專利名稱：熱釋放半導(dǎo)體封裝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明實(shí)施例涉及一種熱釋放半導(dǎo)體封裝及其制造方法，以及包括該熱釋放半導(dǎo) 體封裝的顯示裝置。
背景技術(shù)：
通常，從用于顯示裝置的驅(qū)動(dòng)集成電路(IC)生成的熱量需要被傳送到外部，以防 止設(shè)置有驅(qū)動(dòng)IC的產(chǎn)品的熱損耗。這種顯示裝置可包括，例如，液晶顯示器(LCD)、等離子 體顯示面板(PDP)、有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)等等。IXD可通過(guò)使用電場(chǎng)控制液晶的透光率來(lái)顯示圖像。為了顯示圖像，IXD可設(shè)置有 包括以矩陣結(jié)構(gòu)排列的多個(gè)液晶單元的液晶面板，以及用于驅(qū)動(dòng)液晶面板的驅(qū)動(dòng)電路。與 陰極射線管(CRT)相比，LCD可以小型化，因此能被商業(yè)化為顯示裝置，例如便攜式電視、膝 上型個(gè)人計(jì)算機(jī)等。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器和柵極驅(qū)動(dòng)器集成在多個(gè)集成電路中。每個(gè)集成的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器IC和 柵極驅(qū)動(dòng)器IC都被安裝在帶載封裝(在下文中稱為“TCP”)上。在卷帶自動(dòng)結(jié)合(TAB) 方法中，集成的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器IC和柵極驅(qū)動(dòng)器IC連接到液晶面板。可選地，使用玻璃上芯片 (COG)方法在液晶面板上安裝集成的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器IC和柵極驅(qū)動(dòng)器IC。驅(qū)動(dòng)器IC和數(shù)據(jù)驅(qū) 動(dòng)器IC總起來(lái)稱為驅(qū)動(dòng)器IC。特別地，由于為了降低成本而出現(xiàn)了高分辨率顯示器并出現(xiàn)了高集成度IC，因此 IC的熱生成引起了嚴(yán)重的問(wèn)題。熱生成會(huì)影響電路的穩(wěn)定性，并可能威脅到柔性基膜的耐 熱溫度。附著卷帶以降低驅(qū)動(dòng)IC的熱生成的方法需要附加工藝以及輔料。而且，諸如鋁 (Al)等的薄金屬熱釋放片被附著，但是不能應(yīng)用到具有不規(guī)則表面的主體。而且，薄金屬熱 釋放片在減少其厚度方面具有局限性，并且難于制造。此外，在附著薄金屬熱釋放片的情況下，可能需要使用單獨(dú)的層壓設(shè)備。還可能需 要制造并提供薄金屬熱釋放片以與主體的需求相匹配。這意味著，可能需要根據(jù)產(chǎn)品IC等 的規(guī)格來(lái)單獨(dú)制造薄金屬熱釋放片。因?yàn)闊後尫牌话憔哂卸鄬咏Y(jié)構(gòu)，所以其制造成本增加，這依次增加了最終產(chǎn)品 的制造成本。

發(fā)明內(nèi)容
實(shí)施例涉及一種熱釋放半導(dǎo)體封裝及其制造方法，以及包括該熱釋放半導(dǎo)體封裝 的顯示裝置，能保護(hù)半導(dǎo)體封裝不受有關(guān)由于熱導(dǎo)致的電路穩(wěn)定性的影響。實(shí)施例涉及一種熱釋放半導(dǎo)體封裝及其制造方法，以及包括該熱釋放半導(dǎo)體封裝 的顯示裝置，能降低產(chǎn)品價(jià)格且便于應(yīng)用，而不論驅(qū)動(dòng)IC的布局。實(shí)施例涉及一種熱釋放半導(dǎo)體封裝及其制造方法，以及包括該熱釋放半導(dǎo)體封裝 的顯示裝置，甚至能容易地應(yīng)用到具有不規(guī)則表面的產(chǎn)品。
