專利名稱：電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明關(guān)于一種電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)及其制作方法，尤指一種直接使一第二開(kāi)關(guān)元件的第二漏極與一第一開(kāi)關(guān)元件的柵極電性連接而不需透過(guò)第三導(dǎo)電層作為 橋接線的電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)及其制作方法。
背景技術(shù)：
—MiW (active matrix organic light emitting diode, AMOLED)顯示面板具有多項(xiàng)特性與優(yōu)勢(shì)，例如可利用低溫制造工藝加以制作、可實(shí)現(xiàn)大尺寸 顯示、反應(yīng)時(shí)間快、低電壓、高效率、自發(fā)光與廣視角等，使得它被普遍預(yù)期將成為下一世代 的顯示面板的主流。請(qǐng)參考圖1。圖1繪示了現(xiàn)有有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。 如圖ι所示，有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板的像素結(jié)構(gòu)1包括一薄膜晶體管2，以及一有機(jī)發(fā)光 二極管0LED。薄膜晶體管2為一下柵極型薄膜晶體管，其包括一柵極3、一源極4與一漏極 5，其中薄膜晶體管2的源極4通過(guò)一透明導(dǎo)電層6與有機(jī)發(fā)光二極管OLED電性連接。另 夕卜，像素結(jié)構(gòu)1另包括另一薄膜晶體管(圖未示)，且薄膜晶體管2的柵極3通過(guò)透明導(dǎo)電 層6與另一薄膜晶體管的漏極7電性連接。由于現(xiàn)有有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板的像素結(jié)構(gòu)利用透明導(dǎo)電層橋接一薄膜晶體 管的柵極與另一薄膜晶體管的漏極，因此當(dāng)像素結(jié)構(gòu)應(yīng)用在上發(fā)光式有機(jī)發(fā)光二極管顯示 面板時(shí)，有機(jī)發(fā)光二極管必須避開(kāi)作為橋接線的透明導(dǎo)電層，而造成開(kāi)口率的損失。此外， 在現(xiàn)有有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板的像素結(jié)構(gòu)中，薄膜晶體管做用多晶硅作為半導(dǎo)體通道層 的材料。多晶硅雖然具有高載子移動(dòng)率，但其需利用高溫制造工藝加以制作且具有均勻度 不佳的缺點(diǎn)，因此亦造成了現(xiàn)有有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板制作成本的提升以及應(yīng)用上的限 制。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的之一在于提供一種電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)及其制作方法，以 增加開(kāi)口率。本發(fā)明的一較佳實(shí)施例提供一種電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，包括一基板、一 第一圖案化導(dǎo)電層、一絕緣層、一第二圖案化導(dǎo)電層、一主動(dòng)層、一第一保護(hù)層與一電激發(fā) 光元件。第一圖案化導(dǎo)電層設(shè)置于基板上，其中第一圖案化導(dǎo)電層包括一柵極。絕緣層設(shè)置 于基板及第一圖案化導(dǎo)電層上，其中絕緣層包括至少一第一接觸洞，部分暴露出柵極。第二 圖案化導(dǎo)電層設(shè)置于絕緣層上，其中第二圖案化導(dǎo)電層包括一第一源極與一第一漏極，以 及一第二漏極與絕緣層的第一接觸洞暴露出的柵極電性連接。主動(dòng)層設(shè)置于絕緣層上并分 別與第一源極及第一漏極部分重疊。第一保護(hù)層設(shè)置于第二圖案化導(dǎo)電層與主動(dòng)層上，其 中第一保護(hù)層包括至少一第二接觸洞，部分暴露出第一源極與第一漏極的其中的一者。電 激發(fā)光元件設(shè)置于第一保護(hù)層上，其中電激發(fā)光元件與第一保護(hù)層的第二接觸洞暴露出的第一源極與第一漏極的其中的一者電性連接。本發(fā)明的另一較佳實(shí)施例提供一種制作電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的方法，包 括下列步驟。