專利名稱：靜電釋放保護(hù)結(jié)構(gòu)及制造方法
靜電釋放保護(hù)結(jié)構(gòu)及制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件，尤其涉及一種靜電釋放(Electro-static Discharge, ESD)保護(hù)結(jié)構(gòu)，還涉及一種具有ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管 (VDM0SFET)。
背景技術(shù)：
靜電釋放(Electro-Static Discharge，ESD)會(huì)造成半導(dǎo)體元器件，例如金屬氧 化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)的損壞。尤其是垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管 (VDM0SFET)的柵氧化層較薄，一般小于1000埃，所能承受的擊穿電壓低，只有80 120V， 而一般人體放電模式(Human Body Model,HBM)所產(chǎn)生的靜電電壓可以達(dá)到2000V，容易造 成VDM0SFET的柵氧化層損傷或擊穿，導(dǎo)致器件的可靠性出問題甚至直接燒毀器件。隨著器 件可靠性要求的提高，特別是在一些低閾值電壓的器件領(lǐng)域，要求柵氧化層的厚度只有幾 百埃，使VDM0SFET對(duì)靜電釋放抵抗能力的要求提高，只憑器件本身的電容能力無法保證可 靠性。

發(fā)明內(nèi)容基于此，有必要提供一種能防止金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管因靜電釋放而損壞， 提高器件可靠性的靜電釋放保護(hù)結(jié)構(gòu)。一種靜電釋放保護(hù)結(jié)構(gòu)，所述靜電釋放保護(hù)結(jié)構(gòu)串聯(lián)在金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng) 管的柵極和源極之間，所述靜電釋放保護(hù)結(jié)構(gòu)是NPN三極結(jié)構(gòu)或PNP三極結(jié)構(gòu)。優(yōu)選的，所述金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管是垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng) 管，所述NPN三極結(jié)構(gòu)和PNP三極結(jié)構(gòu)是通過對(duì)所述垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng) 管本身的多晶硅柵極進(jìn)行N型和P型雜質(zhì)的摻雜實(shí)現(xiàn)的。優(yōu)選的，所述垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管包括襯底，襯底上的外延層， 外延層內(nèi)的阱區(qū)，阱區(qū)內(nèi)的注入?yún)^(qū)，外延層表面的柵氧化層，柵氧化層上的多晶硅層，多晶 硅層表面的保護(hù)層，以及保護(hù)層上的電極；所述多晶硅層包括多晶硅柵極和多晶硅柵；所 述保護(hù)層包括多晶硅柵極表面的柵極保護(hù)層和多晶硅柵表面的柵保護(hù)層；所述電極包括源 電極和柵電極，所述源電極位于阱區(qū)上、與注入?yún)^(qū)接觸且包覆所述多晶硅柵和多晶硅柵表 面的保護(hù)層，所述柵電極位于多晶硅柵極上且貫穿多晶硅柵極表面的保護(hù)層而與多晶硅柵 極接觸；所述多晶硅柵極包括通過摻雜形成的N型區(qū)和P型區(qū)，具體是兩個(gè)N型區(qū)將一個(gè)P 型區(qū)夾在中間形成NPN三極結(jié)構(gòu)，或兩個(gè)P型區(qū)將一個(gè)N型區(qū)夾在中間形成PNP三極結(jié)構(gòu)； 所述NPN三極結(jié)構(gòu)和PNP三極結(jié)構(gòu)的兩端分別與柵電極和源電極接觸。優(yōu)選的，所述NPN三極結(jié)構(gòu)和PNP三極結(jié)構(gòu)的擊穿電壓小于所述柵氧化層的擊穿 電壓。優(yōu)選的，所述電極表面設(shè)有氮化硅層。優(yōu)選的，所述保護(hù)層的成分為磷硅玻璃或硼磷硅玻璃。
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優(yōu)選的，所述垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管是N型場效應(yīng)管所述襯底 為N+襯底，所述外延層為N—外延層，所述阱區(qū)為P型阱區(qū)，所述注入?yún)^(qū)為N+注入?yún)^(qū)，所述柵 氧化層的成分為二氧化硅。還提供一種具有靜電釋放保護(hù)結(jié)構(gòu)的垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管的 制造方法。