專利名稱：半導(dǎo)體器件、攝像機(jī)模塊及半導(dǎo)體器件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件、攝像機(jī)模塊及半導(dǎo)體器件的制造方法，特別涉及使用固 體攝像元件的半導(dǎo)體器件、攝像機(jī)模塊及半導(dǎo)體器件的制造方法。
背景技術(shù)：
近年來，隨著電子設(shè)備的小型化及輕型化，特別是便攜式電話機(jī)等所使用的攝像 機(jī)模塊小型化的要求日漸增高。與之相伴，作為攝像機(jī)模塊的封裝，采用具備BGA(球柵陣 列=Ball Grid Array)型端子的CSP(芯片尺寸封裝Chip Scale Package)構(gòu)造的封裝的 情況越發(fā)增多。對于具備BGA型端子的攝像機(jī)模塊而言，例如在半導(dǎo)體基板上的與形成攝 像元件的面(以下將其稱為上面)相反側(cè)的面(以下將其稱為背面)上形成布線圖形，經(jīng) 由基板內(nèi)或者側(cè)面上所形成的電極來電連接基板背面的布線圖形和基板上面的攝像元件。 借此，可以將形成攝像元件后的半導(dǎo)體基板薄形化，結(jié)果，使攝像機(jī)模塊進(jìn)一步的小型化及 薄形化成為可能(例如參見日本特開2007-189198號(hào)公報(bào))。但是，在采用現(xiàn)有技術(shù)的攝像機(jī)模塊中，來自基板背面的光經(jīng)過基板入射于其上 面所形成的攝像元件上，發(fā)生在攝像圖像上產(chǎn)生重影(ghost)或者映入基板背面的布線圖 形等問題。作為解決這種問題的技術(shù)，存在一種例如在基板背面上形成遮擋來自被攝體以 外的光的光反射層或光吸引層的技術(shù)(例如參見日本特開2007-189198號(hào)公報(bào))。但是，對于上述以往那種把與基板上面所形成的攝像元件之間的電連接利用貫通 基板的貫通電極引出基板背面的結(jié)構(gòu)來說，在半導(dǎo)體基板和基板背面的布線圖形之間產(chǎn)生 寄生電容及寄生電阻，因此高頻信號(hào)的波形變鈍。為此，產(chǎn)生難以使固體攝像元件高速工作 這樣的問題。這種問題即便用金屬層形成例如形成于基板背面的遮光用層，也無法解決。也 就是說，即便在基板背面上形成了金屬層，也因?yàn)樵摻饘賹与姼?dòng)，所以上述那種因寄生電 容及寄生電阻而產(chǎn)生的問題得不到解決。

發(fā)明內(nèi)容
半導(dǎo)體器件具備半導(dǎo)體基板，在第1面上形成半導(dǎo)體元件；布線圖形，形成于上 述半導(dǎo)體基板的與上述第1面相反側(cè)的第2面?zhèn)?，至少在一部分中包含接地線；貫通電極， 從上述第1面到上述第2面貫通上述半導(dǎo)體基板，電連接上述半導(dǎo)體元件和上述布線圖形； 以及金屬膜，形成于上述半導(dǎo)體基板的上述第2面與上述布線圖形延伸存在的面之間，和 上述接地線電連接。攝像機(jī)模塊具備下述的半導(dǎo)體器件；透鏡單元，配設(shè)于上述半導(dǎo)體器件的第1面 側(cè)；以及殼體，保持上述半導(dǎo)體器件和上述透鏡單元；上述半導(dǎo)體器件具備半導(dǎo)體基板，
4在第1面上具備半導(dǎo)體元件；布線圖形，位于上述半導(dǎo)體基板的與上述第1面相反側(cè)的第2 面?zhèn)龋辽僭谝徊糠种邪拥鼐€；貫通電極，從上述第1面到上述第2面貫通上述半導(dǎo)體 基板，電連接上述半導(dǎo)體元件和上述布線圖形；以及金屬膜，位于上述半導(dǎo)體基板的上述第 2面與上述布線圖形延伸存在的面之間，與上述接地線電連接。半導(dǎo)體器件的制造方法包含下述步驟形成接觸孔，該接觸孔將在第1面上具備 半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體基板從上述第1面貫通到與該第1面相反側(cè)的第2面；在上述半導(dǎo)體 基板的上述第2面?zhèn)刃纬珊驮摪雽?dǎo)體基板電連接的金屬膜；形成使上述金屬膜的一部分露 出并且覆蓋該金屬膜的絕緣膜；在上述絕緣膜上形成布線圖形，并且在上述接觸孔內(nèi)形成 貫通上述半導(dǎo)體基板的貫通電極，該布線圖形至少包含通過上述露出部分與上述金屬膜電 連接的接地線。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，能夠?qū)崿F(xiàn)避免重影及布線圖形等的映入并且可高速工作 的半導(dǎo)體器件及攝像機(jī)模塊，以及可高速工作的半導(dǎo)體器件的制造方法。


圖1是表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式1的攝像機(jī)模塊的概略結(jié)構(gòu)的示意剖面圖。圖2是表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式1的半導(dǎo)體器件的概略結(jié)構(gòu)的示意剖面圖。圖3是表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式1的半導(dǎo)體器件的概略結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖4A是表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式1的攝像機(jī)模塊的制造方法的工序圖(其1)。圖4B是表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式1的攝像機(jī)模塊的制造方法的工序圖(其2)。圖4C是表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式1的攝像機(jī)模塊的制造方法的工序圖(其3)。圖4D是表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式1的攝像機(jī)模塊的制造方法的工序圖(其4)。圖4E是表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式1的攝像機(jī)模塊的制造方法的工序圖(其5)。圖4F是表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式1的攝像機(jī)模塊的制造方法的工序圖(其6)。