提供一基板，并于基板上形成一第一圖案化導(dǎo)電層，其中第一圖案化導(dǎo)電層 包括一柵極。于基板及第一圖案化導(dǎo)電層上形成一絕緣層，并于絕緣層內(nèi)形成至少一第一 接觸洞，部分暴露出柵極。于絕緣層上形成一第二圖案化導(dǎo)電層，其中第二圖案化導(dǎo)電層包 括一第一源極與一第一漏極，以及一第二漏極與絕緣層的第一接觸洞暴露出的柵極電性連 接。于絕緣層上形成一主動(dòng)層，其中主動(dòng)層分別與第一源極與第一漏極部分重疊。于第二 圖案化導(dǎo)電層與主動(dòng)層上形成一第一保護(hù)層，并于第一保護(hù)層內(nèi)形成至少一第二接觸洞， 部分暴露出第一源極與第一漏極的其中的一者。于第一保護(hù)層上形成一電激發(fā)光元件，并 使電激發(fā)光元件與該第一保護(hù)層的第二接觸洞暴露出的第一源極與第一漏極的其中的一 者電性連接。本發(fā)明的電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)利用第二薄膜晶體管的第二漏極直接與 第一薄膜晶體管的柵極電性連接，而不需第三導(dǎo)電層作為橋接線，因此可大幅增加電激發(fā) 光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的發(fā)光面積，進(jìn)而提升開(kāi)口率。


圖1繪示了現(xiàn)有有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖2繪示了本發(fā)明的電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)電路示意圖。圖3至圖8繪示了本發(fā)明的第一較佳實(shí)施例的制作電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu) 的示意圖。圖9與圖10繪示了本發(fā)明的第二較佳實(shí)施例的制作電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié) 構(gòu)的示意圖。圖11與圖12繪示了本發(fā)明的第三較佳實(shí)施例的制作電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié) 構(gòu)的示意圖。圖13與圖14繪示了本發(fā)明的第四較佳實(shí)施例的制作電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié) 構(gòu)的示意圖。圖15與圖16繪示了本發(fā)明的第五較佳實(shí)施例的制作電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié) 構(gòu)的示意圖。附圖標(biāo)號(hào)1像素結(jié)構(gòu)2 薄膜晶體管3柵極4 源極5漏極6 透明導(dǎo)電層7漏極OLED有機(jī)發(fā)光二極管10基板12 第一圖案化導(dǎo)電層14絕緣層14H第一接觸洞16主動(dòng)層17 蝕刻停止層18第二圖案化導(dǎo)電層 19蓋層20第一保護(hù)層20H第二接觸洞22第三導(dǎo)電層24 第二保護(hù)層
26電激發(fā)光層28陰極30像素結(jié)構(gòu)40像素結(jié)構(gòu)50像素結(jié)構(gòu)60像素結(jié)構(gòu)70像素結(jié)構(gòu)EL電激發(fā)光元件C儲(chǔ)存電容SL掃描線DL數(shù)據(jù)線Tl第一薄膜晶體管T2第二薄膜晶體管 Gl柵極G2柵極Sl第一源極Dl第一漏極S2第二源極D2第二漏極VddVdd 電壓源Vss Vss電壓源I驅(qū)動(dòng)電流
具體實(shí)施例方式為使熟習(xí)本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的一般技藝者能更進(jìn)一步了解本發(fā)明，下文特列舉 本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的構(gòu)成內(nèi)容及所欲達(dá)成的功效。另 夕卜，在本文的實(shí)施方式中，”第一”與”第二”等用語(yǔ)用以區(qū)別不同的元件或制造工藝，并非 用以限定元件或制造工藝的順序。請(qǐng)參考圖2。圖2繪示了本發(fā)明的電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)電路示意 圖。