一種具有靜電釋放保護(hù)結(jié)構(gòu)的垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管的制造方 法，包括下列步驟在所述金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管的柵極和源極之間串聯(lián)靜電釋放保 護(hù)結(jié)構(gòu)；所述靜電釋放保護(hù)結(jié)構(gòu)是NPN三極結(jié)構(gòu)或PNP三極結(jié)構(gòu)，所述NPN三極結(jié)構(gòu)和PNP 三極結(jié)構(gòu)是通過對(duì)所述垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管本身的多晶硅柵極進(jìn)行N 型和P型雜質(zhì)的摻雜實(shí)現(xiàn)的；所述制造方法具體包括以下步驟在襯底上生長外延層；在所 述外延層上生長氧化層；向所述外延層內(nèi)注入P型雜質(zhì)形成阱區(qū)；在所述氧化層上淀積多 晶硅層；摻雜N型和P型雜質(zhì)，形成注入?yún)^(qū)，并形成所述NPN三極結(jié)構(gòu)或PNP三極結(jié)構(gòu)；具體 是在所述阱區(qū)內(nèi)注入N型雜質(zhì)，形成注入?yún)^(qū)，且在多晶硅層內(nèi)注入N型和P型雜質(zhì)，形成所 述NPN三極結(jié)構(gòu)或PNP三極結(jié)構(gòu)；在所述多晶硅層表面淀積形成保護(hù)層；蝕刻所述保護(hù)層 形成引線孔后通過濺射形成電極，所述電極包括相互分離的源電極和柵電極；所述NPN三 極結(jié)構(gòu)和PNP三極結(jié)構(gòu)具體是兩個(gè)N型區(qū)將一個(gè)P型區(qū)夾在中間形成NPN三極結(jié)構(gòu)，或兩 個(gè)P型區(qū)將一個(gè)N型區(qū)夾在中間形成PNP三極結(jié)構(gòu)；所述NPN三極結(jié)構(gòu)和PNP三極結(jié)構(gòu)的 兩端分別與柵電極和源電極接觸。優(yōu)選的，還包括以下步驟在電極表面淀積氮化硅層，并蝕刻所述氮化硅層，在所 述電極表面形成壓焊口。優(yōu)選的，所述垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管是N型場效應(yīng)管所述襯底 為N+襯底，所述外延層為N—外延層，所述阱區(qū)為P型阱區(qū)，所述注入?yún)^(qū)為N+注入?yún)^(qū)，所述保 護(hù)層的成分為磷硅玻璃或硼磷硅玻璃，所述氧化層的成分為二氧化硅。上述靜電釋放結(jié)構(gòu)，通過在MOSFET的柵極和源極之間串聯(lián)NPN或PNP三極結(jié)構(gòu)的 靜電釋放保護(hù)結(jié)構(gòu)，使柵極和源極之間的電勢(shì)差在超過三極結(jié)構(gòu)的擊穿電壓之前，呈現(xiàn)出 絕緣特性；當(dāng)靜電電壓超過擊穿電壓時(shí)，三極結(jié)構(gòu)導(dǎo)通使靜電得到釋放，避免靜電擊穿柵氧 化層對(duì)器件造成損傷。且該靜電釋放保護(hù)結(jié)構(gòu)呈現(xiàn)的是雙向絕緣特性，即無論柵極電位相 對(duì)于源極無論正負(fù)(且柵極和源極電勢(shì)差的絕對(duì)值小于擊穿電壓)均為絕緣狀態(tài)，避免對(duì) 器件的正常工作狀態(tài)造成影響。且只是在傳統(tǒng)工藝的基礎(chǔ)上對(duì)多晶硅摻雜工藝做出改動(dòng)， 操作簡單且成本低。

圖1為一個(gè)實(shí)施例中垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為一個(gè)實(shí)施例中垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管的剖面示意圖；圖3為一個(gè)實(shí)施例中具有靜電釋放保護(hù)結(jié)構(gòu)的垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場 效應(yīng)管的制造方法的流程圖。
具體實(shí)施方式本發(fā)明的靜電釋放(ESD)保護(hù)結(jié)構(gòu)是通過在MOSFET的柵極和源極之間設(shè)置NPN(或PNP)三極結(jié)構(gòu)形成的，即NPN(或PNP)三極結(jié)構(gòu)串聯(lián)在MOSFET的柵極和源極之間。以下通過將ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)應(yīng)用在垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管中 (VDM0SFET)的一個(gè)實(shí)施例來對(duì)本發(fā)明做出清楚的說明。圖1為該實(shí)施例中垂直雙擴(kuò)散金屬 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)圖。垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管包括柵極10，源 極20和漏極30，柵極10和源極20之間設(shè)有ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)40，該ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)40是一個(gè) NPN (或PNP)的三極結(jié)構(gòu)。