根據(jù)實(shí)施例，一種熱釋放半導(dǎo)體封裝可包括以下中的至少一個(gè)形成在膜上和/ 或上方的電極圖案；安裝在電極圖案上和/或上方的半導(dǎo)體器件；以及形成在半導(dǎo)體器件 上和/或上方的第一熱釋放層，使得第一熱釋放層包括粘合劑和熱釋放涂料，第一熱釋放 層被涂覆在電極圖案上方。根據(jù)實(shí)施例，一種熱釋放半導(dǎo)體封裝可包括以下中的至少一個(gè)形成在膜上和/ 或上方的電極圖案；安裝在電極圖案上和/或上方的半導(dǎo)體器件；以及形成在膜下方的第 二熱釋放層，使得第二熱釋放層包括粘合劑和熱釋放涂料，第二熱釋放層被涂覆在電極圖 案上和/或上方。根據(jù)實(shí)施例，一種熱釋放半導(dǎo)體封裝的制造方法可包括以下中的至少一個(gè)步驟 在膜上和/或上方形成電極圖案；在電極圖案上和/或上方安裝半導(dǎo)體器件；以及然后通 過(guò)在半導(dǎo)體器件上和/或上方涂覆第一熱釋放層來(lái)在半導(dǎo)體器件上和/或上方形成第一熱 釋放層。根據(jù)實(shí)施例，一種熱釋放半導(dǎo)體封裝的制造方法可包括以下中的至少一個(gè)步驟 在膜上和/或上方形成電極圖案；在電極圖案上和/或上方安裝半導(dǎo)體器件；以及然后通 過(guò)混合粘合劑和熱釋放涂料并隨后涂覆混合后的粘合劑和熱釋放涂料來(lái)在膜下方形成第
二熱釋放層。根據(jù)實(shí)施例，一種包括熱釋放半導(dǎo)體封裝的顯示裝置可包括以下中的至少一個(gè) 顯示面板；以及電性連接到顯示面板的熱釋放半導(dǎo)體封裝。


實(shí)例圖1至圖7示出根據(jù)實(shí)施例的熱釋放半導(dǎo)體封裝、熱釋放半導(dǎo)體封裝的制造 方法、以及用于在熱釋放半導(dǎo)體封裝的制造方法中噴射熱釋放涂料的噴嘴。
具體實(shí)施例方式在下文中，將參照附圖描述根據(jù)實(shí)施例的熱釋放半導(dǎo)體封裝及其制造方法，以及 包括該熱釋放半導(dǎo)體封裝的顯示裝置。如實(shí)例圖IA所示，根據(jù)實(shí)施例的熱釋放半導(dǎo)體封裝100可包括形成在膜10上和 /或上方的電極圖案20，安裝在電極圖案20上和/或上方的半導(dǎo)體器件50，以及形成在半 導(dǎo)體器件50上和/或上方的第一熱釋放層90。根據(jù)實(shí)施例的熱釋放半導(dǎo)體封裝100可用 于釋放從安裝在帶載封裝(TCP)上和/或上方的驅(qū)動(dòng)IC發(fā)出的熱量，或從裝配在利用半導(dǎo) 體器件的顯示面板主體(例如液晶顯示器(IXD)、等離子體顯示面板(PDP)、有機(jī)發(fā)光二極 管(OLED)、發(fā)光二極管(LED)、射頻識(shí)別(RFID)等)的邊緣中的膜上芯片(COF)發(fā)出的熱 量。根據(jù)實(shí)施例，第一熱釋放層90可通過(guò)在用于TCP或C0F(例如柔性印刷電路板 (FPCB))中的膜10的整個(gè)表面或一部分表面上和/或上方涂覆液體熱釋放涂料、并固化涂 覆的液體熱釋放涂料而形成。第一熱釋放層90可以是不導(dǎo)電(nonconductive)熱釋放層。 例如，可在粘合劑和熱釋放涂料被混合后，涂覆并隨后固化第一熱釋放層90。在這種情況 下，因?yàn)檎澈蟿┎粚?dǎo)電，所以第一熱釋放層90可以是不導(dǎo)電熱釋放層，而無(wú)論熱釋放涂料 是否導(dǎo)電。
