專利名稱：射頻ldmos器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
射頻LDMOS是一種應(yīng)用于通訊領(lǐng)域的功率器件。該器件因?yàn)樾枰ù箅娏?，在設(shè)計(jì)時(shí)需要考慮散熱及降低電阻的要求。請(qǐng)參閱圖1，這是現(xiàn)有的射頻LDMOS器件的簡(jiǎn)單示意圖。硅襯底10上具有外延層11，外延層11中具有摻雜載流子通路13。外延層11就是淀積的單晶硅。摻雜載流子通路13就是具有摻雜的單晶硅，其中所摻雜的雜質(zhì)作為載流子。 外延層11之上具有柵氧化層14及其上方的柵極15。外延層11中具有阱20，阱20在柵極 15的下方。外延層11之上且在柵極15的兩側(cè)分別是源極181和漏極182。摻雜載流子通路13中具有重?fù)诫s源區(qū)171，源極181在摻雜載流子通路13和源區(qū)171的上方。外延層 11中還具有重?fù)诫s漏區(qū)172，漏極182在漏區(qū)172的上方。柵極15和漏極182之間區(qū)域的外延層11中還具有漂移區(qū)16。由于射頻LDMOS器件需要進(jìn)行高壓應(yīng)用，因此需要較厚的外延層?，F(xiàn)有的射頻 LDMOS器件的外延層11和摻雜載流子通路13是通過多次外延生長(zhǎng)、多次高摻雜的離子注入和多次高溫?zé)嵬嘶鸸に囆纬傻?。?qǐng)參閱圖2a，這是在硅襯底10上第一次生長(zhǎng)外延層11a， 然后第一次進(jìn)行高摻雜的離子注入形成離子注入?yún)^(qū)12a。請(qǐng)參閱圖2b，這是將圖加所示硅片經(jīng)過高溫?zé)嵬嘶鸸に嚭螅谝淮坞x子注入?yún)^(qū)1 變?yōu)榈谝徊糠值膿诫s載流子通路13a。如此重復(fù)地進(jìn)行外延生長(zhǎng)、離子注入、高溫?zé)嵬嘶鸸に?，直至總的外延層厚度達(dá)到要求。由于采用多次外延生長(zhǎng)、離子注入和高溫?zé)嵬嘶鸬墓に嚕沟矛F(xiàn)有的射頻LDMOS 的制造工藝較為復(fù)雜。為了使結(jié)深達(dá)到較深的要求，需要進(jìn)行高劑量、高能量的離子注入， 這對(duì)于離子注入機(jī)臺(tái)的要求很高，并且離子注入的工藝時(shí)間也很長(zhǎng)。對(duì)于η型或P型的 LDMOS而言，摻雜載流子通路13中的載流子類型不同，還需要分別進(jìn)行離子注入。此外，所摻雜的離子經(jīng)過多次高溫?zé)嵬嘶鸸に嚭?，?huì)出現(xiàn)較為嚴(yán)重的橫向擴(kuò)散，導(dǎo)致了射頻LDMOS 器件的橫向尺寸較大，從而增加了器件面積，限制了器件頻率和功率的提升。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種小面積、高頻率、高功率的射頻LDMOS器件。為此，本發(fā)明還要提供所述射頻LDMOS器件的制造方法。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明射頻LDMOS器件為硅襯底10上具有外延層11，外延層11中具有低阻通道22 ；所述低阻通道22或者是有摻雜的多晶硅，或者是金屬；外延層11之上具有柵氧化層14及其上方的柵極15 ；外延層11中具有阱20，阱20在柵極15的下方；外延層11之上且在柵極15的兩側(cè)分別是源極181和漏極182 ；外延層11和低阻通道22中具有重?fù)诫s源區(qū)171，源極181在低阻通道22和源區(qū) 171的上方；