如圖2所示，本發(fā)明的電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)包括一第一開(kāi)關(guān)元件、一第二開(kāi)關(guān) 元件、一儲(chǔ)存電容C與一電激發(fā)光元件EL。在本實(shí)施例中，第一開(kāi)關(guān)元件與第二開(kāi)關(guān)元件分 別以第一薄膜晶體管Tl與第二薄膜晶體管T2加以實(shí)現(xiàn)，且電激發(fā)光元件EL可為例如一有 機(jī)發(fā)光二極管，但不以此為限。第二薄膜晶體管T2的柵極G2與一掃描線SL電性連接，而 其第二源極S2與第二漏極D2分別與一數(shù)據(jù)線DL與第一薄膜晶體管Tl的柵極Gl以及儲(chǔ) 存電容C的一電極電性連接。第一薄膜晶體管Tl的第一漏極Dl分別與一 Vdd電壓源以及 儲(chǔ)存電容C的另一電極電性連接。電激發(fā)光元件EL的陽(yáng)極與陰極分別與第一薄膜晶體管 Tl的第一源極Sl以及一 Vss電壓源電性連接。于進(jìn)行發(fā)光時(shí)，掃描線SL所提供的一掃描 訊號(hào)會(huì)短暫地開(kāi)啟第二薄膜晶體管T2的柵極G2，此時(shí)數(shù)據(jù)線DL提供的數(shù)據(jù)訊號(hào)會(huì)通過(guò)薄 膜晶體管T2進(jìn)而開(kāi)啟第一薄膜晶體管Tl的柵極G1。當(dāng)?shù)诙∧ぞw管T2的柵極G2關(guān)閉 后，儲(chǔ)存電容C會(huì)發(fā)揮儲(chǔ)存電容的作用維持?jǐn)?shù)據(jù)訊號(hào)的位準(zhǔn)，而使得第一薄膜晶體管Tl的 柵極Gl持續(xù)開(kāi)啟，在此期間內(nèi)Vdd電壓源提供的驅(qū)動(dòng)電流I會(huì)持續(xù)通過(guò)電激發(fā)光元件EL， 以驅(qū)動(dòng)電激發(fā)光元件EL持續(xù)發(fā)光。在本實(shí)施例中，電激發(fā)光元件EL設(shè)置于第一薄膜晶體 管Tl的第一源極S 1以及Vss電壓源之間，但本發(fā)明并不以此配置為限，例如電激發(fā)光元 件EL亦可設(shè)置于第一薄膜晶體管Tl的第一漏極Dl以及Vdd電壓源之間。請(qǐng)參考圖3至圖8，并一并參考圖2。圖3至圖8繪示了本發(fā)明的第一較佳實(shí)施例 的制作電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的示意圖。如圖3所示，首先，提供一基板10?；?0 可為一透明基板，但不以此為限。接著于基板10上形成一第一導(dǎo)電層，例如一金屬層，但不 以此為限。隨后，進(jìn)行一第一圖案化制造工藝，例如一第一微影蝕刻制造工藝(photolitho graphy-and-etchingprocess, PEP)，對(duì)第一導(dǎo)電層進(jìn)行圖案化以形成一第一圖案化導(dǎo)電層 12。第一圖案化導(dǎo)電層12包括柵極Gl與柵極G2 (圖3未示)，其中柵極Gl作為第一薄膜晶體管Tl的柵極，而柵極G2作為第二薄膜晶體管T2的柵極。如圖4所示，隨后于基板10及第一圖案化導(dǎo)電層12上形成一絕緣層14，并進(jìn)行一 第二圖案化制造工藝，例如一第二微影蝕刻制造工藝，對(duì)絕緣層14進(jìn)行圖案化以于絕緣層 14內(nèi)形成至少一第一接觸洞14H，其中第一接觸洞14H部分暴露出柵極G1。絕緣層14可為 各式絕緣材料，例如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅等，但不以此為限。如圖5所示，接著于絕緣 層14上形成一半導(dǎo)體層，并進(jìn)行一第三圖案化制造工藝，例如一第三微影蝕刻制造工藝， 對(duì)半導(dǎo)體層進(jìn)行圖案化以形成一主動(dòng)層16，其中主動(dòng)層16作為第一薄膜晶體管Tl的通道， 且在本實(shí)施例中，主動(dòng)層16的材質(zhì)可選用金屬氧化物，例如銦鎵錫氧化物(In-Ga-Zn-0， IGZ0)、銦鋅氧化物(Ιη-Ζη-0，ΙΖ0)、氧化鋅(ZnO)或上述材料的混合物，其具有可利用低溫 制造工藝加以制作、載子移動(dòng)率高、均勻性佳與透光等優(yōu)點(diǎn)，但并不以此為限。舉例而言，主 動(dòng)層16的材料亦可為非晶半導(dǎo)體(例 如非晶硅)、多晶半導(dǎo)體(例如多晶硅)、微晶半導(dǎo)體 (例如微晶硅)等。如圖6所示，接著于絕緣層14與主動(dòng)層16上形成一第二導(dǎo)電層，例如一金屬層， 但不以此為限。隨后，進(jìn)行一第四圖案化制造工藝，例如一第四微影蝕刻制造工藝，對(duì)第二 導(dǎo)電層進(jìn)行圖案化以形成一第二圖案化導(dǎo)電層18。