專利名稱：發(fā)光器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
實(shí)施例涉及發(fā)光器件。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(LED)被頻繁用作一類發(fā)光器件。近來，發(fā)光二極管(LED)的亮度有所增加，使得發(fā)光二極管已經(jīng)用作顯示器、汽車 和照明單元的光源。另外，發(fā)光二極管被實(shí)現(xiàn)為具有優(yōu)良效率的發(fā)光器件，其通過使用熒光 材料或組合產(chǎn)生各種顏色的發(fā)光二極管來發(fā)射白光。利用施加的電力，具有通過堆疊第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、有源層和第二導(dǎo)電層形成的 發(fā)光結(jié)構(gòu)層的發(fā)光二極管從有源層產(chǎn)生光。例如，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層可以是η型半導(dǎo)體層 并且第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層可以是P型半導(dǎo)體層，相反地，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層可以是P型半導(dǎo)體 層并且第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層可以是η型半導(dǎo)體層。同時(shí)，在發(fā)光二極管中，由于第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的高電阻組件，導(dǎo)致電流在整個(gè)有 源層上沒有均勻提供，并且被集中，大部分流向并圍繞在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層上形成的電極 層部分及其相鄰區(qū)。由于如上提及的有限電流，發(fā)光二極管的正向電壓增加，使得存在電流 效率降低的問題。

發(fā)明內(nèi)容
實(shí)施例提供了 一種具有新結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件。實(shí)施例提供了通過使電流能夠流向有源層的寬廣的區(qū)而具有改進(jìn)的電流效率和 光效率的發(fā)光器件。根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件，包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層；有源層，所述有源層在所述第 一導(dǎo)電半導(dǎo)體層下；第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層，所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層在所述有源層下；電流阻 擋區(qū)，所述電流阻擋區(qū)在所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層下；第二電極層，所述第二電極層在所述第 二導(dǎo)電半導(dǎo)體層和所述電流阻擋區(qū)下；以及第一電極層，所述第一電極層在所述第一導(dǎo)電 半導(dǎo)體層上，包括布置的向著所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層突起的突起。根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件，包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層；有源層，所述有源層在所述第 一導(dǎo)電半導(dǎo)體層下；第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層，所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層在所述有源層下；第二電 極層，所述第二電極層在所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層下；以及第一電極層，所述第一電極層在所 述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層上，具有焊盤單元和與所述焊盤單元連接的電極單元，其中所述電極 單元包括主體和布置在所述主體下的突起；并且所述突起沿著所述主體延伸。


圖1是根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光器件的橫截面圖；圖2是根據(jù)第一實(shí)施例的從上面的方向觀察到的發(fā)光器件的圖示；圖3是根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光器件的橫截面圖；圖4是根據(jù)第三實(shí)施例的發(fā)光器件的橫截面圖；圖5是示出圖2中所示的電極單元的詳細(xì)形狀的圖示；圖6是根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光器件的橫截面圖；圖7是根據(jù)第三實(shí)施例的發(fā)光器件的橫截面圖；圖8是示出包括根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝的圖示；圖9是示出使用根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件封裝或發(fā)光器件的背光單元的圖示；圖10是使用根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件或發(fā)光器件封裝的照明單元的透視圖。