外延層11中還具有重?fù)诫s漏區(qū)172，漏極182在漏區(qū)172的上方；柵極15和漏極182之間區(qū)域的外延層11中還具有漂移區(qū)16。本發(fā)明射頻LDMOS器件的制造方法包括如下步驟第1步，在硅襯底10上生長(zhǎng)一層外延層11 ；第2步，在外延層11之上淀積一層氧化硅；第3步，采用光刻工藝暴露出低阻通道的刻蝕窗口 ；第4步，采用刻蝕工藝對(duì)刻蝕窗口中的氧化硅、外延層11進(jìn)行刻蝕，直至刻蝕掉部分的硅襯底10才停止刻蝕，此時(shí)在硅片上形成一個(gè)溝槽；第5步，在硅片表面淀積一層有摻雜的多晶硅或金屬，至少將第4步形成的溝槽填充滿；第6步，對(duì)硅片表面進(jìn)行干法反刻工藝或化學(xué)機(jī)械研磨工藝，將硅片表面所淀積的多晶硅或金屬研磨至與氧化硅表面齊平，此時(shí)僅有第4步形成的溝槽處具有多晶硅或金屬，即為低阻通道22;第7步，去除硅片表面的氧化硅；第8步，在硅片表面熱氧化生長(zhǎng)或淀積一層氧化硅，再淀積一層多晶硅，刻蝕該多晶硅和氧化硅形成柵氧化層14和多晶硅柵極15 ；第9步，在多晶硅柵極15 —側(cè)下方的外延層11進(jìn)行輕摻雜離子注入，形成漂移區(qū) 16 ；第10步，在多晶硅柵極15另一側(cè)下方的外延層11進(jìn)行重?fù)诫s離子注入，形成源區(qū)171 ；同時(shí)在漂移區(qū)16外側(cè)的外延層11中進(jìn)行重?fù)诫s離子注入，形成漏區(qū)172 ；第11步，在硅片表面淀積一層多晶硅，刻蝕后形成源極181和漏極182 ；其中源極 181在低阻通道22和源區(qū)171的上方，漏極182在漏區(qū)172的上方。本發(fā)明射頻LDMOS器件，利用低阻通道取代了傳統(tǒng)的摻雜載流子通道。該低阻通道例如是CMOS工藝中的鎢塞或其他金屬塞，連接硅襯底和源極，一方面是低電阻的電流通道，另一方面是高性能的散熱通道。低阻通道的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，有利于提高射頻LDMOS器件的工作頻率和功率。本發(fā)明射頻LDMOS器件的制造方法，省去了高溫?zé)嵬嘶鸸に嚕环矫婀?jié)省了工藝成本，另一方面低阻通道即使采用有摻雜的多晶硅，其中摻雜的離子也不會(huì)產(chǎn)生橫向擴(kuò)散， 從而使得器件結(jié)構(gòu)可以作小。


圖1是現(xiàn)有的射頻LDMOS器件的結(jié)構(gòu)示意圖；圖加 圖2b是圖1中外延層和摻雜載流子通路的制造方法的示意圖；圖3是本發(fā)明射頻LDMOS器件的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4a、圖4b是本發(fā)明射頻LDMOS器件的制造方法的兩個(gè)實(shí)施例的流程圖。圖中附圖標(biāo)記說明10為硅襯底；11為外延層；Ila為第一次生長(zhǎng)的外延層；1 為第一次離子注入?yún)^(qū)；13為摻雜載流子通路；13a為第一次高溫?zé)嵬嘶鹦纬傻牟糠謸诫s載流子通路；14為柵氧化層；15為柵極；16為漂移區(qū)；171為重?fù)诫s源區(qū)；172為重?fù)诫s漏區(qū)；181為源極；182為漏極；20為阱；22為低阻通道。
具體實(shí)施例方式請(qǐng)參閱圖3，本發(fā)明射頻LDMOS器件的結(jié)構(gòu)為硅襯底10上具有外延層11，外延層 11中具有低阻通道22。外延層11就是淀積的單晶硅。低阻通道22或者是有摻雜的多晶硅，其中所摻雜的雜質(zhì)作為載流子；或者是金屬。外延層11之上具有柵氧化層14及其上方的柵極15。外延層11中具有阱20，阱20在柵極15的下方。外延層11之上且在柵極15 的兩側(cè)分別是源極181和漏極182。外延層11和低阻通道22中具有重?fù)诫s源區(qū)171，源極 181在低阻通道22和源區(qū)171的上方。