圖4G是表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式1的攝像機(jī)模塊的制造方法的工序圖(其7)。圖4H是表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式1的攝像機(jī)模塊的制造方法的工序圖(其8)。圖41是表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式1的攝像機(jī)模塊的制造方法的工序圖(其9)。圖4J是表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式1的攝像機(jī)模塊的制造方法的工序圖(其10)。圖4K是表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式1的攝像機(jī)模塊的制造方法的工序圖(其11)。圖4L是表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式1的攝像機(jī)模塊的制造方法的工序圖(其12)。圖5是表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式1的變形例1-1的半導(dǎo)體器件的概略結(jié)構(gòu)的俯視 圖。圖6是表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式1的變形例1-2的半導(dǎo)體器件的概略結(jié)構(gòu)的剖面 圖。圖7A是表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式1的變形例1-3的攝像機(jī)模塊的制造方法的工 序圖(其1)。圖7B是表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式1的變形例1-3的攝像機(jī)模塊的制造方法的工 序圖(其2)。圖7C是表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式1的變形例1-3的攝像機(jī)模塊的制造方法的工 序圖(其3)。
圖7D是表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式1的變形例1-3的攝像機(jī)模塊的制造方法的工 序圖(其4)。圖8是表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式2的半導(dǎo)體器件的概略結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖9是表示圖8所示的半導(dǎo)體器件的概略結(jié)構(gòu)的B-B剖面圖。圖10是表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式3的半導(dǎo)體器件的概略結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖11是表示圖10所示的半導(dǎo)體器件的概略結(jié)構(gòu)的C-C剖面圖。
具體實(shí)施例方式下面，參照附圖，詳細(xì)說明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件、攝像機(jī)模塊及半導(dǎo) 體器件的制造方法。還有，并不是由下面的實(shí)施方式來限定本發(fā)明。另外，在下面的實(shí)施方 式中使用的半導(dǎo)體器件及攝像機(jī)模塊的剖面圖是示意圖，層的厚度和寬度之間的關(guān)系以及 各層的厚度比率等和實(shí)際的器件不同。再者，實(shí)施方式中所示的層厚度是一例，并不限定于 此。根據(jù)下面實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件具備半導(dǎo)體基板，在第1面上具備半導(dǎo)體元件； 布線圖形，位于上述半導(dǎo)體基板的與上述第1面相反側(cè)的第2面?zhèn)?，至少在一部分中包含?地線；貫通電極，從上述第1面到上述第2面貫通上述半導(dǎo)體基板，電連接上述半導(dǎo)體元件 和上述布線圖形；以及金屬膜，位于上述半導(dǎo)體基板的上述第2面與上述布線圖形延伸存 在的面之間，與上述接地線電連接。另外，根據(jù)下面實(shí)施方式的攝像機(jī)模塊具備下述的半導(dǎo)體器件；透鏡單元，配設(shè) 于上述半導(dǎo)體器件的第1面?zhèn)龋灰约皻んw，保持上述半導(dǎo)體器件和上述透鏡單元；上述半 導(dǎo)體器件具備半導(dǎo)體基板，在第1面上具備半導(dǎo)體元件；布線圖形，位于上述半導(dǎo)體基板 的與上述第1面相反側(cè)的第2面?zhèn)龋辽僭谝徊糠种邪拥鼐€；貫通電極，從上述第1面 到上述第2面貫通上述半導(dǎo)體基板，電連接上述半導(dǎo)體元件和上述布線圖形；以及金屬膜， 位于上述半導(dǎo)體基板的上述第2面與上述布線圖形延伸存在的面之間，與上述接地線電連 接。另外，根據(jù)下面實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造方法包含下述步驟形成接觸孔，該 接觸孔將在第1面上具備半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體基板從上述第1面一直貫通到和該第1面相 反側(cè)的第2面；在上述半導(dǎo)體基板的上述第2面?zhèn)刃纬珊驮摪雽?dǎo)體基板電連接的金屬膜； 形成使上述金屬膜一部分露出并且覆蓋該金屬膜的絕緣膜；在上述絕緣膜上形成布線圖 形，并且在上述接觸孔內(nèi)形成貫通上述半導(dǎo)體基板的貫通電極，該布線圖形至少包括通過 上述露出部分與上述金屬膜電連接的接地線。實(shí)施方式1下面，使用附圖來詳細(xì)說明本發(fā)明實(shí)施方式1所涉及的半導(dǎo)體器件、攝像機(jī)模塊 及半導(dǎo)體器件的制造方法。圖1是表示根據(jù)本實(shí)施方式1的攝像機(jī)模塊1的概略結(jié)構(gòu)的示 意剖面圖。還有，在圖1中表示，在半導(dǎo)體器件11的半導(dǎo)體基板的與形成固體攝像元件IlA 的面垂直的面上剖開攝像機(jī)模塊1時(shí)的剖面圖。如圖1所示，攝像機(jī)模塊1具備半導(dǎo)體器件11，包含固體攝像元件IlA ；玻璃罩 12，配設(shè)于半導(dǎo)體器件11中固體攝像元件IlA的受光面(下面將其稱為第1面)側(cè)；接合 層13，將玻璃罩12固定至半導(dǎo)體器件11 ；透鏡單元14，隔著玻璃罩12配設(shè)于半導(dǎo)體器件