第二圖案化導(dǎo)電層18包括一第一源極 Si、一第一漏極D1、一第二源極S2(圖6未示)與一第二漏極D2。第一源極Sl與第一漏極 Dl作為第一薄膜晶體管Tl的源極與漏極，第二源極S2與第二漏極D2作為第二薄膜晶體管 T2的源極與漏極，且第一源極Sl與第一漏極Dl分別覆蓋于主動(dòng)層16的上表面，并分別與 主動(dòng)層16部分重疊。在本實(shí)施例中，第二薄膜晶體管T2的第二漏極D2經(jīng)由絕緣層14的 第一接觸洞14H與暴露出的第一薄膜晶體管Tl的柵極Gl電性連接，藉此可形成如圖2所 示的第一薄膜晶體管Tl與第二薄膜晶體管T2的電性連接關(guān)系。在本實(shí)施例中，第二漏極 D2填入絕緣層14的第一接觸洞14H而直接與柵極Gl電性連接，但不以此為限。舉例而言， 于形成第二漏極D2之前，可先于絕緣層14的第一接觸洞14H內(nèi)填入另一導(dǎo)電層作為連接 插塞(圖未示)，并使后續(xù)形成的第二漏極D2通過(guò)連接插塞與柵極Gl電性連接。如圖7所示，接著于第二圖案化導(dǎo)電層18與主動(dòng)層16上形成一第一保護(hù)層20，并 進(jìn)行一第五圖案化制造工藝，例如一第五微影蝕刻制造工藝，對(duì)第一保護(hù)層20進(jìn)行圖案化 以于第一保護(hù)層20內(nèi)形成至少一第二接觸洞20H，其中第二接觸洞20H部分暴露出第一源 極Sl與第一漏極Dl的其中的一者。本實(shí)施例以第二接觸洞20H部分暴露出第一源極Sl為 例，但并不以此為限，例如若電激發(fā)光元件EL設(shè)置于第一薄膜晶體管Tl的第一漏極Dl以 及Vdd電壓源之間，則第二接觸洞20H部分暴露出第一漏極D1。第一保護(hù)層20可為單層或 多層結(jié)構(gòu)，且其材料可為無(wú)機(jī)材料、有機(jī)材料或無(wú)機(jī)/有機(jī)混合材料。值得說(shuō)明的是若第一 保護(hù)層20選用感旋光性有機(jī)材料，則第五圖案化制造工藝可利用曝光顯影制造工藝加以 實(shí)現(xiàn)，而不需使用蝕刻制造工藝加以實(shí)現(xiàn)。如圖8所示，于第一保護(hù)層20上形成一第三導(dǎo)電層22，并進(jìn)行一第六圖案化制造 工藝，例如一第六微影蝕刻制造工藝，對(duì)第三導(dǎo)電層22進(jìn)行圖案化。第三導(dǎo)電層22可為各 式透明導(dǎo)電材料，例如氧化銦錫，或是非透明導(dǎo)電材料，例如金屬材料。第三導(dǎo)電層22作為 電激發(fā)光元件的陽(yáng)極，且第三導(dǎo)電層22填入第二接觸洞20H內(nèi)并與第一薄膜晶體管Tl的 第一源極Sl或第一漏極Dl的其中一者電性連接。在本實(shí)施例中，第三導(dǎo)電層22與第二接 觸洞20H暴露出第一源極Sl電性連接，但并不以此為限。隨后，于第一保護(hù)層20與第三導(dǎo)電層22上形成一第二保護(hù)層24，并進(jìn)行一第七圖案化制造工藝，例如一第七微影蝕刻制造 工藝，對(duì)第二保護(hù)層24進(jìn)行圖案化以至少暴露出部分第三導(dǎo)電層22。第二保護(hù)層24可為 單層或多層結(jié)構(gòu)，且其材料可為無(wú)機(jī)材料、有機(jī)材料或無(wú)機(jī)/有機(jī)混合材料。值得說(shuō)明的是 若第二保護(hù)層24選用感旋光性有機(jī)材料，則第五圖案化制造工藝可利用曝光顯影制造工 藝加以實(shí)現(xiàn)，而不需使用蝕刻制造工藝加以實(shí)現(xiàn)。接著，再于暴露出的第三導(dǎo)電層22上依 序形成一電激發(fā)光層26 (例如一有機(jī)發(fā)光層)與一陰極28，其中第三導(dǎo)電層22為陽(yáng)極，其 與電激發(fā)光層26以及陰極28構(gòu)成電激發(fā)光元件EL。為了提升發(fā)光效率，在形成電激發(fā)光 層26之前，可先于第三導(dǎo)電層22上形成例如電洞注入層與電洞傳輸層等膜層，且在形成陰 極28之前，可先于電激發(fā)光層26上形成電子傳輸層與電子注入層等膜層。通過(guò)上述步驟， 即可制作出本實(shí)施例的電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)30，如圖8所示。本實(shí)施例的電激發(fā)光顯示面板為一上發(fā)光型電激發(fā)光顯示面板，且由于 第二薄膜 晶體管T2的第二漏極D2經(jīng)由絕緣層14的第一接觸洞14H與暴露出的第一薄膜晶體管Tl 的柵極Gl電性連接，而非利用第三導(dǎo)電層22來(lái)橋接第二漏極D2與柵極G1，因此電激發(fā)光 元件EL的范圍可延伸至第一薄膜晶體管Tl的上方。