專利名稱：淺溝槽隔離的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造工藝，尤其涉及一種淺溝槽制作方法。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的進步，淺溝槽隔離(STI，Shallow Trench Isolation)方法已經(jīng)逐漸取代了傳統(tǒng)半導(dǎo)體器件制造所采用如局部硅氧化法等其他隔離方法。淺溝槽隔離方法與其他隔離方法相比有許多優(yōu)點，主要包括1、STI方法可以獲得較窄的半導(dǎo)體器件隔離寬度，從而提高器件密度；2、STI方法可以提升表面平坦度，因而可在光刻時有效控制最小線寬。在現(xiàn)有工藝過程中發(fā)現(xiàn)，淺溝槽隔離所采用的淺溝槽邊角的圓滑程度與漏電有很強的相關(guān)性，越是圓滑的邊角，越容易阻止漏電的產(chǎn)生，因而如何使淺溝槽邊角更加圓滑， 改善淺溝槽隔離的電學(xué)性能，從而進一步減少淺溝槽隔離的漏電，是半導(dǎo)體工藝中的一個重要問題。公開號為CN1404129A的中國專利，揭示了一種利用現(xiàn)場蒸汽生成工藝(In-situ steam generated, ISSG)以及退火、再氧化等工藝制作淺溝槽隔離側(cè)壁氧化層，使得淺溝槽頂部邊角圓滑化的方法。圖1至圖6為展示了上述淺溝槽制作方法的各步驟工藝示意圖。如圖1所示，提供半導(dǎo)體襯底100，在半導(dǎo)體襯底100的表面形成介質(zhì)層101，在所述介質(zhì)層101的表面形成掩膜層102。所述介質(zhì)層101可以為氧化硅通過化學(xué)氣相沉積或熱氧化法形成；所述掩膜層102可以為氮化硅，通過化學(xué)氣相沉積形成。如圖2所示，采用各向異性刻蝕，在掩膜層102內(nèi)形成一個開口 110，所述開口 110 暴露出介質(zhì)層101表面，且定義了后續(xù)制作淺溝槽隔離的位置。如圖3所示，以掩膜層102 為掩膜，依次刻蝕介質(zhì)層101以及半導(dǎo)體襯底100，在半導(dǎo)體襯底100上形成溝槽120，所述溝槽120的深度取決于后續(xù)淺溝槽隔離所隔離的元器件的類型。然后采用現(xiàn)場蒸汽生成工藝ISSG在溝槽的側(cè)壁以及底部形成襯氧化層201。采用現(xiàn)場蒸汽生成工藝ISSG可以改善襯氧化層201的均勻性，在一定程度上避免襯氧化層201在邊角處(圖中中括號所示位置) 產(chǎn)生缺陷，使得邊角圓滑化。如圖4所示，在襯氧化層201的表面繼續(xù)使用現(xiàn)場蒸汽生成工藝ISSG，形成犧牲氧化層202，所述犧牲氧化層202可以減弱襯氧化層201中的應(yīng)力，避免襯氧化層201的內(nèi)部應(yīng)力對邊角的不良影響，從而使得淺溝槽頂部邊角處更為圓滑。如圖5所示，在淺溝槽內(nèi)填充絕緣介質(zhì)，形成淺溝槽隔離203，并進行化學(xué)機械拋光平整化淺溝槽隔離203的表面。所述絕緣介質(zhì)可以是氧化硅或者氮化硅等材質(zhì)。如圖6所示，對上述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)再次進行熱氧化工藝，進一步改善上述各氧化層的均勻性，有助于溝槽邊角圓滑，然后去除掩膜層102以及介質(zhì)層101。現(xiàn)有的淺溝槽隔離制作方法中，為了圓滑淺溝槽邊角，獲得足夠的圓滑度，在溝槽側(cè)壁以及底部上形成了兩層氧化層，先后進行了三次氧化工藝，工藝步驟較為復(fù)雜。其中使用現(xiàn)場蒸汽生成工藝ISSG形成襯氧化層201以及犧牲氧化層202的工藝由于設(shè)備以及原材料限制，成本較為昂貴，效費比不高。