專利名稱：用于制造半導(dǎo)體器件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，且具體而言，涉及一種能夠改善由低k材料構(gòu)成的層間介電層(ILD)中的溝槽剖面形貌的工藝。
背景技術(shù)：
目前，等離子體蝕刻工藝作為一種半導(dǎo)體制造工藝而被廣泛用于定義硅集成電路的結(jié)構(gòu)。在銅互連工藝中，由于銅較難蝕刻，所以通常利用等離子體蝕刻工藝在層間介電層 (ILD)中蝕刻出通孔或溝槽以將金屬填入其中從而實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電性互連(大馬士革法)。一般而言，ILD由基于二氧化硅的材料構(gòu)成。隨著IC制造向亞45nm及以下發(fā)展，互連延遲成為提高集成電路(IC)的速度和性能的一個(gè)主要限制因素。眾所周知，在半導(dǎo)體制造工藝中最小化互連延遲的方式之一是在制作IC期間使用低介電常數(shù)(低k)材料來減小互連電容。因而，近年來，低k材料已經(jīng)逐漸取代介電常數(shù)相對較高的絕緣材料(如，二氧化硅等)而被用作半導(dǎo)體器件的金屬層層間介電層或?qū)觾?nèi)介電層(IMD)。另外，為了進(jìn)一步減小絕緣材料的介電常數(shù)，可使用其中形成有孔的多孔低k介電材料，例如，黑鉆(BD)等。這種低k材料層可通過類似于涂覆光致抗蝕劑(PR)的旋涂法或化學(xué)氣相沉積(CVD)法來形成。因而，低k材料的使用易于與現(xiàn)有的半導(dǎo)體制造工藝兼容。然而，盡管低k材料由于具有上述諸多優(yōu)點(diǎn)而廣泛用于半導(dǎo)體制造工藝，但使用該低k材料的半導(dǎo)體工藝仍然存在許多問題。首先，在半導(dǎo)體制造期間，低k材料層通常較之于傳統(tǒng)的介電層要易于出現(xiàn)損傷，例如，其容易在用于對介電層進(jìn)行構(gòu)圖的蝕刻工藝和等離子體灰化工藝期間受損。此外，某些低k材料在受損時(shí)，尤其是在構(gòu)圖工藝之后，容易吸水或者與其他會(huì)改變介電層的電屬性的工藝污染物反應(yīng)，從而導(dǎo)致低k材料的介電常數(shù)增大并因而失去其低k的優(yōu)勢。常規(guī)上，一般采用干法等離子體灰化工藝從具有低k材料層的半導(dǎo)體器件中去除蝕刻后殘留的I3R等并且采用全合而為一(all-in-one)工藝，即，蝕刻-I3R掩膜層剝離-蝕刻停止層刻蝕三道工序均在同一個(gè)工藝反應(yīng)腔中進(jìn)行。圖IA示出了蝕刻停止層刻蝕之前的溝槽的剖面圖，圖IB示出了蝕刻停止層刻蝕之后的溝槽的剖面圖。如圖IA中所示，在 ILD 102中經(jīng)蝕刻處理已形成有多個(gè)溝槽。蝕刻停止層刻蝕處理是指以ILD層為掩膜通過蝕刻將蝕刻停止層101的在所述多個(gè)溝槽內(nèi)的部分去除，所述蝕刻停止層101在形成ILD 102之前形成并位于ILD 102下面，其例如由SW2構(gòu)成。圖2是示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的控制工藝機(jī)臺(tái)處理半導(dǎo)體晶片的頂視圖200。如圖2中所示，通常使用的多腔集成設(shè)備主要包括多個(gè)工藝反應(yīng)腔201 (如，201A和201B)、多個(gè)數(shù)字式流量控制器(DFC) 202、晶片傳送腔 203、晶片定向器204、片架真空鎖205和裝卸臺(tái)206。多個(gè)工藝反應(yīng)腔201中每一個(gè)都彼此隔離、相互獨(dú)立并分別設(shè)有DFC 202，并且每個(gè)DFC 202控制相應(yīng)的工藝反應(yīng)腔中各源氣體的流速。片架真空鎖205是晶片進(jìn)入多腔集成設(shè)備的入口，其將內(nèi)部與外部環(huán)境隔離，真空度從片架真空鎖到工藝反應(yīng)腔逐漸提高。