專利名稱：半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有能夠兼而實(shí)現(xiàn)高耐壓化和電流大容量化的超接合(SJ =Super Junction)構(gòu)造的MOSFET(絕緣柵型場效應(yīng)晶體管)等半導(dǎo)體裝置。
背景技術(shù)：
通常，半導(dǎo)體元件被分類為電極形成于半導(dǎo)體基板的一面的橫型元件和在半導(dǎo)體 基板的兩面具有電極的縱型元件。就縱型半導(dǎo)體元件而言，導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)漂移電流流動(dòng)的方 向與截止?fàn)顟B(tài)時(shí)由反向偏置電壓引起的耗盡層伸展的方向相同。在通常的平面型η溝道 縱型M0SFET，高電阻的漂移層在導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)作為使漂移電流在縱方向上流動(dòng)的區(qū)域發(fā)揮作 用。從而，如果將漂移層的電流路徑縮短，則漂移電阻變低，因此能夠獲得MOSFET的實(shí)質(zhì)的 導(dǎo)通電阻降低的效果。另一方面，在截止?fàn)顟B(tài)時(shí)使漂移層耗盡來提高耐壓。從而，當(dāng)漂移層變薄時(shí)，從P 型基極區(qū)域與η型漂移層之間的ρη結(jié)起進(jìn)行的漏極_基極間耗盡層擴(kuò)展的寬度變窄，較快 地達(dá)到硅的臨界電場強(qiáng)度，因此耐壓下降。相反地，在耐壓高的半導(dǎo)體元件中，漂移層較厚， 因此導(dǎo)通電阻變大，導(dǎo)致?lián)p耗增加。像這樣，在導(dǎo)通電阻與耐壓之間存在權(quán)衡(trade-off) 關(guān)系。已知該權(quán)衡關(guān)系在IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極晶體 管)、雙極晶體管、二極管等半導(dǎo)體元件中也同樣成立。此外，該權(quán)衡關(guān)系也同樣存在于導(dǎo)通 狀態(tài)時(shí)漂移電流流動(dòng)的方向與截止?fàn)顟B(tài)時(shí)耗盡層伸展的方向不同的橫型半導(dǎo)體元件中。作為上述由權(quán)衡關(guān)系引起的問題的解決方法，公知一種超接合半導(dǎo)體裝置，其使 漂移部為將提高了雜質(zhì)濃度的η型漂移區(qū)域和ρ型隔離區(qū)域交替反復(fù)地接合而構(gòu)成的并列 ρη層。在這種構(gòu)造的半導(dǎo)體裝置中，即使并列ρη層的雜質(zhì)濃度變高，在截止?fàn)顟B(tài)時(shí)耗盡層 從在并列ρη層的縱方向上伸展的各ρη結(jié)起向橫方向擴(kuò)展，使漂移部整體耗盡，因此也能夠 實(shí)現(xiàn)高耐壓化。利用該超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)開發(fā)出突破現(xiàn)有MOSFET的特性界限的超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)的 MOSFET(SJ M0SFET)。為了突破特性界限，需要將終端區(qū)的耐壓設(shè)定在活性區(qū)的耐壓以上， 其方案例如由專利文獻(xiàn)1和專利文獻(xiàn)2公開。根據(jù)上述的專利文獻(xiàn)，公開有以下方案就構(gòu) 成超接合的并列ρη層的反復(fù)最小單位即單位單元的間距(pitch)而言，作為耐壓構(gòu)造部的 終端區(qū)比活性區(qū)窄。此外，在專利文獻(xiàn)3中，公開了以下方案在ρ隔離區(qū)域和η漂移區(qū)域?yàn)闂l狀的情 況下，通過使終端區(qū)的P隔離區(qū)域的寬度和深度比活性區(qū)的大，防止在終端區(qū)的耐壓降低。專利文獻(xiàn)1 美國專利申請(qǐng)公開第2007/0222025號(hào)說明書專利文獻(xiàn)2 日本特開2007-27313號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3 日本特開2006-186108號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
