專利名稱：晶體硅太陽能電池的液體氧化鈍化方法
技術領域：
本發(fā)明涉及晶體硅太陽能電池的技術領域，尤其是晶體硅太陽能電池的液體氧化鈍化方法。
背景技術：
目前硅晶太陽能電池的主體工藝通過高質量的晶硅原料、良好物理PN結擴散和優(yōu)質的鈍化及電流收集等方面構成。晶硅幾十年的發(fā)展，現(xiàn)今認為進一步提高產線電池效率的突破口在表面鈍化尤其是背極的鈍化上，其中S^2作為Si的同系氧化物在鈍化效果及實現(xiàn)上有明顯的優(yōu)勢。目前其鈍化應用分為兩類i. P型電池的正面SW2超薄膜結合 SiNx的減反鈍化；2. P型電池背面鈍化。但目前存在的問題是鈍化效果最優(yōu)的SiA需要在高溫小生長，其產線應用上存在耗時耗能的缺點。

發(fā)明內容
本發(fā)明要解決的技術問題是為了解決上述存在的缺點和不足，提供一種降低成本并提高晶體硅太陽能電池效率的晶體硅太陽能電池的液體氧化鈍化方法。本發(fā)明解決其技術問題所采用的技術方案是一種晶體硅太陽能電池的液體氧化鈍化方法，將硅片放入熱氧化液體浸泡制備超薄二氧化硅薄膜，進行氮化硅鍍膜工藝。將硅片放入具有一體化液體環(huán)境的設備中，對硅片進行清洗、擴散，在硝酸或氟化氫對硅片的背面進行去磷硅玻璃及刻邊，再用氟化氫浸泡，將硅片放入熱氧化液體浸泡制備超薄二氧化硅薄膜，進行氮化硅鍍膜工藝。將硅片進行等離子干刻和液體濕刻，對硅片進行清洗、擴散，再對硅片進行等離子刻邊，用氟化氫浸泡硅片并去磷硅玻璃，將硅片放入熱氧化液體浸泡制備超薄二氧化硅薄膜，進行氮化硅鍍膜工藝。對硅片進行清洗、擴散，用氟化氫浸泡硅片并去磷硅玻璃，將硅片放入熱氧化液體浸泡制備超薄二氧化硅薄膜，進行氮化硅鍍膜工藝。本發(fā)明的有益效果是，本發(fā)明中二氧化硅薄膜上表面鈍化加強膜的制備節(jié)省了時間、降低了成本，并提高了太陽能電池的光電轉換效率。
具體實施例方式現(xiàn)在結合附圖
和優(yōu)選實施例對本發(fā)明作進一步詳細的說明。這些附圖均為簡化的示意圖，僅以示意方式說明本發(fā)明的基本結構，因此其僅顯示與本發(fā)明有關的構成。晶體硅太陽能電池的液體氧化鈍化方法，將硅片放入熱氧化液體浸泡制備超薄二氧化硅薄膜，進行氮化硅鍍膜工藝。實施例1:將硅片放入具有一體化液體環(huán)境的設備中，對硅片進行清洗、擴散，在硝酸或氟化氫對硅片的背面進行去磷硅玻璃及刻邊，再用氟化氫浸泡，將硅片放入熱氧化液體浸泡制備超薄二氧化硅薄膜，進行氮化硅鍍膜工藝。實施例2:將硅片進行等離子干刻和液體濕刻，對硅片進行清洗、擴散，再對硅片進行等離子刻邊，用氟化氫浸泡硅片并去磷硅玻璃，將硅片放入熱氧化液體浸泡制備超薄二氧化硅薄膜，進行氮化硅鍍膜工藝。實施例3:對硅片進行清洗、擴散，用氟化氫浸泡硅片并去磷硅玻璃，將硅片放入熱氧化液體浸泡制備超薄二氧化硅薄膜，進行氮化硅鍍膜工藝。本發(fā)明通過目前發(fā)展的低溫液體氧化工藝的實現(xiàn)及與目前液體E-etched工藝的整合，來實現(xiàn)在硅片擴散后及氮化硅鍍膜間的邊刻，去磷硅玻璃及超薄二氧化硅超薄膜制備，作為達到低成本提高太陽能電池性能作用的方法。在正常晶硅電池工藝的基礎上，在硅片結擴散與ARC減反膜制備之間，在原有的刻邊及去磷硅玻璃的基礎上實現(xiàn)液體二氧化硅超薄膜上表面鈍化加強膜制備，其中采用的熱氧化液體，其中熱濃硝酸已被證明有效，其他參考液體有雙氧水、次氯酸、濃硫酸等。
權利要求
1.一種晶體硅太陽能電池的液體氧化鈍化方法，其特征在于將硅片放入熱氧化液體浸泡制備超薄二氧化硅薄膜，進行氮化硅鍍膜工藝。
2.根據(jù)權利要求1所述的晶體硅太陽能電池的液體氧化鈍化方法，其特征在于將硅片放入具有一體化液體環(huán)境的設備中，對硅片進行清洗、擴散，在硝酸或氟化氫對硅片的背面進行去磷硅玻璃及刻邊，再用氟化氫浸泡，將硅片放入熱氧化液體浸泡制備超薄二氧化硅薄膜，進行氮化硅鍍膜工藝。
3.根據(jù)權利要求1所述的晶體硅太陽能電池的液體氧化鈍化方法，其特征在于將硅片進行等離子干刻和液體濕刻，對硅片進行清洗、擴散，再對硅片進行等離子刻邊，用氟化氫浸泡硅片并去磷硅玻璃，將硅片放入熱氧化液體浸泡制備超薄二氧化硅薄膜，進行氮化硅鍍膜工藝。
4.根據(jù)權利要求1所述的晶體硅太陽能電池的液體氧化鈍化方法，其特征在于對硅片進行清洗、擴散，用氟化氫浸泡硅片并去磷硅玻璃，將硅片放入熱氧化液體浸泡制備超薄二氧化硅薄膜，進行氮化硅鍍膜工藝。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種晶體硅太陽能電池的液體氧化鈍化方法，將硅片放入熱氧化液體浸泡制備超薄二氧化硅薄膜，進行氮化硅鍍膜工藝。本發(fā)明中二氧化硅薄膜上表面鈍化加強膜的制備節(jié)省了時間、降低了成本，并提高了太陽能電池的光電轉換效率。
文檔編號H01L31/18GK102237433SQ20101015217
公開日2011年11月9日 申請日期2010年4月20日 優(yōu)先權日2010年4月20日
發(fā)明者吳國強 申請人:常州天合光能有限公司