專利名稱：電儲存裝置、電儲存裝置的電極組及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明關(guān)于一種電儲存裝置、電儲存裝置的電極組及其制備方法，尤指一種能夠增加電極組的集電板與電極的接觸面積且提升導(dǎo)熱效率的電儲存裝置、電儲存裝置的電極組及其制備方法。
背景技術(shù)：
請參照圖1所示，目前電儲存裝置，例如鋰離子二次電池或者電雙層電容器，皆包含有一殼體91、二電極組92、92，、一隔板93及一電解液94。該二電極組92、92，分別為一正極及一負(fù)極，且設(shè)置于該殼體91內(nèi)，該二電極組92、92’分別與導(dǎo)線A連接而延伸至該殼體91外；該二電極組92、92，分別包含有一集電板921、921，及一電極922、922，，該電極 922、922，分別設(shè)置于該集電板921、921，的表面，且該電極922、922，通常以粉體材料制成； 該隔板93以多孔性高分子材料制成，且設(shè)置于該二電極組92、92’之間，以避免該二電極組 92,92'因相觸而造成短路；該電解液94填充于該殼體91內(nèi)，以作為離子傳導(dǎo)的媒介。上述電儲存裝置的充放電原理因電儲存裝置種類不同而有所差異。以鋰離子二次電池為例，作為正極的電極組92的電極922以鋰的氧化物制成，例如鋰鈷氧化物(LiCoO2)、 鋰錳氧化物(LiMn2O4)或鋰鎳氧化物(LiNiO2)；作為負(fù)極的電極組92’的電極922’以石墨性碳材制成。當(dāng)該電儲存裝置外接充電器進(jìn)行充電時(shí)，電子由該電儲存裝置的外部進(jìn)入電極922’(負(fù)極)，同時(shí)位于電極922(正極)處的鋰離子則離開正極經(jīng)過電解液，并穿過該隔板93進(jìn)入作為負(fù)極的電極922’，與石墨性碳材共同形成LiC6的化合物；當(dāng)該電儲存裝置外接電器進(jìn)行放電時(shí)，該些位于負(fù)極的LiC6便將解離出鋰離子及電子，該鋰離子將離開負(fù)極經(jīng)過電解液，并穿過該隔板93進(jìn)入電極922 (正極)，而該電子將由該電極922’及導(dǎo)線A 傳導(dǎo)至該殼體91外，以供電給外部的電器使用。對上述電儲存裝置而言，由于充放電過程中將產(chǎn)生熱量，而制作該些現(xiàn)有電極 922,922'的材料并非優(yōu)良的熱導(dǎo)體，散熱效果不佳；再且，該現(xiàn)有集電板921、921’為平板狀，與該電極922、922’的接觸面積較小，使得該較小的接觸面積無法將充放電過程中產(chǎn)生的熱量快速經(jīng)電極922、922’及集電板921、921’傳導(dǎo)至電儲存裝置外進(jìn)行散熱，造成該電儲存裝置內(nèi)所累積的熱量可能造成危險(xiǎn)，例如燙傷使用者或者內(nèi)部隔板熔解導(dǎo)致短路爆炸等意外發(fā)生?；谏鲜鲈?，其有必要進(jìn)一步改良上述現(xiàn)有電儲存裝置及其電極組。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的是改良上述缺點(diǎn)，以提供一種電儲存裝置的電極組，以增加電極組的集電板與電極的接觸面積。本發(fā)明次一目的是提供一種電儲存裝置的電極組的制備方法，以使該集電板具有一不平整表面。本發(fā)明再一目的是提供一種電儲存裝置的電極組，以提升該集電板的導(dǎo)熱效率。本發(fā)明又一目的是提供一種電儲存裝置，包含有上述的電極組，以提升該電儲存裝置的散熱效率。根據(jù)本發(fā)明的電儲存裝置的電極組，包含一集電板，包含一底部及數(shù)個(gè)凸出部， 該數(shù)個(gè)凸出部由該底部的表面延伸形成，二相鄰的凸出部之間形成一間距，使得該底部及凸出部的表面共同形成一不平整表面；及一電極，完整填充于該些凸出部之間，并覆蓋該凸出部及底部的表面。