在此狀況下，電激發(fā)光元件EL可至少 部份重疊于第一源極Sl與第一漏極D1，或完全覆蓋于第一源極Sl與第一漏極Dl的上方， 且電激發(fā)光元件EL亦可至少部分重疊于絕緣層14的第一接觸洞14H，或完全覆蓋于絕緣 層14的第一接觸洞14H的上方，藉此可大幅地增加電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)30的發(fā) 光面積，進(jìn)而提升開(kāi)口率。本發(fā)明的電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)并不以上述實(shí)施例為限。下文將依序介紹 本發(fā)明的其它較佳實(shí)施例的電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)及其制作方法，且為了便于比較 各實(shí)施例的相異處并簡(jiǎn)化說(shuō)明，在下文的各實(shí)施例中使用相同的符號(hào)標(biāo)注相同的元件，且 主要針對(duì)各實(shí)施例的相異處進(jìn)行說(shuō)明，而不再對(duì)重復(fù)部分進(jìn)行贅述。請(qǐng)參考圖9與圖10，并一并參考圖2至圖5。圖9與圖10繪示了本發(fā)明的第二較 佳實(shí)施例的制作電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的示意圖，其中圖9與圖10接續(xù)圖3至圖5 所示的步驟之后進(jìn)行。如圖9所示，于絕緣層14上形成主動(dòng)層16之后，接著于絕緣層14與 主動(dòng)層16上形成一蝕刻停止層17，并進(jìn)行一第八圖案化制造工藝，例如一第八微影蝕刻制 造工藝，對(duì)蝕刻停止層17進(jìn)行圖案化，以去除部分蝕刻停止層17，藉此使得蝕刻停止層17 僅部分覆蓋主動(dòng)層16的上表面。蝕刻停止層17的材料可為各式介電材料，例如氮化硅，但 不以此為限。蝕刻停止層17的作用在于保護(hù)主動(dòng)層16，藉此避免主動(dòng)層16于后續(xù)圖案化 第二導(dǎo)電層的過(guò)程中受損。如圖10所示，接著形成第二圖案化導(dǎo)電層18，其中第二圖案化 導(dǎo)電層18的第一源極Sl與第一漏極Dl分別部分覆蓋蝕刻停止層17的上表面。隨著，依 序形成第一保護(hù)層20、第三導(dǎo)電層22、第二保護(hù)層24與電激發(fā)光元件EL，即制作出本實(shí)施 例的電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)40。請(qǐng)參考圖11與圖12，并一并參考圖2至圖5。圖11與圖12繪示了本發(fā)明的第三 較佳實(shí)施例的制作電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的示意圖，其中圖11與圖12接續(xù)圖3至 圖5所示的步驟之后進(jìn)行。如圖11所示，與前述第二較佳實(shí)施例不同之處在于，在本實(shí)施 例中，蝕刻停止層17不僅覆蓋主動(dòng)層16的上表面，并一并覆蓋主動(dòng)層16的兩側(cè)表面與部 分絕緣層14，且暴露出絕緣層14的第一接觸洞14H。如圖12所示，接著形成第二圖案化導(dǎo) 電層18，其中第二圖案化導(dǎo)電層18的第一源極Sl與第一漏極Dl分別部分覆蓋蝕刻停止層17的上表面。隨著，依序形成第一保護(hù)層20、第三導(dǎo)電層22、第二保護(hù)層24與電激發(fā)光元件EL，即制作出本實(shí)施例的電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)50。請(qǐng)參考圖13與圖14，并一并參考圖2至圖4。圖13與圖14繪示了本發(fā)明的第四 較佳實(shí)施例的制作電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的示意圖，其中圖13與圖14接續(xù)圖3至 圖4所示的步驟之后進(jìn)行。如圖13所示，于形成絕緣層14之后，接著于絕緣層14上形成 一第二導(dǎo)電層，例如一金屬層，但不以此為限。隨后，進(jìn)行一第三圖案化制造工藝，例如一第 三微影蝕刻制造工藝，對(duì)第二導(dǎo)電層進(jìn)行圖案化以形成一第二圖案化導(dǎo)電層18。第二圖案 化導(dǎo)電層18包括一第一源極Si、一第一漏極D1、一第二源極S2 (圖13未示)與一第二漏 極D2。第一源極Sl與第一漏極Dl作為第一薄膜晶體管Tl的源極與漏極，第二源極S2與 第二漏極D2作為第二薄膜晶體管T2的源極與漏極。