專利名稱：一種溝槽mosfet功率整流器件及制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，特別是涉及一種溝槽MOSFET功率整流器件及制造方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體功率整流器在功率電源和功率轉(zhuǎn)換器中有多處應(yīng)用。這些應(yīng)用通常使用肖特基二極管。肖特基二極管具有低開(kāi)啟電壓和快速關(guān)斷特性。但是，肖特基二極管也有一些缺點(diǎn)。在高壓下，肖特基二極管由于“勢(shì)壘降低效應(yīng)”具有高的漏電流。從而導(dǎo)致高的功耗和可靠性問(wèn)題。另外在B. J. Baliga的“ModemPower Device”書(shū)中425頁(yè)提到，當(dāng)反向壓降高于200V時(shí)，肖特基的正向壓降接近P-i-N 二極管，因此不適合高壓功率整流電路。而 P-i-N 二極管有自己的缺點(diǎn)，由于P-i-N 二極管是少子器件，因此反向恢復(fù)特性不好。美國(guó)專利5818084公開(kāi)了一種溝槽MOSFET結(jié)構(gòu)整流器。如圖1，MOSFET結(jié)構(gòu)10 中源區(qū)13和柵區(qū)12連接在一起，寄生二極管連接源區(qū)12和漏區(qū)14。這種結(jié)構(gòu)器件主要用于傳統(tǒng)二極管或MOSFET分流以防止由于PN結(jié)正偏時(shí)的少子存儲(chǔ)導(dǎo)致突發(fā)擊穿和閂鎖效應(yīng)。這種結(jié)構(gòu)的溝槽側(cè)壁15和底部16有相同的均勻薄氧化層。為形成低的Vth，溝槽的側(cè)壁需要具有薄的氧化層，但是薄的氧化層不能承受高的反向電壓造成的高電場(chǎng)強(qiáng)度。如果將這種結(jié)構(gòu)器件應(yīng)用于功率整流，溝槽16底部角落將承受高電場(chǎng)強(qiáng)度，從而不易承受高電壓。而在這一區(qū)域厚的氧化層可以解決這個(gè)問(wèn)題。因此，如何提供一種溝槽MOSFET功率整流器件及制造方法，實(shí)現(xiàn)溝槽底部角落能夠承受高電場(chǎng)強(qiáng)度，從而可以承受高電壓，是本領(lǐng)域技術(shù)人員需要解決的技術(shù)問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種溝槽MOSFET功率整流器件及制造方法，實(shí)現(xiàn)溝槽 MOSFET功率整流器件的溝槽底部能夠承受高反向電壓下高的電場(chǎng)強(qiáng)度。本發(fā)明的目的是提供一種溝槽MOSFET功率整流器件，第一導(dǎo)電類型的襯底；從所述第一導(dǎo)電類型的襯底的上表面延伸到所述第一導(dǎo)電類型的襯底中的溝槽，所述第一溝槽通過(guò)臺(tái)面區(qū)域隔開(kāi)；在所述臺(tái)面區(qū)域表面形成第一導(dǎo)電類型的源區(qū)；在源區(qū)下面形成第二導(dǎo)電類型的體區(qū)；所述第一溝槽的側(cè)壁和底部均具有柵氧化層，且所述第一溝槽的底部柵氧化層厚度大于所述第一溝槽的側(cè)壁柵氧化層厚度；所述第一溝槽內(nèi)有摻雜多晶硅填充，形成柵多晶硅；在上表面與所述第一導(dǎo)電類型的源區(qū)、第二導(dǎo)電類型的體區(qū)和所述柵多晶硅形成歐姆接觸的第一個(gè)電極；以及，在所述第一導(dǎo)電類型的襯底的下表面的第二個(gè)電極。優(yōu)選地，在所述第一溝槽的底部柵氧化層底部具有第二導(dǎo)電類型區(qū)域。優(yōu)選地，所述第二導(dǎo)電類型區(qū)域?yàn)镻型摻雜區(qū)域。優(yōu)選地，在所述第一溝槽底部的第二導(dǎo)電類型區(qū)域與所述體區(qū)沒(méi)有接觸。