611中固體攝像元件IlA的第1面?zhèn)?；攝像機(jī)殼體15，收納固定玻璃罩12的半導(dǎo)體器件11 和透鏡單元14。在半導(dǎo)體器件11中和形成固體攝像元件IlA后的面相反(下面將其稱為 第2面)側(cè)，安裝有焊料球16作為外部連接端子。在上面，固體攝像元件IlA例如是由CM0S(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 Complementary Metal Oxide Semiconductor)傳感器或 CCD (電荷耦合器件Charge Coupled Device)傳感器等構(gòu)成的半導(dǎo)體元件。另外，透鏡單元14包含1個(gè)以上的透鏡 141，使從攝像機(jī)殼體15的光學(xué)窗口 15A所入射的光在固體攝像元件IlA的受光面上成像； 以及透鏡保持架142，保持透鏡141。下面，使用圖2及圖3來詳細(xì)說明根據(jù)本實(shí)施方式1的半導(dǎo)體器件11。圖2是表 示根據(jù)本實(shí)施方式ι的半導(dǎo)體器件11的概略結(jié)構(gòu)的示意剖面圖。另外，圖3是表示半導(dǎo)體 器件11概略結(jié)構(gòu)的俯視圖。但是，為了說明的方便，在圖3中選取半導(dǎo)體器件11的一部分 的層進(jìn)行表示。另外，圖2是圖3中的A-A剖面圖。如圖2所示，半導(dǎo)體器件11具備半導(dǎo)體基板111，在第1面?zhèn)刃纬晒腆w攝像元件 IlA ；過濾層112，形成于半導(dǎo)體基板111的第1面上；聚光用的微透鏡陣列113，隔著過濾 層112，形成于半導(dǎo)體基板111的第1面?zhèn)鹊呐c固體攝像元件IlA對應(yīng)的位置上；電極焊盤 114，形成于半導(dǎo)體基板111的第1面?zhèn)?，和固體攝像元件IlA電連接；貫通電極116a，從第 1面向第2面貫通半導(dǎo)體基板111，把和電極焊盤114之間的電連接引出到半導(dǎo)體基板111 的第2面?zhèn)?；布線圖形116，形成于半導(dǎo)體基板111的第2面?zhèn)龋唤^緣膜115，防止半導(dǎo)體基 板111與布線圖形116及貫通電極116a直接接觸；GND平面117，形成于半導(dǎo)體基板111的 第2面與布線圖形116所延伸存在的面(或者層)之間；GND觸點(diǎn)116b，貫通絕緣膜115，電 連接布線圖形116和GND平面117 ；絕緣樹脂制的阻焊件118，保護(hù)半導(dǎo)體基板111形成了 布線圖形116的第2面?zhèn)?；以及作為外部連接端子的焊料球16，通過阻焊件118，與布線圖 形116進(jìn)行電接觸。另外，在半導(dǎo)體器件11上，還具備玻璃罩12，配設(shè)于半導(dǎo)體基板111 的第1面?zhèn)?；以及接合?3，將玻璃罩12固定至半導(dǎo)體基板111。作為半導(dǎo)體基板111，可以使用例如厚度薄到100 μ m以下的硅(111)基板。另夕卜， 固體攝像元件IlA例如在設(shè)為CMOS傳感器時(shí)，具備1個(gè)像素由1個(gè)以上的半導(dǎo)體元件構(gòu)成， 并且該像素按2維陣列狀在半導(dǎo)體基板111的第1面上排列多個(gè)的結(jié)構(gòu)。再者，至少在半 導(dǎo)體基板111的第1面的形成了固體攝像元件IlA的區(qū)域，形成包含與RGB的像素相應(yīng)的 濾色器及鈍化層的過濾層112。還有，過濾層112還可以包含遮光膜，該遮光膜覆蓋半導(dǎo)體 基板111的第1面的未形成固體攝像元件IlA的區(qū)域。在過濾層112的與半導(dǎo)體基板111相反側(cè)的面上，利用接合層13來固定玻璃罩 12。接合層13形成在與未形成固體攝像元件IlA的區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域。在半導(dǎo)體基板111的第1面?zhèn)?，形成了與固體攝像元件IlA電連接的電極焊盤 114。作為電極焊盤114，例如可以使用銅(Cu)膜。但是，不限定于此，還能夠使用鈦(Ti) 膜及其他的金屬膜或合金膜或者它們的層疊膜等各種導(dǎo)電體膜。該電極焊盤114通過貫通半導(dǎo)體基板111的貫通電極116a，與半導(dǎo)體基板111的 第2面?zhèn)人纬傻牟季€圖形116電連接。也就是說，半導(dǎo)體基板111的第1面上所形成的固 體攝像元件IlA通過第1面?zhèn)人纬傻奈磮D示的布線及電極焊盤114以及貫通電極116a， 被引出到半導(dǎo)體基板111的第2面?zhèn)?。還有，布線圖形116包括信號(hào)線，與作為信號(hào)輸入輸出端子的焊料球16電連接；以及接地線，與作為接地端子(GND)的焊料球16電連接。貫通電極116a形成于貫通半導(dǎo)體基板111的第1通孔(也稱為接觸孔)Vl內(nèi)及過 濾層112上所形成的第2通孔V2內(nèi)，和通過第2通孔V2露出的電極焊盤114電連接。在 第1通孔Vl內(nèi)的表面上，形成絕緣膜115，以此來防止貫通電極116a和半導(dǎo)體基板111之 間的直接接觸。另外，絕緣膜115還延伸到半導(dǎo)體基板111的第2面上，以此來防止第2面 側(cè)的布線圖形116和半導(dǎo)體基板111之間的直接接觸。貫通電極116a和布線圖形116例如作為同一導(dǎo)電層形成。作為該導(dǎo)電層，例如可 以使用將Ti和Cu的層疊膜作為基底層的Cu膜。另外，其膜厚例如可以設(shè)為5 μ m左右。在形成了布線圖形116的半導(dǎo)體基板111的第2面?zhèn)?，形成絕緣性的阻焊件118， 用來在裝配焊料球16時(shí)使液狀的焊料自調(diào)整于指定的位置，并且保護(hù)半導(dǎo)體基板111不受 熱。該阻焊件118例如可以使用具備感光性的環(huán)氧類絕緣樹脂來形成。另外，在阻焊件118 上，形成著有選擇地裝配焊料球16的第4通孔V4。在半導(dǎo)體基板111的第2面上，也就是在半導(dǎo)體基板111和絕緣膜115之間，形成 例如由膜厚為IOOnm左右的Ti膜構(gòu)成的GND平面117。但是，不限定于此，而可以使用其他 的金屬膜或合金膜或者它們的層疊膜等各種導(dǎo)電體膜。