外延層11中還具有重?fù)诫s漏區(qū)172，漏極182在漏區(qū)172的上方。柵極15和漏極182之間區(qū)域的外延層11中還具有漂移區(qū)16。與傳統(tǒng)的射頻LDMOS器件相比，本發(fā)明采用低阻通道22的結(jié)構(gòu)取代了現(xiàn)有的摻雜載流子通路13的結(jié)構(gòu)。該低阻通道22的一端在硅襯底10的上表面或硅襯底10中，另一端在源極181的下表面，低阻通道22連接硅襯底10和源極181。顯然，該低阻通道22的厚度大于或等于外延層11的厚度。本發(fā)明中載流子通路依次是漏區(qū)172、漂移區(qū)16、阱20，源區(qū)171、低阻通道22、硅襯底10。該低阻通道優(yōu)選為金屬，其次可以采用有摻雜的多晶硅。當(dāng)采用金屬低阻通道時(shí)， 顯然其電阻比摻雜的單晶硅低，并顯然具有更佳的散熱效果，并且可同時(shí)適用于η型和P型 LDMOS0典型的金屬低阻通道例如為CMOS工藝中的鎢塞或銅、鋁、金等。與傳統(tǒng)射頻LDMOS 器件中的摻雜載流子通道(有摻雜的單晶硅)相比，在相同的尺寸下，本發(fā)明的器件頻率和功率都可以做高。請(qǐng)參閱圖4a，本發(fā)明射頻LDMOS器件的制造方法的第一實(shí)施例為第1步，在硅襯底10上生長(zhǎng)一層外延層11，即在硅襯底10表面淀積一層單晶硅 11。第2步，在外延層11之上淀積一層氧化硅。第3步，采用光刻工藝暴露出低阻通道的刻蝕窗口。具體而言是在硅片表面旋涂光刻膠，然后曝光、顯影，暴露出硅片上準(zhǔn)備形成低阻通道的區(qū)域，硅片其余區(qū)域的表面仍然由光刻膠所覆蓋。第4步，采用刻蝕工藝對(duì)刻蝕窗口中的氧化硅、外延層11和/或硅襯底10進(jìn)行刻蝕，此時(shí)在硅片上形成一個(gè)溝槽，溝槽位置即準(zhǔn)備形成低阻通道的區(qū)域。第5步，在硅片表面淀積一層有摻雜的多晶硅或金屬，至少將第4步形成的溝槽填充滿。第6步，對(duì)硅片表面進(jìn)行干法反刻工藝或化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)工藝，將硅片表面所淀積的多晶硅或金屬研磨至與氧化硅表面齊平。此時(shí)僅有第4步形成的溝槽處具有多晶硅或金屬，即為低阻通道22。第7步，去除第2步在硅片表面所淀積的氧化硅，例如使用干法反刻工藝去除。第8步，在硅片表面熱氧化生長(zhǎng)或淀積一層氧化硅，再淀積一層多晶硅，刻蝕該多晶硅和氧化硅形成柵氧化層14和多晶硅柵極15。第9步，在多晶硅柵極15 —側(cè)下方的外延層11進(jìn)行輕摻雜離子注入，形成漂移區(qū) 16。
第10步，在多晶硅柵極15另一側(cè)下方的外延層11進(jìn)行重?fù)诫s離子注入，形成源區(qū)171 ；同時(shí)在漂移區(qū)16外側(cè)的外延層11中進(jìn)行重?fù)诫s離子注入，形成漏區(qū)172。第11步，在硅片表面淀積一層多晶硅，刻蝕后形成源極181和漏極182。其中源極 181在低阻通道22和源區(qū)171的上方，漏極182在漏區(qū)172的上方。請(qǐng)參閱圖4b，本發(fā)明射頻LDMOS器件的制造方法的第二實(shí)施例為第1步，在硅襯底10上生長(zhǎng)一層外延層11。第2步，在硅片表面熱氧化生長(zhǎng)或淀積一層氧化硅，再淀積一層多晶硅，刻蝕該多晶硅和氧化硅形成柵氧化層14和多晶硅柵極15。第3步，在多晶硅柵極15 —側(cè)下方的外延層11進(jìn)行輕摻雜離子注入，形成漂移區(qū) 16。