優(yōu)選地，所述第一導(dǎo)電類型為N型摻雜區(qū)域；所述第二導(dǎo)電類型為P型摻雜區(qū)域。優(yōu)選地，所述第一溝槽的側(cè)壁柵氧化層厚度為200-800A，所述第一溝槽的底部柵氧化層厚度為1000-5000A。優(yōu)選地，所述第一電極側(cè)至少具有一個(gè)第二導(dǎo)電類型的終端保護(hù)環(huán)。本發(fā)明還提供一種制造溝槽MOSFET功率整流器件的方法，其特征在于，所述方法包括1)在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體襯底上形成場(chǎng)氧化層；2)確定第一溝槽區(qū)域并腐蝕所述襯底形成第一溝槽；3)在所述第一溝槽的側(cè)壁和底部形成柵氧化層；4)在所述第一溝槽的側(cè)壁形成隔離保護(hù)，并在所述第一溝槽的底部開(kāi)出窗口 ；5)在所述第一溝槽的底部進(jìn)一步形成柵氧化層；使得所述第一溝槽的底部柵氧化層厚度大于所述第一溝槽的側(cè)壁的底部柵氧化層厚度；6)用摻雜多晶硅填充所述第一溝槽，形成柵多晶硅；7)在臺(tái)面區(qū)域表面形成第一導(dǎo)電類型的源區(qū)；在源區(qū)下面形成第二導(dǎo)電類型的體區(qū)；8)在所述源區(qū)形成第二溝槽；9)在所述第二溝槽下面形成第二導(dǎo)電類型重?fù)诫s區(qū)域；10)填充所述第二溝槽并與所述源區(qū)、體區(qū)以及柵多晶硅形成歐姆接觸的第一電極；11)在襯底下表面形成第二電極。優(yōu)選地，在步驟4)和步驟幻之間，還包括在所述第一溝槽的底部下面形成第二導(dǎo)電類型區(qū)域的步驟。優(yōu)選地，在步驟6)之后還包括在臺(tái)面區(qū)域和終端保護(hù)環(huán)同時(shí)形成第二導(dǎo)電類型體區(qū)。由于本發(fā)明實(shí)施例所述溝槽MOSFET功率整流器件在第一溝槽的側(cè)壁具有較薄的柵氧化層，在第一溝槽的底部具有較厚的柵氧化層，這樣既可以滿足第一溝槽側(cè)壁柵氧化層用于柵氧影響MOSFET正向的溝道特性，第一溝槽底部柵氧化層又可以承受高反向電壓下高的電場(chǎng)強(qiáng)度。


為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1是現(xiàn)有技術(shù)中的溝槽MOSFET結(jié)構(gòu)器件的示意性剖面圖。圖2是現(xiàn)有技術(shù)中應(yīng)用功率整流器件的電路圖。圖3是本發(fā)明實(shí)施例所述溝槽MOSFET功率整流器的平面圖。圖4-圖M是本發(fā)明實(shí)施例所述溝槽MOSFET功率整流器件制造方法對(duì)應(yīng)的示意性剖面圖25為本發(fā)明實(shí)施例所述溝槽MOSFET功率整流器制造方法流程圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明提供一種溝槽MOSFET功率整流器件及制造方法，實(shí)現(xiàn)溝槽MOSFET功率整流器件的溝槽底部能夠承受高反向電壓下高的電場(chǎng)強(qiáng)度。為了便于本領(lǐng)域技術(shù)人員的理解，下面結(jié)合附圖具體說(shuō)明所述溝槽MOSFET功率整流器件制造方法及溝槽MOSFET功率整流器件的具體結(jié)構(gòu)。參見(jiàn)圖3-圖M，圖3是本發(fā)明實(shí)施例所述溝槽MOSFET功率整流器的平面圖；圖 4-圖M是本發(fā)明實(shí)施例所述溝槽MOSFET功率整流器件制造方法對(duì)應(yīng)的示意性剖面圖；圖 25為本發(fā)明實(shí)施例所述溝槽MOSFET功率整流器制造方法流程圖。本發(fā)明實(shí)施例所述溝槽MOSFET功率整流器件的制造方法，包括以下步驟S100、在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體襯底上形成場(chǎng)氧化層。