裝卸臺(tái)206在其面向操作員的一側(cè)具有數(shù)字或圖形化用戶界面(未示出)，在蝕刻工藝期間，操作員通過該用戶界面對在整個(gè)蝕刻工藝過程中的各種蝕刻工藝參數(shù)進(jìn)行控制，例如，通過控制DFC 202來控制各工藝反應(yīng)腔中的各個(gè)源氣體的流速。具體地，在低k材料層的蝕刻工藝期間，首先將待蝕刻的晶片裝載在裝卸臺(tái)206 上，接著通過晶片定向器204使所裝載的晶片經(jīng)由晶片傳送腔203傳送至多個(gè)工藝反應(yīng)腔 201中的一個(gè)工藝反應(yīng)腔，例如201A，然后在該工藝反應(yīng)腔中依次執(zhí)行蝕刻處理4R掩膜層剝離處理和蝕刻停止層刻蝕處理，最后將完成全部三道處理的晶片經(jīng)由晶片傳送腔203傳送回裝卸臺(tái)206。其中，操作員通過與上述用戶界面交互來控制整個(gè)工藝過程，并且整個(gè)工藝過程中晶片的流程控制如圖2中箭頭所示。傳統(tǒng)上，干法等離子體灰化工藝采用A剝離。如上所述，在全合而為一工藝中采用O2來進(jìn)行I3R掩膜層剝離，由于全部處理都在同一個(gè)工藝反應(yīng)腔中進(jìn)行，所以蝕刻處理步驟中殘留的氟將會(huì)在后續(xù)的I3R掩膜層剝離處理中如在蝕刻處理中一樣繼續(xù)蝕刻低k材料， 從而對其造成損傷(下文中稱為“記憶效應(yīng)(memory effect)”)。另一方面，由于常用的低k材料(如，BD等)中含有碳和氫元素，而這些元素容易與等離子體中的氧發(fā)生反應(yīng)生成氣態(tài)生成物，所以在低k材料的側(cè)壁會(huì)發(fā)生改性或者回縮 (pull-back)，從而導(dǎo)致溝槽剖面形貌不佳，影響半導(dǎo)體器件的電學(xué)性能。因此，代替O2剝離工藝，干法等離子體灰化工藝已開始采用(X)2剝離。采用(X)2來剝離是由于其本身含有碳并且根據(jù)化學(xué)平衡原理可以抑制等離子體中的氧與低k材料中的碳反應(yīng)，從而能夠減小ra掩膜層剝離過程中的側(cè)壁損傷。然而，由于碳含量增加，形成-CH2-長鏈高分子的幾率隨之增加，由前道蝕刻處理后殘留在工藝反應(yīng)腔內(nèi)的氟生成-CHF-和-CF2-基團(tuán)的比率也隨之增加。如果采用全合而為一工藝，則這些在蝕刻處理以及I3R掩膜層剝離處理中生成的含氟高分子碳鏈中的氟在后續(xù)的處理(如，I3R掩膜層剝離處理和蝕刻停止層刻蝕處理)中將會(huì)再次被解離出來與晶片發(fā)生反應(yīng)，從而導(dǎo)致“記憶效應(yīng)”更加嚴(yán)重。雖然現(xiàn)有技術(shù)中在I3R掩膜層剝離處理之前增加了一步排空(pump down)處理，但排空處理只能排除氣態(tài)產(chǎn)物，而絕大部分氟是以高分子碳鏈這類固態(tài)殘留物的形式附著在工藝反應(yīng)腔的內(nèi)壁上的，因而排空處理并不能顯著減小“記憶效應(yīng)”。圖3A至3C是示出了采用現(xiàn)有技術(shù)的全合而為一工藝制作的溝槽的SEM剖面圖。 如圖3A中所示，在ra掩膜層剝離處理之前，溝槽剖面形貌良好，無頂部倒圓或明顯回縮。然而，因?yàn)榻?jīng)高壓等離子體灰化處理剝離ra掩膜層并不能除去含氟的高分子碳鏈固態(tài)殘留物，所以由于“記憶效應(yīng)生的各向同性蝕刻會(huì)導(dǎo)致嚴(yán)重的低k材料損傷。如圖;3B中所示，溝槽上部的寬度明顯大于其下部的寬度，溝槽側(cè)壁出現(xiàn)明顯回縮。另外，由于在實(shí)際工藝過程中為了在蝕刻低k材料時(shí)對其表面進(jìn)行適當(dāng)保護(hù)，通常會(huì)在低k材料層上形成TEOS 保護(hù)層，所以在殘留的氟進(jìn)一步蝕刻損傷低k材料層之后，在溝槽頂部會(huì)形成TEOS “帽蓋 (cap) ”，如圖;3B中圓圈所指示的部分。在圖3C中示出了在蝕刻處理之后經(jīng)低壓剝離I3R掩膜層而形成的溝槽剖面，在低壓條件下，長時(shí)間高能量的等離子體轟擊使得TEOS保護(hù)層被過早地耗盡，從而由于“記憶效應(yīng)”產(chǎn)生的各向同性蝕刻導(dǎo)致低k材料層中的溝槽側(cè)壁頂部倒圓。由此可見，溝槽剖面形貌是否良好主要取決于I3R掩膜層剝離處理而非蝕刻處理。綜上所述，為了改善溝槽剖面形貌，迫切需要一種能夠顯著減小“記憶效應(yīng)”的半導(dǎo)體器件制造方法。