但是，在記載于專利文獻(xiàn)1 專利文獻(xiàn)3的構(gòu)造中，在活性區(qū)和終端區(qū)改變并列pn 層的間距的情況下，在其過渡區(qū)并列Pn層的電荷平衡受到破壞，產(chǎn)生耐壓降低等問題。本發(fā)明的目的在于提供一種半導(dǎo)體裝置，其是為了解決上述的問題而完成的，在 活性區(qū)和終端區(qū)改變并列pn層的間距的情況下，通過在其過渡區(qū)的并列pn層取得電荷平 衡，能夠防止耐壓降低。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的第一方面的超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置，其在第 一導(dǎo)電型的第一半導(dǎo)體層上具備多個(gè)與該第一半導(dǎo)體層垂直配置的第一導(dǎo)電型的漂移區(qū) 域和第二導(dǎo)電型的隔離區(qū)域，該超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置的特征在于在作為耐壓構(gòu)造部的終端區(qū)、流通主電流且被上述終端區(qū)包圍的活性區(qū)和位于從 該活性區(qū)向上述終端區(qū)轉(zhuǎn)變的部位的過渡區(qū)，上述隔離區(qū)域的形狀彼此不同。此外，根據(jù)本發(fā)明的第二方面的半導(dǎo)體裝置，在第一方面的發(fā)明中，上述隔離區(qū)域 的平面形狀，在上述終端區(qū)和上述活性區(qū)為圓形，在上述過渡區(qū)為由圓形的一部分和橢圓 形的一部分構(gòu)成的變形形狀。此外，根據(jù)本發(fā)明的第三方面的發(fā)明，在第一方面的發(fā)明中，上述隔離區(qū)域的平面 形狀，在上述終端區(qū)為圓形，在上述活性區(qū)為條狀，在上述過渡區(qū)為多個(gè)橢圓的一部分與條 狀隔離區(qū)域組合而成的變形形狀。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，通過在過渡區(qū)的并列pn層取得電荷平衡，能夠?qū)崿F(xiàn)防止耐壓降低。


圖1為本發(fā)明的第一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)圖，(a)為一側(cè)的主要部分的平 面圖，(b)為(a)的沿著Y-Y線截?cái)喽傻闹饕糠值慕孛鎴D。圖2為圖1的半導(dǎo)體裝置的角部的主要部分的平面圖。圖3為將ρ隔離區(qū)域放大而得到的主要部分的平面圖，(a)為終端區(qū)的圖，(b)為 半導(dǎo)體裝置的一側(cè)的過渡區(qū)的圖，(c)為(b)的分解圖，(d)為半導(dǎo)體裝置的角部的過渡區(qū) 的圖，(e)為(d)的分解圖，(f)為活性區(qū)的圖。圖4為本發(fā)明的第二實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的主要部分的平面圖。符號(hào)說明1 η半導(dǎo)體基板2 η半導(dǎo)體層3，3a η漂移區(qū)域4 ρ隔離區(qū)域(總稱)4a，4b，4c，4d，4e，4f，4g P 隔離區(qū)域5 ρ基極層6 ρ 層7 η源極層8 柵極絕緣膜9 柵極電極
10層間絕緣.