第4步，在多晶硅柵極15另一側(cè)下方的外延層11進(jìn)行重?fù)诫s離子注入，形成源區(qū) 171 ；同時(shí)在漂移區(qū)16外側(cè)的外延層11中進(jìn)行重?fù)诫s離子注入，形成漏區(qū)172。第5步，在硅片表面淀積一層多晶硅，刻蝕后形成源極181和漏極182。其中源極 181在低阻通道22和源區(qū)171的上方，漏極182在漏區(qū)172的上方。第6步，在外延層11之上淀積一層氧化硅。第7步，采用光刻工藝暴露出低阻通道的刻蝕窗口。第8步，采用刻蝕工藝對(duì)刻蝕窗口中的氧化硅、外延層11和/或硅襯底10進(jìn)行刻蝕，此時(shí)在硅片上形成一個(gè)溝槽，溝槽位置即準(zhǔn)備形成低阻通道的區(qū)域。第9步，在硅片表面淀積一層有摻雜的多晶硅或金屬，至少將第8步形成的溝槽填充滿。第10步，對(duì)硅片表面進(jìn)行干法反刻工藝或化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)工藝，將硅片表面所淀積的多晶硅或金屬研磨至與氧化硅表面齊平。此時(shí)僅有第8步形成的溝槽處具有多晶硅或金屬，即為低阻通道22。在上述第一實(shí)施例的第4步和第二實(shí)施例的第8步刻蝕溝槽的步驟中，一種實(shí)現(xiàn)方式是以光刻膠作為刻蝕阻擋層，一次性地對(duì)刻蝕窗口處的氧化硅、外延層11和/或硅襯底10進(jìn)行刻蝕。另一種實(shí)現(xiàn)方式是先以光刻膠作為刻蝕阻擋層，對(duì)刻蝕窗口處的氧化硅進(jìn)行刻蝕；再以氧化硅作為刻蝕阻擋層，對(duì)刻蝕窗口處的外延層11和/或硅襯底10進(jìn)行刻蝕。這兩種實(shí)現(xiàn)方式均至少刻蝕到硅襯底10上表面，也可以刻蝕掉部分的硅襯底10。在上述第一實(shí)施例的第5步和第二實(shí)施例的第9步填充溝槽的步驟中，可以采用化學(xué)氣相淀積(CVD)或物理氣相淀積(PVD)工藝，例如采用濺射工藝。所淀積的金屬例如為鎢，因?yàn)槠渚哂袠O好的間隙填充性能，特別是在高深寬比通孔的填充方面。所淀積的金屬還可以銅、鋁、金等。為了將溝槽填充滿，在刻蝕溝槽時(shí)，應(yīng)使溝槽的關(guān)鍵尺寸滿足溝槽填充物的填充特性對(duì)溝槽深寬比的要求。上述第二實(shí)施例與第一實(shí)施例相比，具有如下區(qū)別首先是調(diào)換了部分步驟的順序；其次，第一實(shí)施例中具有第7步去除外延層上氧化硅的步驟，而第二實(shí)施例中，則無此步驟。實(shí)際上在第二實(shí)施例中，外延層上的氧化硅可以去除，也可以保留，對(duì)后續(xù)工藝步驟沒有影響。再次，在第二實(shí)施例的第6步和第7步之間還可以增加一步，對(duì)硅片表面的氧化硅
7采用化學(xué)機(jī)械研磨工藝進(jìn)行平坦化處理，使氧化硅具有平整的表面。由于第二實(shí)施例中淀積氧化硅時(shí)，硅片表面已具有柵極等凸起結(jié)構(gòu)，因此所淀積的氧化硅必然是不平整的。所增加的這一步是對(duì)氧化硅進(jìn)行平坦化處理，有利于提高光刻的精度，可以使低阻通路的尺寸作小。 在上述兩個(gè)實(shí)施例中，均省去了多次外延生長(zhǎng)、多次離子注入和多次高溫?zé)嵬嘶鸬墓に?，而改用一次外延生長(zhǎng)、刻蝕溝槽、填充溝槽、平坦化處理的工藝。由于只需要一次外延生長(zhǎng)，提高了工藝的精度和潔凈度。由于不需要高能量和高劑量的離子注入，可以不用高成本的離子注入機(jī)臺(tái)，也不要長(zhǎng)時(shí)間的離子注入工藝時(shí)間。由于省去了高溫?zé)嵬嘶穑瑳]有載流子橫向擴(kuò)散的顧慮，器件的尺寸可以做到極小，增加器件的密度。
權(quán)利要求