在優(yōu)選的實(shí)施例中，靜電釋放保護(hù)結(jié)構(gòu)40的三極結(jié)構(gòu)是通過對(duì)VDM0SFET本身的 多晶硅柵極進(jìn)行N型和P型摻雜實(shí)現(xiàn)的。圖2為一個(gè)實(shí)施例中垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管的剖面示意圖。包括 襯底110，襯底110上的外延層120，外延層120內(nèi)的阱區(qū)122，阱區(qū)122內(nèi)的注入?yún)^(qū)124，外 延層120表面的柵氧化層130，柵氧化層130上的多晶硅層，多晶硅層表面的保護(hù)層，以及保 護(hù)層上的電極。多晶硅層包括多晶硅柵極150和多晶硅柵140。保護(hù)層包括多晶硅柵極150表面 的柵極保護(hù)層170和多晶硅柵140表面的柵保護(hù)層160。電極包括相互分離的源電極180 和柵電極190，所述源電極180位于阱區(qū)122上、與注入?yún)^(qū)124接觸且包覆所述多晶硅柵140 和多晶硅柵140表面的柵保護(hù)層160，所述柵電極190位于多晶硅柵極150上且貫穿多晶硅 柵極150表面的柵極保護(hù)層170而與多晶硅柵極150接觸。多晶硅柵極150包括通過摻雜形成的N型區(qū)和P型區(qū)，具體可以是如圖2所示，N 型區(qū)152和N型區(qū)156將P型區(qū)154夾在中間，形成NPN三極結(jié)構(gòu)。在其他實(shí)施例中也可 以是兩個(gè)P型區(qū)將一個(gè)N型區(qū)夾在中間，形成PNP三極結(jié)構(gòu)。NPN(或PNP)三極結(jié)構(gòu)的兩 端分別與柵電極190和源電極180接觸，這樣就形成了串聯(lián)在MOSFET柵極和源極之間的結(jié) 構(gòu)。在優(yōu)選的實(shí)施例中，保護(hù)層的材料采用硼磷硅玻璃(BPSG)或磷硅玻璃(PSG)。在優(yōu)選的實(shí)施例中，可以在電極表面布設(shè)氮化硅層，將器件與外界隔離，起到保護(hù) 作用。柵氧化層130的成分為二氧化硅。當(dāng)上述垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管 為N型場效應(yīng)管時(shí)，襯底110為N+襯底，外延層120為N—外延層，阱區(qū)122為P型阱區(qū)，注 入?yún)^(qū)124為N+注入?yún)^(qū)?？梢酝ㄟ^調(diào)節(jié)多晶硅柵極的摻雜濃度或其他參數(shù)，實(shí)現(xiàn)對(duì)NPN(或PNP)三極結(jié)構(gòu) 的擊穿電壓BVes (此擊穿是可恢復(fù)的)進(jìn)行調(diào)整，以適應(yīng)器件的需要，BVgs應(yīng)小于柵氧化層 的擊穿電壓Vb。具有上述ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的VDM0SFET的制造與傳統(tǒng)的制造工藝相似，只是在淀積多 晶硅層后進(jìn)行多晶硅摻雜時(shí)，既要進(jìn)行P型又要進(jìn)行N型的摻雜。圖3為一個(gè)實(shí)施例中具 有ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的VDM0SFET的制造方法的流程圖。包括下列步驟SlO 在襯底上生長外延層。S20 在外延層上生長氧化層。S30 向外延層內(nèi)注入P型雜質(zhì)形成阱區(qū)。S40 在氧化層上淀積多晶硅層。S50:注入N型和P型雜質(zhì)形成注入?yún)^(qū)和三極結(jié)構(gòu)。具體是在阱區(qū)內(nèi)注入N型雜質(zhì)，形成注入?yún)^(qū)，且在多晶硅層內(nèi)注入N型和P型雜質(zhì)，形成NPN三極結(jié)構(gòu)或PNP三極結(jié)構(gòu)。S60 在多晶硅層表面淀積形成保護(hù)層。S70:蝕刻所述保護(hù)層形成引線孔后通過濺射形成電極，包括相互分離的源電極和 柵電極。在優(yōu)選的實(shí)施例中，還包括在電極表面淀積氮化硅層，并蝕刻氮化硅層，在電極表 面形成壓焊口的步驟。上述氧化層的成分是二氧化硅，保護(hù)層的成分是硼磷硅玻璃(BPSG)或磷硅玻璃 (PSG)。當(dāng)上述垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管為N型場效應(yīng)管時(shí)，襯底為N+襯 底，外延層為N—外延層，阱區(qū)為P型阱區(qū)，注入?yún)^(qū)為N+注入?yún)^(qū)。NPN(或PNP)三極結(jié)構(gòu)具體是兩個(gè)N型區(qū)將一個(gè)P型區(qū)夾在中間形成NPN三極結(jié) 構(gòu)(或兩個(gè)P型區(qū)將一個(gè)N型區(qū)夾在中間形成PNP三極結(jié)構(gòu))。所述NPN (或PNP)三極結(jié) 構(gòu)的兩端分別與柵電極和源電極接觸。