專(zhuān)利名稱(chēng)：陣列基板的結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示器的制造工藝，尤其是一種TFT-IXDCThin FilmTransistor-Liquid Crystal Display，薄膜晶體管液晶顯示器)陣列基板的制造方法，以及該種TFT-IXD陣列基板的結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
由于液晶顯示器具有重量輕、厚度薄、無(wú)輻射的優(yōu)點(diǎn)，近年來(lái)液晶顯示技術(shù)得到了迅速的發(fā)展。一個(gè)液晶顯示器件一般有TFT-IXD陣列基板、彩色濾光片、液晶和背光源組成。其中，TFT-IXD陣列基板制作最為復(fù)雜。一般來(lái)說(shuō)，TFT-IXD陣列基板的結(jié)構(gòu)主要可分為基板，柵電極，柵電極絕緣層，半導(dǎo)體層，半導(dǎo)體保護(hù)層以及像素電極等。TFT-LCD陣列基板的制作通常是通過(guò)一組薄膜沉積和光刻工藝形成的每層圖案來(lái)完成，一次光刻形成一層結(jié)構(gòu)圖案。近年來(lái)由于液晶顯示技術(shù)得到了迅速的發(fā)展，現(xiàn)在已經(jīng)由原來(lái)的七次光刻發(fā)展到現(xiàn)在普遍采用的四次光刻技術(shù)。在TFT-LCD陣列基板的制作過(guò)程中，通常采用的光刻次數(shù)越少，生產(chǎn)效率就會(huì)越高，制作成本就會(huì)越低，如何將需要四次光刻才能完成的制作過(guò)程進(jìn)一步的改善，是現(xiàn)有技術(shù)中有待解決的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例提供一種陣列基板的結(jié)構(gòu)及其制作方法，可通過(guò)三次光刻完成 TFT-IXD陣列基板的制作過(guò)程，以便提高生產(chǎn)效率。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案一種陣列基板的制作方法，包括1)在基板上依次沉積透明導(dǎo)電金屬層和柵金屬層；2)利用第一雙調(diào)掩模板進(jìn)行構(gòu)圖形成像素電極圖案和柵圖案；3)在形成有所述像素電極圖案和柵圖案的基板上依次沉積柵極絕緣層和有源層；4)利用第二雙調(diào)掩模板進(jìn)行構(gòu)圖形成露出所述像素電極的柵絕緣層過(guò)孔，以及與所述柵極對(duì)應(yīng)的有源層圖案、并保留所述有源層圖案上的光刻膠；5)在形成有所述有源層圖案和過(guò)孔的基板上沉積源/漏金屬層，所述源/漏金屬層通過(guò)所述過(guò)孔與像素電極接觸；6)剝離所述有源層圖案上的光刻膠，并通過(guò)剝離所述有源層圖案上的光刻膠使所述光刻膠以及與所述光刻膠對(duì)應(yīng)部分的源/漏金屬層脫落；7)利用第三掩模板通過(guò)構(gòu)圖工藝形成源/漏圖案，所述源/漏圖案包括與柵極掃描線(xiàn)交叉的數(shù)據(jù)掃描線(xiàn)、源極和漏極，所述源/漏金屬層中的漏極通過(guò)所述過(guò)孔與所述像素電極接觸。