該GND平面117如圖3所示，至少 形成在與形成了包含固體攝像元件IlA的半導(dǎo)體元件的第1面中的區(qū)域(元件區(qū)域)對應(yīng) 的第2面中的區(qū)域AR上。因此，在本實(shí)施方式1中，例如跨半導(dǎo)體基板111的第2面整體 來形成。但是，在本實(shí)施方式1中，至少不形成在半導(dǎo)體基板111上所形成的第1通孔Vl 內(nèi)部及周圍。換言之，GND平面117從第2面?zhèn)扔^察，在第1通孔Vl開口。另外，GND平面117通過GND觸點(diǎn)116b，電連接于第2面?zhèn)人纬傻牟季€圖形116 之中的接地線上。這里，GND觸點(diǎn)116b例如可以作為布線圖形116之中形成于絕緣膜115 內(nèi)的部分。所謂布線圖形116之中形成于絕緣膜115內(nèi)的部分指的是，以使GND平面117 露出的方式形成在絕緣膜115上的第3通孔V3內(nèi)的部分。但是，不限定于此，例如也可以 另行設(shè)置貫通絕緣膜115的電極。還有，在圖3中，用實(shí)線只表示出形成于第2面?zhèn)鹊牟季€ 圖形116之中的接地線，對于與接地端子(GND)之外的端子連接的信號(hào)線等布線則用虛線 進(jìn)行了表示。這樣，通過跨半導(dǎo)體基板111的形成了布線圖形116的一側(cè)的面(第2面)整面來 形成接地的導(dǎo)電層，即便基板本身是高電阻，也能夠?qū)雽?dǎo)體基板111可靠地保持為接地 電位，并且可以防止在半導(dǎo)體基板111和布線圖形116之間產(chǎn)生寄生電容或寄生電阻。其 結(jié)果為，因?yàn)榭梢苑乐乖诓季€圖形116上傳播的高頻信號(hào)的波形變鈍，所以能夠?qū)崿F(xiàn)可高 速工作的半導(dǎo)體器件11。另外，由于通過在布線圖形116和半導(dǎo)體基板111之間配置保持 為接地電位的導(dǎo)電層，就可以在導(dǎo)電層上遮斷來自半導(dǎo)體元件等的電噪聲輸入到布線圖形 116上，因而能夠?qū)崿F(xiàn)高性能的半導(dǎo)體器件11及攝像機(jī)模塊1。再者，作為GND平面117，例如使用至少可遮擋可見光的膜。通過對GND平面117 使用遮光性的膜，就可以防止來自半導(dǎo)體基板111背面(第2面)的光經(jīng)過半導(dǎo)體基板111 入射至其上面(第1面)所形成的固體攝像元件11A。因此，能夠避免在攝像圖像上產(chǎn)生重 影或者基板背面的布線圖形被映入等問題的發(fā)生。另外，雖然在對于薄型化的含有硅的半 導(dǎo)體基板111例如由焊料球16施加了外部的應(yīng)力時(shí)，在硬且脆的硅上易于產(chǎn)生裂紋，但是 根據(jù)本實(shí)施方式1，因?yàn)槌蔀橛勺鳛镚ND平面117的金屬進(jìn)行了內(nèi)襯的復(fù)合體基板，所以還
8可以獲得機(jī)械強(qiáng)度增大并且可靠性較高的半導(dǎo)體器件11。下面，和附圖一起詳細(xì)說明根據(jù)本實(shí)施方式1的攝像機(jī)模塊1的制造方法。圖 4A 圖4L是表示根據(jù)本實(shí)施方式1的攝像機(jī)模塊1的制造方法的工序圖。還有，在根據(jù)本 實(shí)施方式1的半導(dǎo)體器件11的制造方法中，雖然使用對1個(gè)晶片制入多個(gè)半導(dǎo)體器件的所 謂W-CSP (晶片水平芯片尺寸封裝Wafer Level Chip Size Package)技術(shù)，但是在下面為 了說明的簡單，將著眼于1個(gè)芯片(半導(dǎo)體器件11)。在本制造方法中，首先在硅晶片等半導(dǎo)體基板IllA的第1面?zhèn)刃纬晒腆w攝像元件 IlA之后，通過在第1面上依次形成布線及過濾層112、微透鏡陣列113，獲得圖4A所示的那 種剖面結(jié)構(gòu)。還有，在圖4A中，選取形成于半導(dǎo)體基板111第1面上的布線之中的電極焊 盤114來進(jìn)行表示。接著，通過在過濾層112及形成了微透鏡陣列113的過濾層112上涂敷感光性的 接合劑，對其進(jìn)行構(gòu)圖，來形成接合層13。還有，該接合層13除了對半導(dǎo)體基板IllA(Ill) 固定玻璃罩12的作為接合部的功能之外，還作為在玻璃罩12和微透鏡陣列113之間確保 空隙所用的隔層來發(fā)揮作用。通過在玻璃罩12和微透鏡陣列113之間確?？障叮涂梢苑?止各微透鏡的聚光效果受損。接下來，通過將半導(dǎo)體基板IllA在翻轉(zhuǎn)后的狀態(tài)下與透明的 玻璃罩12進(jìn)行粘合，獲得圖4B所示的那種剖面結(jié)構(gòu)。接著，如圖4C所示，將半導(dǎo)體基板IllA從第2面?zhèn)冗M(jìn)行薄形化。在該薄形化中， 例如可以通過將磨削、CMP (化學(xué)機(jī)械拋光Chemical Mechanical Polishing)和濕法蝕刻 根據(jù)需要加以組合來實(shí)施。另外，優(yōu)選的是，薄形化后半導(dǎo)體基板111的膜厚大致為50 100 μ nm以下。因此，能夠維持半導(dǎo)體器件11的剛性，同時(shí)實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步的小型化及薄形化， 并且可以通過下述的GND平面117有效釋放半導(dǎo)體基板111中蓄積的電荷，結(jié)果，能夠提高 半導(dǎo)體器件11的特性。接著，在薄形化的半導(dǎo)體基板111的第2面上采用光刻法來形成抗蝕劑R1。該 抗蝕劑Rl具備在和電極焊盤114對應(yīng)的位置，也就是形成第1通孔Vl的區(qū)域上形成開口 Al的圖形。接下來，通過利用抗蝕劑Rl來作為掩模的RIE(反應(yīng)離子蝕刻=Reactive Ion Etching)將半導(dǎo)體基板111從第2面?zhèn)冗M(jìn)行蝕刻，如圖4D所示，形成將半導(dǎo)體基板111從 第1面一直貫通到第2面的第1通孔VI。接著，在剝離抗蝕劑Rl之后，通過在形成了第1通孔Vl的半導(dǎo)體基板111的第2 面上，例如使用濺射法來堆積Ti，如圖4E所示，形成覆蓋半導(dǎo)體基板111的第2面的金屬膜 117A。此時(shí)，金屬膜117A的膜厚例如可以設(shè)為IOOnm左右。還有，作為堆積的金屬，除Ti 之外，還可以使用鉭(Ta)、Cu、鎳(Ni)或鐵(Fe)等。但是，若考慮到金屬給半導(dǎo)體基板111 帶來的影響，則優(yōu)選的是，使用Ti或Ta等給半導(dǎo)體基板111帶來的影響小的金屬。另外， 在作為堆積的金屬使用了可硅化的金屬時(shí)，因?yàn)橥ㄟ^在半導(dǎo)體基板111和金屬膜117A之間 的界面上使之進(jìn)行硅化反應(yīng)，它們之間的電連接變得良好，所以能夠進(jìn)一步有效實(shí)施來自 半導(dǎo)體基板111的電荷經(jīng)過GND平面117的釋放。接著，在用金屬膜117A所覆蓋的半導(dǎo)體基板111的第2面?zhèn)龋捎霉饪谭▉硇纬?抗蝕劑R2。該抗蝕劑R2具備在第1通孔Vl及其周圍形成開口 A2的圖形。另外，作為抗蝕 劑R2形成時(shí)對位用的標(biāo)記，例如可以使用第1通孔Vl內(nèi)所形成的金屬膜117A的凹形。接 下來，通過利用抗蝕劑R2來作為掩模的濕法蝕刻或RIE將金屬膜117A從第2面?zhèn)冗M(jìn)行蝕
