專利名稱：一種n型背接觸電池的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及硅晶體太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種N型背接觸電池。
背景技術(shù)：
硅晶體太陽能電池有P型電池、N型電池，相對(duì)于P型電池，N型硅電池具有光照衰 減的效率損失小的優(yōu)點(diǎn)，而且更耐金屬雜質(zhì)的污染。現(xiàn)有的高效背接觸電池基本都是采用 N型襯底。但是現(xiàn)有的N型背接觸電池的電池效率較低，制作工藝較復(fù)雜，生產(chǎn)成本較高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種N型背接觸電池，其 電池效率較高，制作工藝簡單，生產(chǎn)成本較低。本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種N型背接觸電池，所述的電池 為N型硅晶體太陽能電池，所述的電池背面負(fù)電極為Ag電極，電池背面正電極為Al電極， Ag電極由一條以上縱向Ag主柵線、兩條以上橫向Ag細(xì)柵線組成，各條Ag細(xì)柵線之間的中 心間距為1.6 2. 5mm，每條Ag細(xì)柵線的寬度為40 120um，Al電極由一條以上縱向Al主 柵線、兩條以上橫向Al細(xì)柵線組成，各條Al細(xì)柵線之間的中心間距為1. 6 2. 5mm,每條 Al細(xì)柵線的寬度為1. 3 2. 3mm。進(jìn)一步地，所述的電池正面具有70 90nm厚、折射率為1. 6 2. 6的正面SiNx 層以及在正面SiNx層下方擴(kuò)散方塊電阻為50 900hm/sq的正面N+層，所述的電池背面 具有擴(kuò)散方塊電阻為50 900hm/sq的背面N+層以及50 IOOOnm厚的熱氧化SiO2層， 熱氧化SiO2層下方為50 90nm厚、折射率為1. 6 2. 6的背面SiNx層。制作上述N型 背接觸電池的制作工藝為1、硅片清洗，去除損傷層，表面制絨；2、熱氧化處理生成熱氧化 硅；3、單面去除熱氧化硅；4、背面印刷刻蝕性漿料選擇性去除氧化硅；5、雙面POCl3擴(kuò)散， 正背面擴(kuò)散方塊電阻為50 900hm/sq ；6、去除PSG層；7、印刷Al漿并烘干；8、印刷Ag漿 并烘干；9、燒結(jié)。進(jìn)一步地，所述的電池正面具有70 90nm厚、折射率為1. 6 2. 6的正面SiNx 層以及在正面SiNx層下方擴(kuò)散方塊電阻為80 1200hm/sq的正面N+層，所述的電池背面 具有擴(kuò)散方塊電阻為50 900hm/sq的背面N+層以及50 IOOOnm厚的熱氧化SiO2層， 熱氧化SiO2層下方為50 90nm厚、折射率為1. 6 2. 6的背面SiNx層。制作上述N型 背接觸電池的制作工藝為1、硅片清洗，去除損傷層，表面制絨；2、熱氧化處理生成熱氧化 硅；3、單面去除熱氧化硅；4、背面印刷刻蝕性漿料選擇性去除氧化硅；5、雙面POCl3擴(kuò)散， 正背面擴(kuò)散方塊電阻為50 900hm/sq ；6、去除PSG層；7、正面刻蝕成擴(kuò)散方塊電阻為80 1200hm/sq ；8、印刷Al漿并烘干；9、印刷Ag漿并烘干；10、燒結(jié)。本發(fā)明的有益效果是本發(fā)明采用新型的電池背面電極印刷圖案，采用Al、Ag作 為背面正、負(fù)電極，具有新型的結(jié)構(gòu)，使得本發(fā)明的電池效率較高，可達(dá)到17 %，并且制作工 藝簡單，生產(chǎn)成本也較低。


下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說明。圖1是本發(fā)明的實(shí)施例一的背面電極示意圖；圖2是本發(fā)明的實(shí)施例二的背面電極示意圖；圖3是本發(fā)明的實(shí)施例二的截面剖視圖。其中1. Ag主柵線，2. Ag細(xì)柵線，3. Al主柵線，4. Al細(xì)柵線，5.正面SiNx層，6.正 面N+層，7.背面N+層，8.熱氧化SiO2層，9.背面SiNx層。
具體實(shí)施例方式實(shí)施例一如圖1所示的一種N型背接觸電池，規(guī)格為普通的八邊125硅單晶電 池，采用如下工藝步驟制作1、硅片清洗，去除損傷層，表面制絨；2、100(TC熱氧化處理生 成熱氧化硅；3、單面去除熱氧化硅；4、背面印刷刻蝕性漿料選擇性去除氧化硅；5、840°C雙 面POCl3擴(kuò)散20min，生成擴(kuò)散方塊電阻為600hm/sq的正背表面擴(kuò)散層；6、去除PSG層后， 正面SiNx層、背面SiNx層均為SOnm厚；7、印刷Al漿并烘干；8、印刷Ag漿并烘干；9、760°C 燒結(jié)。制作出的電池正面具有80nm厚的正面SiNx層以及在正面SiNx層下方擴(kuò)散方塊電阻 為600hm/sq的正面N+層，電池背面具有擴(kuò)散方塊電阻為600hm/sq的背面N+層以及50 IOOOnm厚的熱氧化SiO2層，熱氧化SiO2層下方為80nm厚的背面SiNx層。電池背面負(fù)電極為Ag電極，電池背面正電極為Al電極，Ag電極由兩條縱向Ag主 柵線、多條橫向Ag細(xì)柵線組成，各條Ag細(xì)柵線之間的中心間距為1. 