熱釋放涂料可以指裝配半導(dǎo)體封裝時(shí)使用的熱釋放涂層溶液。熱釋放涂料可以 是包括有機(jī)或無(wú)機(jī)涂層材料的絕緣材料，例如陶瓷、硅等等，或諸如各種金屬印膏(metal paste)、碳納米管(CNT)、石墨等等的導(dǎo)電材料，或可包括其他復(fù)合涂層涂料。如實(shí)例圖IB所示，根據(jù)實(shí)施例的熱釋放半導(dǎo)體封裝200還可包括第一粘合劑層 30，形成在半導(dǎo)體器件50上和/或上方以增強(qiáng)粘合功能和絕緣功能。實(shí)例圖IA和圖IB中 沒(méi)有描述的附圖標(biāo)記將在制造方法中描述?？赏ㄟ^(guò)附加地涂覆絕緣涂料來(lái)在第一熱釋放層 90上和/或上方形成第一絕緣層71，以增強(qiáng)絕緣功能。絕緣涂料可被應(yīng)用到具有良好的輻 射和放射性能的產(chǎn)品。還可在第一熱釋放層90上和/或上方形成第一絕緣層71。包括該熱釋放半導(dǎo)體封裝的顯示裝置可以是利用半導(dǎo)體器件的顯示裝置、LCD、 PDP、OLED、LED、RFID等，并且可包括具有類似形狀的未來(lái)開(kāi)發(fā)出的顯示裝置。通過(guò)根據(jù)實(shí)施例的熱釋放半導(dǎo)體封裝，由于甚至在一般熱釋放片或卷帶不能被附 著的一部分上和/或上方能夠添加熱釋放器件，因此能增強(qiáng)熱釋放效果。該工藝可被簡(jiǎn)化 從而減低制造成本。能通過(guò)控制熱釋放涂料的噴射量和噴射時(shí)間來(lái)任意調(diào)整熱釋放層的厚 度，因此能夠消除不必要的材料浪費(fèi)。此外，由于可通過(guò)向一般封裝設(shè)備添加噴嘴噴射裝置 來(lái)構(gòu)成制造設(shè)施，所以由噴嘴噴射裝置的增加導(dǎo)致的成本增長(zhǎng)并不大。因?yàn)闊後尫艑有纬?在發(fā)熱器件上和/或上方，所以能進(jìn)一步增強(qiáng)熱生成降低的效果。在下文中，將參照實(shí)例圖2A-圖2C描述根據(jù)實(shí)施例的熱釋放半導(dǎo)體封裝的制造方法。盡管實(shí)施例下面示出并描述了為單元半導(dǎo)體器件50形成熱釋放層，然而本發(fā)明 并不限于此。例如，可通過(guò)使用多個(gè)噴嘴在以預(yù)定間隔相互分開(kāi)排列的多個(gè)半導(dǎo)體器件上 和/或上方涂覆熱釋放層。如實(shí)例圖2A所示，在膜10上和/或上方形成電極圖案20。膜10可以是柔性印 刷電路板(FPCB)，但實(shí)施例并不限于此。在膜10下方還可設(shè)置支撐膜?？尚纬啥鄠€(gè)電極 圖案20以面對(duì)一個(gè)側(cè)面和另一個(gè)側(cè)面?；ハ嚅g隔設(shè)置的電極圖案20可分別作為輸入焊盤 (pad)和輸出焊盤。輸入焊盤可電性連接到PCB基板，輸出焊盤可電性連接到顯示面板。之 后，可在電極圖案20上和/或上方形成保護(hù)層40。例如，可形成絕緣層作為保護(hù)層40，但 實(shí)施例并不限于此。之后，在電極圖案20上和/或上方安裝半導(dǎo)體器件50。例如，可使半導(dǎo)體器件50 的端子52分別直接接觸電極圖案20的表面來(lái)安裝半導(dǎo)體器件50。在當(dāng)半導(dǎo)體器件50和 膜10之間的間隙大的情況下，可在涂覆熱釋放涂料之前執(zhí)行填充工藝以形成填充物13。在 第一粘合劑層30工藝被執(zhí)行以作為后續(xù)工藝的情況下，第一粘合劑層30可執(zhí)行填充物的 功能，或者可在形成第一粘合劑層30的工藝之前或之后執(zhí)行單獨(dú)的填充工藝。如實(shí)例圖2B所示，可在用于TCP或COF中的膜10的整個(gè)表面或一部分表面上和 /或上方涂覆不導(dǎo)電液體粘合劑，從而形成第一粘合劑層30。