11源極電極
21活性區(qū)
22過渡區(qū)
23終端區(qū)
具體實(shí)施例方式通過以下實(shí)施例對(duì)實(shí)施方式進(jìn)行說明。這里，令第一導(dǎo)電型為η型，第二導(dǎo)電型為 P型，但是也可以使其為相反的結(jié)構(gòu)。圖1 圖3是本發(fā)明的第一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)圖，圖1 (a)為半導(dǎo)體裝置 的一側(cè)的主要部分的平面圖，圖1(b)為圖1(a)的沿著Y-Y線截?cái)喽傻闹饕糠值慕孛?圖，圖2為半導(dǎo)體裝置的角部的主要部分的平面圖，圖3為將ρ隔離區(qū)域放大而得到的主要 部分的平面圖，(a)為終端區(qū)的圖，(b)為半導(dǎo)體裝置的一側(cè)的過渡區(qū)的圖，(c)為(b)的分 解平面圖，(d)為半導(dǎo)體裝置的角部的過渡區(qū)的圖，(e)為(d)的分解平面圖，(f)為活性區(qū) 的圖。圖1 (a)和圖2為在形成從SJ MOSFET的活性區(qū)21起到終端區(qū)23為止的ρ隔離 區(qū)域4(4為以總稱所賦予的符號(hào))的階段中的主要部分的平面圖。在圖1(a)和圖2中，示出了 ρ隔離區(qū)域4和η漂移區(qū)域3的形狀和配置關(guān)系，圖 1 (b)所示為形成MOSFET整體構(gòu)造之后的截面圖，該MOSFET包括在形成該η漂移區(qū)域3和 P隔離區(qū)域4之后的工序中形成的P基極層5、η源極層7、柵極絕緣膜8、柵極電極9、層間 絕緣膜10、和源極電極11等。另外，圖中的6為形成于過渡區(qū)22的ρ層。該ρ層6用于 當(dāng)MOSFET截止時(shí)在過渡區(qū)22的載流子的抽取。即，對(duì)雪崩時(shí)在終端區(qū)23產(chǎn)生的空穴的抽 取、二極管模式工作時(shí)的反向恢復(fù)時(shí)的空穴抽取而言需要P層6，通過該ρ層6，能夠?qū)崿F(xiàn)雪 崩耐量和反向恢復(fù)耐量的提高。此外，省略了關(guān)于形成于半導(dǎo)體裝置的終端區(qū)的外周表面 的η+溝道阻止層(channel stopper)區(qū)域及其表面上形成的溝道阻止層電極的記載。該SJ MOSFET包括配置在η半導(dǎo)體基板1上的η半導(dǎo)體層2 ；貫通該η半導(dǎo)體 層2地配置有多個(gè)ρ隔離區(qū)域4 ；該ρ隔離區(qū)域4之間的η漂移區(qū)域3 ；配置在ρ隔離區(qū)域 4上的ρ基極層5 ；和配置在ρ基極層5的表面層的η源極層7。作為η漂移區(qū)域3和ρ隔 離區(qū)域4的形成方法，可以為以下的任意方法將η半導(dǎo)體層2的形成分割成多次的外延生 長，在該外延生長的每次均注入P型雜質(zhì)和η型雜質(zhì)，并進(jìn)行退火使各個(gè)雜質(zhì)區(qū)域連結(jié)而形 成的方法；或者在η半導(dǎo)體層2形成溝槽(trench)，并使ρ型外延層生長于該溝槽來形成η 漂移區(qū)域3和ρ隔離區(qū)域4的方法。此外，包括在由η源極層7與η漂移區(qū)域3夾持的ρ基極層5上隔著柵極絕緣膜 8配置的柵極電極9 ；與η源極層7和ρ基極層5連接、在柵極電極9上隔著層間絕緣膜10 配置的源極電極11 ；和在η半導(dǎo)體基板1的背面配置的未圖示的漏極電極。另外，圖中的6 為形成于過渡區(qū)22的ρ層。如圖1 (a)、圖2和圖3所示，上述的ρ隔離區(qū)域4在活性區(qū)21和終端區(qū)23配置為 圓形的P隔離區(qū)域4a和P隔離區(qū)域4c，就其直徑而言，終端區(qū)23的ρ隔離區(qū)域4c的直徑 更小。通過使終端區(qū)23的ρ隔離區(qū)域4c變小，C部的并列pn層的間距變窄，容易地確保