具體實(shí)施例方式在描述的實(shí)施例中，將理解的是，當(dāng)每個(gè)層(或膜)、區(qū)、圖案或結(jié)構(gòu)被描述為形成 在每個(gè)層(或膜)、區(qū)、圖案或結(jié)構(gòu)“上”或“下”時(shí)，“上”或“下”可以“直接”或“借助其它 層(間接)”形成。另外，將基于附圖描述詞語“上”或“下”。在附圖中，為了說明的方便和清楚，夸大、省略或示意性示出了每個(gè)層的厚度或尺 寸。另外，每個(gè)組件的尺寸沒有完全反應(yīng)真實(shí)尺寸。下文中，將參照附圖描述根據(jù)這些實(shí)施例的發(fā)光器件。圖1是根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光器件的橫截面圖，并且圖2是從上面觀察到的根據(jù) 第一實(shí)施例的發(fā)光器件的圖示。參照?qǐng)D1和圖2，根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光器件包括發(fā)光結(jié)構(gòu)層，該發(fā)光結(jié)構(gòu)層包括 第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層10、有源層20和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層30。另外，第一電極層60形成在第 一導(dǎo)電半導(dǎo)體層10上，并且第二電極層50形成在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層30下。例如，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層10可以包括η型半導(dǎo)體層，并且η型半導(dǎo)體層可以由半 導(dǎo)體材料制成，所述半導(dǎo)體材料選自InAlGaN、GaN、AlGaN、AlInN、InGaN, AlN, InN等，其中 半導(dǎo)體材料具有InxAlyGai_x_yN(0彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)的化學(xué)式并且可以摻 雜有η型摻雜物，例如Si、Ge、Sn等。例如，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層30可以實(shí)現(xiàn)為ρ型半導(dǎo)體層，并且ρ型半導(dǎo)體層可以由 半導(dǎo)體材料制成，例如，所述半導(dǎo)體材料選自InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlInN、A1N、InN 等，其中半導(dǎo)體材料具有InxAlyGai_x_yN(0彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)的化學(xué)式并且 可以摻雜有η型摻雜物，例如Mg、Zn、Ca、Sr、Ba等。并且，例如，有源層20可以由具有InxAlyGai_x_yN(0彡χ彡1，0彡y彡1， 0 ^ x+y ^ 1)的化學(xué)式的半導(dǎo)體材料制成。如果有源層20形成為多量子阱結(jié)構(gòu)，則可以通 過堆疊多個(gè)阱層和多個(gè)勢(shì)壘層形成有源層20，并且有源層20可以按InGaN阱層/GaN勢(shì)壘 層循環(huán)的次序形成。摻雜有η型或ρ型摻雜物的包覆層(未示出)可以形成在有源層20上和/或有 源層20下。包覆層(未示出)可以被實(shí)現(xiàn)為AlGaN層或InAlGaN層。雖然實(shí)施例舉例說明了當(dāng)?shù)谝粚?dǎo)電半導(dǎo)體層10包括η型半導(dǎo)體層并且第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層30包括ρ型半導(dǎo)體層時(shí)，但是，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層10可以包括ρ型半導(dǎo)體層并且 第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層30可以包括η型半導(dǎo)體層。另外，可以在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層30和第二電極層50之間形成與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體 層10不同的第三導(dǎo)電半導(dǎo)體層。例如，當(dāng)?shù)诙?dǎo)電半導(dǎo)體層30包括P型半導(dǎo)體層時(shí)，第三 導(dǎo)電半導(dǎo)體層包括η型半導(dǎo)體層；如果第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層30包括η型半導(dǎo)體層，則第三導(dǎo) 電半導(dǎo)體層包括P型半導(dǎo)體層。第一電極層60在垂直方向與第二電極層50疊置。第一電極層60包括焊盤單元61和電極單元64，電極單元64包括主體62和突起 63，主體62布置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層10上，突起63從主體62向著第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層10 突起。