粘合劑可以是有機(jī)或無(wú)機(jī)復(fù) 合物，但實(shí)施例并不限于此。根據(jù)實(shí)施例，通過(guò)形成第一粘合劑層30，能夠增強(qiáng)粘合功能和 絕緣功能。第一粘合劑層30可被涂覆在能夠完全覆蓋半導(dǎo)體器件50的區(qū)域中。形成的第 一粘合劑層30可具有1 μ m到100 μ m之間的范圍內(nèi)的厚度，但實(shí)施例并不限于此?？赏ㄟ^(guò) 使用第一噴嘴210來(lái)均勻涂覆液體粘合劑。可不執(zhí)行形成第一粘合劑層30的工藝。例如， 在第一熱釋放層90能組合不導(dǎo)電熱釋放功能和粘合功能的情況下，可省略形成第一粘合劑層30的工藝。第一粘合劑層30是用于牢固地(rigidly)將第一熱釋放層90附著到膜10的表 面上和/或上方的輔助結(jié)構(gòu)。例如，如果第一熱釋放層90具有導(dǎo)電功能并且不具有粘合功 能，則可形成第一粘合劑層30以提供粘合功能。存在如下需求，第一粘合劑層30應(yīng)該被完 全涂覆在作為熱釋放層90的目標(biāo)的元件的表面上和/或上方。在完全執(zhí)行涂覆第一粘合 劑層30的狀態(tài)下，當(dāng)應(yīng)用熱釋放層90或第一粘合劑層30的涂覆區(qū)域不對(duì)應(yīng)熱釋放層90 的涂覆區(qū)域時(shí)，熱釋放層90可直接涂覆于驅(qū)動(dòng)IC或輸入/輸出端子上和/或上方。如果 第一熱釋放層90具有導(dǎo)電性，會(huì)產(chǎn)生短路(short)的危險(xiǎn)。根據(jù)實(shí)施例，可向粘合劑添加色素或熒光材料以使工人能從視覺(jué)上確認(rèn)第一粘合 劑層30是否被涂覆。可選擇能明顯與FPCB和熱釋放涂料區(qū)別的顏色。如實(shí)例圖2C所示，在第一粘合劑層30或半導(dǎo)體器件50上和/或上方形成第一熱 釋放層90?？赏ㄟ^(guò)在第一粘合劑層30或半導(dǎo)體器件50上和/或上方共同涂覆粘合劑和熱 釋放涂料來(lái)執(zhí)行形成第一熱釋放層90的步驟。例如，可如此形成第一熱釋放層90 混合液 體粘合劑和熱釋放涂料、在第一粘合劑層30的最上層表面的整個(gè)表面或一部分上和/或上 方涂覆混合物、然后固化涂覆的混合物。作為固化方法，可使用熱固化、UV固化、室溫固化 等。例如，可使用與熱釋放涂料的組分匹配的UV光源或熱固化爐來(lái)執(zhí)行固化。例如，作為 UV光源，可使用燈型(lamp-type)或LED型，但實(shí)施例并不限于此。粘合劑可以是樹脂，例 如聚丙烯酸脂等，但實(shí)施例并不限于此。根據(jù)實(shí)施例，熱釋放涂料可包括不導(dǎo)電材料、導(dǎo)電材料、以及不導(dǎo)電材料和導(dǎo)電材 料的混合物中的至少一種。例如，熱釋放涂料可指裝配半導(dǎo)體封裝時(shí)使用的熱釋放涂層溶 液。熱釋放涂料可以是包括諸如鋁氧化物/鋅氧化物等的陶瓷填充物和諸如硅等的有機(jī)/ 無(wú)機(jī)涂層劑的絕緣材料，諸如各種金屬印膏、碳納米管(CNT)、石墨等的導(dǎo)電材料，其它復(fù)合 涂層涂料，或絕緣材料和導(dǎo)電材料的混合物。第一熱釋放層90可包括約5wt% (重量百分 比)-20wt%的粘合劑，以及約80wt% _95wt%的熱釋放涂料，但實(shí)施例并不限于此。除粘合 劑和熱釋放涂料之外，第一熱釋放層90還可包括添加劑。例如，第一熱釋放層90可包括約 5wt % -約15wt %的粘合劑，約80wt % -約90wt %的熱釋放涂料，以及約5wt % -約15wt % 的添加劑，但實(shí)施例并不限于此?？捎傻诙娮?20均勻注射和涂覆熱釋放涂料。