5在終端區(qū)23的耐壓。此外，在過渡區(qū)22附近，配置有由圓形的一部分和橢圓形的一部分構(gòu)成的ρ隔離 區(qū)域4b和圓形的ρ隔離區(qū)域4c。如圖1 (a)和圖2所示，并列pn層的反復(fù)在活性區(qū)21的A部和終端區(qū)23的C部， 相鄰的縱橫的P隔離區(qū)域間構(gòu)成正方形。此外，終端區(qū)23的C部比活性區(qū)21的A部小，在 各個(gè)正方形的A部、C部的四角，配置有圓形的ρ隔離區(qū)域4a、4c的1/4。在將ρ隔離區(qū)域 4a、4b的雜質(zhì)劑量設(shè)定為η漂移區(qū)域3的雜質(zhì)劑量的4倍的情況下，正方形的A部、C部內(nèi) 的P隔離區(qū)域4a、4c的雜質(zhì)總量和η漂移區(qū)域3的雜質(zhì)總量大致相等。如圖1(a)、圖2、圖3(b)和圖3(c)所示，在上述的過渡區(qū)22，B部的相鄰的縱橫的 P隔離區(qū)域之間構(gòu)成長方形。在該B部的活性區(qū)21側(cè)的角部配置有構(gòu)成P隔離區(qū)域4b的 橢圓形的1/4。此外，在終端區(qū)23側(cè)的角部配置有與終端區(qū)23相同的圓形的ρ隔離區(qū)域 4c的1/4。進(jìn)一步，在長方形的長邊的中央部配置有與終端區(qū)23相同的圓形的ρ隔離區(qū)域 4c的1/2。在將ρ隔離區(qū)域4b的雜質(zhì)劑量設(shè)定為η漂移區(qū)域3的雜質(zhì)劑量的4倍的情況 下，長方形的B部內(nèi)的ρ隔離區(qū)域4b的雜質(zhì)總量與η漂移區(qū)域3的雜質(zhì)總量大致相等。此外，如圖2和圖3(d)、(e)所示，在半導(dǎo)體裝置的角部F的過渡區(qū)22和終端區(qū) 23的各自的并列pn層由B部和C部構(gòu)成。在該角部F的ρ隔離區(qū)域4d在活性區(qū)21和過 渡區(qū)22的邊界線上的過渡區(qū)22側(cè)，配置有圓形的ρ隔離區(qū)域4c的1/4和2個(gè)部位的ρ隔 離區(qū)域4b的橢圓形的1/4。此外，在終端區(qū)23與過渡區(qū)22的邊界線上的過渡區(qū)22側(cè)，在 3個(gè)部位配置有圓形的ρ隔離區(qū)域4c的1/4。在將ρ隔離區(qū)域4c、4d的雜質(zhì)劑量設(shè)定為η 漂移區(qū)域3的雜質(zhì)劑量的4倍的情況下，C部內(nèi)的ρ隔離區(qū)域4d和ρ隔離區(qū)域4c與η漂 移區(qū)域3的雜質(zhì)總量大致相等。此外，如圖1(a)、圖2所示，過渡區(qū)22是指形成于活性區(qū)21的A部的端部與形成 于終端區(qū)23的C部的區(qū)間。工作中的過渡區(qū)，如圖1(b)所示，為包含該過渡區(qū)22的ρ層 6的部位，但是這里以并列pn層的間隔為基準(zhǔn)如上述那樣來決定過渡區(qū)22。接著，對(duì)圖1和圖2的半導(dǎo)體裝置的制造方法進(jìn)行說明。在將磷以例如lX1013/Cm2的劑量對(duì)晶片(n半導(dǎo)體基板1)的整個(gè)面進(jìn)行離子注 入來形成η半導(dǎo)體層2之后，利用圖1所示的ρ隔離區(qū)域4的形狀和配置間隔的掩模形成 圖案，有選擇地將硼以例如4Χ 1013/Cm2進(jìn)行離子注入來形成ρ隔離區(qū)域4(4a、4b、4c、4d)。 即，使P隔離區(qū)域4的雜質(zhì)劑量為η漂移區(qū)域3的雜質(zhì)劑量的4倍。此時(shí)，ρ隔離區(qū)域4的掩模，使ρ隔離區(qū)域4a、4b、4c、4d所占有的面積相對(duì)于A部、 B部、C部的面積為1/4的面積。由此，在A部、B部、C部內(nèi)，能夠使ρ隔離區(qū)域4a、4b、4c、4d的雜質(zhì)總量與η漂移 區(qū)域3的雜質(zhì)總量大致相等。即，有效受主濃度和有效施主濃度大致相等，能夠取得電荷平 衡，防止耐壓降低。在圖1和圖2中，對(duì)令活性區(qū)21的A部的間距為8 μ m、形成耐壓構(gòu)造的終端區(qū)23 的C部的間距為4 μ m的情況進(jìn)行說明。首先，對(duì)活性區(qū)進(jìn)行說明。這里，令活性區(qū)21的A部是一側(cè)為8 μ m的正方形，ρ隔 離區(qū)域4a是半徑為2. 25 μ m的圓形。A 部的面積8 X 8 = 64 μ m2