主體62的底部與第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層10接觸，突起63的側(cè)部和底部與第一導(dǎo)電半 導(dǎo)體層10接觸。焊盤單元61提供引線結(jié)合區(qū)，用于將第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層10與外部電源連接，電極 單元64使得通過焊盤單元61提供的電力能夠廣泛并且均勻地流向第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層10 的寬廣的區(qū)。電極單元64在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層10上線性延伸，例如，可以布置成窗的形狀，所 述窗的形狀包括如圖2所示的由電極單元64包圍的至少一個(gè)開口。圖3和圖4是示出在根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件中的第一電極層的其它類型的圖示。如圖3和圖4所示，第一電極層60可以包括電極單元64，該電極單元64被分成三 個(gè)部分，然后延伸，表面上的電極單元64的形狀包括直線形或彎曲形。雖然實(shí)施例舉例說 明了電極單元64被如同手指般劃分，但是其也可以被設(shè)計(jì)成各種形狀。另外，雖然沒有示出，但是可以形成多個(gè)焊盤單元61，并且電極單元可以連接到每 個(gè)焊盤單元。圖5是示出圖2中所示的電極單元的詳細(xì)形狀的圖示。參照?qǐng)D5，第一電極層60包括焊盤單元61和電極單元64，電極單元64包括主體 62和突起63。突起63可以從焊盤單元61沿著主體62延伸，并且可以形成為與主體62對(duì)應(yīng)的 形狀。例如，如圖2和圖5所示，主體62形成為窗的形狀，突起63可以對(duì)應(yīng)地也形成為窗 的形狀，如圖4所示，如果主體62被如同手指般劃分，則突起63頁可以形成為手指的形狀。對(duì)于根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光器件，電極單元64具有主體62和突起63，使得電極單 元64和第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層10之間的接觸區(qū)增大，由此減小了電極單元64和第一導(dǎo)電半導(dǎo) 體層10之間的電阻。換句話講，突起63使得通過主體62傳輸?shù)碾娏Ω行У亓鬟^第一導(dǎo) 電半導(dǎo)體層10。突起63可以布置在主體62的中心下，并且其寬度可以小于主體62的寬度。同時(shí)，電流阻擋區(qū)40形成在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層30下，并且第二電極層50形成在 第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層30和電流阻擋區(qū)40下。電流阻擋區(qū)40可以由具有低導(dǎo)電率或電絕緣特性的材料制成。例如，電流阻擋區(qū) 40可以由諸如氧化硅(SiO2)的電絕緣材料或與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層30具有肖特基接觸特性 的材料制成。另外，電流阻擋區(qū)40可以是含有空氣的空間。
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第二電極層50包括歐姆接觸層51、反射層52和導(dǎo)電支撐襯底53。例如，歐姆接觸層51可以由含以下物質(zhì)中的至少任一種的材料制成銦錫氧化 物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、銦鋅錫氧化物(IZTO)、銦鋁鋅氧化物(IAZO)、銦鎵鋅氧化物 (IGZO)、銦鎵錫氧化物(IGTO)、鋁鋅氧化物(AZO)、銻錫氧化物(ΑΤΟ)、鎵鋅氧化物(GZO)、 IrOx, RuOx, RuOx/1 TO, Ni、Ag、Ni/IrOx/Au 或 Ni/Ir0x/Au/IT0。另外，反射層52可以由含Ag或Al的材料制成，并且導(dǎo)電支撐襯底53可以由含Cu、 Mo、Ni、Cr、Ti、Al、Pt和Au中的至少任一種的金屬制成，或者可以是含Si、Ge、GaAs, ZnO、 SiC、SiGe或GaN中的至少任一種的導(dǎo)電半導(dǎo)體襯底。布置第一電極層60，使得其至少一部分在垂直方向與電流阻擋區(qū)40疊置。另外， 突起63中的至少一部分在垂直方向與電流阻擋區(qū)40疊置。電流幾乎不在電流阻擋區(qū)40中流動(dòng)，使得第一電極層60和第二電極層50之間的 電流由于電流阻擋區(qū)40而流向?qū)拸V的區(qū)。具體來講，根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光器件包括突起63，用于減小主體62和第一導(dǎo)電 半導(dǎo)體層10之間的電阻，從而第一電極層60和第二電極層50之間的電流會(huì)由于突起63 而有可能更加集中。然而，因?yàn)楦鶕?jù)第一實(shí)施例的發(fā)光器件包括突起63和電流阻擋區(qū)40，因此可以防 止電流集中在第一電極層60和第二電極層50之間的現(xiàn)象，并且可以減小主體62和第一導(dǎo) 電半導(dǎo)體層10之間的電阻。圖6是根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光器件的橫截面圖。