因此有必要發(fā)展出新的淺溝槽隔離的制作方法，簡化制程并降低工藝成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是提供一種淺溝槽隔離的制作方法，使得形成的淺溝槽頂部邊角圓滑化，簡化工藝制程，并降低工藝成本。為解決上述問題，本發(fā)明提供的淺溝槽隔離的制作方法，包括提供表面覆蓋有掩膜結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體襯底，所述掩膜結(jié)構(gòu)上形成有暴露半導(dǎo)體襯底的開口 ；以掩膜結(jié)構(gòu)為掩膜，在半導(dǎo)體襯底上刻蝕出與所述開口相對應(yīng)的溝槽；在所述溝槽的側(cè)壁以及底部形成襯氧化層；在氬氣氣氛下進行退火；在所述溝槽內(nèi)填充絕緣介質(zhì)，形成淺溝槽隔離。所述氬氣流量為0. 5 lOslm。所述退火時的氣壓為1 760torr，退火溫度為 800 1150攝氏度，退火時間為1 300分鐘?？蛇x的，所述掩膜結(jié)構(gòu)是氮化硅掩膜層、碳化硅掩膜層以及多晶硅掩膜層的單層結(jié)構(gòu)或者任意組合疊層結(jié)構(gòu)。所述掩膜結(jié)構(gòu)是介質(zhì)層、掩膜層依次疊加的疊層結(jié)構(gòu)。可選的，所述刻蝕半導(dǎo)體襯底的方法是各向異性等離子刻蝕。所述刻蝕為利用包括由溴化氫、氦、氧以及六氟化硫等氣體形成的等離子體刻蝕。可選的，所述形成襯氧化層采用爐管熱氧化法或現(xiàn)場蒸汽生成工藝?？蛇x的，在形成襯氧化層后、溝槽內(nèi)填充絕緣介質(zhì)前，還包括去除襯氧化層，形成第二襯氧化層。所述去除襯氧化層，采用選擇性濕法刻蝕工藝。所述形成第二襯氧化層采用爐管熱氧化法或現(xiàn)場蒸汽生成工藝。作為另一種可選方案，在形成淺溝槽隔離后，還包括 去除掩膜結(jié)構(gòu)，在半導(dǎo)體襯底表面形成犧牲氧化層。所述形成犧牲氧化層采用爐管熱氧化法。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點主要通過氬氣氣氛下的退火對溝槽頂部邊角進行晶格重組，改善所述邊角表面氧化層的均勻性，從而實現(xiàn)對溝槽頂部邊角的圓滑化。對襯氧化層的形成工藝并無特別要求，在條件允許時，還可以省略制作犧牲氧化層的工藝。進一步簡化了工藝步驟，降低了工藝成本。


通過附圖中所示的本發(fā)明的優(yōu)選實施例的更具體說明，本發(fā)明的上述及其他目的、特征和優(yōu)勢將更加清晰。附圖中與現(xiàn)有技術(shù)相同的部件使用了相同的附圖標記。附圖并未按比例繪制，重點在于示出本發(fā)明的主旨。在附圖中為清楚起見，放大了層和區(qū)域的尺寸。圖1至圖6是現(xiàn)有的淺溝槽隔離制作方法的工藝示意圖；圖7是本發(fā)明所述淺溝槽隔離制作方法的流程示意圖；圖8至圖15是本發(fā)明所述方法第一實施例的工藝示意圖；圖16至圖18是本發(fā)明所述方法第二實施例的工藝示意圖。
具體實施例方式本發(fā)明提供的淺溝槽隔離的制作方法可以應(yīng)用在65nm節(jié)點及小于65nm節(jié)點的工藝中，在淺溝槽的尺寸較小時，也能形成圓滑的淺溝槽頂角，改善淺溝槽隔離的電學(xué)性能表現(xiàn)，減輕了淺溝槽隔離的漏電現(xiàn)象。同時簡化了工藝制程，降低了工藝成本。如圖7所示，本發(fā)明淺溝槽隔離的制作方法基本步驟包括S101、提供表面覆蓋有掩膜結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體襯底，所述掩膜結(jié)構(gòu)上形成有暴露半導(dǎo)體襯底的開口 ；其中，掩膜結(jié)構(gòu)的開口對應(yīng)后續(xù)形成淺溝槽隔離的位置，掩膜結(jié)構(gòu)可以采用常規(guī)的單層或者多層組合疊層結(jié)構(gòu)。