ρ隔離區(qū)域4a的每一個(gè)圓的面積Π X2. 25X2. 25 = 15. 9ym2這里，令Π為圓周率即3. 14。ρ隔離區(qū)域4a的面積占A部的面積的比例15. 9/64 = 24. 8%，像這樣，在活性區(qū) 21p隔離區(qū)域4a的面積占A部的面積的大致1/4。接著，對(duì)終端區(qū)進(jìn)行說明。這里，令終端區(qū)23的C部是一邊為4μ m的正方形，ρ隔 離區(qū)域4c是半徑為1. 15 μ m的圓。C 部的面積4X4 = 16 μ m2ρ隔離區(qū)域4c的每一個(gè)圓的面積Π XI. 15X1. 15 = 4. 15 μ m2ρ隔離區(qū)域4c的面積占C部的比例4. 15/16 = 25.9%如上所述，在活性區(qū)21的A部和終端區(qū)23的C部中，ρ隔離區(qū)域的面積占A部和 C部總共大致1/4的面積。接著，對(duì)過渡區(qū)22進(jìn)行說明。該過渡區(qū)22的ρ隔離區(qū)域4b、4d為圓和橢圓組合 而成的形狀。另外，就橢圓而言，可以取比圓的半徑大的半徑，將半徑不同的圓的一部分彼 此組合而成，但是，在連結(jié)半徑不同的圓的一部分時(shí)，如果構(gòu)成銳角部，則存在電場集中于 該部分的可能性，因而較佳的是使連結(jié)部為圓的形狀。這里，圖1所示的ρ隔離區(qū)域4b構(gòu)成為將半徑為2. 25 μ m的半圓(活性區(qū)的ρ隔 離區(qū)域的圓的半圓)和長徑為4. 5 μ m(p隔離區(qū)域的圓的直徑)、短徑為0. 6 μ m的半橢圓以 徑向相對(duì)的方式連結(jié)而成的形狀。B 部的面積8 X 4 = 32 μ m2ρ 隔離區(qū)域 4b 和 ρ 隔離區(qū)域 4c 的面積:(Π Χ4. 5X0. 6)/2+(Π XL 15X1. 15) =8. 4 μ m2ρ隔離區(qū)域4b,4c的面積占B部的比例8. 4/32 = 26. 2%如上所述，在過渡區(qū)22的ρ隔離區(qū)域4b、4c占B部的面積的大致1/4。如上所述，在活性區(qū)21、過渡區(qū)22和終端區(qū)23的A部、B部、C部內(nèi)的ρ隔離區(qū)域 4的面積為A部、B部、C部的面積的大致1/4，ρ隔離區(qū)域4的雜質(zhì)總量與η漂移區(qū)域3的 雜質(zhì)總量大致相等，因此能夠取得電荷平衡。接著，對(duì)角部進(jìn)行說明。如圖2所示，過渡區(qū)22的角部F由兩個(gè)B部和一個(gè)C部 構(gòu)成，能夠取得電荷平衡。另外，P隔離區(qū)域4d由圓形的P隔離區(qū)域4a的1/4、兩個(gè)P隔離 區(qū)域4b的橢圓形的1/4、和圓形的ρ隔離區(qū)域4c的1/4構(gòu)成。如上所述，在A部、B部、C部能夠確保電荷平衡，因此能夠防止耐壓降低。實(shí)施例2圖4是與圖1(a)對(duì)應(yīng)的本發(fā)明第二實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的主要部分的平面圖。 與實(shí)施例1的區(qū)別在于，活性區(qū)21的ρ隔離區(qū)域4e和η漂移區(qū)域3a的平面形狀為條狀 (stripe)。與實(shí)施例1同樣地，在令ρ隔離區(qū)域4e的雜質(zhì)劑量為η漂移區(qū)域3a的雜質(zhì)劑 量的4倍的情況下，使活性區(qū)21的D部內(nèi)的ρ隔離區(qū)域4e的面積為D部的面積的1/4，由 此，能夠取得電荷平衡，能夠防止耐壓降低。