如有需要，可在Iym-IOOym的 范圍內(nèi)調(diào)整熱釋放層90的厚度，但實(shí)施例并不限于此。如果需要，可增加熱釋放層90的厚 度。第一熱釋放層90可以是導(dǎo)電或不導(dǎo)電的熱釋放層。例如，可通過(guò)混合粘合劑和熱釋放 涂料、涂覆混合物并固化涂覆的混合物來(lái)形成第一熱釋放層90。由于粘合劑不導(dǎo)電，所以第 一熱釋放層90可以是不導(dǎo)電的熱釋放層，而無(wú)論熱釋放涂料是否導(dǎo)電。因此，可省略第一 粘合劑層30的形成。作為用于形成第一熱釋放層90的粘合劑(粘合物)，可使用類似第一 粘合劑層30的有機(jī)或無(wú)機(jī)復(fù)合樹脂，但實(shí)施例并不限于此。實(shí)例圖4示出透視圖，示意性示出用于在根據(jù)實(shí)施例的熱釋放半導(dǎo)體封裝的制造 方法中噴射熱釋放涂料的噴嘴。如實(shí)例圖4所示，在第一噴嘴210和第二噴嘴220安裝在膜10上和/或上方或膜 10下方的狀態(tài)中，當(dāng)使用移動(dòng)/平移裝置在橫向和/或縱向上移動(dòng)第一噴嘴210和第二噴 嘴220時(shí)，第一噴嘴210和第二噴嘴220可分別注射粘合劑和熱釋放涂料。可提前輸入有關(guān)在目標(biāo)對(duì)象上涂覆熱釋放涂料的區(qū)域和位置的信息，從而能夠允許移動(dòng)/平移裝置控制 第一和第二噴嘴210、220的移動(dòng)。第一和第二噴嘴210、220可基本沿著由X-軸和Y-軸定 義的二維平面移動(dòng)，并且如果需要，第一和第二噴嘴210、220可繞θ -軸旋轉(zhuǎn)。第一和第二噴嘴210、220還可沿著Z-軸方向向上或向下移動(dòng)。從第一和第二噴 嘴210、220噴射出的粘合劑或熱釋放涂料被噴射時(shí)可同時(shí)以扇形擴(kuò)散?？衫糜糜谧R(shí)別膜 10的位置的圖像傳感器(例如CXD相機(jī))來(lái)提高位置精度。根據(jù)實(shí)施例，TCP/C0F制造設(shè)備可以是自動(dòng)化的。利用在TCP/C0F工藝線的中途 插入的噴射粘合劑和熱釋放涂料的裝置，可簡(jiǎn)單地解決驅(qū)動(dòng)器IC的熱釋放問(wèn)題。可使用噴 射裝置通過(guò)絲網(wǎng)法(screen method)、噴墨方法等以預(yù)期厚度、寬度和形狀在需要位置檢測(cè) 的位置處執(zhí)行涂覆。此外，使用噴嘴使得能夠執(zhí)行精細(xì)噴射，因此一次能涂覆較廣的區(qū)域。 由于以在選定高度噴射熱釋放涂料而不直接接觸PCB基板的表面、膜、半導(dǎo)體器件等的方 式執(zhí)行涂覆，因而降低了生成失敗(fail generation)的風(fēng)險(xiǎn)并且產(chǎn)品損害為最小。此外， 能針對(duì)具有不規(guī)則表面的產(chǎn)品均勻執(zhí)行涂覆。根據(jù)實(shí)施例，由于能夠管理熱釋放涂料等的溫度的熱電裝置系統(tǒng)能在恒壓泵中實(shí) 施，并且加熱裝置內(nèi)建于噴嘴中，因此能將熱釋放涂料控制在預(yù)期溫度，從而高效地管理熱 釋放涂料的粘性。而且，由于涂覆了熱釋放涂料，能最大化三個(gè)熱釋放效果輻射、傳導(dǎo)和對(duì) 流，以顯示優(yōu)于普通熱釋放片的熱釋放效果。通過(guò)根據(jù)實(shí)施例的熱釋放半導(dǎo)體封裝及其制造方法、以及包括該半導(dǎo)體封裝的顯 示裝置，由于甚至能將熱釋放手段應(yīng)用到普通熱釋放片或卷帶不能附著的地方，因此能增 強(qiáng)熱釋放效果。而且，由于簡(jiǎn)化了制造工藝，能降低制造成本。