S102、以掩膜結(jié)構(gòu)為掩膜，在半導(dǎo)體襯底上刻蝕出與所述開口相對應(yīng)的溝槽；其中，在進行等離子刻蝕時，通常也會減薄掩膜結(jié)構(gòu)的開口側(cè)壁，因此在形成溝槽后，總會露出溝槽頂部的邊角。S103、在所述溝槽的側(cè)壁以及底部形成襯氧化層；所述襯氧化層還應(yīng)當包覆溝槽頂部的邊角。所述襯氧化層可以通過常規(guī)的爐管熱氧化法形成以降低生產(chǎn)成本，也可以根據(jù)需要，采用現(xiàn)場蒸汽生長工藝形成，作為輔助作用，在溝槽頂部邊角處獲得更佳的圓滑化效果。S104、在氬氣氣氛下進行退火；通常退火步驟即可以使得溝槽的邊角圓滑化，而將此步驟置于形成襯氧化層之后，是為了利用襯氧化層的限制，控制邊角圓滑化后的形狀以及大小，以滿足實際需求。該步驟是本發(fā)明對溝槽頂部邊角主要的圓滑化措施。S105、在所述溝槽內(nèi)填充絕緣介質(zhì)，形成淺溝槽隔離。后續(xù)工藝還應(yīng)當包括去除掩膜結(jié)構(gòu)的步驟。需要指出的是，為了降低襯氧化層的應(yīng)力影響，避免在溝槽邊角處產(chǎn)生缺陷，可以在S104步驟后，去除原有的襯氧化層，并在經(jīng)過退火處理的溝槽表面重新生長一層襯氧化層，所述重新生長的襯氧化層可以通過常規(guī)的爐管熱氧化法或者現(xiàn)場蒸汽生長工藝形成。 作為另一種選擇，還可以在S105步驟之后，在去除掩膜結(jié)構(gòu)露出的半導(dǎo)體襯底表面采用爐管熱氧化法形成犧牲氧化層，同樣可以達到減弱襯氧化層應(yīng)力影響的效果。下面結(jié)合具體實施例對本發(fā)明做進一步介紹。第一實施例圖8至圖15為本發(fā)明所述方法第一實施例的工藝示意圖。結(jié)合說明書附圖對本實施例制作方法進行詳細闡述。如圖8所示，首先提供半導(dǎo)體襯底300，所述半導(dǎo)體襯底300上覆蓋有掩膜結(jié)構(gòu) 301。所述掩膜結(jié)構(gòu)301可以是氧化硅層、氮化硅層或者多晶硅層中的單層或任意組合的疊層結(jié)構(gòu)，還可以是介質(zhì)層、掩膜層依次疊加的疊層結(jié)構(gòu)。其中所述介質(zhì)層用于光刻掩膜結(jié)構(gòu) 301形成開口時，起到刻蝕停止保護半導(dǎo)體襯底300的作用。掩膜結(jié)構(gòu)301的厚度可以是 IOOnm至120nm。本實施例中半導(dǎo)體襯底300采用多晶硅，掩膜結(jié)構(gòu)301采用單層氮化硅層， 厚度選用llOnm。形成這種半導(dǎo)體襯底300以及掩膜層結(jié)構(gòu)301可以是半導(dǎo)體制造領(lǐng)域常見的外延生長或沉積方法。如圖9所示，刻蝕掩膜結(jié)構(gòu)301直至露出半導(dǎo)體襯底300，在所述掩膜結(jié)構(gòu)301上形成開口 310。所述開口 310即對應(yīng)后續(xù)形成淺溝槽隔離的位置。所述刻蝕掩膜結(jié)構(gòu)310CN 102222636 A
說明書