第一導(dǎo)電類型可以為N型摻雜區(qū)域。本發(fā)明實(shí)施例所述第一導(dǎo)電類型可以為N型摻雜區(qū)域，第二導(dǎo)電類型可以為P型摻雜區(qū)域。步驟SlOO執(zhí)行后對(duì)應(yīng)的器件示意性剖面圖可以參見(jiàn)圖4，該圖顯示了在N+襯底 20上形成N-外延層21的剖面圖。場(chǎng)氧化層22具體可以通過(guò)生長(zhǎng)或淀積在N-外延層21 的表面23上。場(chǎng)氧化層22的厚度可以為100-1000納米的。S200、確定第一溝槽區(qū)域并腐蝕所述襯底形成第一溝槽。S300、在所述第一溝槽的側(cè)壁和底部形成柵氧化層。S400、在所述第一溝槽的側(cè)壁形成隔離保護(hù)，并在所述第一溝槽的底部開(kāi)出窗口。步驟S200至S400執(zhí)行后對(duì)應(yīng)的器件示意性剖面圖可以參見(jiàn)圖5。第一溝槽30的形成過(guò)程首先通過(guò)光刻掩膜在場(chǎng)氧化層22上形成一層帶圖形光刻膠(圖5未示出)，并通過(guò)腐蝕工藝去除圖形中的場(chǎng)氧化層22。然后去除光刻膠層， 通過(guò)反應(yīng)離子刻蝕法在外延層上刻出第一溝槽30并形成臺(tái)面33。隨后生長(zhǎng)大約厚度為 200-1500A的犧牲氧化層。然后，通過(guò)腐蝕去除這層犧牲氧化層。S500、在所述第一溝槽的底部進(jìn)一步形成柵氧化層；使得所述第一溝槽的底部柵氧化層厚度大于所述第一溝槽的側(cè)壁的底部柵氧化層厚度。步驟S200至S400執(zhí)行后對(duì)應(yīng)的器件示意性剖面圖可以參見(jiàn)圖6至圖10。參見(jiàn)圖6，該圖示出在第一溝槽30的側(cè)壁和底部同時(shí)生長(zhǎng)厚度可以為200-800A均勻氧化層，從而形成柵氧化層31。具體可以通過(guò)濕氧或干氧工藝生長(zhǎng)上述均勻氧化層。參見(jiàn)圖7，該圖示出在場(chǎng)氧化層22和柵氧化層31上淀積大約100-500A厚的可去除的氮化硅層。參見(jiàn)圖8，該圖示出表面場(chǎng)氧化層22和溝槽底部34上的氮化硅被去除，只保留每個(gè)第一溝槽30側(cè)壁上的氮化硅。上述過(guò)程具體可以通過(guò)氮化硅干法腐蝕實(shí)現(xiàn)。在步驟S400和步驟S500之間，還包括在所述第一溝槽30的底部下面形成第二導(dǎo)電類型區(qū)域的步驟。參見(jiàn)圖9，該圖示出在所述第一溝槽30的底部下面形成第二導(dǎo)電類型區(qū)域的情況。
6
該結(jié)果具體可以是一種P型雜質(zhì)硼或二氟化硼以場(chǎng)氧化層22作為掩膜通過(guò)第一溝槽30的底部被注入。參見(jiàn)圖10，該圖示出一層大約1000-5000A厚的氧化層(具體可以通過(guò)熱氧化工藝)生長(zhǎng)在第一溝槽30的底部和襯底表面，而第一溝槽30的側(cè)壁由于氮化硅保護(hù)不能生長(zhǎng)氧化層。圖10所示生長(zhǎng)在第一溝槽30的底部柵氧化層40比第一溝槽30的側(cè)壁柵氧化
層31厚。S600、用摻雜多晶硅填充所述第一溝槽，形成柵多晶硅。用摻雜多晶硅填充所述第一溝槽后，可以在臺(tái)面區(qū)域和終端保護(hù)環(huán)同時(shí)形成第二導(dǎo)電類型體區(qū)。參見(jiàn)圖11，該圖示出去除掉氮化硅層32，具體可以通過(guò)濕法工藝實(shí)現(xiàn)。參見(jiàn)圖12，該圖示出一種柵多晶硅42 (N型摻雜多晶硅)通過(guò)淀積填充溝槽，厚度大約 10-80nm。S700、在臺(tái)面區(qū)域表面形成第一導(dǎo)電類型的源區(qū)；在源區(qū)下面形成第二導(dǎo)電類型的體區(qū)。參見(jiàn)圖13，該圖示出去除掉器件表面的多晶硅的狀態(tài)。