因?yàn)槟苷{(diào)整噴射量、噴射時(shí) 間等，所以可以任意調(diào)整熱釋放層的厚度，從而除去了不必要的材料浪費(fèi)。因?yàn)閲娮靽娚溲b 置能被包含在一般封裝設(shè)備中以構(gòu)建整體設(shè)施，因此由于增加噴射裝置導(dǎo)致的成本增加并 不是很大。實(shí)例圖3A示出根據(jù)實(shí)施例的熱釋放半導(dǎo)體封裝300的橫截面圖。實(shí)例圖3A所示 的實(shí)施例可利用那些前面描述和示出的技術(shù)特征。然而，可在膜10下方形成第二熱釋放層 92?？赏ㄟ^(guò)類似形成第一熱釋放層90的工藝的涂覆工藝形成第二熱釋放層92。為了增強(qiáng) 粘合功能，可在形成第二粘合劑層32之后形成第二熱釋放層92。實(shí)例圖3B示出根據(jù)實(shí)施例的熱釋放半導(dǎo)體封裝400的橫截面圖。實(shí)例圖3B示出 的實(shí)施例可利用前面描述和示出的實(shí)施例的技術(shù)特征?？赏ㄟ^(guò)在膜10上和/或上方形成 第一熱釋放層90來(lái)最大化熱釋放功能。可選擇性地形成第一粘合劑層30。為了增強(qiáng)絕緣 功能，可在第二熱釋放層92上和/或上方額外涂覆絕緣涂料來(lái)形成第二絕緣層72。絕緣涂 料可以是具有良好輻射和放射性能的產(chǎn)品。為了增強(qiáng)絕緣功能，可在第一熱釋放層90上和 /或上方形成第一絕緣層71。實(shí)例圖5示出根據(jù)實(shí)施例的熱釋放半導(dǎo)體封裝的平面照片。如實(shí)例圖5所示，可以看到在膜10上和/或上方安裝半導(dǎo)體器件50，并在半導(dǎo)體 器件50上和/或上方形成第一熱釋放層90。實(shí)例圖6示出根據(jù)實(shí)施例的熱釋放半導(dǎo)體封裝的底部照片。如實(shí)例圖6所示，可以看到在膜10下方形成第二熱釋放層92。圖7是根據(jù)實(shí)施例的熱釋放半導(dǎo)體封裝的橫截面照片。
如實(shí)例圖7所示，第一熱釋放層90的截面照片可等同于或類似于第二熱釋放層92 的截面圖?？梢钥吹皆谀?0下方形成第二熱釋放層92，并且在包括膜10的電極圖案20上 和/或上方形成半導(dǎo)體器件50。特別地，可以看到粘合劑和熱釋放涂料被混合和涂覆之后 固化的熱釋放層的截面。表 1參考11號(hào)2號(hào)3號(hào)4號(hào)
RMVDRMVDRMVDRMVDRMVD
%%%%%
白69. 110064. 292.963. 792.263. 992.563.591. 9
里60. 710056. 693.255. 290.955. 290.954.890. 3
白76. 510070. 892.570. 191.669. 891.269.691. 0
1小時(shí)
老化
平均10092.991.691.691. 1(D% )*RMV 真實(shí)測(cè)量值，D 降低率表1顯示測(cè)量根據(jù)對(duì)比實(shí)例(參考1)和實(shí)施例的熱釋放半導(dǎo)體封裝的溫度降低 效果的數(shù)據(jù)(1號(hào)、2號(hào)、3號(hào)、4號(hào))。表1的數(shù)據(jù)是通過(guò)將根據(jù)實(shí)施例的包含印膏型熱釋放 層的熱釋放半導(dǎo)體封裝附著到32英寸LCD TV的面板PCB上和/或上方并進(jìn)行試驗(yàn)而得到 的。作為溫度降低測(cè)量裝置，使用了非接觸型溫度計(jì)，環(huán)境溫度是24士 1°C，老化時(shí)間大約 是1小時(shí)。半導(dǎo)體IC與溫度降低測(cè)量裝置相距大約10cm，并且保持每圖案約5分鐘的時(shí)間 期。在表1中，“白”表示不包括著色的實(shí)例，“黑”表示包括著色的實(shí)例。