在本實(shí)施例中，第二薄膜晶體管T2的 第二漏極D2經(jīng)由絕緣層14的第一接觸洞14H與暴露出的第一薄膜晶體管Tl的柵極Gl電 性連接，藉此可形成如圖2所示的第一薄膜晶體管Tl與第二薄膜晶體管T2的電性連接關(guān) 系。隨后，于絕緣層14與第二圖案化導(dǎo)電層18上形成一半導(dǎo)體層，并進(jìn)行一第四圖案化制 造工藝，例如一第四微影蝕刻制造工藝，對(duì)半導(dǎo)體層進(jìn)行圖案化以形成一主動(dòng)層16，其中主 動(dòng)層16分別至少與第一源極Sl與第一漏極Dl部分重疊。如圖14所示，隨后依序于絕緣 層14、主動(dòng)層16與第二圖案化導(dǎo)電層18上形成第一保護(hù)層20、第三導(dǎo)電層22、第二保護(hù)層 24與電激發(fā)光元件EL，即制作出本實(shí)施例的電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)60。請(qǐng)參考圖15與圖16，并一并參考圖2至圖4。圖15與圖16繪示了本發(fā)明的第五 較佳實(shí)施例的制作電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的示意圖，其中圖15與圖16接續(xù)圖3至 圖4所示的步驟之后進(jìn)行。如圖15所示，于形成絕緣層14之后，接著于絕緣層14上形成一 第二導(dǎo)電層，例如一金屬層，但不以此為限。隨后，進(jìn)行一第三圖案化制造工藝，例如一第三 微影蝕刻制造工藝，對(duì)第二導(dǎo)電層進(jìn)行圖案化以形成一第二圖案化導(dǎo)電層18。第二圖案化 導(dǎo)電層18包括一第一源極Si、一第一漏極D1、一第二源極S2 (圖15未示)與一第二漏極 D2。第一源極Sl與第一漏極Dl作為第一薄膜晶體管Tl的源極與漏極，第二源極S2與第 二漏極D2作為第二薄膜晶體管T2的源極與漏極。在本實(shí)施例中，第二薄膜晶體管T2的第 二漏極D2經(jīng)由絕緣層14的第一接觸洞14H與暴露出的第一薄膜晶體管Tl的柵極Gl電性 連接，藉此可形成如圖1所示的第一薄膜晶體管Tl與第二薄膜晶體管T2的電性連接關(guān)系。 隨后，依序于絕緣層14與第二圖案化導(dǎo)電層18上形成一半導(dǎo)體層，以及于半導(dǎo)體層的上表 面形成一蓋層(cap layer)19，并進(jìn)行一第四圖案化制造工藝，例如一第四微影蝕刻制造工 藝，對(duì)半導(dǎo)體層與蓋層19進(jìn)行圖案化以形成一主動(dòng)層16，以及使蓋層19對(duì)應(yīng)主動(dòng)層16，其 中主動(dòng)層16分別至少與第一源極Sl與第一漏極Dl部分重疊。蓋層19的材料可為各式介 電材料，例如氮化硅，但不以此為限。蓋層19的作用在隔絕水氣以及控制薄膜晶體管Tl的 電性特性，例如電流與電壓的關(guān)系。在本實(shí)施例中，蓋層19與主動(dòng)層16利用同一圖案化制 造工藝制作，因此蓋層19與主動(dòng)層16具有相同的圖案，但本發(fā)明的應(yīng)用并不以此為限。舉 例而言，蓋層19與主動(dòng)層16亦可分別利用不同的圖案化制造工藝制作，藉此蓋層19與主 動(dòng)層16可具有不同的圖案，例如蓋層19可進(jìn)一步包覆主動(dòng)層16的兩側(cè)表面。如圖16所 示，隨后依序于絕緣層14、蓋層19與第二圖案化導(dǎo)電層18上形成第一保護(hù)層20、第三導(dǎo)電 層22、第二保護(hù)層24與電激發(fā)光元件EL，即制作出本實(shí)施例的電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié) 構(gòu)70。
綜上所述，本發(fā)明的電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)利用第二薄膜晶體管的第二漏 極直接與第一薄膜晶體管的柵極電性連接，而不需第三導(dǎo)電層作為橋接線，因此可大幅增 加電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)30的發(fā)光面積，進(jìn)而提升開(kāi)口率。此外，本發(fā)明的電激發(fā) 光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)可使用金屬氧化物作為薄膜晶體管的主動(dòng)層的材料，因此具有可利 用低溫制造工藝加以制作、載子移動(dòng)率高、均勻性佳與透光等優(yōu)點(diǎn)。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求 范圍所做的均等變化與 修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