根據(jù)本發(fā)明的電儲存裝置的電極組的制備方法，包含一集電板蝕刻步驟于一集電板的表面進(jìn)行蝕刻，使該集電板的表面形成一不平整表面；一涂布步驟于該不平整表面涂布一導(dǎo)電粉體材料混合物；及一定型步驟對該導(dǎo)電粉體材料混合物進(jìn)行加熱，使該導(dǎo)電粉體材料混合物于該不平整表面固化形成一電極。根據(jù)本發(fā)明的電儲存裝置，包含一殼體；一電解液，設(shè)置于該殼體內(nèi)；二電極組， 分別浸置于該電解液中，用以作為正負(fù)極，每一電極組包含一集電板及一電極，該集電板包含一底部及數(shù)個(gè)凸出部，該數(shù)個(gè)凸出部由該底部的表面延伸形成，二相鄰的凸出部之間形成一間距，使得該底部及凸出部的表面共同形成一不平整表面，該電極完整填充于該些凸出部之間，并覆蓋于該凸出部及底部；及一隔板，設(shè)置于該殼體內(nèi)，以隔開該二電極組。本發(fā)明的有益效果在于本發(fā)明的電極組的集電板由該底部表面延伸形成該數(shù)個(gè)凸出部，以共同形成不平整表面，可有效增加該集電板的表面積，進(jìn)而增進(jìn)該集電板與該電極的接觸面積。因此，即使于該電儲存裝置(例如鋰離子二次電池)進(jìn)行充放電時(shí)產(chǎn)生大量的熱能，也可通過該些凸出部與該電極的接觸面積，而將該些熱能快速由該集電板傳導(dǎo)至該電儲存裝置外，以避免熱量積存于該電儲存裝置內(nèi)而產(chǎn)生使用上的安全性疑慮。



1集電板11 凸出部12底部2電極
3導(dǎo)電粉體材料混合物4保護(hù)層5光罩
6殼體7 隔板8電解液A導(dǎo)線
d間距h 高度91殼體92電極組
92，電極組921集電板921，集電板922電極
922，電極93 隔板94電解液A導(dǎo)線
具體實(shí)施例方式為讓本發(fā)明的上述及其他目的、特征及優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下A.本發(fā)明的電儲存裝置的電極組請參照圖2所示，本發(fā)明的電儲存裝置的電極組包含一集電板1及一電極2，該集電板1的表面為不平整表面，且該電極2覆蓋結(jié)合于該集電板1的不平整表面。請參照圖2及3所示，本發(fā)明的集電板1可選擇以具導(dǎo)電性的材質(zhì)(例如鋁箔或銅箔等導(dǎo)電性材質(zhì))制成，以導(dǎo)通電路。該集電板1包含數(shù)個(gè)凸出部11及一底部12，如圖 2或3所示，且該數(shù)個(gè)凸出部11及底部12的表面共同構(gòu)成該不平整表面，該集電板1的不平整表面結(jié)構(gòu)如附件一所示。請參照圖2及3所示，該數(shù)個(gè)凸出部11延伸形成于該底部12的表面，該數(shù)個(gè)凸出部11相對于該底部12表面的延伸高度h可為不等高(如圖2所示)或等高(如圖3所示)，且該高度h選擇介于5至200 μ m之間；二相鄰的凸出部11之間具有一間距d，以供該電極2填入于該數(shù)個(gè)凸出部11之間，而覆蓋該凸出部11及該底部12的表面，該些間距d可選擇為等間距或不等間距，且該間距d選擇介于1至IOOym之間。其中，該凸出部11的高度h與該間距d的比值(高度h/間距d)較佳選擇但不受限于0. 05至200。若該高度h/ 間距d比值小于0. 05，則提升表面積的效果較不明顯；若該高度h/間距d比值大于200，則該些凸出部11之間的空間相對較為狹窄，使得電極2不易完整填入該些凸出部11之間。舉例而言，本發(fā)明第一實(shí)施例選擇于該底部12的表面設(shè)置不等高且不等間距的凸出部11，如圖2所示；本發(fā)明第二實(shí)施例選擇于該底部12的表面形成等高且等間距的凸出部11，該凸出部11的高度h選擇為10 50 μ m，該間距d選擇為2 20 μ m，如圖3所示。