一種陣列基板的結(jié)構(gòu)，形成于基板上，并且包括像素電極圖案和柵圖案，所述柵圖案包括柵極掃描線(xiàn)和薄膜晶體管的柵極，所述柵極掃描線(xiàn)和柵極均包括依次沉積在基板上的透明導(dǎo)電金屬層和柵金屬層，所述像素電極圖案中的每個(gè)像素電極包括透明導(dǎo)電金屬層；所述像素電極圖案和柵圖案上沉積有柵極絕緣層，所述柵極絕緣層上形成有與所述柵極對(duì)應(yīng)的有源層圖案、以及露出所述像素電極的柵絕緣層過(guò)孔；所述柵極絕緣層上還形成有源/漏圖案，所述源/漏圖案包括與柵極掃描線(xiàn)交叉的數(shù)據(jù)掃描線(xiàn)、薄膜晶體管的源極和漏極，并且所述漏極通過(guò)所述過(guò)孔與所述像素電極接觸。本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案具有如下有益效果利用第一雙調(diào)掩模板、第二雙調(diào)掩模板以及第三掩模板通過(guò)三次光刻構(gòu)圖工藝從而完成陣列基板的制作過(guò)程，與現(xiàn)有技術(shù)中需要進(jìn)行四次光刻完成陣列基板的制作相比，減少了掩模板等設(shè)備的投入，降低了制作成本，縮短了生產(chǎn)時(shí)間，故而提高了生產(chǎn)效率。


為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板的平面結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板的制作方法的流程示意圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例1中陣列基板的平面結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本發(fā)明實(shí)施例1中陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為本發(fā)明實(shí)施例2中陣列基板的制作方法的流程示意圖；圖7為本發(fā)明實(shí)施例2中陣列基板第一次刻蝕工藝后的示意圖；圖8為本發(fā)明實(shí)施例2中陣列基板第二次刻蝕工藝后的示意圖；圖9為本發(fā)明實(shí)施例2中陣列基板剝離光刻膠后形成的柵圖案的示意圖；圖10為本發(fā)明實(shí)施例2中陣列基板沉積柵極絕緣層和有源層后的示意圖；圖11為本發(fā)明實(shí)施例2中陣列基板第三次刻蝕工藝后的示意圖；圖12為本發(fā)明實(shí)施例2中陣列基板第四次刻蝕工藝后的示意圖；圖13為本發(fā)明實(shí)施例2中陣列基板沉積源/漏金屬層后的示意圖；圖14為本發(fā)明實(shí)施例2中陣列基板形成TFT溝道的示意圖；附圖標(biāo)記0_基板，1-像素電極，2-柵極掃描線(xiàn)，3-柵極，4-柵極絕緣層，5-有源層圖案，6-過(guò)孔，7-數(shù)據(jù)掃描線(xiàn)，8-源極，9-漏極，10-TFT-IXD陣列基板，11-鈍化層， 12-TFT 溝道。
具體實(shí)施例方式本實(shí)施例提供一種陣列基板的結(jié)構(gòu)，形成于基板0上，如圖1所示的平面圖，和將圖1所示的基板沿A-B方向剖開(kāi)后的剖面圖2所示，包括像素電極案和柵圖案，所述柵圖案
5包括柵極掃描線(xiàn)2和薄膜晶體管的柵極3，所述柵極掃描線(xiàn)2和柵極3由依次沉積在基板0 上的透明導(dǎo)電金屬層和柵金屬層形成，所述像素電極圖案中的每個(gè)像素電極1由透明導(dǎo)電金屬層形成；所述像素電極圖案和柵圖案上沉積有柵極絕緣層4，所述柵極絕緣層上形成有與所述柵極3對(duì)應(yīng)的有源層圖案、以及露出所述像素電極1的柵絕緣層過(guò)孔6 ；所述柵極絕緣層4上還形成有源/漏圖案，所述源/漏圖案包括與柵極掃描線(xiàn)交叉的數(shù)據(jù)掃描線(xiàn)7、薄膜晶體管的源極8和漏極9，源極8和漏極9與有源層接觸，并且所述漏極9通過(guò)所述過(guò)孔與所述像素電極1接觸。