9刻，如圖4F所示，去除第1通孔Vl內(nèi)及第1通孔Vl周邊的金屬膜117A。還有，第1通孔Vl周邊的去除部分只要是至少可吸收形成抗蝕劑R2時(shí)的曝光極 限(margin)的程度的范圍的金屬膜117A即可。另外，在相對于曝光極限具有足夠的余量 來去除第1通孔Vl周邊的金屬膜117A時(shí)，也可以在形成第1通孔Vl之前形成GND平面 117。也就是說，也可以更換圖4D所示的第1通孔形成工序和圖4E 圖4F所示的GND平 面形成工序的順序。這種情況下，雖然因?yàn)榘雽?dǎo)體基板111的第2面較為平坦，所以有時(shí)對 金屬膜構(gòu)圖用的抗蝕劑進(jìn)行開口時(shí)的位置偏差變大，但是因?yàn)槿缟纤鼍哂凶銐虻挠嗔縼?去除第1通孔Vl周邊的金屬膜117A，所以可以防止在第1通孔Vl內(nèi)部(特別是形成第2 通孔V2的部分)殘留GND平面117用的金屬膜117A，結(jié)果為，可以避免固體攝像元件IlA 經(jīng)由電極焊盤114不必要地接地。還有，在形成GND平面117之后的工序中，能夠?qū)⒌?通 孔Vl周圍的GND平面117的開口利用在對位中。如上所述，若在半導(dǎo)體基板111的第2面上形成了 GND平面117，則接著在剝離抗 蝕劑R2之后，如圖4G所示，在形成了 GND平面117的半導(dǎo)體基板111的第2面上使絕緣 膜115A成膜。絕緣膜115A既可以是硅氧化膜(SiO2)或硅氮化膜(SiN)等無機(jī)絕緣膜，也 可以是絕緣樹脂等有機(jī)絕緣膜。例如在無機(jī)絕緣膜的場合，可以使用CVD(化學(xué)氣相沉積 Chemical Vapor Deposition)等來形成絕緣膜115A。另外，在有機(jī)絕緣膜的場合，可以使 用噴墨印刷技術(shù)等來形成絕緣膜115A。接著，在形成了絕緣膜115A的半導(dǎo)體基板111的第2面?zhèn)?，采用光刻法來形成?蝕劑R3。該抗蝕劑R3具備在第1通孔Vl底部形成開口 A3的圖形。另外，該圖形包括后 面形成的布線圖形116的與接地線對應(yīng)的位置上所形成的開口 A4。接下來，通過利用抗蝕 劑R3來作為掩模的RIE對絕緣膜115A(也可以根據(jù)需要包括過濾層12在內(nèi))進(jìn)行蝕刻， 以此如圖4H所示，將使半導(dǎo)體基板111的第1面?zhèn)人纬傻碾姌O焊盤114露出的第2通孔 V2形成于第1通孔Vl底部，并且在布線圖形116的與接地線對應(yīng)的位置上形成使GND平面 117露出的第3通孔V3。這樣，因?yàn)橥ㄟ^由同一工序形成用于取得與電極焊盤114之間的 電連接的第2通孔V2以及用于取得與GND平面117之間的電連接的第3通孔V3，所以能夠 實(shí)現(xiàn)工序的簡單化。接著，在剝離抗蝕劑R3之后，如圖41所示，在形成了第2通孔V2及第3通孔V3 的半導(dǎo)體基板111的第2面上形成布線圖形116。還有，在該布線圖形116中，還包含形成 于第1通孔Vl內(nèi)及第2通孔V2內(nèi)的貫通電極116a以及形成于第3通孔V3內(nèi)的GND觸點(diǎn) 116b。包括貫通電極116a及GND觸點(diǎn)116b在內(nèi)的布線圖形116的形成例如可以使用電解 鍍法。作為具體的例子，首先將作為勢壘金屬發(fā)揮作用的Ti膜和電鍍時(shí)作為籽晶層發(fā)揮作 用的Cu膜，例如采用濺射法形成于半導(dǎo)體基板111的第2面?zhèn)日w上，接下來，例如通過實(shí) 施光刻工序，在Cu膜上，形成以布線圖形116的圖形形狀開口的抗蝕劑。接下來，通過利用 該抗蝕劑來作為掩模并且利用Cu膜作為籽晶層的電解鍍法，使Cu膜生長。隨后，在將作為 掩模利用的抗蝕劑剝離之后，利用以電解鍍法生長的Cu膜來作為掩模，并且通過蝕刻對作 為籽晶層的Cu膜及作為勢壘金屬的Ti膜進(jìn)行構(gòu)圖。借此，形成由Cu構(gòu)成的布線圖形116。 接著，在形成了布線圖形116的半導(dǎo)體基板111的第2面?zhèn)韧糠笞韬讣娜芤海蛊涓稍锖?通過光刻工序及蝕刻工序進(jìn)行構(gòu)圖，以此如圖4J所示，形成在裝配焊料球16的位置上形成 了第2通孔V4的阻焊件118。
接著，通過使用現(xiàn)有的焊料球裝配裝置，如圖4K所示，在形成了阻焊件118的半導(dǎo) 體基板111的第2面?zhèn)鹊闹付ㄎ恢玫牡?通孔V4內(nèi)裝載焊料球16。接著，通過例如使用金 剛石切割器或激光將半導(dǎo)體基板111沿著劃線區(qū)域SR(參見圖3)進(jìn)行切割，如圖4L所示， 將在半導(dǎo)體晶片上形成為2維陣列狀的半導(dǎo)體器件11單片化。隨后，通過將單片化的半導(dǎo) 體器件11和透鏡單元14 一起，嵌入攝像機(jī)殼體15中，來制造具備圖1所示那種剖面結(jié)構(gòu) 的攝像機(jī)模塊1。如上，根據(jù)本實(shí)施方式1的半導(dǎo)體器件11具備半導(dǎo)體基板111，在第1面上形成 作為半導(dǎo)體元件的固體攝像元件IlA ；布線圖形116，形成于半導(dǎo)體基板111的與第1面相 反側(cè)的第2面?zhèn)?，至少在一部分包含接地線；貫通電極116a，將半導(dǎo)體基板111從第1面一 直貫通到第2面，電連接固體攝像元件IlA和布線圖形116 ；GND平面117，形成于半導(dǎo)體基 板111的第2面與布線圖形116所延伸存在的面(或者層)之間，與半導(dǎo)體基板111及布 線圖形116的接地線電連接。也就是說，在本實(shí)施方式1中，使半導(dǎo)體基板111和布線圖形 116之間介入了作為遮光膜發(fā)揮作用的接地電位的GND平面117。