去除掉器件表面的多晶硅具體可以通過(guò)適當(dāng)?shù)牡入x子刻蝕實(shí)現(xiàn)。參見(jiàn)圖14，該圖示出一個(gè)光刻膠圖形(圖14中未示出)通過(guò)曝光覆蓋在器件和保護(hù)環(huán)(位置可以參見(jiàn)圖16)外圍區(qū)域，隨后將器件和保護(hù)環(huán)區(qū)域的場(chǎng)氧化層通過(guò)腐蝕去除后的狀態(tài)。參見(jiàn)圖15，該圖示出去除光刻膠后，通過(guò)能量為20-80kev的硼注入器件結(jié)構(gòu)表面后的狀態(tài)。參見(jiàn)圖16，該圖示出激活注入雜質(zhì)并推進(jìn)形成P型體區(qū)50和保護(hù)環(huán)51的狀態(tài)。S800、在所述源區(qū)形成第二溝槽。參見(jiàn)圖17，該圖示出形成有一個(gè)光刻膠圖形52覆蓋在器件外圍區(qū)域。參見(jiàn)圖18，該圖示出形成有N型摻雜區(qū)53。具體可以通過(guò)注入一種砷或磷雜質(zhì)形成N型摻雜區(qū)53，注入計(jì)量為E13-16/cm2，能量為10_60keV。去除光刻膠圖形52后，實(shí)施熱推進(jìn)工藝激活砷或磷雜質(zhì)并形成源區(qū)53。參見(jiàn)圖19，該圖示出通過(guò)化學(xué)氣相淀積二氧化硅M。參見(jiàn)圖20，該圖示出使用光刻膠圖形(圖20中未示出)確定接觸區(qū)。然后通過(guò)腐蝕工藝去除暴露的氧化層。之后實(shí)施深度適當(dāng)?shù)牡诙螠喜酃に嚒５诙螠喜?0穿過(guò)源區(qū)53接觸P型體區(qū)50但不穿透體區(qū)50。S900、在所述第二溝槽下面形成第二導(dǎo)電類型重?fù)诫s區(qū)域。S1000、填充所述第二溝槽并與所述源區(qū)、體區(qū)以及柵多晶硅形成歐姆接觸的第一電極。由于本發(fā)明實(shí)施例所述溝槽MOSFET功率整流器件制造方法，制成的溝槽MOSFET 功率整流器件在第一溝槽的側(cè)壁具有較薄的柵氧化層，在第一溝槽的底部具有較厚的柵氧化層，這樣既可以滿足第一溝槽側(cè)壁柵氧化層用于柵氧影響MOSFET正向的溝道特性，第一溝槽底部柵氧化層又可以承受高反向電壓下高的電場(chǎng)強(qiáng)度。參見(jiàn)圖21，該圖示出隨后注入BF2在P型體區(qū)50以形成良好的歐姆接觸，再經(jīng)過(guò)快速熱退火工藝激活BF2。參見(jiàn)圖22，該圖示出在襯底表面淀積大約1000-10000A的鎢61并填充第二溝槽 60。參見(jiàn)圖23，該圖示出通過(guò)化學(xué)等離子刻蝕去除襯底表面的鎢61并保留第二溝槽 60中的鎢的狀態(tài)。Sl 100、在襯底下表面形成第二電極。參見(jiàn)圖24，該圖示出用Ti、TiN、Al、Nijg或這些金屬的化合物形成第一電極(頂部電極)70和第二電極(底部電極)71。本發(fā)明還提供一種有上述制造方法制成的溝槽MOSFET整流器件，具體可以包括第一導(dǎo)電類型的襯底20、21 ；從所述第一導(dǎo)電類型的襯底20、21的上表面延伸到所述第一導(dǎo)電類型的襯底中20、21的第一溝槽30，所述第一溝槽30通過(guò)臺(tái)面33的區(qū)域隔開(kāi)；在所述臺(tái)面33的區(qū)域表面形成第一導(dǎo)電類型的源區(qū)53 ；在源區(qū)下面形成第二導(dǎo)電類型的體區(qū) 50。所述第一溝槽30的側(cè)壁和底部均具有柵氧化層，且所述第一溝槽30的底部柵氧化層厚度大于所述第一溝槽30的側(cè)壁柵氧化層厚度。所述第一溝槽30內(nèi)有摻雜多晶硅填充，形成柵多晶硅42。上表面與所述第一導(dǎo)電類型的源區(qū)53、第二導(dǎo)電類型的體區(qū)50和所述柵多晶硅 42形成歐姆接觸的第一個(gè)電極70 ；以及，在所述第一導(dǎo)電類型的襯底20、21的下表面的第二個(gè)電極71。