發(fā)明內(nèi)容
在發(fā)明內(nèi)容部分中引入了一系列簡化形式的概念，這將在具體實(shí)施方式
部分中進(jìn)一步詳細(xì)說明。本發(fā)明的發(fā)明內(nèi)容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護(hù)的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。為解決上述問題，本發(fā)明提供一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，包括下列步驟a) 制備半導(dǎo)體晶片，在所述半導(dǎo)體晶片的頂層已順次形成有蝕刻停止層、層間介電層和具有圖案的光致抗蝕劑層；b)在第一工藝反應(yīng)腔中，以所述光致抗蝕劑層為掩膜蝕刻所述層間介電層至露出所述刻蝕停止層；c)將所述半導(dǎo)體晶片傳送至第二工藝反應(yīng)腔；d)在所述第二工藝反應(yīng)腔中，去除所述光致抗蝕劑層；e)將所述半導(dǎo)體晶片傳送回所述第一工藝反應(yīng)腔；f)在所述第一工藝反應(yīng)腔中，以所述刻蝕后的層間介電層為掩膜刻蝕所述蝕刻停止層。優(yōu)選地，在步驟b)與步驟e)之間包括下列步驟將氣體通入到所述第一工藝反應(yīng)腔中進(jìn)行吹掃或者執(zhí)行排空處理。所述氣體例如是N2或Ar2。優(yōu)選地，所述層間介電層由低k材料構(gòu)成。優(yōu)選地，所述低k材料是黑鉆。優(yōu)選地，所述第一工藝反應(yīng)腔內(nèi)包含含氟的殘留物。優(yōu)選地，所述第二工藝反應(yīng)腔內(nèi)不包含含氟的殘留物。優(yōu)選地，所述光致抗蝕劑剝離工藝采用選自02、02/H20和(X)2中的至少一種氣體進(jìn)行剝離。本發(fā)明進(jìn)一步提供一種包含通過如上所述的方法處理的半導(dǎo)體器件的集成電路， 其中所述集成電路選自隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、同步隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、只讀存儲(chǔ)器、可編程邏輯陣列、專用集成電路、掩埋式DRAM和射頻電路。本發(fā)明進(jìn)一步提供一種包含通過如上所述的方法處理的半導(dǎo)體器件的電子設(shè)備， 其中所述電子設(shè)備選自個(gè)人計(jì)算機(jī)、便攜式計(jì)算機(jī)、游戲機(jī)、蜂窩式電話、個(gè)人數(shù)字助理、攝像機(jī)和數(shù)碼相機(jī)。根據(jù)本發(fā)明的用于制造半導(dǎo)體器件的方法通過使光致抗蝕劑層剝離處理與蝕刻處理和蝕刻停止層去除處理分別在兩個(gè)不同的工藝反應(yīng)腔中執(zhí)行，能夠防止蝕刻處理中殘留的氟在后續(xù)工藝中對低k材料層造成損傷，從而改善溝槽剖面形貌并提高半導(dǎo)體器件的電學(xué)性能。


本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施例及其描述，用來解釋本發(fā)明的原理。