在對(duì)根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光器件的說明中，將省略與如以上提及的關(guān)于根據(jù)第一 實(shí)施例的發(fā)光器件的說明重復(fù)的說明。參照?qǐng)D6，根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光器件包括具有突起63的電極單元64，所述突起 63具有三角形的剖面。在第一實(shí)施例中示出具有矩形剖面的突起63，但是在根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光器件 中示出具有三角形剖面的突起63。換句話講，根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光器件中的突起63包括 第一傾斜表面和第二傾斜表面。即使沒有示出，突起63的剖面形狀也可以形成半圓形的類型。圖7是根據(jù)第三實(shí)施例的發(fā)光器件的橫截面圖。在對(duì)根據(jù)第三實(shí)施例的發(fā)光器件的說明中，將省略與如以上提及的關(guān)于根據(jù)第一 實(shí)施例或第二實(shí)施例的發(fā)光器件的說明重復(fù)的說明。參照?qǐng)D7，根據(jù)第三實(shí)施例的發(fā)光器件包括具有突起63的電極單元64，該突起63 具有三角形的剖面。并且，在突起63和第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層10之間形成反射電極單元65。通過反射在有源層20中產(chǎn)生的來自電極單元64的下側(cè)的入射光，反射電極單元 65能夠增大發(fā)光器件的光學(xué)提取效率。反射電極單元65可以由具有諸如Ag或Al這樣的 高光反射率的金屬制成。具體來講，通過具有根據(jù)有源層20的恒定的傾斜角，反射電極單元65可以有效地 反射從有源區(qū)20傳播的光，這是因?yàn)榉瓷潆姌O單元65形成在突起63的傾斜表面上。反射電極單元65可以形成在主體62的底部以及突起63的傾斜表面中。如以上所提及的，根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件可以通過包括突起63的電極單元64向
7第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層10的寬廣的區(qū)提供低電阻的電流。另外，對(duì)于根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件，通過將電流阻擋區(qū)40布置在與電極單元64相 垂直的方向的疊置區(qū)上，電流應(yīng)該能夠提供到有源區(qū)20的寬廣的區(qū)，使得發(fā)光器件的靜電 放電(ESD)特性可以得以改善。另外，可以防止由于電流集中在特定區(qū)產(chǎn)生發(fā)熱，使得器件 的可靠性根據(jù)發(fā)熱導(dǎo)致的問題可以得以改善。另外，可以通過由于低電阻導(dǎo)致的低驅(qū)動(dòng)電壓來實(shí)現(xiàn)根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件，使 得發(fā)光器件的電特性可以得以改善。實(shí)施例可以給發(fā)光器件提供新的結(jié)構(gòu)。實(shí)施例可以提供發(fā)光器件，通過電流流向有源層的寬廣的區(qū)，所述發(fā)光器件具有 改進(jìn)的電流效率和光效率。圖8是示出包括根據(jù)這些實(shí)施例的發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝的圖示。參照?qǐng)D8，根據(jù)這些實(shí)施例的發(fā)光器件封裝600包括封裝主體300 ；第一導(dǎo)電層 310和第二導(dǎo)電層320，其形成在封裝主體300上；發(fā)光器件200，其形成在封裝主體300上 并且電連接到第一導(dǎo)電層310和第二導(dǎo)電層320 ；以及模制構(gòu)件500，其覆蓋發(fā)光器件200。封裝主體300可以由硅材料、合成樹脂材料或金屬材料制成，并且傾斜表面可以 具有圍繞發(fā)光器件200的斜坡。第一導(dǎo)電層310和第二導(dǎo)電層320彼此電隔離，并且向發(fā)光器件200提供電力。另 外，第一導(dǎo)電層310和第二導(dǎo)電層320可以起到通過反射由發(fā)光器件200產(chǎn)生的光而提高 光效率的作用，并且還起到將發(fā)光器件200產(chǎn)生的熱釋放到外部的作用。發(fā)光器件200可以形成在封裝主體300上，或者在第一導(dǎo)電層310或第二導(dǎo)電層 320 上。發(fā)光器件200可以通過引線400電連接到第一導(dǎo)電層310和/或第二導(dǎo)電層320， 并且實(shí)施例示出使用了一條引線。模制構(gòu)件500可以通過覆蓋發(fā)光器件200而保護(hù)發(fā)光器件200。另外，模制構(gòu)件 500包括熒光物質(zhì)，由此改變從發(fā)光器件200發(fā)射的光的波長(zhǎng)。根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件封裝600可以通過使用具有優(yōu)良光提取效率和電流注入 效率的發(fā)光器件200而具有優(yōu)良的光效率。多個(gè)發(fā)光器件封裝600在熒光物質(zhì)上排成陣列，并且作為光學(xué)構(gòu)件的光波導(dǎo)、棱 鏡片、擴(kuò)散片、熒光片等可以布置在從發(fā)光器件封裝600發(fā)射的光的路徑中。