為了加強(qiáng)第一溝槽30的底部柵氧化層31承受高反向電壓下高的電場(chǎng)強(qiáng)度的能力，在所述第一溝槽30的底部柵氧化層底部具有第二導(dǎo)電類型區(qū)域。第二導(dǎo)電類型具體可以為P型摻雜區(qū)域。在所述第一溝槽30的底部的第二導(dǎo)電類型區(qū)域與所述體區(qū)沒(méi)有接觸。所述第一導(dǎo)電類型可以為N型摻雜區(qū)域；所述第二導(dǎo)電類型可以為P型摻雜區(qū)域。所述第一溝槽30的側(cè)壁柵氧化層31厚度為200-800A，所述第一溝槽30的底部柵氧化層40厚度為1000-5000A。參見(jiàn)圖M，所述第一電極70側(cè)至少具有一個(gè)第二導(dǎo)電類型的終端保護(hù)環(huán)51。由于本發(fā)明實(shí)施例所述溝槽MOSFET功率整流器件在第一溝槽的側(cè)壁具有較薄的柵氧化層，在第一溝槽的底部具有較厚的柵氧化層，這樣既可以滿足第一溝槽側(cè)壁柵氧化層用于柵氧影響MOSFET正向的溝道特性，第一溝槽底部柵氧化層又可以承受高反向電壓下高的電場(chǎng)強(qiáng)度。以上對(duì)本發(fā)明所提供的溝槽MOSFET功率整流器件及制造方法，進(jìn)行了詳細(xì)介紹， 本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對(duì)本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說(shuō)明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時(shí)，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在具體實(shí)施方式
及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說(shuō)明書(shū)內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制。
權(quán)利要求
1.一種溝槽MOSFET功率整流器件，其特征在于，第一導(dǎo)電類型的襯底；從所述第一導(dǎo)電類型的襯底的上表面延伸到所述第一導(dǎo)電類型的襯底中的溝槽，所述第一溝槽通過(guò)臺(tái)面區(qū)域隔開(kāi)；在所述臺(tái)面區(qū)域表面形成第一導(dǎo)電類型的源區(qū)；在源區(qū)下面形成第二導(dǎo)電類型的體區(qū)；所述第一溝槽的側(cè)壁和底部均具有柵氧化層，且所述第一溝槽的底部柵氧化層厚度大于所述第一溝槽的側(cè)壁柵氧化層厚度；所述第一溝槽內(nèi)有摻雜多晶硅填充，形成柵多晶硅；在上表面與所述第一導(dǎo)電類型的源區(qū)、第二導(dǎo)電類型的體區(qū)和所述柵多晶硅形成歐姆接觸的第一個(gè)電極；以及，在所述第一導(dǎo)電類型的襯底的下表面的第二個(gè)電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽MOSFET功率整流器件，其特征在于，在所述第一溝槽的底部柵氧化層底部具有第二導(dǎo)電類型區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的溝槽MOSFET功率整流器件，其特征在于，所述第二導(dǎo)電類型區(qū)域?yàn)镻型摻雜區(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的溝槽MOSFET功率整流器件，其特征在于，在所述第一溝槽底部的第二導(dǎo)電類型區(qū)域與所述體區(qū)沒(méi)有接觸。