在本實(shí)施例提供的陣列基板中像素電極直接形成在在基板上，包括這種結(jié)構(gòu)的陣列基板不僅可同樣作為T(mén)FT-LCD陣列基板使用，實(shí)現(xiàn)其功能和作為，并且還可通過(guò)三次光刻工藝完成，與現(xiàn)有技術(shù)中熱門(mén)使用的四次光刻工藝相比減少了掩模板等在制作過(guò)程中需要投入的設(shè)備，縮短了生產(chǎn)時(shí)間，與需要四次光刻工藝完成的陣列基板相比，生產(chǎn)效率較
尚ο相應(yīng)地，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種上述陣列基板的制作方法，如圖3所示，該方法主要包括如下步驟步驟1，在基板上依次沉積透明導(dǎo)電金屬層和柵金屬層；步驟2，進(jìn)行第一次光刻工藝包括利用第一雙調(diào)掩模板進(jìn)行構(gòu)圖形成像素電極圖案和柵圖案，所述像素電極圖案中的像素電極包括透明導(dǎo)電金屬層，所述柵圖案中的柵極和柵極掃描線(xiàn)均包括透明導(dǎo)電金屬層和柵金屬層；步驟3，在形成有所述像素電極圖案和柵圖案的基板上依次沉積柵極絕緣層和有源層；步驟4，進(jìn)行第二次光刻工藝包括利用第二雙調(diào)掩模板進(jìn)行構(gòu)圖形成穿過(guò)所述柵極絕緣層并露出所述像素電極的過(guò)孔，以及與所述柵極對(duì)應(yīng)的有源層圖案，即設(shè)置在所述柵極上方的有源層圖案、并保留所述有源層圖案上的光刻膠；步驟5，在形成有所述有源層圖案和過(guò)孔的基板上沉積源/漏金屬層，所述源/漏金屬層通過(guò)所述過(guò)孔與像素電極接觸；步驟6，剝離所述有源層圖案上的光刻膠及與所述光刻膠對(duì)應(yīng)重疊部分的源/漏金屬層，以形成溝道；步驟7，進(jìn)行第三次光刻工藝包括利用第三掩模板通過(guò)構(gòu)圖工藝形成源/漏圖案，所述源/漏圖案包括與柵極掃描線(xiàn)交叉的數(shù)據(jù)掃描線(xiàn)、源極和漏極，所述源/漏金屬層中的漏極通過(guò)所述過(guò)孔與所述像素電極接觸。本實(shí)施例提供的制作方法，可通過(guò)三次構(gòu)圖工藝中的對(duì)應(yīng)的三次光刻完成陣列基板的制作過(guò)程，與現(xiàn)有技術(shù)中需要進(jìn)行四次光刻完成陣列基板的制作相比，減少了掩模板等設(shè)備的投入，降低了制作成本，縮短了生產(chǎn)時(shí)間，故而提高了生產(chǎn)效率。下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。并且，以下各實(shí)施例均為本發(fā)明的可選方案，實(shí)施例的排列順序及實(shí)施例的編號(hào)與其優(yōu)選執(zhí)行順序無(wú)關(guān)。