發(fā)光器件封 裝、熒光物質(zhì)和光學(xué)構(gòu)件可以用作背光單元或照明單元，并且照明系統(tǒng)可以例如包括背光 單元、照明單元、指示器、燈、街燈。圖9是示出使用根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件封裝或發(fā)光器件的背光單元的圖示。然 而，圖9中的背光單元1100是照明系統(tǒng)的一個(gè)實(shí)例，并且不限于此。參照?qǐng)D9，背光單元1100可以包括底框架1140、布置在底框架1140內(nèi)的導(dǎo)光構(gòu)件 1120、布置在導(dǎo)光構(gòu)件1120的底部或至少一側(cè)的發(fā)光模塊1110。另外，反射片1130可以布 置在導(dǎo)光構(gòu)件1120下。底框架1140可以是頂部用于接收導(dǎo)光構(gòu)件1120、發(fā)光模塊1110和反射片1130的 盒體，并且可以由金屬或樹脂制成，但是不限于此。發(fā)光模塊1110可以包括襯底700和安裝在襯底700上的多個(gè)發(fā)光器件封裝600。多個(gè)發(fā)光器件封裝600可以向?qū)Ч鈽?gòu)件1120提供光。雖然實(shí)施例舉例說明了發(fā)光器件封裝 600形成在發(fā)光模塊1110的襯底700上，但是也可以直接形成根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件200。如圖9中所示，發(fā)光模塊1110可以布置在底框架1140的內(nèi)側(cè)的至少任一個(gè)上，由 此向著導(dǎo)光構(gòu)件1120的至少一個(gè)內(nèi)側(cè)提供光。然而，發(fā)光模塊1110可以布置在底框架1140下，由此向著導(dǎo)光構(gòu)件1120的底側(cè) 提供光，并且根據(jù)背光單元1100的設(shè)計(jì)可以按各種方式改變，使得其將不限于此。導(dǎo)光構(gòu)件1120可以布置在底框架1140內(nèi)部。導(dǎo)光構(gòu)件1120使得從發(fā)光模塊1110 提供的光能夠被組合形成一個(gè)表面，由此導(dǎo)向顯示面板(未示出)。導(dǎo)光構(gòu)件1120可以例如是導(dǎo)光面板(LGP)。例如，導(dǎo)光面板可以由一種丙烯酸樹 脂制成，所述丙烯酸樹脂例如是聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)、聚 碳酸乙酯(PC)、COC和聚萘二甲酸乙二酯(PEN)樹脂。光學(xué)片1150可以布置在導(dǎo)光構(gòu)件1120上。光學(xué)片1150可以包括例如擴(kuò)散片、會(huì)聚片、增亮片和熒光片中的至少一種。例如， 通過層合擴(kuò)散片、會(huì)聚片、增亮片和熒光片可以形成光學(xué)片1150。在這種情況下，擴(kuò)散片 1150能夠均勻地?cái)U(kuò)散從發(fā)光模塊1110射出的光，并且擴(kuò)散光可以通過會(huì)聚片聚集到顯示 面板(未示出)。此時(shí)，從會(huì)聚片射出的光是隨機(jī)偏振光，并且增亮片能夠增加從會(huì)聚片射 出的光的偏振度。會(huì)聚片可以例如是水平和/或垂直的棱鏡片。另外，增亮片可以例如是 雙增亮膜。另外，熒光片可以是含有熒光物質(zhì)的透明的板或膜。反射片1130可以布置在導(dǎo)光構(gòu)件120下。反射片1130能夠?qū)⑼ㄟ^導(dǎo)光構(gòu)件1120 的底部發(fā)射的光向著導(dǎo)光構(gòu)件1120的出射表面反射。反射片1130可以由具有良好反射性的樹脂材料制成，所述樹脂材料是例如PET、 PC、PVC、樹脂等，但是將不限于此。圖10是使用根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件或發(fā)光器件封裝的照明單元的透視圖。然而， 圖10中的照明單元1200是照明系統(tǒng)的一個(gè)實(shí)例，但將不限于此。參照?qǐng)D10，照明單元1200可以包括殼體1210;發(fā)光模塊1230，其形成在殼體 1210中；以及連接端1220，其形成在殼體1210中并且從外部電源向其提供電力。殼體1210可以優(yōu)選地由具有良好散熱特性的材料制成，例如，可以由金屬材料或 樹脂材料制成。發(fā)光模塊1230可以包括襯底700和安裝在襯底700上的至少一個(gè)發(fā)光器件封裝 600。實(shí)施例示出發(fā)光器件封裝600形成在發(fā)光模塊1100的襯底700上，但是可以直接形 成根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件200。襯底700可以是在絕緣體上印刷有電路圖案的襯底，例如，可以包括通用的印刷 電路板(PCB)、金屬芯PCB、柔性PCB、陶瓷PCB等。另外，襯底700可以由有效反射光的材料、或具有顏色并在其表面上有效反射光 的材料制成，所述顏色例如是白色、銀色等。在襯底700上可以安裝至少一個(gè)發(fā)光器件封裝600。發(fā)光器件封裝600可以分別 包括至少一個(gè)發(fā)光二極管(LED)。發(fā)光二極管可以包括分別發(fā)射諸如紅色、綠色、藍(lán)色或白 色的有色光的有色發(fā)光二極管以及發(fā)射紫外線(UV)的UV發(fā)光二極管。發(fā)光模塊1230可以被布置成具有各種發(fā)光二極管的組合，用于實(shí)現(xiàn)亮度和色感。例如，通過組合白色發(fā)光二極管、紅色發(fā)光二極管和綠色發(fā)光二極管的組合，其可以被布置 成確保高的顯色性。