借此，通過該數(shù)個(gè)凸出部11的設(shè)置，該凸出部11與該底部12的表面共同形成該集電板1的不平整表面，使得該凸出部11的表面可大幅增加該集電板1的表面積。請參照圖2及3所示，本發(fā)明的電極2覆蓋結(jié)合于該集電板1的不平整表面。本實(shí)施例的電極2完整填充于該些凸出部11之間，以使該電極2充分覆蓋于該凸出部11及底部 12的表面，進(jìn)而使得該電極2與該集電板1的接觸面積相較于現(xiàn)有電極組可大幅提升。該電極2以導(dǎo)電粉體材料制成，導(dǎo)電粉體材料可依據(jù)電儲存裝置以及正極或負(fù)極的種類進(jìn)行選擇，例如，若該電極組應(yīng)用于電雙層電容器(EDLC，Electric DoubleLayer Capacitor), 則不論作為正極或負(fù)極，該導(dǎo)電粉體材料皆可選擇為石墨性碳材；若該電極組應(yīng)用于鋰離子二次電池(Lithium Battery)，則作為正極的導(dǎo)電粉體材料可選擇為鋰的氧化物，例如鋰鈷氧化物(LiCoO2)、鋰錳氧化物(LiMn2O4)或鋰鎳氧化物(LiNiO2)，而作為負(fù)極的導(dǎo)電粉體材料可選擇為石墨性碳材，例如活性碳或?qū)⒕郾┧犭?Polyacrylonitrile)、酚樹脂等原料纖維于高溫碳化所獲得的碳材。如上述該電極2以導(dǎo)電粉體材料制成，且該電極2完整覆蓋于該些凸出部11及底部12的表面。借此，該集電板1及電極2便可共同構(gòu)成本發(fā)明的電儲存裝置的電極組，并可增加該集電板1與該電極2的接觸表面積。B.本發(fā)明第一實(shí)施例的電儲存裝置的電極組的制備方法請參照圖4所示，本發(fā)明第一實(shí)施例的電儲存裝置的電極組的制備方法通過一集電板蝕刻步驟Si、一涂布步驟S2及一定型步驟S3所制得。請參照圖5及6所示，首先進(jìn)行該集電板蝕刻步驟Sl于一集電板1的表面進(jìn)行蝕刻，其中，可選擇以干式蝕刻或濕式蝕刻方式進(jìn)行，以使該集電板1的表面形成前述的不平整表面。本發(fā)明第一實(shí)施例選擇以一蝕刻液對該集電板1進(jìn)行濕式蝕刻，并以該集電板1 的表層晶界作為蝕刻起始點(diǎn)，因此，該蝕刻液將會沿著晶界延伸方向進(jìn)行蝕刻，而使該凸出部11的表面形成不規(guī)則狀的不平整表面。其中，該蝕刻液可依該集電板1的材料種類進(jìn)行選擇。舉例而言，若該集電板1選擇以鋁金屬制成，則該蝕刻液可選擇以鹽酸(HC1)、硫酸 (H2SO4)、硝酸(HNO3)、過氧化氫(H2O2)、氫氧化鈉(NaOH)或氫氧化鉀(KOH)等溶液相互調(diào)配而成，例如以2wt% 6wt%的鹽酸(HCl)及2wt% IOwt %的硫酸(H2SO4)共同調(diào)配而成， 于50至70°C之間進(jìn)行蝕刻20秒至10分鐘；若該集電板1選擇以銅金屬制成，則該蝕刻液可選擇以鹽酸(HCl)、氯化亞鐵(FeCl2)、氯化銅(CuCl2)、硫酸(H2SO4)、硝酸(HNO3)、過氧化氫(H2O2)或氫氧化銨(NH4OH)等溶液相互調(diào)配而成，例如以2wt% 8wt%的鹽酸(HCl)、 2wt% 5wt%的氯化亞鐵(FeCl2)及0. lwt% 2wt%的過氧化氫(H2O2)共同調(diào)配而成，于 50至70°C之間進(jìn)行蝕刻60秒至20分鐘。如此，便可蝕刻形成該凸出部11及底部12，進(jìn)而使該集電板1的表面形成前述的不平整表面。請參照圖2及7所示，接著進(jìn)行該涂布步驟S2于該集電板1的不平整表面上涂布一層由導(dǎo)電粉體材料及分散劑共同混合形成的導(dǎo)電粉體材料混合物3。該導(dǎo)電粉體材料如前述可依據(jù)電儲存裝置以及正極或負(fù)極的種類進(jìn)行選擇，于此不再贅述。