終端區(qū)23的ρ隔離區(qū)域的形狀和大小與實(shí)施例1的ρ隔離區(qū)域的形狀和大小相同。另外，圖4的活性區(qū)21側(cè)的過渡區(qū)22的ρ隔離區(qū)域4f、4g與作為圖3 (b)、圖3 (d)的P隔離區(qū)域4b、4d的一部分的4f、4g相同。如上所述，在實(shí)施例1和實(shí)施例2中，使ρ隔離區(qū)域4的雜質(zhì)劑量為η漂移區(qū)域3 的雜質(zhì)劑量的4倍，但是并不限定于此。在令該倍數(shù)為K的情況下，通過使ρ隔離區(qū)域4的 面積為單位面積的1/Κ，能夠使單位面積內(nèi)的ρ隔離區(qū)域4的雜質(zhì)總量與η漂移區(qū)域3的雜 質(zhì)總量相等，能夠取得電荷平衡。另外，在上述的實(shí)施例中，令ρ隔離區(qū)域的形狀為圓形、條狀，但是并不限定于此， 也可以為六角形等。此外，就雜質(zhì)總量而言，在存在向外擴(kuò)散的情況下，可以將雜質(zhì)總量設(shè) 定為殘存的雜質(zhì)的總量。上面參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行了說明，但本發(fā)明并不局限于上述的實(shí)施 例。在本發(fā)明的技術(shù)思想范圍內(nèi)可以進(jìn)行種種變更，它們都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
一種半導(dǎo)體裝置，其為超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置，在第一導(dǎo)電型的第一半導(dǎo)體層上具備多個(gè)與該第一半導(dǎo)體層垂直地配置的第一導(dǎo)電型的漂移區(qū)域和第二導(dǎo)電型的隔離區(qū)域，所述半導(dǎo)體裝置的特征在于在作為耐壓構(gòu)造部的終端區(qū)、流通主電流且被所述終端區(qū)包圍的活性區(qū)和位于從該活性區(qū)向所述終端區(qū)轉(zhuǎn)變的部位的過渡區(qū)，所述隔離區(qū)域的形狀彼此不同。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于所述隔離區(qū)域的平面形狀，在所述終端區(qū)和所述活性區(qū)為圓形，在所述過渡區(qū)為由圓 形的一部分和橢圓形的一部分構(gòu)成的變形形狀。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于所述隔離區(qū)域的平面形狀，在所述終端區(qū)為圓形，在所述活性區(qū)為條狀，在所述過渡區(qū) 為多個(gè)橢圓的一部分與條狀隔離區(qū)域組合而成的變形形狀。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置，其能夠在活性區(qū)和終端區(qū)改變單位單元的間距的情況下在其過渡區(qū)的單位單元內(nèi)實(shí)現(xiàn)電荷平衡，從而能夠防止耐壓降低。將過渡區(qū)(22)的p隔離區(qū)域的形狀相對(duì)于活性區(qū)(21)和終端區(qū)(23)改變，在活性區(qū)(21)、過渡區(qū)(22)和終端區(qū)(23)的各p隔離區(qū)域(4a)、(4b)、(4c)和n漂移區(qū)域(3)取得電荷平衡，由此實(shí)現(xiàn)防止耐壓降低。
文檔編號(hào)H01L29/06GK101931007SQ201010207349
公開日2010年12月29日 申請(qǐng)日期2010年6月18日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月18日
發(fā)明者北村睦美, 武井學(xué) 申請(qǐng)人:富士電機(jī)系統(tǒng)株式會(huì)社