因此，可以抑制半導(dǎo)體基 板111和布線圖形116之間的電容耦合，并且防止來自半導(dǎo)體基板111背面(第2面)的 光經(jīng)過半導(dǎo)體基板111入射至其上面(第1面)所形成的固體攝像元件11A。其結(jié)果為，能 夠避免重影及布線圖形等的映入，并且實(shí)現(xiàn)可高速工作的半導(dǎo)體器件11及攝像機(jī)模塊1。變形例1-1另外，在上述實(shí)施方式1中，作為采用光刻法對GND平面117進(jìn)行構(gòu)圖時(shí)的曝光所 使用的對位用標(biāo)記，利用了第1通孔Vl部分的形狀。但是，例如圖5所示，也可以在GND平 面117(金屬膜117A)上設(shè)置對位用的開口 117a。下面，將該情形作為本實(shí)施方式1的變形 例1-1，使用附圖進(jìn)行詳細(xì)說明。圖5是表示根據(jù)本變形例1-1的半導(dǎo)體器件11-1的概略結(jié)構(gòu)的俯視圖。但是，為 了說明的方便，在圖5中選取半導(dǎo)體器件11-1的一部分的層來進(jìn)行表示。如圖5所示，根 據(jù)本變形例1-1的半導(dǎo)體器件11-1在半導(dǎo)體基板111上與設(shè)置未圖示的對位用標(biāo)記的位 置對應(yīng)的GND平面117的指定區(qū)域，形成有使下層的絕緣膜115露出的開口 117a。如上所述，作為半導(dǎo)體元件的固體攝像元件IlA從單片化后半導(dǎo)體基板111的第 1面的外緣開始，形成于指定距離內(nèi)側(cè)的元件區(qū)域。在本變形例1-1中，在GND平面117的 從半導(dǎo)體基板111的第2面?zhèn)扔^察與元件區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域AR的指定區(qū)域上形成開口 117a。 例如，將開口 117a形成于把半導(dǎo)體器件11-1單片化時(shí)作為切割部分的切割線上。借此，可 以避免布線圖形116和半導(dǎo)體基板111之間的電容耦合增加，并且在曝光時(shí)利用半導(dǎo)體基 板111上所設(shè)置的對位用標(biāo)記。該開口 117a例如在形成金屬膜117A時(shí)通過使用剝離(lift-off)法來形成。也 就是說，在本變形例1-1中，在半導(dǎo)體基板111的第2面上使金屬膜117A成膜之前，事先在 單片化時(shí)切割的劃線區(qū)域SR上使用光刻法來形成抗蝕劑。隨后，通過在形成了抗蝕劑的半 導(dǎo)體基板111的第2面上例如使用濺射法堆積Ti等金屬，來形成金屬膜117A，接下來通過 使用丙酮等的剝離液將抗蝕劑去除，把抗蝕劑上的金屬膜117A的一部分一起去除(剝離)。 借此，在劃線區(qū)域SR上形成開口 117a。另外，如同本變形例1-1那樣，事先在對GND平面117進(jìn)行構(gòu)圖之前的金屬膜117A 上形成開口 117a，由此能夠根據(jù)該開口 117a正確實(shí)施曝光時(shí)的對位，所以能夠減小將金屬
11膜117A對GND平面117進(jìn)行構(gòu)圖時(shí)第1通孔Vl周圍的曝光極限。還有，其他的結(jié)構(gòu)、制造 方法及效果因?yàn)楹蜕鲜鰧?shí)施方式相同，所以這里省略詳細(xì)的說明。變形例1-2另外，在上述實(shí)施方式1中，去除了第1通孔Vl內(nèi)的金屬膜117A。也就是說，在第 1通孔Vl內(nèi)，成為GND平面117不延伸存在的結(jié)構(gòu)。但是，例如圖6所示，GND平面117也 可以延伸到第1通孔Vl內(nèi)的側(cè)面。換言之，GND平面117也可以包含第1通孔Vl內(nèi)的側(cè) 面上所形成的通孔內(nèi)GND平面117b。下面，將該情形作為本實(shí)施方式1的變形例1-2，使用 附圖進(jìn)行詳細(xì)說明。圖6是表示根據(jù)本變形例1-2的半導(dǎo)體器件11-2概略結(jié)構(gòu)的剖面圖。還有，為了 說明的方便，在圖6中表示與圖3中的線A-A對應(yīng)的部分(線B-B)的半導(dǎo)體器件11-2的 剖面。如圖6所示，根據(jù)本變形例1-2的半導(dǎo)體器件11-2具備從半導(dǎo)體基板111的第2面 延伸到第1通孔Vl的側(cè)面上的GND平面117及通孔內(nèi)GND平面117b。借此，可以防止第1 通孔Vl內(nèi)的貫通電極116a和半導(dǎo)體基板111產(chǎn)生電容耦合，結(jié)果為，能夠進(jìn)一步提高半導(dǎo) 體器件11-2的特性。還有，在本變形例1-2中，也和上述變形例1-1相同，可以在劃線區(qū)域SR的GND平 面117上形成開口 117a。另外，其他的結(jié)構(gòu)、制造方法及效果因?yàn)楹蜕鲜鰧?shí)施方式或其變形 例相同，所以這里省略詳細(xì)的說明。變形例1-3另外，在上述實(shí)施方式及其變形例中，在從金屬膜117A對GND平面117的構(gòu)圖中 使用了光刻工序及蝕刻工序。但是，不限定于此，例如也可以使用剝離法來形成GND平面 117。下面，將該情形作為本實(shí)施方式1的變形例1-3，使用附圖進(jìn)行詳細(xì)說明。其中，有關(guān) 和上述實(shí)施方式1相同的工序，則通過引用其說明，來省略其詳細(xì)的說明。圖7A 圖7D是表示根據(jù)本變形例1_3的攝像機(jī)模塊1的制造方法的工序圖。在 本制造方法中，首先經(jīng)過和在上面使用圖4A 圖4C所說明的工序相同的工序，以此將形成 了固體攝像元件11A、過濾層112、微透鏡陣列113及電極焊盤114的半導(dǎo)體基板IllA從第 2面?zhèn)冗M(jìn)行薄形化。還有，在半導(dǎo)體基板111上，已經(jīng)利用接合層13粘合了玻璃罩12。接著，如圖7A所示，在薄形化的半導(dǎo)體基板111的第2面上采用光刻法來形成抗 蝕劑R21。該抗蝕劑R21具有以GND平面117的圖形形狀為正的反圖形形狀。也就是說，抗 蝕劑R21至少形成于形成第1通孔Vl的區(qū)域上。其中，在本變形例1-3中，優(yōu)選的是，抗蝕 劑R21以半導(dǎo)體基板111的第2面為基準(zhǔn)，具備所謂倒錐形狀的剖面。該倒錐形狀例如通 過調(diào)整曝光時(shí)的焦點(diǎn)深度及曝光光量就能夠?qū)崿F(xiàn)。接著，通過在形成了抗蝕劑R21的半導(dǎo)體基板111的第2面上例如采用濺射法來 堆積Ti，如圖7B所示，在半導(dǎo)體基板111的第2面上和抗蝕劑R21的上表面上形成金屬膜 117B。接下來，例如使用丙酮等的剝離液去除抗蝕劑R21。由此，將抗蝕劑R21上的金屬膜 117B與抗蝕劑R21 —起去除(剝離)，其結(jié)果為，如圖7C所示，在半導(dǎo)體基板111的第2面 上殘留被構(gòu)圖的GND平面117。此時(shí)，因?yàn)槭孪仁箍刮g劑R21的剖面形狀成為倒錐形狀，所以 可以使GND平面117的端部成為錐形狀。借此，可以防止在半導(dǎo)體器件11的工作時(shí)在GND 平面117的端部集中電場，結(jié)果為，能夠提高半導(dǎo)體器件11的包括耐壓特性在內(nèi)的電特性。接著，在形成了 GND平面117的半導(dǎo)體基板111的第2面上采用光刻法來形成抗