實(shí)施例1本實(shí)施例具體提供一種TFT-IXD陣列基板10的結(jié)構(gòu)，參照?qǐng)D4所示的陣列基板10 的平面圖，和將圖4所示的基板10沿A-B方向剖開(kāi)后的剖面圖5所示，TFT-LCD陣列基板 10形成于透明基板0，例如玻璃基板上，包括像素電極圖案和柵圖案，所述柵圖案包括柵極掃描線(xiàn)2和薄膜晶體管的柵極3，所述柵極掃描線(xiàn)2和柵極3由依次沉積在基板0上的透明導(dǎo)電金屬層(該透明導(dǎo)電金屬層的厚度可以為300 600A)和柵金屬層(該柵金屬層的厚度可以為3000 5000A)形成，所述像素電極圖案中的每個(gè)像素電極1由透明導(dǎo)電金屬層形成；所述像素電極圖案和柵圖案上沉積有柵極絕緣層4，所述柵極絕緣層上形成有與所述柵極3對(duì)應(yīng)的有源層圖案5(用于形成溝道并和源極、漏極接觸)、以及露出一部分像素電極1的柵絕緣層過(guò)孔6 ；柵極絕緣層4上還形成有源/漏圖案，所述源/漏圖案包括與柵極掃描線(xiàn)2交叉的數(shù)據(jù)掃描線(xiàn)7、薄膜晶體管的源極8和漏極9 (該源/漏圖案中柵極掃描線(xiàn)2交叉的數(shù)據(jù)掃描線(xiàn)7、薄膜晶體管的源極8和漏極9均包括源/漏金屬層)，并且漏極9的部分源/漏金屬層沉積在過(guò)孔6中，從而與像素電極1接觸。其中，如圖4所示，所述薄膜晶體管的源極8、漏極9以及所述有源層圖案5共同形成了 TFT-LCD陣列基板0的TFT溝道12。另外，為了更好的保護(hù)好基板0上形成的源/漏圖案以及有源層圖案5，因此在該源/漏圖案以及該有源層圖案5上還形成有鈍化圖案，由沉積的鈍化層11形成(厚度約為 700 4000 A )，因?yàn)樵撯g化層11是用于保護(hù)源/漏圖案中形成數(shù)據(jù)掃描線(xiàn)7、源極8和漏極9，以及有源層圖案5，所以該鈍化圖案設(shè)置在數(shù)據(jù)掃描線(xiàn)7、源極8和漏極9，以及有源層圖案5上。其中，由圖5可知，本實(shí)施例中的鈍化層11并未平鋪在整個(gè)基板0上，而是被刻蝕成了重疊在數(shù)據(jù)掃描線(xiàn)7、源極8和漏極9，以及有源層圖案5的鈍化圖案，這樣本領(lǐng)域技術(shù)人員可通過(guò)設(shè)計(jì)第三掩模版，使得陣列基板邊緣的源/漏金屬層露出，便于實(shí)現(xiàn)在后繼制作陣列基板與外部控制電路進(jìn)行連接。上述透明像素電極層的材料可以為IT0(Indium Tin Oxides，銦錫金屬氧化物)、 IZOdndium Zinc Oxide，銦鋅氧化物)透明金屬氧化物中任意一種；上述柵金屬層由至少一層金屬材料組成，所述金屬材料可以為Cr、W、Ti、Ta、Mo中任一金屬或幾種金屬組成的合金；上述有源層的材料可以用氧化物半導(dǎo)體，如a-IGZO(非晶In-Ga-Zn-Ο，非晶銦鎵鋅氧化物)等，因?yàn)檠趸锇雽?dǎo)體與源/漏金屬層的功函數(shù)相差很小，所以氧化物半導(dǎo)體與源 /漏金屬層接觸電阻比較小，與現(xiàn)有技術(shù)中常用的非晶硅作為半導(dǎo)體層時(shí)，由于非晶硅和源 /漏金屬層的功函數(shù)相差很大，導(dǎo)致非晶硅和源/漏金屬層接觸電阻大，并需要增加歐姆接觸層相比，采用氧化物半導(dǎo)體時(shí)，可無(wú)需增加用來(lái)減小半導(dǎo)體層與源/漏金屬層的接觸電阻的歐姆接觸層；上述源/漏金屬層材料可以選用Cr、W、Ti、Ta、Mo等其中一種金屬或幾種金屬組成的合金，可以是單層也可以是多層；鈍化層的材料可以選用氧化物、氮化物或者氧氮化合物等。本實(shí)施例提供的TFT-IXD陣列基板的結(jié)構(gòu)可通過(guò)三次光刻工藝制成，便于降低生產(chǎn)TFT-IXD陣列基板的成本，提高生產(chǎn)效率。實(shí)施例2