1.一種射頻LDMOS器件，其特征是，硅襯底(10)上具有外延層(11)，外延層(11)中具有低阻通道(2 ；所述低阻通道0 或者是有摻雜的多晶硅，或者是金屬；外延層(11)之上具有柵氧化層(14)及其上方的柵極(15)； 外延層(11)中具有阱(20)，阱(20)在柵極(15)的下方； 外延層(11)之上且在柵極(15)的兩側(cè)分別是源極(181)和漏極(182)； 外延層(11)和低阻通道(22)中具有重?fù)诫s源區(qū)(171)，源極(181)在低阻通道(22) 和源區(qū)(171)的上方；外延層(11)中還具有重?fù)诫s漏區(qū)(172)，漏極(182)在漏區(qū)(172)的上方； 柵極(15)和漏極(182)之間區(qū)域的外延層(11)中還具有漂移區(qū)(16)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻LDMOS器件，其特征是，所述低阻通道0 的一端在硅襯底(10)中，另一端在源極(181)的下表面，所述低阻通道0 連接硅襯底(10)和源極 (181)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻LDMOS器件，其特征是，所述低阻通道02)的厚度大于或等于外延層(11)的厚度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻LDMOS器件，其特征是，所述低阻通道0 為鎢、銅、鋁或金。
5.如權(quán)利要求1所述的射頻LDMOS器件的制造方法，其特征是，包括如下步驟 第1步，在硅襯底(10)上生長(zhǎng)一層外延層(11)；第2步，在外延層(11)之上淀積一層氧化硅； 第3步，采用光刻工藝暴露出低阻通道的刻蝕窗口 ；第4步，采用刻蝕工藝對(duì)刻蝕窗口中的氧化硅、外延層(11)和/或硅襯底(10)進(jìn)行刻蝕，此時(shí)在硅片上形成一個(gè)溝槽；第5步，在硅片表面淀積一層有摻雜的多晶硅或金屬，至少將第4步形成的溝槽填充倆；第6步，對(duì)硅片表面進(jìn)行干法反刻工藝或化學(xué)機(jī)械研磨工藝，將硅片表面所淀積的多晶硅或金屬研磨至與氧化硅表面齊平，此時(shí)僅有第4步形成的溝槽處具有多晶硅或金屬， 即為低阻通道02)；第7步，去除第2步在硅片表面淀積的氧化硅；第8步，在硅片表面熱氧化生長(zhǎng)或淀積一層氧化硅，再淀積一層多晶硅，刻蝕該多晶硅和氧化硅形成柵氧化層(14)和多晶硅柵極(15)；第9步，在多晶硅柵極(1 一側(cè)下方的外延層11進(jìn)行輕摻雜離子注入，形成漂移區(qū) (16)；第10步，在多晶硅柵極(1 另一側(cè)下方的外延層(11)進(jìn)行重?fù)诫s離子注入，形成源區(qū)(171)；同時(shí)在漂移區(qū)(16)外側(cè)的外延層(11)中進(jìn)行重?fù)诫s離子注入，形成漏區(qū)(172)； 第11步，在硅片表面淀積一層多晶硅，刻蝕后形成源極(181)和漏極(182)；其中源極 (181)在低阻通道02)和源區(qū)(171)的上方，漏極(182)在漏區(qū)(172)的上方。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的射頻LDMOS器件的制造方法，其特征是，所述方法第4步中， 以光刻膠作為刻蝕阻擋層，一次性地對(duì)刻蝕窗口處的氧化硅、外延層(11)和/或硅襯底 (10)進(jìn)行刻蝕；或者先以光刻膠作為刻蝕阻擋層，對(duì)刻蝕窗口處的氧化硅進(jìn)行刻蝕；再以氧化硅作為刻蝕阻擋層，對(duì)刻蝕窗口處的外延層(11)和/或硅襯底(10)進(jìn)行刻蝕； 所述刻蝕至少到硅襯底(10)上表面，或者刻蝕到硅襯底(10)之中。