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形成開口 310的刻蝕方法，可以是半導(dǎo)體制造領(lǐng)域常見的刻蝕方法，例如利用光刻膠進行等離子刻蝕。如圖10所示，以帶有開口 310的掩膜結(jié)構(gòu)301為刻蝕掩膜，在半導(dǎo)體襯底300上刻蝕出溝槽320。所述溝槽320的深度取決于淺溝槽隔離所需隔離的器件類型，因此根據(jù)實際需要選擇。本實施例中，所述溝槽320的深度可以是390nm至410nm之間，具體例如 400nm。所述溝槽320的刻蝕方法可以是溴化氫、氦、氧以及六氟化碳的混合氣體作為刻蝕氣體的等離子刻蝕，其中溴化氫的流量是27至33sCCm，具體例如30sCCm ；氦氧混合氣體的流量為34至40sccm，具體例如37sccm ；六氟化硫的流量是5_7sccm，具體例如6sccm?？涛g的壓力是10至20mTorr，具體例如15mTorr ；刻蝕時采用的功率是1100至1300W之間，具體例如1200W ；刻蝕電壓是136至164V，具體例如150V ；刻蝕的時間是51至64秒，具體例如 58秒。在半導(dǎo)體襯底300上刻蝕出溝槽320后，還可以進行一個對襯底溝槽320修正的步驟，用于優(yōu)化溝槽320側(cè)壁以及底部的內(nèi)表面形態(tài)，增強后續(xù)步驟形成的溝槽頂部邊角的圓滑效果。所述步驟是以溴化氫和氧氣的混合氣體作為刻蝕氣體對溝槽320進行等離子刻蝕，溴化氫的流量是315至38kccm，具體例如350sccm，氧氣的流量是10至20sccm，具體例如15sccm。刻蝕的壓力是5至IOmTorr,具體例如7mTorr ；刻蝕時采用的功率是900至 IlOOff之間，具體例如IOOOff ；刻蝕電壓是300V ；刻蝕的時間是5至15秒，具體例如9秒。如圖11所示，在溝槽320的側(cè)壁以及底部形成襯氧化層302，所述襯氧化層的材料為氧化硅，可以與現(xiàn)有技術(shù)相同采用現(xiàn)場蒸汽生長工藝形成，在溝槽頂部邊角處獲得圓滑化效果。在本實施例中，所述圓滑化效果可以通過后續(xù)退火工藝實現(xiàn)，因此為了降低生產(chǎn)成本簡化工藝，所述襯氧化層302僅采用常規(guī)爐管熱氧化法形成。所述襯氧化層302的厚度范圍可以為50nm至lOOnm，具體例如50nm。如圖12所示，在氬氣氣氛下進行退火，所述退火步驟能夠重組溝槽頂部邊角處的晶格結(jié)構(gòu)，改善襯氧化層302的均勻性，使得溝槽320頂部的邊角圓滑。所述退火的工藝參數(shù)為氣體流量為0. 5 lOslm，氣壓為1 760torr，退火溫度為800 1150攝氏度，退火時間為1 300分鐘。通常快速熱退火需要采用較高溫度可以加快工藝制程，而慢速熱退火的溫度需求較低，所需時間較長，對溝槽320頂部的邊角圓滑度可以更精確控制。具體的參數(shù)選擇，可以根據(jù)實際的設(shè)備、生產(chǎn)需求進行選擇。所述氬氣退火工藝作為常規(guī)的半導(dǎo)體制程，實施較為簡單。上述氬氣退火工藝還可以與前述熱氧化形成襯氧化層302的工藝，在同一個爐管內(nèi)進行，進一步減少工序，降低成本。因此相較于現(xiàn)有技術(shù)通過現(xiàn)場蒸汽生長工藝ISSG，來獲得較圓滑的溝槽邊角的方法， 本發(fā)明基于現(xiàn)有工藝線既可以實現(xiàn)，無需增加額外的設(shè)備，成本更低，具有更為突出的效費比。如圖13所示，作為可選的步驟，本實施例去除襯氧化層302，并在經(jīng)過退火處理的溝槽320的側(cè)壁以及襯底表面形成第二襯氧化層303。由于經(jīng)過退火的溝槽320頂部邊角已經(jīng)獲得足夠的圓滑度，因此新形成的第二襯氧化層303相比于原有的襯氧化層302，在邊角表面將具有更好的均勻性，其內(nèi)部應(yīng)力的影響要小于襯氧化層302。可以采用選擇性濕法刻蝕去除襯氧化層302，可以采用爐管熱氧化法或者現(xiàn)場蒸汽生長工藝形成第二襯氧化層 303。通常為了降低成本，本實施例采用常規(guī)爐管熱氧化法，形成第二襯氧化層303，所述第