該分散劑可選擇為聚偏二氟乙烯(PVDF)或聚四氟乙烯(PTFE)等氟化物高分子，或者聚乙烯醇(PVA)或聚乙二醇(PEG)等長鏈或交鏈結(jié)構(gòu)的高分子等分散劑，用以分散該些導(dǎo)電粉體材料。該分散劑與粉體材料的調(diào)配重量比例(分散劑/粉體材料)介于0. 1 10之間。于涂布該導(dǎo)電粉體材料混合物3的過程中，該導(dǎo)電粉體材料混合物3較佳完全填充該數(shù)個(gè)凸出部11之間， 并完全覆蓋該些凸出部11的表面。請參照圖2及7所示，最后進(jìn)行該定型步驟S3對該導(dǎo)電粉體材料混合物3進(jìn)行加熱，以蒸除(evaporate)該導(dǎo)電粉體材料混合物3中的分散劑，使該導(dǎo)電粉體材料混合物3 于該集電板1的不平整表面固化形成電極2。本實(shí)施例于90°C 250°C之間對該導(dǎo)電粉體材料混合物3進(jìn)行加熱15 90分鐘。至此，便可完成本發(fā)明第一實(shí)施例的電極組的制備， 并獲得如圖2所示由該集電板1及電極2所共同形成的電極組。C.本發(fā)明第二實(shí)施例的電儲存裝置的電極組的制備方法請參照圖8及9所示，本發(fā)明第二實(shí)施例的電極組相同先進(jìn)行該集電板蝕刻步驟 Si，于該集電板1的表面進(jìn)行蝕刻，使該集電板1具有一不平整表面。本第二實(shí)施例的蝕刻先于該集電板1的表面以曝光顯影方式設(shè)置一具有圖案的保護(hù)層4，再進(jìn)行蝕刻，完成蝕刻后再將該保護(hù)層4去除，便可獲得該具有不平整表面的集電板1。其中，該保護(hù)層4也可選擇以隨機(jī)噴如漆類的涂料形成。如圖9所示，該曝光顯影(Lithography)方式先于該集電板1表面涂布一層光阻作為該保護(hù)層4 ；再如圖10所示，以一曝光光源通過一光罩5照射該保護(hù)層4以完成曝光動作，接著再如圖11所示以顯影劑對該保護(hù)層4顯影；再如圖12及13所示，蝕刻完成后選擇以溶劑將該些剩余的保護(hù)層4洗除，至此，便可完成對該集電板1的蝕刻。于蝕刻完成后， 較佳減少該集電板1與空氣的接觸或受日光照射，以避免該集電板1的表面形成氧化物，而影響后續(xù)工藝的進(jìn)行。請參照圖4及14所示，本發(fā)明第二實(shí)施例接著進(jìn)行該涂布步驟S2及定型步驟S3， 該些步驟與第一實(shí)施例相同，于此不再贅述。完成該定型步驟S3后便可獲得如圖3所示的電儲存裝置的電極組。通過上述的集電板蝕刻步驟Sl便可于該集電板1形成由該凸出部11及底部12 共同構(gòu)成的不平整表面，以提升該集電板1與該電極2的接觸面積。此外，如上述僅需對該電極2的導(dǎo)電粉體材料進(jìn)行適當(dāng)選擇，本發(fā)明的電極組便可應(yīng)用于鋰離子二次電池或電雙層電容器的正負(fù)極。D.本發(fā)明的電儲存裝置請參照圖15所示，其是本發(fā)明的電儲存裝置，該電儲存裝置包含一殼體6、二組上述的電極組、一隔板7及一電解液8。該二電極組如上述分別包含該集電板1及電極2，且該集電板1包含該數(shù)個(gè)凸出部11及底部12，該二電極組設(shè)置于該殼體6內(nèi)，分別用以作為正負(fù)極，且較佳以導(dǎo)線A連接延伸至該殼體6外；該隔板7選擇以絕緣多孔性高分子材料制成，該隔板7設(shè)置于該殼體6內(nèi)，且介于該二電極組之間，以隔開該二電極組；該電解液8填充于該殼體6內(nèi)，使得該二電極組皆可完全浸于該電解液8中，該電解液8可選擇為硫酸(H2SO4)、氫氧化鈉(NaOH)、氫氧化鉀(KOH)、氫氧化鈣(Ca(OH)2)、 碳酸丙烯酯(PC, propylenecarbonate)、碳酸乙烯酯(Ethylene carbonate)、二甲基碳酸(Dimethylcarbonate)或乙腈(AN，acetonitrile)等溶液，或者將四乙基氟硼酸銨鹽 (Et4NBF4, tetraethyl ammonium tetrafluoroborate)或四乙基磷四氟硼化物(Et4PBF4, tetraethyl phosphonium tetraf luoroborate)等白勺四級 I安鹽類[PH4] + (phosphonium)溶于水中作為該電解液8使用。