本實(shí)施例提供一種實(shí)施例1中TFT-IXD陣列基板10的制作方法，該方法可通過(guò)三次光刻工藝實(shí)現(xiàn)，如圖6所示，包括如下步驟下述可為第一次光刻過(guò)程步驟201，在基板0上通過(guò)濺射或熱蒸發(fā)的方式依次沉積厚度約為300 600 A的透明導(dǎo)電金屬層和厚度約為3000 5000A的柵金屬層。其中，上述透明像素電極層的材料可以為IT0、IZO任意一種；上述柵金屬層由至少一層金屬材料組成，所述金屬材料可以為Cr、W、Ti、Ta、Mo中任一金屬或幾種金屬組成的合金。步驟202，利用第一雙調(diào)掩模板進(jìn)行構(gòu)圖形成像素電極圖案和柵圖案，所述像素電極圖案中的像素電極1包括透明導(dǎo)電金屬層，所述柵圖案中的柵極3和柵極掃描線(xiàn)2均包括透明導(dǎo)電金屬層和柵金屬層。其中，該第一雙調(diào)掩模板在本實(shí)施例中具體為第一半色調(diào)掩模板或灰色調(diào)掩模板。具體地，步驟202包括涂膠、利用第一雙調(diào)掩模板進(jìn)行曝光顯影，使所述基板0上與像素電極圖案的對(duì)應(yīng)位置處于部分曝光區(qū)域，使所述基板0與柵圖案的對(duì)應(yīng)位置處于不曝光區(qū)域，使其余部分處于全曝光區(qū)域，其中，所述柵圖案包括柵極3和柵極掃描線(xiàn)2，部分曝光區(qū)域光刻膠的厚度小于不曝光區(qū)域光刻膠的厚度；通過(guò)刻蝕工藝刻蝕全曝光區(qū)域的透明導(dǎo)電金屬層和柵金屬層，刻蝕后如圖7所示；通過(guò)灰化工藝去除掉部分曝光區(qū)域的光刻膠，并通過(guò)刻蝕工藝刻蝕部分曝光區(qū)域的柵金屬層從而露出像素電極圖案，如圖8所示；剝離不曝光區(qū)域上的光刻膠形成柵圖案，所述柵圖案中的柵極和柵極掃描線(xiàn)均包括透明導(dǎo)電金屬層和柵金屬層，參照?qǐng)D9所示。從圖9中可知，柵金屬層通過(guò)上述過(guò)程被刻蝕成了柵圖案中的柵極3和柵極掃描線(xiàn)2(圖9中未標(biāo)出)，透明導(dǎo)電金屬層通過(guò)上述過(guò)程被刻蝕成了像素電極圖案中的像素電極1。下述可為第二次光刻過(guò)程步驟203，在形成有所述像素電極圖案和柵圖案的基板0上依次沉積柵極絕緣層和有源層。步驟203具體包括在形成有所述像素電極圖案和柵圖案的整個(gè)基板0上通過(guò)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方式沉積厚度為300 1000 A的柵極絕緣層；再在所述柵極絕緣層上通過(guò)濺射或熱蒸發(fā)方式沉積厚度為1000 4000A有源層，沉積后如圖10所示。其中，柵極絕緣層的材料可以選用氧化物、氮化物或者氧氮化合物，對(duì)應(yīng)的反應(yīng)氣體可以為 SiH4, NH3, N2或SiH2Cl2, NH3, N2,有源層的材料可以是a_IGZ0也可以是其他的氧化物半導(dǎo)體層等。由于非晶硅作為有源層材料時(shí)，非晶硅和源/漏金屬層功函數(shù)相差很大，導(dǎo)致非晶硅和源/漏金屬層接觸電阻大，因此在沒(méi)有歐姆接觸層直接接觸時(shí)，TFT的開(kāi)態(tài)電流很小，所以一般增加歐姆接觸層來(lái)減少有源層與源/漏金屬層的接觸電阻；而在本實(shí)施例中，可以直接采用氧化物半導(dǎo)體作為有源層的材料，因?yàn)檠趸锇雽?dǎo)體的載流子遷移率較高，同時(shí)氧化物半導(dǎo)體與源/漏金屬層的功函數(shù)相差很小，所以氧化物半導(dǎo)體與源/漏金屬層接觸電阻比較小，因此不需要增加歐姆接觸層來(lái)減小有源層與源/漏金屬層的接觸電阻，可以直接接觸。