12蝕劑R22。該抗蝕劑R22和在上述實(shí)施方式1中使用圖4所說明的抗蝕劑Rl相同，具備在 和電極焊盤114對應(yīng)的位置，也就是形成第1通孔Vl的區(qū)域上形成了開口 A22的圖形。接 下來，通過利用抗蝕劑R22來作為掩模的RIE將半導(dǎo)體基板111從第2面?zhèn)冗M(jìn)行蝕刻，以此 如圖7D所示，形成將半導(dǎo)體基板111從第1面一直貫通到第2面的第1通孔VI。接下來，經(jīng)過和在上面使用圖4E 圖4H所說明的工序相同的工序，以此將半導(dǎo)體 基板111單片化，該半導(dǎo)體基板111在過濾層112上形成第2通孔V2，并且形成了絕緣膜 115、布線圖形116、阻焊件118及焊料球16，該絕緣膜115形成了第3通孔V3，該布線圖形 116包含貫通電極116a及GND觸點(diǎn)116b。隨后，和上述實(shí)施方式1相同，通過將單片化的 半導(dǎo)體器件11和透鏡單元14 一起嵌入攝像機(jī)殼體15中，來制造具備圖1所示的那種剖面 結(jié)構(gòu)的攝像機(jī)模塊1。如上，在本變形例1-3中，因?yàn)樵趯雽?dǎo)體基板111的第2面用金屬膜117B覆蓋 之前，形成用來對GND平面117進(jìn)行構(gòu)圖的抗蝕劑R21，所以能夠容易且正確地實(shí)施曝光時(shí) 的對位。其結(jié)果為，因?yàn)槟軌蛐纬蒅ND平面117使之進(jìn)一步覆蓋半導(dǎo)體基板111的第2面 的更寬大的范圍，所以能夠使半導(dǎo)體器件11的特性得到進(jìn)一步提高。還有，其他的結(jié)構(gòu)、制造方法及效果因?yàn)楹蜕鲜鰧?shí)施方式或其變形例相同，所以這 里省略詳細(xì)的說明。實(shí)施方式2下面，使用附圖來詳細(xì)說明本實(shí)施方式2所涉及的半導(dǎo)體器件、攝像機(jī)模塊及半 導(dǎo)體器件的制造方法。在下面的說明中，對于和上述實(shí)施方式或其變形例相同的結(jié)構(gòu)，附上 相同的符號(hào)，省略其重復(fù)的說明。圖8是表示根據(jù)本實(shí)施方式2的半導(dǎo)體器件21的概略結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖9是表 示圖8所示的半導(dǎo)體器件21的概略結(jié)構(gòu)的B-B剖面圖。其中，為了說明的方便，在圖9中 選取半導(dǎo)體器件21的一部分的層來進(jìn)行表示。如圖8及圖9所示，半導(dǎo)體器件21中的GND平面217不形成在從單片化時(shí)切割的 面與第2面所形成的邊開始具備指定距離的寬度的劃線區(qū)域SR上。換言之，GND平面217 形成為，覆蓋從單片化后半導(dǎo)體基板111的第2面周圍的邊隔開指定距離的區(qū)域AR內(nèi)。因?yàn)樽鳛檫@種結(jié)構(gòu)，所以采用本實(shí)施方式2，可以避免切割時(shí)GND平面217被剝除。 其結(jié)果為，能夠防止因GND平面的剝除導(dǎo)致的漏電流發(fā)生及裝置特性變壞。還有，其他的結(jié) 構(gòu)、制造方法及效果因?yàn)楹蜕鲜鰧?shí)施方式或其變形例相同，所以這里省略詳細(xì)的說明。實(shí)施方式3下面，使用附圖來詳細(xì)說明本實(shí)施方式3所涉及的半導(dǎo)體器件、攝像機(jī)模塊及半 導(dǎo)體器件的制造方法。在下面的說明中，對于和上述實(shí)施方式或其變形例相同的結(jié)構(gòu)，附上 相同的符號(hào)，省略其重復(fù)的說明。圖10是表示根據(jù)本實(shí)施方式3的半導(dǎo)體器件31的概略結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖11是 表示圖10所示的半導(dǎo)體器件31的概略結(jié)構(gòu)的C-C剖面圖。其中，為了說明的方便，在圖11 中選取半導(dǎo)體器件31 —部分的層來進(jìn)行表示。如圖10及11所示，半導(dǎo)體器件31中的GND平面317形成為覆蓋下述區(qū)域，該區(qū) 域在從半導(dǎo)體基板111的第2面與單片化時(shí)切割的面所形成的邊隔開指定距離的區(qū)域AR 內(nèi)，并且比將在區(qū)域AR的端部排列成行狀的第1通孔Vl的靠第2面中心的端連結(jié)的線更靠內(nèi)側(cè)?；蛘哒f，GND平面317不形成在單片化時(shí)切割的劃線區(qū)域SR及將排列了多個(gè)的第 1通孔Vl圍住的帶狀通孔排列區(qū)域VR上。這樣，在本實(shí)施方式3中，貫通電極116a與半導(dǎo)體基板111的第2面周圍的邊之 中任一條以上的邊接近排列，GND平面317形成在從半導(dǎo)體基板111的第2面?zhèn)扔^察比將 排列的貫通電極116a的第2面中心側(cè)的端連結(jié)起來的線更靠內(nèi)側(cè)的區(qū)域上。因此，根據(jù)本 實(shí)施方式3，因?yàn)榭梢员苊庠谇懈顣r(shí)GND平面317被剝除，并且能夠使GND平面317的構(gòu)圖 形狀簡單化，所以能夠?qū)崿F(xiàn)半導(dǎo)體器件31的設(shè)計(jì)容易化及制造的簡單化。還有，其他的結(jié) 構(gòu)、制造方法及效果因?yàn)楹蜕鲜鰧?shí)施方式或其變形例相同，所以這里省略詳細(xì)的說明。如同上面所說明的那樣，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，能夠?qū)崿F(xiàn)避免重影及布線圖形 等的映入并且可高速工作的半導(dǎo)體器件及攝像機(jī)模塊、以及可高速工作的半導(dǎo)體器件的制 造方法。進(jìn)一步的效果及變形例可以由從業(yè)人員輕易導(dǎo)出。因而，本發(fā)明更為廣泛的方式 并不限定為如上所示及所述的特定詳細(xì)及代表性的實(shí)施方式。從而，能夠在不脫離由附加 的權(quán)利要求及其等同物所定義的總體發(fā)明概念精神或者范圍的狀況下，進(jìn)行各種各樣的變更。