另外，熒光片可以布置在從發(fā)光模塊120發(fā)射的光的傳播路徑上，并且 熒光片能夠改變從發(fā)光模塊1230發(fā)射的光的波長(zhǎng)。例如，如果從發(fā)光模塊1230發(fā)射的光 具有藍(lán)色波長(zhǎng)范圍，則熒光片可以包括黃色熒光物質(zhì)，并且從發(fā)光模塊1230發(fā)射的光穿過 熒光片，并且最終被示出為白光。連接端1220能夠通過電連接到發(fā)光模塊1230提供電力。如圖10中所示，連接端 1220被插入并且與插座型的外部電源耦合，然而其將不限于此。例如，連接端1220形成為 銷型，然后插入到外部電源，或者還可以通過引線連接到外部電源。在從發(fā)光模塊發(fā)射的光的傳播路徑上的導(dǎo)光構(gòu)件、擴(kuò)散片、會(huì)聚片、增亮片和熒光 片中的至少任一種可以布置在如以上提及的照明系統(tǒng)，使得可以實(shí)現(xiàn)所需的光學(xué)效果。如以上所提及的，通過包括根據(jù)實(shí)施例的具有良好的光提取效率和電流注入效率 的發(fā)光器件或發(fā)光器件封裝，照明系統(tǒng)可以具有優(yōu)良的光效率。該說明書中參照“ 一個(gè)實(shí)施例”、“實(shí)施例”、“實(shí)例實(shí)施例，，等的短語意味著結(jié)合實(shí) 施例描述的特定特征、結(jié)構(gòu)或者特性包括在本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例中。說明書中各個(gè)位 置出現(xiàn)這類短語不必都參照同一實(shí)施例。另外，當(dāng)結(jié)合任何實(shí)施例描述特定特征、結(jié)構(gòu)或特 性時(shí)，表示的是，結(jié)合其它實(shí)施例實(shí)現(xiàn)這類特征、結(jié)構(gòu)或特性在本領(lǐng)域技術(shù)人員的范圍內(nèi)。雖然已經(jīng)參照實(shí)施例的多個(gè)示例性實(shí)施例描述了實(shí)施例，但是應(yīng)該理解的是，本 領(lǐng)域技術(shù)人員可以進(jìn)行落入本發(fā)明原理的精神和范圍內(nèi)的多個(gè)其它修改和實(shí)施例。更具體 來講，在本發(fā)明、附圖和所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)，對(duì)于主題組合布置中的組件部分和/或布 置進(jìn)行各種變化和修改是可行的。除了組件部分和/或布置的變化和修改之外，對(duì)于本領(lǐng) 域技術(shù)人員來講，可供選擇的使用也將是清楚的。
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權(quán)利要求
一種發(fā)光器件，包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層；有源層，所述有源層在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層下；第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層，所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層在所述有源層下；電流阻擋區(qū)，所述電流阻擋區(qū)在所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層下；第二電極層，所述第二電極層在所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層和所述電流阻擋區(qū)下；第一電極層，所述第一電極層在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層上，包括布置的向著所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層突起的突起。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第一電極層包括焊盤單元和與所述焊盤 單元連接的電極單元。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其中所述電極單元包括主體和布置在所述主體下 的突起。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光器件，其中所述突起的寬度小于所述主體的寬度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述突起被形成為四角形、三角形或半球形 剖面中的任一種的類型。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第一電極層在垂直方向與所述第二電極層疊置。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第一電極層的至少一部分在垂直方向與 所述電流阻擋區(qū)疊置。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的所述發(fā)光器件，其中所述突起的至少一部分在垂直方向與所述電 流阻擋區(qū)疊置。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，進(jìn)一步包括在所述突起和所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層 之間的反射電極單元。