請?jiān)賲⒄請D15所示，由于本發(fā)明的電極組的集電板1由該底部12表面延伸形成該數(shù)個(gè)凸出部11，以共同形成不平整表面，可有效增加該集電板1的表面積，進(jìn)而增進(jìn)該集電板1與該電極2的接觸面積。因此，即使于該電儲存裝置(例如鋰離子二次電池)進(jìn)行充放電時(shí)產(chǎn)生大量的熱能，也可通過該些凸出部11與該電極2的接觸面積，而將該些熱能快速由該集電板1傳導(dǎo)至該電儲存裝置外，以避免熱量積存于該電儲存裝置內(nèi)而產(chǎn)生使用上的安全性疑慮。本發(fā)明提供一種電儲存裝置的電極組及其制備方法，使一集電板形成有不平整表面，以達(dá)到增加該集電板表面積的功效。本發(fā)明提供一種電儲存裝置的電極組及其制備方法，使該集電板形成數(shù)個(gè)凸出部，以增加該集電板與一電極的接觸面積。本發(fā)明提供一種電儲存裝置，包含前述的電極組，以提升該集電板的導(dǎo)熱效果。
權(quán)利要求
1.一種電儲存裝置的電極組，其特征在于包含一個(gè)集電板，包含一個(gè)底部及數(shù)個(gè)凸出部，該數(shù)個(gè)凸出部由該底部的表面延伸形成，兩個(gè)相鄰的凸出部之間形成一個(gè)間距，該底部及凸出部的表面共同形成一個(gè)不平整表面；及一個(gè)電極，完整填充于該些凸出部之間，并覆蓋于該凸出部及底部。
2.依權(quán)利要求1所述的電儲存裝置的電極組，其特征在于，該凸出部相對于該底部表面的延伸高度h與該間距d的比值h/d為0. 05 200。
3.依權(quán)利要求1所述的電儲存裝置的電極組，其特征在于，該數(shù)個(gè)凸出部為不規(guī)則狀。
4.依權(quán)利要求1所述的電儲存裝置的電極組，其特征在于，該數(shù)個(gè)凸出部相對于該底部表面的延伸高度為等高。
5.依權(quán)利要求1所述的電儲存裝置的電極組，其特征在于，該數(shù)個(gè)凸出部相對于該底部表面的延伸高度為不等高。
6.依權(quán)利要求1所述的電儲存裝置的電極組，其特征在于，該數(shù)個(gè)凸出部的高度介于 10 μ m 50 μ m之間。
7.依權(quán)利要求1所述的電儲存裝置的電極組，其特征在于，該數(shù)個(gè)間距為相等間距。
8.依權(quán)利要求1所述的電儲存裝置的電極組，其特征在于，該數(shù)個(gè)間距為不等間距。
9.依權(quán)利要求1所述的電儲存裝置的電極組，其特征在于，該間距介于2μ m 20 μ m 之間。
10.一種電儲存裝置的電極組的制備方法，其特征在于包含一個(gè)集電板蝕刻步驟，于一個(gè)集電板的表面進(jìn)行蝕刻，使該集電板的表面形成一個(gè)不平整表面；一個(gè)涂布步驟，于該不平整表面涂布一個(gè)導(dǎo)電粉體材料混合物；及一個(gè)定型步驟，對該導(dǎo)電粉體材料混合物進(jìn)行加熱，使該導(dǎo)電粉體材料混合物于該不平整表面固化形成一個(gè)電極。
11.依權(quán)利要求10所述的電儲存裝置的電極組的制備方法，其特征在于，該集電板蝕刻步驟中，以干式蝕刻或濕式蝕刻的方式于該集電板的表面蝕刻形成不平整表面。
12.依權(quán)利要求10所述的電儲存裝置的電極組的制備方法，其特征在于，該定型步驟中，進(jìn)行加熱的溫度為90°C 250°C。