步驟204，利用第二雙調(diào)掩模板進(jìn)行構(gòu)圖形成露出所述像素電極的柵絕緣過(guò)孔6， 以及與所述柵極3對(duì)應(yīng)的有源層圖案5、并保留所述有源層圖案5上的光刻膠。其中，上述第二雙調(diào)掩模板為第二半色調(diào)或灰色調(diào)掩模板。具體地，步驟204包括涂膠，利用第二雙調(diào)掩模板進(jìn)行曝光顯影，使所述基板0上與過(guò)孔6的對(duì)應(yīng)位置處于全曝光區(qū)域，使所述基板0上與有源層圖案5的對(duì)應(yīng)位置處于不曝光區(qū)域，使其余部分處于部分曝光區(qū)域，部分曝光區(qū)域光刻膠的厚度小于不曝光區(qū)域光刻膠的厚度；通過(guò)刻蝕工藝刻蝕全曝光區(qū)域的有源層和柵極絕緣層形成所述過(guò)孔6，其中，所述過(guò)孔6穿過(guò)所述柵極絕緣層并露出所述像素電極1，如圖11所示；通過(guò)光刻膠的灰化工藝去除部分曝光區(qū)域的光刻膠，并通過(guò)刻蝕工藝刻蝕部分曝光區(qū)域上的有源層形成與所述柵極3重疊的有源層圖案5，其中，所述有源層圖案5上保留有光刻膠，如圖12所示。步驟205，在形成有所述有源層圖案5和過(guò)孔6的基板0上通過(guò)濺射或熱蒸發(fā)的方式沉積厚度約為2000 4000 A的源/漏金屬層，源/漏金屬層材料可以選用Cr、W、Ti、 Ta.Mo等其中一種金屬或幾種金屬組成的合金，可以是單層也可以是多層，所述源/漏金屬層通過(guò)過(guò)孔6與像素電極接觸1，如圖13所示。步驟206，通過(guò)離地剝離工藝剝離所述有源圖案5上的光刻膠，所述有源層圖案5 上的光刻膠使所述光刻膠以及覆蓋所述光刻膠部分的源/漏金屬層脫落。該步驟206具體可通過(guò)如下方式實(shí)現(xiàn)由于數(shù)據(jù)線(xiàn)金屬不是透明的，因此可加熱圖13所述的基板0，在源/漏金屬層下方的光刻膠在受熱后，其結(jié)構(gòu)發(fā)生變性，光刻膠和其上對(duì)應(yīng)的源/漏金屬都會(huì)產(chǎn)生裂縫，因此，光刻膠剝離液可以通過(guò)裂縫與光刻膠接觸反應(yīng)， 從而在剝離了該光刻膠的同時(shí)連同其接觸部分的源/漏金屬層一起從基板0上脫落下來(lái)， 進(jìn)而形成TFT溝道12，參照?qǐng)D14所示。下述可為第三次光刻過(guò)程步驟207，在剝離了所述有源層圖案5上的光刻膠及與所述光刻膠對(duì)應(yīng)部分的源/ 漏金屬層的基板0上，通過(guò)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方式沉積厚度約為700 4000 A沉積鈍化層11。鈍化層11的材料可以選用氧化物、氮化物或者氧氮化合物，對(duì)應(yīng)的反應(yīng)氣體可以為SiH4, NH3, N2或SiH2Cl2, NH3, N2等。涂膠，再利用第三掩模板通過(guò)對(duì)沉積有該鈍化層 11的基板0上執(zhí)行構(gòu)圖工藝從而形成源/漏圖案，如圖4(鈍化層11未標(biāo)出)和將圖4所示的基板10沿A-B方向剖開(kāi)后的剖面圖5所示，所述源/漏圖案包括與柵極掃描線(xiàn)2交叉的數(shù)據(jù)掃描線(xiàn)7、源極8和漏極9，漏極9包括所述源/漏金屬層通過(guò)所述過(guò)孔6與所述像素電極1接觸的部分；以及在通過(guò)構(gòu)圖工藝形成源/漏圖案的同時(shí)，形成與所述源/漏圖案和所述有源層圖案5對(duì)應(yīng)的鈍化圖案，因?yàn)樗鲡g化層11主要用保護(hù)源/漏圖案和有源層圖案，所以該鈍化圖案與源/漏圖案和所述有源層圖案5相同，如圖5所示。由圖5可知， 源/漏金屬層通過(guò)上述過(guò)程被刻蝕成了源電極8、漏電極9，以及數(shù)據(jù)掃描線(xiàn)7。本實(shí)施例提供的方法通過(guò)三次光刻工藝即可完成TFT-IXD陣列基板的制作過(guò)程， 與現(xiàn)有的四次光刻工藝相比，減少了工藝流程，降低了掩模板等設(shè)備的投入，進(jìn)而提高了生產(chǎn)效率。