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層是具有 InxAlyGa1^yN(0 ^ χ ^ 1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)的化學(xué)式并且含有η型雜質(zhì)的半導(dǎo)體 層，并且所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層是具有InxAlyGai_x_yN(0彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1) 的化學(xué)式并且含有P型雜質(zhì)的半導(dǎo)體層。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第二電極層包括與所述第二導(dǎo)電半導(dǎo) 體層接觸的歐姆接觸層、在所述歐姆接觸層下的反射層、和在所述反射層下的導(dǎo)電支撐襯 底。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述電流阻擋區(qū)具有電絕緣特性或肖特基 接觸特性。
13.一種發(fā)光器件，包括 第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層；有源層，所述有源層在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層下； 第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層，所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層在所述有源層下； 第二電極層，所述第二電極層在所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層下；以及 第一電極層，所述第一電極層在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層上，具有焊盤單元和與所述焊 盤單元連接的電極單元，其中所述電極單元包括主體和布置在所述主體下的突起；并且所述突起沿著所述主體 延伸。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的發(fā)光器件，其中所述突起被形成為由所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層包圍。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的發(fā)光器件，其中所述突起的寬度小于所述主體的寬度。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的發(fā)光器件，其中所述突起被形成為四角形、三角形和半球 形剖面中的任一種的類型。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的發(fā)光器件，其中所述突起連續(xù)地延伸，并且包括直線形狀 或曲線形狀。
18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的發(fā)光器件，其中在所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層和所述第二電極 層之間，在與所述第一電極層在垂直方向疊置的位置上形成電流阻擋區(qū)。
19.根據(jù)權(quán)利要求13所述的發(fā)光器件，進(jìn)一步包括在所述突起和所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體 層之間的反射電極單元。
20.根據(jù)權(quán)利要求13所述的發(fā)光器件，其中所述第二電極層包括與所述第二導(dǎo)電半導(dǎo) 體層接觸的歐姆接觸層、在所述歐姆接觸層下的反射層、和在所述反射層下的導(dǎo)電支撐襯 底。
全文摘要
根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層；有源層，所述有源層在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層下；第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層，所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層在所述有源層下；電流阻擋區(qū)，所述電流阻擋區(qū)在所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層下；第二電極層，所述第二電極層在所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層和所述電流阻擋區(qū)下；和第一電極層，所述第一電極層在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層上，包括布置的向著所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層突起的突起。
文檔編號(hào)H01L33/38GK101986439SQ20101024274
公開日2011年3月16日 申請(qǐng)日期2010年7月28日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月28日
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