā)光區(qū)域所發(fā)出的光線轉(zhuǎn)換成綠光。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光二極管組件，其特征在于該半導(dǎo)體發(fā)光二極管組件的材質(zhì)為III-V或II-IV族的化合物半導(dǎo)體。
8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體發(fā)光二極管組件，其特征在于該第一發(fā)光區(qū)域、該第二發(fā)光區(qū)域以及該第三發(fā)光區(qū)域用以發(fā)出藍光。
9.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體發(fā)光二極管組件，其特征在于該第一發(fā)光區(qū)域、該第二發(fā)光區(qū)域以及該第三發(fā)光區(qū)域用以發(fā)出紫外光。
10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體發(fā)光二極管組件，其特征在于更包含一第三熒光轉(zhuǎn)換層設(shè)置在該第三發(fā)光區(qū)域的表面，其中該第三熒光轉(zhuǎn)換層用以將第三發(fā)光區(qū)域所發(fā)出的光線轉(zhuǎn)換成藍光。
全文摘要
本發(fā)明揭露一半導(dǎo)體發(fā)光二極管組件，包含一第一發(fā)光區(qū)域、一第二發(fā)光區(qū)域、一第三發(fā)光區(qū)域、一第一熒光轉(zhuǎn)換層以及一第二熒光轉(zhuǎn)換層。所述第一、第二熒光轉(zhuǎn)換層分別設(shè)置在第一、第二發(fā)光區(qū)域上，并且熒光轉(zhuǎn)換層可以將發(fā)光區(qū)域所發(fā)出的光線轉(zhuǎn)換成不同波長的光線，使得該發(fā)光二極管組件可產(chǎn)生多波長的光線。所述熒光轉(zhuǎn)換層系直接形成于發(fā)光二極管組件表面，如此不僅混光效果佳且占用體積小。
文檔編號H01L33/50GK102347431SQ20101024580
公開日2012年2月8日 申請日期2010年8月5日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月5日
發(fā)明者曾堅信, 沈佳輝, 洪梓健 申請人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司