6二襯氧化層303的厚度為50nm至lOOnm，具體例如50nm。如圖14所示，在所述溝槽320內(nèi)填充絕緣介質(zhì)，形成淺溝槽隔離400。所述絕緣介質(zhì)可以是氧化硅，可以通過化學(xué)氣相沉積CVD工藝進行填充。在填充完絕緣介質(zhì)后，對淺溝槽隔離400以及掩膜結(jié)構(gòu)301進行化學(xué)機械拋光，去除溢出的絕緣介質(zhì)，平整化淺溝槽隔離 400的頂部表面。如圖15所示，去除掩膜結(jié)構(gòu)301。本實施例中所述掩膜結(jié)構(gòu)301為單層氮化硅層， 可以采用選擇性的濕法刻蝕去除，所述濕法刻蝕可以采用熱磷酸。第二實施例第一實施例中采用在經(jīng)過退火處理的溝槽320側(cè)壁以及底部表面重新生成第二襯氧化層303，減弱所述氧化層內(nèi)部應(yīng)力的作用，所述應(yīng)力作用在溝槽320頂部的邊角處， 可能會造成不良影響。為進一步簡化工藝，本實施例還提供了一種可選的方法，在去除掩膜結(jié)構(gòu)301的步驟之后，在裸露的半導(dǎo)體襯底表面形成犧牲氧化層，改善邊角表面氧化硅的均勻性，以減弱襯氧化層302的內(nèi)部應(yīng)力對所述邊角的不良影響。由于本實施例與第一實施例的區(qū)別在于犧牲氧化層的形成步驟。因此在圖12所示的退火步驟之前的工藝與第一實施例完全相同，不再贅述。如圖16所示，在對襯氧化層302退火完畢后，直接在所述溝槽320內(nèi)填充絕緣介質(zhì)并經(jīng)過平整化直至與掩膜結(jié)構(gòu)301的表面平齊，形成淺溝槽隔離400。所述絕緣介質(zhì)可以是氧化硅，可以通過化學(xué)氣相沉積CVD工藝進行填充。再填充完絕緣介質(zhì)后，對淺溝槽隔離 400以及掩膜結(jié)構(gòu)301進行化學(xué)機械拋光，去除溢出的絕緣介質(zhì)，平整化淺溝槽隔離400的頂部表面。如圖17所示，去除掩膜結(jié)構(gòu)301，露出掩膜結(jié)構(gòu)301底部的半導(dǎo)體襯底300。本實施例中所述掩膜結(jié)構(gòu)301為單層氮化硅層，可以采用選擇性的濕法刻蝕去除，所述濕法刻蝕可以采用熱磷酸。如圖18所示，在曝露出的半導(dǎo)體襯底300表面形成犧牲氧化層304?？梢圆捎贸Ｒ?guī)的爐管熱氧化法，所述犧牲氧化層304的厚度為30nm至120nm，具體例如80nm。上述犧牲氧化層304與襯氧化層301在溝槽320的頂部邊角處相鄰，改善溝槽邊角表面氧化硅的均勻性，同樣可以減弱襯氧化層302的內(nèi)部應(yīng)力對所述頂部邊角產(chǎn)生的不良影響?，F(xiàn)有的淺溝槽隔離制作方法中，采用現(xiàn)場蒸汽生長工藝ISSG在溝槽表面形成氧化層的方式，雖然能在一定程度上改善溝槽表面氧化層的均勻性，提高溝槽頂部邊角的圓滑度，但效費比較差。例如采用與本發(fā)明實施例相同尺寸參數(shù)，同樣在溝槽表面形成80nm 厚度的氧化層，現(xiàn)有制作方法形成的溝槽，頂部邊角表面的氧化硅厚度約為52. 2nm至 59. Inm,占中央平均厚度的64. 1%。而采用本發(fā)明制作方法，所述溝槽頂部邊角更為圓滑， 其表面的氧化硅厚度約為66nm至68. Inm,占中央平均厚度的84. 6%。因此本發(fā)明制作方法同樣具有良好的對溝槽頂部邊角圓滑化效果，甚至還優(yōu)于現(xiàn)有技術(shù)，另一方面也達到了大幅降低生產(chǎn)成本的目的。雖然本發(fā)明已以較佳實施例披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與修改，因此本發(fā)明的保護范圍應(yīng)當以權(quán)利要求所限定的范圍為準。
權(quán)利要求