上述靜電釋放結(jié)構(gòu)，通過在MOSFET的柵極和源極之間串聯(lián)NPN或PNP三極結(jié)構(gòu)的 靜電釋放保護(hù)結(jié)構(gòu)，使柵極和源極之間的電勢(shì)差在超過三極結(jié)構(gòu)的擊穿電壓之前，呈現(xiàn)出 絕緣特性；當(dāng)靜電電壓超過擊穿電壓時(shí)，三極結(jié)構(gòu)導(dǎo)通使靜電得到釋放，避免靜電擊穿柵氧 化層對(duì)器件造成損傷。且該靜電釋放保護(hù)結(jié)構(gòu)呈現(xiàn)的是雙向絕緣特性，即無論柵極電位相 對(duì)于源極無論正負(fù)(且柵極和源極電勢(shì)差的絕對(duì)值小于擊穿電壓)均為絕緣狀態(tài)，避免對(duì) 器件的正常工作狀態(tài)造成影響。且只是在傳統(tǒng)工藝的基礎(chǔ)上對(duì)多晶硅摻雜工藝做出改動(dòng)， 操作簡單且成本低。以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并 不能因此而理解為對(duì)本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員 來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保 護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種靜電釋放保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述靜電釋放保護(hù)結(jié)構(gòu)串聯(lián)在金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管的柵極和源極之間，所述靜電釋放保護(hù)結(jié)構(gòu)是NPN三極結(jié)構(gòu)或PNP三極結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電釋放保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬氧化物半導(dǎo)體場 效應(yīng)管是垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管，所述NPN三極結(jié)構(gòu)和PNP三極結(jié)構(gòu)是通 過對(duì)所述垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管本身的多晶硅柵極進(jìn)行N型和P型雜質(zhì)的 摻雜實(shí)現(xiàn)的。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的靜電釋放保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述垂直雙擴(kuò)散金屬氧化 物半導(dǎo)體場效應(yīng)管包括襯底，襯底上的外延層，外延層內(nèi)的阱區(qū)，阱區(qū)內(nèi)的注入?yún)^(qū)，外延層 表面的柵氧化層，柵氧化層上的多晶硅層，多晶硅層表面的保護(hù)層，以及保護(hù)層上的電極；所述多晶硅層包括多晶硅柵極和多晶硅柵；所述保護(hù)層包括多晶硅柵極表面的柵極保 護(hù)層和多晶硅柵表面的柵保護(hù)層；所述電極包括源電極和柵電極，所述源電極位于阱區(qū)上、 與注入?yún)^(qū)接觸且包覆所述多晶硅柵和多晶硅柵表面的保護(hù)層，所述柵電極位于多晶硅柵極 上且貫穿多晶硅柵極表面的保護(hù)層而與多晶硅柵極接觸；所述多晶硅柵極包括通過摻雜形成的N型區(qū)和P型區(qū)，具體是兩個(gè)N型區(qū)將一個(gè)P型 區(qū)夾在中間形成NPN三極結(jié)構(gòu)，或兩個(gè)P型區(qū)將一個(gè)N型區(qū)夾在中間形成PNP三極結(jié)構(gòu)；所 述NPN三極結(jié)構(gòu)和PNP三極結(jié)構(gòu)的兩端分別與柵電極和源電極接觸。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的靜電釋放保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述NPN三極結(jié)構(gòu)和PNP三 極結(jié)構(gòu)的擊穿電壓小于所述柵氧化層的擊穿電壓。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的靜電釋放保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電極表面設(shè)有氮化硅層。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的靜電釋放保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述保護(hù)層的成分為磷硅 玻璃或硼磷硅玻璃。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任意一項(xiàng)所述的靜電釋放保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述垂直雙 擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管是N型場效應(yīng)管所述襯底為N+襯底，所述外延層為N—外 延層，所述阱區(qū)為P型阱區(qū)，所述注入?yún)^(qū)為N+注入?yún)^(qū)；所述柵氧化層的成分為二氧化硅。