以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括1)在基板上依次沉積透明導(dǎo)電金屬層和柵金屬層；2)利用第一雙調(diào)掩模板進(jìn)行構(gòu)圖形成像素電極圖案和柵圖案；3)在形成有所述像素電極圖案和柵圖案的基板上依次沉積柵極絕緣層和有源層；4)利用第二雙調(diào)掩模板進(jìn)行構(gòu)圖形成露出所述像素電極的柵絕緣層過(guò)孔，以及與所述柵極對(duì)應(yīng)的有源層圖案、并保留所述有源層圖案上的光刻膠；5)在形成有所述有源層圖案和過(guò)孔的基板上沉積源/漏金屬層，所述源/漏金屬層通過(guò)所述過(guò)孔與像素電極接觸；6)剝離所述有源層圖案上的光刻膠從而使所述光刻膠以及與所述光刻膠對(duì)應(yīng)部分的源/漏金屬層脫落；7)利用第三掩模板通過(guò)構(gòu)圖工藝形成源/漏圖案，所述源/漏圖案包括與柵極掃描線(xiàn)交叉的數(shù)據(jù)掃描線(xiàn)、源極和漏極，所述漏極包括所述源/漏金屬層通過(guò)所述過(guò)孔與所述像素電極接觸的部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟2)具體包括利用第一雙調(diào)掩模板進(jìn)行曝光顯影，使所述基板上與像素電極圖案的對(duì)應(yīng)位置處于部分曝光區(qū)域，使與柵圖案的對(duì)應(yīng)位置處于不曝光區(qū)域，使其余部分處于全曝光區(qū)域，其中， 所述柵圖案包括柵極和柵極掃描線(xiàn)；通過(guò)刻蝕工藝刻蝕全曝光區(qū)域的透明導(dǎo)電金屬層和柵金屬層；通過(guò)灰化工藝去除掉部分曝光區(qū)域的光刻膠，并通過(guò)刻蝕工藝刻蝕部分曝光區(qū)域的柵金屬層從而露出像素電極圖案，所述像素電極圖案中的像素電極包括透明導(dǎo)電金屬層；剝離不曝光區(qū)域上的光刻膠形成柵圖案，所述柵圖案中的柵極和柵極掃描線(xiàn)均包括透明導(dǎo)電金屬層和柵金屬層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟4)具體包括利用第二雙調(diào)掩模板進(jìn)行曝光顯影，使所述基板上與過(guò)孔的對(duì)應(yīng)位置處于全曝光區(qū)域，使與有源層圖案的對(duì)應(yīng)位置處于不曝光區(qū)域，使其余部分處于部分曝光區(qū)域；通過(guò)刻蝕工藝刻蝕全曝光區(qū)域的有源層和柵極絕緣層形成所述過(guò)孔，其中，所述過(guò)孔穿過(guò)所述柵極絕緣層并露出所述像素電極；通過(guò)光刻膠的灰化工藝去除部分曝光區(qū)域的光刻膠，并通過(guò)刻蝕工藝刻蝕部分曝光區(qū)域上的有源層形成與所述柵極對(duì)應(yīng)的有源層圖案，其中，所述有源層圖案上保留有光刻膠。