1.一種淺溝槽隔離的制作方法，其特征在于，包括提供表面覆蓋有掩膜結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體襯底，所述掩膜結(jié)構(gòu)上形成有暴露半導(dǎo)體襯底的開π ；以掩膜結(jié)構(gòu)為掩膜，在半導(dǎo)體襯底上刻蝕出與所述開口相對應(yīng)的溝槽；在所述溝槽的側(cè)壁以及底部形成襯氧化層；在氬氣氣氛下進行退火；在所述溝槽內(nèi)填充絕緣介質(zhì)，形成淺溝槽隔離。
2.如權(quán)利要求1所述的淺溝槽隔離的制作方法，其特征在于，所述氬氣流量為0.5 IOslm0
3.如權(quán)利要求1或2所述的淺溝槽隔離的制作方法，其特征在于，所述退火時的氣壓為 1 760torr，退火溫度為800 1150攝氏度，退火時間為1 300分鐘。
4.如權(quán)利要求1所述的淺溝槽隔離的制作方法，其特征在于，所述掩膜結(jié)構(gòu)是氮化硅掩膜層、碳化硅掩膜層以及多晶硅掩膜層的單層結(jié)構(gòu)或者任意組合疊層結(jié)構(gòu)。
5.如權(quán)利要求1所述的淺溝槽隔離的制作方法，其特征在于，所述掩膜結(jié)構(gòu)是介質(zhì)層、 掩膜層依次疊加的疊層結(jié)構(gòu)。
6.如權(quán)利要求1所述的淺溝槽隔離的制作方法，其特征在于，所述刻蝕半導(dǎo)體襯底的方法是各向異性等離子刻蝕。
7.如權(quán)利要求6所述的淺溝槽隔離的制作方法，其特征在于，所述刻蝕為利用包括由溴化氫、氦、氧以及六氟化硫等氣體形成的等離子體刻蝕。
8.如權(quán)利要求1所述的淺溝槽隔離的制作方法，其特征在于，所述形成襯氧化層采用爐管熱氧化法或現(xiàn)場蒸汽生成工藝。
9.如權(quán)利要求1所述的淺溝槽隔離的制作方法，其特征在于，在形成襯氧化層后、溝槽內(nèi)填充絕緣介質(zhì)前，還包括去除襯氧化層，形成第二襯氧化層。
10.如權(quán)利要求9所述的錢溝槽隔離的制作方法，其特征在于，所述去除襯氧化層，采用選擇性濕法刻蝕工藝。
11.如權(quán)利要求9所述的淺溝槽隔離的制作方法，其特征在于，所述形成第二襯氧化層采用爐管熱氧化法或現(xiàn)場蒸汽生成工藝。
12.如權(quán)利要求1所述的淺溝槽隔離的制作方法，其特征在于，在形成淺溝槽隔離后， 還包括去除掩膜結(jié)構(gòu)，在半導(dǎo)體襯底表面形成犧牲氧化層。
13.如權(quán)利要求12所述的淺溝槽隔離的制作方法，其特征在于，所述形成犧牲氧化層， 采用爐管熱氧化法。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種淺溝槽隔離的制作方法，包括提供表面覆蓋有掩膜結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體襯底，所述掩膜結(jié)構(gòu)上形成有暴露半導(dǎo)體襯底的開口；以掩膜結(jié)構(gòu)為掩膜，在半導(dǎo)體襯底上刻蝕出與所述開口相對應(yīng)的溝槽；在所述溝槽的側(cè)壁以及底部形成襯氧化層；在氬氣氣氛下進行退火；在所述溝槽內(nèi)填充絕緣介質(zhì)，形成淺溝槽隔離。本發(fā)明所述制造方法可以使得溝槽頂部邊角圓滑化，且相較于現(xiàn)有技術(shù)簡化了工藝步驟，降低工藝成本。
文檔編號H01L21/762GK102222636SQ20101015480
公開日2011年10月19日 申請日期2010年4月14日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月14日
發(fā)明者宋化龍, 沈憶華, 陳碧欽 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司