權(quán)利要求
一種半導(dǎo)體器件，具備半導(dǎo)體基板，在第1面上具備半導(dǎo)體元件；布線圖形，位于上述半導(dǎo)體基板的與上述第1面相反側(cè)的第2面?zhèn)龋辽僖徊糠职ń拥鼐€；貫通電極，從上述第1面到上述第2面貫通上述半導(dǎo)體基板，將上述半導(dǎo)體元件和上述布線圖形電連接；以及金屬膜，位于上述半導(dǎo)體基板的上述第2面與上述布線圖形所延伸存在的面之間，與上述接地線電連接。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，上述貫通電極位于貫通上述半導(dǎo)體基板的接觸孔內(nèi)， 從上述第2面?zhèn)扔^察，上述金屬膜在上述接觸孔開口。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中， 上述開口與上述金屬膜的邊緣連續(xù)。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，上述貫通電極位于貫通上述半導(dǎo)體基板的接觸孔內(nèi)， 從上述第2面?zhèn)扔^察，上述金屬膜覆蓋該第2面及上述接觸孔的內(nèi)側(cè)面。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，上述貫通電極位于貫通上述半導(dǎo)體基板的接觸孔內(nèi)， 從上述第2面?zhèn)扔^察，上述接觸孔排列在該第2面的外緣附近， 從上述第2面?zhèn)扔^察，上述金屬膜的端部比上述接觸孔的排列更靠內(nèi)側(cè)。
6.一種攝像機(jī)模塊，具備半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體器件具備半導(dǎo)體基板、布線圖形、貫通電極和金屬膜，該半導(dǎo)體 基板在第1面上具備半導(dǎo)體元件，該布線圖形位于上述半導(dǎo)體基板的與上述第1面相反側(cè) 的第2面?zhèn)?，至少一部分包括接地線，該貫通電極從上述第1面到上述第2面貫通上述半導(dǎo) 體基板，將上述半導(dǎo)體元件和上述布線圖形電連接，該金屬膜位于上述半導(dǎo)體基板的上述 第2面與上述布線圖形所延伸存在的面之間，與上述接地線電連接； 透鏡單元，配置在上述半導(dǎo)體器件的上述第1面?zhèn)龋灰约?殼體，保持上述半導(dǎo)體器件和上述透鏡單元。
7.如權(quán)利要求6所述的攝像機(jī)模塊，其中，上述貫通電極位于貫通上述半導(dǎo)體基板的接觸孔內(nèi)， 從上述第2面?zhèn)扔^察，上述金屬膜在上述接觸孔開口。
8.如權(quán)利要求7所述的攝像機(jī)模塊，其中， 上述開口與上述金屬膜的邊緣連續(xù)。
9.如權(quán)利要求6所述的攝像機(jī)模塊，其中，上述貫通電極位于貫通上述半導(dǎo)體基板的接觸孔內(nèi)， 從上述第2面?zhèn)扔^察，上述金屬膜覆蓋該第2面及上述接觸孔的內(nèi)側(cè)面。
10.如權(quán)利要求6所述的攝像機(jī)模塊，其中，上述貫通電極位于貫通上述半導(dǎo)體基板的接觸孔內(nèi)， 從上述第2面?zhèn)扔^察，上述接觸孔排列在該第2面的外緣附近，從上述第2面?zhèn)扔^察，上述金屬膜的端部比上述接觸孔的排列更靠內(nèi)側(cè)。
11.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括以下步驟形成接觸孔，該接觸孔從半導(dǎo)體基板的第1面到與該第1面相反側(cè)的第2面貫通上述 半導(dǎo)體基板，該半導(dǎo)體基板在上述第1面上具備半導(dǎo)體元件；在上述半導(dǎo)體基板的上述第2面?zhèn)刃纬膳c該半導(dǎo)體基板電連接的金屬膜； 形成使上述金屬膜的一部分露出并且覆蓋該金屬膜的絕緣膜； 在上述絕緣膜上形成至少包括經(jīng)由上述露出部分與上述金屬膜電連接的接地線的布 線圖形，并且在上述接觸孔內(nèi)形成貫通上述半導(dǎo)體基板的貫通電極。
12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中， 上述金屬膜形成為從上述第2面?zhèn)扔^察在上述接觸孔開口。
13.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中， 上述開口與上述金屬膜的邊緣連續(xù)。
14.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，上述金屬膜形成為從上述第2面?zhèn)扔^察覆蓋該第2面及上述接觸孔的內(nèi)側(cè)面。
15.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，從上述第2面?zhèn)扔^察，上述接觸孔排列在該第2面的外緣附近， 從上述第2面?zhèn)扔^察，上述金屬膜的端部形成為比上述接觸孔的排列更靠內(nèi)側(cè)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件、攝像機(jī)模塊及半導(dǎo)體器件的制造方法。半導(dǎo)體器件具備半導(dǎo)體基板，在第1面上形成半導(dǎo)體元件；布線圖形，形成于上述半導(dǎo)體基板的與上述第1面相反側(cè)的第2面?zhèn)?，至少在一部分包含接地線；貫通電極，從上述第1面到上述第2面貫通上述半導(dǎo)體基板，電連接上述半導(dǎo)體元件和上述布線圖形；以及金屬膜，形成于上述半導(dǎo)體基板的上述第2面與上述布線圖形所延伸存在的面之間，與上述接地線電連接。
文檔編號(hào)H01L23/485GK101930986SQ20101021327
公開日2010年12月29日 申請日期2010年6月22日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月22日
發(fā)明者小松公, 松尾美惠, 萩原健一郎 申請人:株式會(huì)社東芝