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述步驟7)具體包括在剝離了所述有源層圖案上的光刻膠以及所述光刻膠對(duì)應(yīng)部分的源/漏金屬層的基板上沉積鈍化層；利用第三掩模板通過(guò)構(gòu)圖工藝形成源/漏圖案和鈍化圖案，所述源/漏圖案包括與柵極掃描線(xiàn)交叉的數(shù)據(jù)掃描線(xiàn)、源極和漏極，所述漏極包括所述源/漏金屬層通過(guò)所述過(guò)孔與所述像素電極接觸的部分，所述鈍化圖案與所述源/漏圖案和所述有源層圖案對(duì)應(yīng)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述有源層的材料為氧化物半導(dǎo)體。
6.一種陣列基板的結(jié)構(gòu)，形成于基板上，其特征在于，包括像素電極圖案和柵圖案，所述柵圖案包括柵極掃描線(xiàn)和薄膜晶體管的柵極，所述柵極掃描線(xiàn)和柵極均包括依次沉積在基板上的透明導(dǎo)電金屬層和柵金屬層，所述像素電極圖案中的每個(gè)像素電極包括透明導(dǎo)電金屬層；所述像素電極圖案和柵圖案上沉積有柵極絕緣層，所述柵極絕緣層上形成有與所述柵極對(duì)應(yīng)的有源層圖案、以及露出所述像素電極的柵絕緣層過(guò)孔；所述柵極絕緣層上還形成有源/漏圖案，所述源/漏圖案包括與柵極掃描線(xiàn)交叉的數(shù)據(jù)掃描線(xiàn)、薄膜晶體管的源極和漏極，并且所述漏極通過(guò)所述過(guò)孔與所述像素電極接觸。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述源/漏圖案上形成有與其對(duì)應(yīng)的鈍化圖案。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的陣列基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述有源層圖案中的有源層的材料為氧化物半導(dǎo)體。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述氧化物半導(dǎo)體為非晶銦鎵鋅氧化物。
全文摘要
本發(fā)明的實(shí)施例公開(kāi)了一種陣列基板的結(jié)構(gòu)及其制作方法。涉及液晶顯示器的制造工藝，解決了現(xiàn)有技術(shù)中采用四次光刻工藝制造陣列基板生產(chǎn)效率低的問(wèn)題。本實(shí)施例中的陣列基板的結(jié)構(gòu)主要包括像素電極圖案和柵圖案，所述柵圖案包括柵極掃描線(xiàn)和薄膜晶體管的柵極，所述柵極掃描線(xiàn)和柵極均包括依次沉積在基板上的透明導(dǎo)電金屬層和柵金屬層，所述像素電極圖案中的每個(gè)像素電極包括透明導(dǎo)電金屬層；所述像素電極圖案和柵圖案上沉積有柵極絕緣層，所述柵極絕緣層上形成有與所述柵極對(duì)應(yīng)的有源層圖案、以及露出所述像素電極的柵絕緣層過(guò)孔；所述柵極絕緣層上還設(shè)有源/漏圖案等。本發(fā)明實(shí)施例主要應(yīng)用于液晶顯示器相關(guān)領(lǐng)域。
文檔編號(hào)H01L21/336GK102270604SQ20101019707
公開(kāi)日2011年12月7日 申請(qǐng)日期2010年6月3日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月3日
發(fā)明者劉圣烈, 劉翔, 薛建設(shè) 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司