6 2. 5mm,每條Ag細(xì) 柵線的寬度為40 120um，Al電極由三條縱向Al主柵線、多條橫向Al細(xì)柵線組成，各條Al 細(xì)柵線之間的中心間距為1. 6 2. 5mm，每條Al細(xì)柵線的寬度為1. 3 2. 3mm。電池背面印刷的電極圖案結(jié)構(gòu)特殊，采用Al、Ag作為背面正、負(fù)電極，具有新型的 結(jié)構(gòu)，電池效率達(dá)到17. 1%。實(shí)施例二 如圖2圖3所示的一種N型背接觸電池，規(guī)格為方形硅單晶電池，采用 如下工藝步驟制作1、硅片清洗，去除損傷層，表面制絨；2、IOOiTC熱氧化處理生成熱氧化 硅；3、單面去除熱氧化硅；4、背面印刷刻蝕性漿料選擇性去除氧化硅；5、840°C雙面POCl3 擴(kuò)散20min，生成擴(kuò)散方塊電阻為600hm/sq的正背表面擴(kuò)散層；6、去除PSG層后，正面SiNx 層、背面SiNx層均為SOnm厚；7、正面刻蝕成擴(kuò)散方塊電阻為80 1200hm/sq ；8、印刷Al 漿并烘干；9、印刷Ag漿并烘干；10、760°C燒結(jié)。制作出的N型背接觸電池，如圖3所示，電 池正面具有80nm厚的正面SiNx層以及在正面SiNx層下方擴(kuò)散方塊電阻為80 1200hm/ sq的正面N+層，電池背面具有擴(kuò)散方塊電阻為600hm/sq的背面N+層以及50 IOOOnm厚 的熱氧化SiO2層，熱氧化SiO2層下方為80nm厚的背面SiNx層。電池背面負(fù)電極為Ag電極，電池背面正電極為Al電極，Ag電極由兩條縱向Ag主 柵線、多條橫向Ag細(xì)柵線組成，各條Ag細(xì)柵線之間的中心間距為1. 6 2. 5mm,每條Ag細(xì) 柵線的寬度為40 120um，Al電極由三條縱向Al主柵線、多條橫向Al細(xì)柵線組成，各條Al 細(xì)柵線之間的中心間距為1.6 2. 5mm，每條Al細(xì)柵線的寬度為1. 3 2. 3mm。電池背面 印刷的電極圖案結(jié)構(gòu)特殊，采用Al、Ag作為背面正、負(fù)電極，具有新型的結(jié)構(gòu)，電池效率達(dá) 到 17%。
權(quán)利要求
一種N型背接觸電池，所述的電池為N型硅晶體太陽能電池，其特征在于所述的電池背面負(fù)電極為Ag電極，電池背面正電極為Al電極，Ag電極由一條以上縱向Ag主柵線、兩條以上橫向Ag細(xì)柵線組成，各條Ag細(xì)柵線之間的中心間距為1.6～2.5mm，每條Ag細(xì)柵線的寬度為40～120um，Al電極由一條以上縱向Al主柵線、兩條以上橫向Al細(xì)柵線組成，各條Al細(xì)柵線之間的中心間距為1.6～2.5mm，每條Al細(xì)柵線的寬度為1.3～2.3mm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種N型背接觸電池，其特征在于所述的電池正面具有 70 90nm厚、折射率為1. 6 2. 6的正面S iNx層以及在正面SiNx層下方擴(kuò)散方塊電阻 為50 900hm/sq的正面N+層，所述的電池背面具有擴(kuò)散方塊電阻為50 900hm/sq的背 面N+層以及50 IOOOnm厚的熱氧化SiO2層，熱氧化SiO2層下方為50 90nm厚、折射率 為1.6 2. 6的背面SiNx層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種N型背接觸電池，其特征在于所述的電池正面具有 70 90nm厚、折射率為1. 6 2. 6的正面S iNx層以及在正面SiNx層下方擴(kuò)散方塊電阻 為80 1200hm/sq的正面N+層，所述的電池背面具有擴(kuò)散方塊電阻為50 900hm/sq的 背面N+層以及50 IOOOnm厚的熱氧化SiO2層，熱氧化SiO2層下方為50 90nm厚、折射 率為1. 6 2. 6的背面SiNx層。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種N型背接觸電池，電池背面負(fù)電極為Ag電極，電池背面正電極為Al電極，Ag電極由一條以上縱向Ag主柵線、兩條以上橫向Ag細(xì)柵線組成，各條Ag細(xì)柵線之間的中心間距為1.6～2.5mm，每條Ag細(xì)柵線的寬度為40～120um，Al電極由一條以上縱向Al主柵線、兩條以上橫向Al細(xì)柵線組成，各條Al細(xì)柵線之間的中心間距為1.6～2.5mm，每條A1細(xì)柵線的寬度為1.3～2.3mm。本發(fā)明采用新型的電池背面電極印刷圖案，采用Al、Ag作為背面正、負(fù)電極，具有新型的結(jié)構(gòu)，使得本發(fā)明的電池效率較高，可達(dá)到17％，并且制作工藝簡單，生產(chǎn)成本也較低。
文檔編號(hào)H01L31/042GK101976692SQ20101023827
公開日2011年2月16日 申請(qǐng)日期2010年7月28日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月28日
發(fā)明者馮紀(jì)偉, 金浩 申請(qǐng)人:常州天合光能有限公司