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽MOSFET功率整流器件，其特征在于，所述第一導(dǎo)電類型為N型摻雜區(qū)域；所述第二導(dǎo)電類型為P型摻雜區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽MOSFET功率整流器件，其特征在于，所述第一溝槽的側(cè)壁柵氧化層厚度為200-800A，所述第一溝槽的底部柵氧化層厚度為1000-5000A。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽MOSFET功率整流器件，其特征在于，所述第一電極側(cè)至少具有一個(gè)第二導(dǎo)電類型的終端保護(hù)環(huán)。
8.—種溝槽MOSFET功率整流器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括1)在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體襯底上形成場(chǎng)氧化層；2)確定第一溝槽區(qū)域并腐蝕所述襯底形成第一溝槽；3)在所述第一溝槽的側(cè)壁和底部形成柵氧化層；4)在所述第一溝槽的側(cè)壁形成隔離保護(hù)，并在所述第一溝槽的底部開(kāi)出窗口；5)在所述第一溝槽的底部進(jìn)一步形成柵氧化層；使得所述第一溝槽的底部柵氧化層厚度大于所述第一溝槽的側(cè)壁的底部柵氧化層厚度；6)用摻雜多晶硅填充所述第一溝槽，形成柵多晶硅；7)在臺(tái)面區(qū)域表面形成第一導(dǎo)電類型的源區(qū)；在源區(qū)下面形成第二導(dǎo)電類型的體區(qū)；8)在所述源區(qū)形成第二溝槽；9)在所述第二溝槽下面形成第二導(dǎo)電類型重?fù)诫s區(qū)域；10)填充所述第二溝槽并與所述源區(qū)、體區(qū)以及柵多晶硅形成歐姆接觸的第一電極；11)在襯底下表面形成第二電極。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的溝槽MOSFET功率整流器件的制造方法，其特征在于，在步驟 4)和步驟幻之間，還包括在所述第一溝槽的底部下面形成第二導(dǎo)電類型區(qū)域的步驟。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的溝槽MOSFET功率整流器件的制造方法，其特征在于，在步驟 6)之后還包括在臺(tái)面區(qū)域和終端保護(hù)環(huán)同時(shí)形成第二導(dǎo)電類型體區(qū)。
全文摘要
一種溝槽MOSFET功率整流器件，第一導(dǎo)電類型的襯底；從第一導(dǎo)電類型的襯底的上表面延伸到襯底中的第一溝槽，第一溝槽通過(guò)臺(tái)面區(qū)域隔開(kāi)；在臺(tái)面區(qū)域表面形成第一導(dǎo)電類型的源區(qū)；在源區(qū)下面形成第二導(dǎo)電類型的體區(qū)；第一溝槽的側(cè)壁和底部均具有柵氧化層，且第一溝槽的底部柵氧化層厚度大于第一溝槽的側(cè)壁柵氧化層厚度；第一溝槽內(nèi)有摻雜多晶硅填充，形成柵多晶硅；上表面與第一導(dǎo)電類型的源區(qū)、第二導(dǎo)電類型的體區(qū)和所述柵多晶硅形成歐姆接觸的第一個(gè)電極；以及，在第一導(dǎo)電類型的襯底的下表面的第二個(gè)電極。本發(fā)明提供一種溝槽MOSFET功率整流器件及制作方法，使得溝槽MOSFET功率整流器件的溝槽底部能承受高反向電壓下高的電場(chǎng)強(qiáng)度。
文檔編號(hào)H01L21/28GK102254944SQ201010181358
公開(kāi)日2011年11月23日 申請(qǐng)日期2010年5月21日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月21日
發(fā)明者王乙明, 金鐘元, 龍濤 申請(qǐng)人:上海新進(jìn)半導(dǎo)體制造有限公司