13.依權(quán)利要求10所述的電儲存裝置的電極組的制備方法，其特征在于，該定型步驟中，進(jìn)行加熱的時(shí)間為15分鐘 90分鐘。
14.依權(quán)利要求10所述的電儲存裝置的電極組的制備方法，其特征在于，該涂布步驟中，該導(dǎo)電粉體材料混合物以一個(gè)導(dǎo)電粉體材料與一個(gè)分散劑共同混合而成。
15.一種電儲存裝置，其特征在于包含一個(gè)殼體；一個(gè)電解液，設(shè)置于該殼體內(nèi)；兩個(gè)電極組，分別浸置于該電解液中，各該電極組分別包含一個(gè)集電板及一個(gè)電極，該集電板包含一個(gè)底部及數(shù)個(gè)凸出部，該數(shù)個(gè)凸出部由該底部的表面延伸形成，兩個(gè)相鄰的凸出部之間形成一個(gè)間距，該底部及凸出部的表面共同形成一個(gè)不平整表面，該電極填充于該些凸出部之間，并覆蓋于該凸出部及底部；及一個(gè)隔板，設(shè)置于該殼體內(nèi)，且介于該兩個(gè)電極組之間。
16.依權(quán)利要求15所述的電儲存裝置，其特征在于，該凸出部相對于該底部表面的延伸高度h與該間距d的比值h/d為0. 05 200。
17.依權(quán)利要求15所述的電儲存裝置，其特征在于，該數(shù)個(gè)凸出部為不規(guī)則狀。
18.依權(quán)利要求15所述的電儲存裝置，其特征在于，該數(shù)個(gè)凸出部相對于該底部表面的延伸高度為等高。
19.依權(quán)利要求15所述的電儲存裝置，其特征在于，該數(shù)個(gè)凸出部相對于該底部表面的延伸高度為不等高。
20.依權(quán)利要求15所述的電儲存裝置，其特征在于，該數(shù)個(gè)凸出部的高度介于10μ m 50 μ m之間。
21.依權(quán)利要求15所述的電儲存裝置，其特征在于，該數(shù)個(gè)間距為相等間距。
22.依權(quán)利要求15所述的電儲存裝置，其特征在于，該數(shù)個(gè)間距為不等間距。
23.依權(quán)利要求15所述的電儲存裝置，其特征在于，該間距介于2μ m 20 μ m之間。
24.依權(quán)利要求15所述的電儲存裝置，其特征在于，該電解液為硫酸、氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化鈣、碳酸丙烯酯、碳酸乙烯酯、二甲基碳酸或乙腈溶液。
25.依權(quán)利要求15所述的電儲存裝置，其特征在于，該電解液為四級銨鹽類的水溶液。
26.依權(quán)利要求25所述的電儲存裝置，其特征在于，該電解液為四乙基氟硼酸銨鹽或四乙基磷四氟硼化物水溶液。
27.依權(quán)利要求15所述的電儲存裝置，其特征在于，該隔板以絕緣多孔性高分子材料制成。
全文摘要
一種電儲存裝置的電極組的制備方法包含于一集電板的表面蝕刻形成不平整表面；于該不平整表面涂布一導(dǎo)電粉體材料混合物；及進(jìn)行加熱以于該不平整表面形成一電極。所制備的電極組包含一集電板及一電極，該集電板包含一底部及數(shù)個(gè)由該底部表面延伸形成的凸出部，二相鄰的凸出部間形成一間距，使得該底部及凸出部的表面共同形成一不平整表面，該電極填充于該些凸出部間并覆蓋于該凸出部及底部。該電儲存裝置包含一殼體；一電解液設(shè)置于該殼體內(nèi)；二該電極組分別浸置于該電解液中；及一隔板設(shè)置于該殼體內(nèi)，以隔開該二電極組。
文檔編號H01M4/13GK102237508SQ20101015205
公開日2011年11月9日 申請日期2010年4月21日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月21日
發(fā)明者謝培煥, 陳敏華 申請人:財(cái)團(tuán)法人金屬工業(yè)研究發(fā)展中心