在附圖中圖IA和IB分別是示出了蝕刻停止層去除處理之前和之后的溝槽的剖面圖；圖2是示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的控制工藝機(jī)臺(tái)處理半導(dǎo)體晶片的頂視圖200 ；圖3A至3C是示出了采用現(xiàn)有技術(shù)的全合而為一工藝制作的溝槽的掃描電子顯微鏡(SEM)剖面圖，其中，圖3A示出了在蝕刻處理之后且在冊掩膜層剝離處理之前的溝槽剖面，圖:3B示出了在蝕刻處理之后經(jīng)高壓剝離I3R掩膜層而形成的溝槽剖面，并且圖3C示出了在蝕刻處理之后經(jīng)低壓剝離PR掩膜層而形成的溝槽剖面；圖4是示出了根據(jù)本發(fā)明的控制工藝機(jī)臺(tái)處理半導(dǎo)體晶片的頂視圖400 ；圖5是示出了根據(jù)本發(fā)明的用于制造半導(dǎo)體器件的方法的流程圖500 ；圖6A至6B是示出了采用根據(jù)本發(fā)明的用于制造半導(dǎo)體器件的方法制作的溝槽的 SEM剖面圖，其中，圖6A示出了在蝕刻處理之后且在冊掩膜層剝離處理之前的溝槽剖面，并且圖6B示出了在蝕刻處理之后經(jīng)低壓剝離ra掩膜層而形成的溝槽剖面。
具體實(shí)施例方式在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說顯而易見的是，本發(fā)明可以無需一個(gè)或多個(gè)這些細(xì)節(jié)而得以實(shí)施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn)行描述。為了徹底理解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細(xì)的步驟，以便說明本發(fā)明是如何通過采用半合而為一工藝來防止在蝕刻停止層去除處理期間損傷低k材料層從而改善溝槽剖面的。顯然，本發(fā)明的施行并不限定于半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)人員所熟習(xí)的特殊細(xì)節(jié)。本發(fā)明的較佳實(shí)施例詳細(xì)描述如下，然而除了這些詳細(xì)描述外，本發(fā)明還可以具有其他實(shí)施方式。圖4是示出了根據(jù)本發(fā)明的控制工藝機(jī)臺(tái)處理半導(dǎo)體晶片的頂視圖400。如圖4 中所示，通常使用的多腔集成設(shè)備主要包括多個(gè)工藝反應(yīng)腔401 (如，401A和401B)、數(shù)字式流量控制器(DFC)402、晶片傳送腔403、晶片定向器404、片架真空鎖405和裝卸臺(tái)406。多個(gè)工藝反應(yīng)腔401中每一個(gè)都彼此隔離、相互獨(dú)立并分別設(shè)有DFC 402，并且每個(gè)DFC 402 控制相應(yīng)的工藝反應(yīng)腔中各源氣體的流速。片架真空鎖405是半導(dǎo)體晶片進(jìn)入多腔集成設(shè)備的入口，其將內(nèi)部與外部環(huán)境隔離，真空度從片架真空鎖到工藝反應(yīng)腔逐漸提高。裝卸臺(tái) 406在其面向操作員的一側(cè)具有數(shù)字或圖形化用戶界面(未示出)，在蝕刻工藝期間，操作員通過該用戶界面對整個(gè)蝕刻工藝過程中的各種蝕刻工藝參數(shù)進(jìn)行控制，例如，通過控制 DFC 402來控制各工藝反應(yīng)腔中各源氣體的流速。具體地，在低k材料層的蝕刻工藝期間，首先將待蝕刻的半導(dǎo)體晶片裝載在裝卸臺(tái)406上，其中，在所述半導(dǎo)體晶片的頂層已順次形成有蝕刻停止層、層間介電層和光致抗蝕劑層，并且所述光致抗蝕劑層具有將要通過所述蝕刻處理轉(zhuǎn)印到所述層間介電層上的圖案。接著，通過晶片定向器404使所裝載的半導(dǎo)體晶片經(jīng)由晶片傳送腔403傳送至多個(gè)工藝反應(yīng)腔401中的一個(gè)工藝反應(yīng)腔(如，工藝反應(yīng)腔401A)，并且在該工藝反應(yīng)腔中執(zhí)行蝕刻處理，以所述帶有圖案的光致抗蝕劑層作為掩膜蝕刻層間介電層，至露出所述刻蝕停止層。然后，將經(jīng)過蝕刻處理的半導(dǎo)體晶片轉(zhuǎn)移到多個(gè)工藝反應(yīng)腔401中的另一個(gè)工藝反應(yīng)腔(如，工藝反應(yīng)腔401B)，并且在該工藝反應(yīng)腔中執(zhí)行ra掩膜層剝離處理。接著，將剝離 I3R后的半導(dǎo)體晶片送回到之前執(zhí)行蝕刻處理的工藝反應(yīng)腔，并且在其中以刻蝕后的層間介電層為掩膜執(zhí)行蝕刻停止層的刻蝕處理。