8.一種具有靜電釋放保護(hù)結(jié)構(gòu)的垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管的制造方法， 包括下列步驟在所述金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管的柵極和源極之間串聯(lián)靜電釋放保護(hù)結(jié) 構(gòu)；所述靜電釋放保護(hù)結(jié)構(gòu)是NPN三極結(jié)構(gòu)或PNP三極結(jié)構(gòu)，所述NPN三極結(jié)構(gòu)和PNP三極 結(jié)構(gòu)是通過對(duì)所述垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管本身的多晶硅柵極進(jìn)行N型和P 型雜質(zhì)的摻雜實(shí)現(xiàn)的；所述制造方法具體包括以下步驟在襯底上生長外延層；在所述外延層上生長氧化層；向所述外延層內(nèi)注入P型雜質(zhì)形成阱區(qū)；在所述氧化層上淀積多晶硅層；摻雜N型和P型雜質(zhì)，形成注入?yún)^(qū)，并形成所述NPN三極結(jié)構(gòu)或PNP三極結(jié)構(gòu)；具體是 在所述阱區(qū)內(nèi)注入N型雜質(zhì)，形成注入?yún)^(qū)，且在多晶硅層內(nèi)注入N型和P型雜質(zhì)，形成所述 NPN三極結(jié)構(gòu)或PNP三極結(jié)構(gòu)；在所述多晶硅層表面淀積形成保護(hù)層；蝕刻所述保護(hù)層形成引線孔后通過濺射形成電極，所述電極包括相互分離的源電極和柵電極；所述NPN三極結(jié)構(gòu)和PNP三極結(jié)構(gòu)具體是兩個(gè)N型區(qū)將一個(gè)P型區(qū)夾在中間形成NPN 三極結(jié)構(gòu)，或兩個(gè)P型區(qū)將一個(gè)N型區(qū)夾在中間形成PNP三極結(jié)構(gòu)；所述NPN三極結(jié)構(gòu)和 PNP三極結(jié)構(gòu)的兩端分別與柵電極和源電極接觸。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的具有靜電釋放保護(hù)結(jié)構(gòu)的垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場 效應(yīng)管的制造方法，其特征在于，還包括以下步驟在電極表面淀積氮化硅層，并蝕刻所述氮化硅層，在所述電極表面形成壓焊口。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的具有靜電釋放保護(hù)結(jié)構(gòu)的垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo) 體場效應(yīng)管的制造方法，其特征在于，所述垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管是N型 場效應(yīng)管所述襯底為N+襯底，所述外延層為N—外延層，所述阱區(qū)為P型阱區(qū)，所述注入?yún)^(qū) 為N+注入?yún)^(qū)；所述保護(hù)層的成分為磷硅玻璃或硼磷硅玻璃，所述氧化層的成分為二氧化硅。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種靜電釋放保護(hù)結(jié)構(gòu)，靜電釋放保護(hù)結(jié)構(gòu)串聯(lián)在金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管的柵極和源極之間，靜電釋放保護(hù)結(jié)構(gòu)是NPN三極結(jié)構(gòu)或PNP三極結(jié)構(gòu)。本發(fā)明還涉及一種具有靜電釋放保護(hù)結(jié)構(gòu)的垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管的制造方法。上述靜電釋放結(jié)構(gòu)，通過在MOSFET的柵極和源極之間串聯(lián)NPN或PNP三極結(jié)構(gòu)的靜電釋放保護(hù)結(jié)構(gòu)，使柵極和源極之間的電勢(shì)差在超過三極結(jié)構(gòu)的擊穿電壓之前，呈現(xiàn)出絕緣特性；當(dāng)靜電電壓超過擊穿電壓時(shí)，三極結(jié)構(gòu)導(dǎo)通使靜電得到釋放，避免靜電擊穿柵氧化層對(duì)器件造成損傷。且該靜電釋放保護(hù)結(jié)構(gòu)呈現(xiàn)的是雙向絕緣特性，即無論柵極電位相對(duì)于源極無論正負(fù)均為絕緣狀態(tài)，避免對(duì)器件的正常工作狀態(tài)造成影響。
文檔編號(hào)H01L29/73GK101901829SQ20101017292
公開日2010年12月1日 申請(qǐng)日期2010年5月7日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月7日
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