測(cè)試結(jié)果顯示，當(dāng)確定具有正常標(biāo)準(zhǔn)COF真實(shí)測(cè)量數(shù)據(jù)的對(duì)比實(shí)例(參考1)中的 溫度降低效果是100%時(shí)，根據(jù)實(shí)施例的熱釋放半導(dǎo)體封裝具有接近約20%的溫度降低效 果。在表1中，得到了約8. 2%的溫度降低效果，但實(shí)施例并不限于此。表2 表2顯示測(cè)量根據(jù)對(duì)比實(shí)例(參考2)和實(shí)施例的熱釋放半導(dǎo)體封裝的溫度降低效果的另一數(shù)據(jù)(5號(hào)、6號(hào)、7號(hào))。根據(jù)實(shí)施例，5號(hào)、6號(hào)和7號(hào)分別具有稍有不同組分比例的釋放涂料。實(shí)施例的 釋放涂料具有1. Off/mk-3. Off/mk的導(dǎo)熱率，并且釋放涂料具有約0. Imm-約0. 2mm的涂覆尺 寸，但實(shí)施例并不限于此。當(dāng)發(fā)熱元件的溫度約為147°C時(shí)，在實(shí)施例中，溫度能有效降到約 87 "C。通過(guò)根據(jù)實(shí)施例的熱釋放半導(dǎo)體封裝及其制造方法，以及包括該熱釋放半導(dǎo)體封 裝的顯示裝置，因?yàn)樯踔聊軐後尫攀侄螒?yīng)用到現(xiàn)有技術(shù)中的熱釋放片或卷帶不能附著的 地方，因此能增強(qiáng)熱釋放效果。而且，由于簡(jiǎn)化了制造工藝，因而能節(jié)省制造成本。因?yàn)槟?調(diào)整噴射量、噴射時(shí)間等，所以可以任意調(diào)整熱釋放層的厚度，從而除去了不必要的材料浪 費(fèi)。此外，因?yàn)閲娮靽娚溲b置能被包含在一般封裝設(shè)備中以構(gòu)建整體設(shè)施，因此由于增加噴 射裝置導(dǎo)致的成本增加并不是很大。而且，由于有效增加了熱釋放手段，因而能增強(qiáng)熱釋放 效果。本說(shuō)明書中引用的任何“ 一個(gè)實(shí)施例”、“實(shí)施例”、“實(shí)例實(shí)施例，，等指的是結(jié)合實(shí) 施例描述的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性被包含在本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例中。在說(shuō)明書中不同 位置出現(xiàn)的這些詞語(yǔ)并不必然都涉及相同的實(shí)施例。進(jìn)而，當(dāng)結(jié)合任意實(shí)施例描述特定特 征、結(jié)構(gòu)或特性時(shí)，認(rèn)為其處于本領(lǐng)域技術(shù)人員結(jié)合其它實(shí)施例能實(shí)現(xiàn)這些特征、結(jié)構(gòu)或特 性的范圍內(nèi)。盡管參照多個(gè)示意性實(shí)施例描述了實(shí)施例，應(yīng)該理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠設(shè)計(jì) 許多其它修改和實(shí)施例，這都落在實(shí)施例的原理的精神和范圍內(nèi)。更具體地，在本公開(kāi)、附 圖及隨附的權(quán)利要求的范圍內(nèi)，對(duì)主體組合排列的組件部分和/或排列作出各種變動(dòng)和修 改是可能的。除了組件部分和/或排列的變動(dòng)和修改外，可選的使用對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái) 說(shuō)也將是很明顯的。
權(quán)利要求
