技術(shù)編號：6945506
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，特別是涉及一種溝槽MOSFET功率整流器件及制造方法。 背景技術(shù)半導(dǎo)體功率整流器在功率電源和功率轉(zhuǎn)換器中有多處應(yīng)用。這些應(yīng)用通常使用肖特基二極管。肖特基二極管具有低開啟電壓和快速關(guān)斷特性。但是，肖特基二極管也有一些缺點(diǎn)。在高壓下，肖特基二極管由于“勢壘降低效應(yīng)”具有高的漏電流。從而導(dǎo)致高的功耗和可靠性問題。另外在B. J. Baliga的“ModemPower Device”書中425頁提到，當(dāng)反向壓降高于200V時，肖特基的正向壓降...
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