7.如權(quán)利要求1所述的射頻LDMOS器件的制造方法，其特征是，包括如下步驟 第1步，在硅襯底(10)上生長(zhǎng)一層外延層(11)；第2步，在硅片表面熱氧化生長(zhǎng)或淀積一層氧化硅，再淀積一層多晶硅，刻蝕該多晶硅和氧化硅形成柵氧化層(14)和多晶硅柵極(15)；第3步，在多晶硅柵極(1 一側(cè)下方的外延層11進(jìn)行輕摻雜離子注入，形成漂移區(qū) (16)；第4步，在多晶硅柵極(1 另一側(cè)下方的外延層(11)進(jìn)行重?fù)诫s離子注入，形成源區(qū) (171)；同時(shí)在漂移區(qū)(16)外側(cè)的外延層(11)中進(jìn)行重?fù)诫s離子注入，形成漏區(qū)(172)；第5步，在硅片表面淀積一層多晶硅，刻蝕后形成源極(181)和漏極(182)；其中源極 (181)在低阻通道02)和源區(qū)(171)的上方，漏極(182)在漏區(qū)(172)的上方。 第6步，在外延層(11)之上淀積一層氧化硅； 第7步，采用光刻工藝暴露出低阻通道的刻蝕窗口 ；第8步，采用刻蝕工藝對(duì)刻蝕窗口中的氧化硅、外延層(11)和/或硅襯底(10)進(jìn)行刻蝕，此時(shí)在硅片上形成一個(gè)溝槽；第9步，在硅片表面淀積一層有摻雜的多晶硅或金屬，至少將第8步形成的溝槽填充倆；第10步，對(duì)硅片表面進(jìn)行干法反刻工藝或化學(xué)機(jī)械研磨工藝，將硅片表面所淀積的多晶硅或金屬研磨至與氧化硅表面齊平，此時(shí)僅有第8步形成的溝槽處具有多晶硅或金屬， 即為低阻通道02)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的射頻LDMOS器件的制造方法，其特征是，所述方法第8步中， 以光刻膠作為刻蝕阻擋層，一次性地對(duì)刻蝕窗口處的氧化硅、外延層(11)和/或硅襯底 (10)進(jìn)行刻蝕；或者先以光刻膠作為刻蝕阻擋層，對(duì)刻蝕窗口處的氧化硅進(jìn)行刻蝕；再以氧化硅作為刻蝕阻擋層，對(duì)刻蝕窗口處的外延層(11)和/或硅襯底(10)進(jìn)行刻蝕； 所述刻蝕至少到硅襯底(10)上表面，或者刻蝕到硅襯底(10)之中。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的射頻LDMOS器件的制造方法，其特征是，在所述方法第6步和第7步之間增加一步，對(duì)硅片表面的氧化硅采用化學(xué)機(jī)械研磨工藝進(jìn)行平坦化處理，使氧化硅具有平整的表面。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種射頻LDMOS器件，利用低阻通道取代了傳統(tǒng)的摻雜載流子通道。該低阻通道例如是CMOS工藝中的鎢塞或其他金屬塞，連接硅襯底和源極，一方面是低電阻的電流通道，另一方面是高性能的散熱通道。低阻通道的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，有利于提高射頻LDMOS器件的工作頻率和功率。本發(fā)明還公開了所述射頻LDMOS器件的制造方法，省去了高溫?zé)嵬嘶鸸に嚕环矫婀?jié)省了工藝成本，另一方面低阻通道即使采用有摻雜的多晶硅，其中摻雜的離子也不會(huì)產(chǎn)生橫向擴(kuò)散，從而使得器件結(jié)構(gòu)可以作小。
文檔編號(hào)H01L21/768GK102237406SQ20101015488
公開日2011年11月9日 申請(qǐng)日期2010年4月22日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月22日
發(fā)明者張帥, 王海軍 申請(qǐng)人:上海華虹Nec電子有限公司