最后，將完成全部三道處理的半導(dǎo)體晶片經(jīng)由晶片傳送腔403傳送回裝卸臺(tái)406。其中，操作員通過與上述用戶界面交互來控制整個(gè)工藝過程，并且整個(gè)工藝過程中半導(dǎo)體晶片的流程控制如圖4中箭頭所示。此外，所述一個(gè)工藝反應(yīng)腔由于在蝕刻處理之后在其中殘留有含氟的高分子碳鏈固態(tài)殘留物因而在下文中被稱為氟腔，而所述另一個(gè)工藝反應(yīng)腔由于之前在其中未進(jìn)行任何使用含氟源氣體的蝕刻處理而不含氟，因而在下文中被稱為非氟腔。另外，在完成蝕刻處理之后并在執(zhí)行蝕刻停止層去除處理之前，可以在氟腔中增加一步排空處理或者將氣體通入到氟腔中進(jìn)行吹掃(flush)， 以排空腔內(nèi)的含氟氣體。所述的吹掃氣體例如是隊(duì)或八1~2。接下來，將參照圖5描述根據(jù)本發(fā)明的用于制造半導(dǎo)體器件的方法的工藝流程。圖5是示出了根據(jù)本發(fā)明的用于制造半導(dǎo)體器件的方法的流程圖500。首先，在步驟501中，在前端器件的頂層表面上順次形成蝕刻停止層、層間介電層和光致抗蝕劑層并對該光致抗蝕劑層執(zhí)行構(gòu)圖，以制備待蝕刻的半導(dǎo)體器件。這里，所述層間介電層可使用其中形成有孔的多孔低k介電材料(如，BD等)通過旋涂法或CVD法來形成。然后，將制備好的半導(dǎo)體晶片經(jīng)由晶片傳送腔403傳送至多腔集成設(shè)備中的第一工藝反應(yīng)腔40IA。接著，在步驟502中，在第一工藝反應(yīng)腔401A中，以所述光致抗蝕劑層為掩膜對半導(dǎo)體晶片執(zhí)行蝕刻處理，以蝕刻層間介電層至露出所述刻蝕停止層。這里，蝕刻的源氣體例如可包括Cl2、BCl3和CHF3?？蛇x地，蝕刻的源氣體還可包括CF4、CH2F2, CH3F和CH4中的一種或多種。然后，在步驟503中，將經(jīng)蝕刻處理后的半導(dǎo)體晶片經(jīng)由晶片傳送腔403傳送至多腔集成設(shè)備中不同于第一工藝反應(yīng)腔401A的第二工藝反應(yīng)腔401B。接著，在步驟504中，在第二工藝反應(yīng)腔401B中，對半導(dǎo)體晶片執(zhí)行I3R掩膜層剝離處理。同時(shí)，可通入例如N2或Ar2的氣體到第一工藝反應(yīng)腔401A中進(jìn)行吹掃或者執(zhí)行排空處理，以去除反應(yīng)腔內(nèi)殘留的蝕刻源氣體。然后，在步驟505中，將經(jīng)I3R掩膜層剝離處理后的半導(dǎo)體晶片傳送回第一工藝反應(yīng)腔40IA。最后，在步驟506中，在第一工藝反應(yīng)腔401A中，以刻蝕后的層間介電層為掩膜刻蝕半導(dǎo)體晶片的蝕刻停止層。這里，蝕刻的源氣體例如可包括CI2、BCI3*chf3。可選地，蝕刻的源氣體還可包括CF4、CH2F2, CH3F和CH4中的一種或多種。[本發(fā)明的有利效果]接下來，將描述氟腔和非氟腔對蝕刻速率的不同影響，從而進(jìn)一步說明根據(jù)本發(fā)明的用于制造半導(dǎo)體器件的方法的有利效果。采用相同的工藝參數(shù)在氟腔和非氟腔中執(zhí)行ra掩膜層剝離處理，例如，壓強(qiáng)為 40mT, CO2的流速為300SCCm，其中，sccm是標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)下，也就是1個(gè)大氣壓、25攝氏度下每分鐘1立方厘米(Icm3Aiin)的流量。經(jīng)過多次實(shí)驗(yàn)得到兩組實(shí)驗(yàn)結(jié)果統(tǒng)計(jì)分析數(shù)據(jù)，如下列表格1中所示。表格 權(quán)利要求