一種電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的像素結(jié)構(gòu)包括一基板；一第一圖案化導(dǎo)電層，設(shè)置于所述的基板上，其中所述的第一圖案化導(dǎo)電層包括一柵極；一絕緣層，設(shè)置于所述的基板及所述的第一圖案化導(dǎo)電層上，其中所述的絕緣層包括至少一第一接觸洞，部分暴露出所述的柵極；一第二圖案化導(dǎo)電層，設(shè)置于所述的絕緣層上，其中所述的第二圖案化導(dǎo)電層包括一第一源極與一第一漏極，以及一第二漏極與所述的絕緣層的所述的第一接觸洞暴露出的所述的柵極電性連接；一主動(dòng)層，設(shè)置于所述的絕緣層上并分別與所述的第一源極及所述的第一漏極部分重疊；一第一保護(hù)層，設(shè)置于所述的第二圖案化導(dǎo)電層與所述的主動(dòng)層上，其中所述的第一保護(hù)層包括至少一第二接觸洞，部分暴露出所述的第一源極與所述的第一漏極的其中的一者；以及一電激發(fā)光元件，設(shè)置于所述的第一保護(hù)層上，其中所述的電激發(fā)光元件與所述的第一保護(hù)層的所述的第二接觸洞暴露出的所述的第一源極與所述的第一漏極的其中的一者電性連接。
2.如權(quán)利要求1所述的電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中所述的第一 源極與所述的第一漏極分別部分覆蓋于主動(dòng)層的一上表面。
3.如權(quán)利要求2所述的電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的像素結(jié)構(gòu) 另包括一蝕刻停止層，部分覆蓋所述的主動(dòng)層的所述的上表面，且所述的第一源極與所述 的第一漏極分別部分覆蓋所述的蝕刻停止層的一上表面。
4.如權(quán)利要求3所述的電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中所述的蝕刻 停止層另覆蓋所述的主動(dòng)層的兩側(cè)表面以及所述的絕緣層的一上表面。
5.如權(quán)利要求1所述的電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中所述的主動(dòng) 層分別部分覆蓋所述的第一源極與所述的第一漏極的一上表面。
6.如權(quán)利要求5所述的電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的像素結(jié)構(gòu) 另包括一蓋層，覆蓋所述的主動(dòng)層的一上表面。
7.如權(quán)利要求6所述的電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中所述的蓋層 另包覆所述的主動(dòng)層的兩側(cè)表面。
8.如權(quán)利要求6所述的電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中所述的蓋層 包括一氧化硅層、一氮化硅層或一氮氧化硅層。
9.如權(quán)利要求1所述的電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中所述的主動(dòng) 層包括一金屬氧化物。
10.如權(quán)利要求9所述的電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中所述的金屬 氧化物包括銦鎵錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化鋅或上述材料的混合物。
11.如權(quán)利要求9所述的電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中所述的金屬 氧化物包括一非晶金屬氧化物。
12.如權(quán)利要求1所述的電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中部分所述的電激發(fā)光元件至少部分重疊于所述的絕緣層的所述的第一接觸洞。
13.如權(quán)利要求1所述的電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中部分所述的 電激發(fā)光元件與所述的第一源極及所述的第一漏極至少部分重疊。