一種熱釋放半導(dǎo)體封裝，包括膜；電極圖案，形成在所述膜上方；半導(dǎo)體器件，安裝在所述電極圖案上方；以及第一熱釋放層，形成在包括所述電極圖案的所述半導(dǎo)體器件上方；其中所述第一熱釋放層包括粘合劑和熱釋放材料。
2.如權(quán)利要求1所述的熱釋放半導(dǎo)體封裝，其中所述第一熱釋放層包括不導(dǎo)電熱釋放層。
3.如權(quán)利要求1所述的熱釋放半導(dǎo)體封裝，包括第一粘合劑層，插入形成在所述半導(dǎo)體器件和所述第一熱釋放層之間。
4.如權(quán)利要求1所述的熱釋放半導(dǎo)體封裝，其中所述熱釋放材料包括不導(dǎo)電材料、導(dǎo) 電材料、以及所述不導(dǎo)電材料和所述導(dǎo)電材料的混合物中的至少一種。
5.如權(quán)利要求4所述的熱釋放半導(dǎo)體封裝，其中在所述熱釋放材料是所述不導(dǎo)電材料 的情況下，所述熱釋放材料是有機(jī)涂層試劑、無(wú)機(jī)涂層試劑以及復(fù)合涂層材料中的至少一 種。
6.如權(quán)利要求4所述的熱釋放半導(dǎo)體封裝，其中在所述熱釋放材料是所述導(dǎo)電材料的 情況下，所述熱釋放材料是金屬印膏、碳納米管即CNT以及石墨中的至少一種。
7.如權(quán)利要求1所述的熱釋放半導(dǎo)體封裝，其中所述第一熱釋放層包括約5wt%至約 15襯％的所述粘合劑，以及約80wt%至約95wt%的所述熱釋放材料。
8.如權(quán)利要求1所述的熱釋放半導(dǎo)體封裝，其中所述第一熱釋放層包括添加劑。
9.如權(quán)利要求8所述的熱釋放半導(dǎo)體封裝，其中所述第一熱釋放層包括約5wt%至約 15wt%的所述粘合劑，約80wt%至約90wt%的所述熱釋放材料，以及約5wt%至約15wt% 的所述添加劑。
10.一種熱釋放半導(dǎo)體封裝，包括 膜；電極圖案，形成在所述膜上方； 半導(dǎo)體器件，安裝在所述電極圖案上方；第一熱釋放層，形成在包括所述電極圖案的所述半導(dǎo)體器件上方；以及 第二熱釋放層，形成在所述膜下； 其中所述第二熱釋放層包括粘合劑和熱釋放材料。
11.如權(quán)利要求10所述的熱釋放半導(dǎo)體封裝，其中所述第一熱釋放層包括粘合劑和熱 釋放材料。
12.如權(quán)利要求11所述的熱釋放半導(dǎo)體封裝，其中所述熱釋放材料包括不導(dǎo)電材料或 導(dǎo)電材料。
13.如權(quán)利要求10所述的熱釋放半導(dǎo)體封裝，其中所述第一熱釋放層包括約5襯％至 約20襯％的所述粘合劑，以及約80wt%至約95wt%的所述熱釋放材料。
14.如權(quán)利要求10所述的熱釋放半導(dǎo)體封裝，其中所述第一熱釋放層包括添加劑。
15.如權(quán)利要求14所述的熱釋放半導(dǎo)體封裝，其中所述第一熱釋放層包括約5wt% 至約15wt%的所述粘合劑，約80wt%至約90wt%的所述熱釋放材料，以及約5wt%至約15襯％的所述添加劑。
全文摘要
一種熱釋放半導(dǎo)體封裝及其制造方法，以及包括該熱釋放半導(dǎo)體封裝的顯示裝置。該熱釋放半導(dǎo)體封裝包括膜、形成在膜上方的電極圖案、安裝在電極圖案上方的半導(dǎo)體器件、以及形成在包括電極圖案的半導(dǎo)體器件上方的第一熱釋放層，第一熱釋放層包括第一粘合劑和第一熱釋放材料。
文檔編號(hào)H01L23/36GK101924082SQ20101020744
公開(kāi)日2010年12月22日 申請(qǐng)日期2010年6月17日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月16日
發(fā)明者金俊一, 金成振 申請(qǐng)人:東部高科股份有限公司;金成振