1.一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，包括下列步驟a)制備半導(dǎo)體晶片，在所述半導(dǎo)體晶片的頂層已順次形成有蝕刻停止層、層間介電層和具有圖案的光致抗蝕劑層；b)在第一工藝反應(yīng)腔中，以所述光致抗蝕劑層為掩膜蝕刻所述層間介電層至露出所述刻蝕停止層；c)將所述半導(dǎo)體晶片傳送至第二工藝反應(yīng)腔；d)在所述第二工藝反應(yīng)腔中，去除所述光致抗蝕劑層；e)將所述半導(dǎo)體晶片傳送回所述第一工藝反應(yīng)腔；f)在所述第一工藝反應(yīng)腔中，以所述刻蝕后的層間介電層為掩膜刻蝕所述蝕刻停止層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在步驟b)與步驟e)之間還包括下列步驟將氣體通入到所述第一工藝反應(yīng)腔中進(jìn)行吹掃或者執(zhí)行排空處理。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述氣體是隊(duì)或Ar2。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述層間介電層由低k材料構(gòu)成。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述低k材料是黑鉆。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一工藝反應(yīng)腔內(nèi)包含含氟的殘留物。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述第二工藝反應(yīng)腔內(nèi)不包含含氟的殘留物。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述光致抗蝕劑的去除采用選自02、02/H20和CO2 中的至少一種氣體進(jìn)行剝離。
9.一種包含通過根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法制造的半導(dǎo)體器件的集成電路，其中所述集成電路選自隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、同步隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、只讀存儲(chǔ)器、可編程邏輯陣列、專用集成電路、掩埋式DRAM和射頻電路。
10.一種包含通過根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法制造的半導(dǎo)體器件的電子設(shè)備，其中所述電子設(shè)備選自個(gè)人計(jì)算機(jī)、便攜式計(jì)算機(jī)、游戲機(jī)、蜂窩式電話、個(gè)人數(shù)字助理、攝像機(jī)和數(shù)碼相機(jī)。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，包括制備半導(dǎo)體晶片，在其頂層已順次形成有蝕刻停止層、層間介電層和具有圖案的光致抗蝕劑層；在第一工藝反應(yīng)腔(401A)中，以所述光致抗蝕劑層為掩膜蝕刻所述層間介電層至露出所述刻蝕停止層；將所述半導(dǎo)體晶片傳送至第二工藝反應(yīng)腔(401B)；在所述第二工藝反應(yīng)腔(401B)中，去除所述光致抗蝕劑層；將所述半導(dǎo)體晶片傳送回所述第一工藝反應(yīng)腔(401A)；在所述第一工藝反應(yīng)腔(401A)中，以所述刻蝕后的層間介電層為掩膜刻蝕所述蝕刻停止層。根據(jù)本發(fā)明的用于制造半導(dǎo)體器件的方法能夠防止蝕刻處理中殘留的氟在后續(xù)處理中對低k材料層造成損傷，從而改善溝槽剖面形貌并提高半導(dǎo)體器件的電學(xué)性能。
文檔編號(hào)H01L23/522GK102315156SQ20101022822
公開日2012年1月11日 申請日期2010年7月8日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月8日
發(fā)明者孫武, 尹曉明, 張海洋, 趙林林 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司