14.一種制作電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，所述的方法包括 提供一基板；于所述的基板上形成一第一圖案化導(dǎo)電層，其中所述的第一圖案化導(dǎo)電層包括一柵極；于所述的基板及所述的第一圖案化導(dǎo)電層上形成一絕緣層，并于所述的絕緣層內(nèi)形成 至少一第一接觸洞，部分暴露出所述的柵極；于所述的絕緣層上形成一第二圖案化導(dǎo)電層，其中所述的第二圖案化導(dǎo)電層包括一第 一源極與一第一漏極，以及一第二漏極與所述的絕緣層的所述的第一接觸洞暴露出的所述 的柵極電性連接；于所述的絕緣層上形成一主動(dòng)層，其中所述的主動(dòng)層分別與所述的第一源極與所述的第一漏極部分重疊；于所述的第二圖案化導(dǎo)電層與所述的主動(dòng)層上形成一第一保護(hù)層，并于所述的第一保 護(hù)層內(nèi)形成至少一第二接觸洞，部分暴露出所述的第一源極與所述的第一漏極的其中的一 者；以及于所述的第一保護(hù)層上形成一電激發(fā)光元件，并使所述的電激發(fā)光元件與所述的第一 保護(hù)層的所述的第二接觸洞暴露出的所述的第一源極與所述的第一漏極的其中的一者電 性連接。
15.如權(quán)利要求14所述的制作電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，其 中形成所述的第二圖案化導(dǎo)電層的步驟于形成所述的主動(dòng)層的步驟之后進(jìn)行，且所述的第 一源極與所述的第一漏極分別部分覆蓋于主動(dòng)層的一上表面。
16.如權(quán)利要求15所述的制作電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，所 述的方法另包括于形成所述的第二圖案化導(dǎo)電層之前，先形成一蝕刻停止層部分覆蓋所述 的主動(dòng)層的所述的上表面，其中所述的第一源極與所述的第一漏極分別部分覆蓋所述的蝕 刻停止層的一上表面。
17.如權(quán)利要求16所述的制作電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，其 中所述的蝕刻停止層另覆蓋所述的主動(dòng)層的兩側(cè)表面以及所述的絕緣層的一上表面。
18.如權(quán)利要求14所述的制作電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，其 中形成所述的主動(dòng)層的步驟于形成所述的第二圖案化導(dǎo)電層的步驟之后進(jìn)行，且所述的主 動(dòng)層分別部分覆蓋所述的第一源極與所述的第一漏極的一上表面。
19.如權(quán)利要求18所述的制作電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，所 述的方法另包括于形成所述的第一保護(hù)層之前，先形成一蓋層覆蓋所述的主動(dòng)層的一上表 面。
20.如權(quán)利要求19所述的制作電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，其 中所述的蓋層另包覆所述的主動(dòng)層的兩側(cè)表面。
21.如權(quán)利要求14所述的制作電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，其 中部分所述的電激發(fā)光元件至少部分重疊于所述的絕緣層的所述的第一接觸洞。
22.如權(quán)利要求14所述的制作電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，其 中部分所述的電激發(fā)光元件與所述的第一源極及所述的第一漏極至少部分重疊。
全文摘要
本發(fā)明是關(guān)于一種電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)及其制作方法，所述的像素結(jié)構(gòu)包括一基板、一第一圖案化導(dǎo)電層、一絕緣層、一第二圖案化導(dǎo)電層、一主動(dòng)層、一第一保護(hù)層與一電激發(fā)光元件。第一圖案化導(dǎo)電層包括一柵極。絕緣層設(shè)置于基板及第一圖案化導(dǎo)電層上，其中絕緣層包括至少一第一接觸洞，部分暴露出柵極。第二圖案化導(dǎo)電層設(shè)置于絕緣層上，其中第二圖案化導(dǎo)電層包括一第一源極與一第一漏極，以及一第二漏極與絕緣層的第一接觸洞暴露出的柵極電性連接。
文檔編號(hào)H01L27/32GK101819990SQ201010167348
公開(kāi)日2010年9月1日 申請(qǐng)日期2010年4月23日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月23日
發(fā)明者蔡宗廷, 謝信弘 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司