專利名稱：半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明關(guān)于一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法，詳言之，關(guān)于一種整合被動(dòng)組件 的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)：
參考圖1，顯示已知半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。該已知半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)1包括 一基板11、一封裝單元12及一封膠體13。該封裝單元12包括數(shù)個(gè)被動(dòng)組件(圖中未示)。 該封裝單元12位于該基板11上，且電性連接至該基板11。該封膠體13包覆該封裝單元 12。該已知半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)1的缺點(diǎn)如下。該等被動(dòng)組件先經(jīng)由一半導(dǎo)體工藝整合于 該封裝單元12內(nèi)，接著，該封裝單元12再以打線方式，或覆晶方式(圖中未示)，電性連接 至該基板11，導(dǎo)致將該等被動(dòng)組件整合至該半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)1內(nèi)的工藝繁復(fù)，并提高成本。因此，有必要提供一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法，以解決上述問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其包括以下步驟(a)提供一基材， 該基材包括至少一溝槽及至少一導(dǎo)電孔結(jié)構(gòu)，該導(dǎo)電孔結(jié)構(gòu)位于該溝槽內(nèi)；(b)形成一第 一電容于該基材上，該第一電容包括一第一下電極、一第一介電層及一第一上電極，該第一 下電極位于該基材上，該第一介電層位于該第一下電極上，該第一上電極位于該第一介電 層上；(c)形成一第一保護(hù)層，以包覆該第一電容，該第一保護(hù)層包括數(shù)個(gè)第一開口，該等 第一開口顯露該導(dǎo)電孔結(jié)構(gòu)、部分該第一下電極及部分該第一上電極；(d)形成一第一金 屬層于該第一保護(hù)層上，該第一金屬層包括一第一電感，該第一金屬層直接接觸該導(dǎo)電孔 結(jié)構(gòu)、該第一下電極及該第一上電極；及(e)形成一第二保護(hù)層，以包覆該第一電感。藉此，可簡化該第一電感及該第一電容的工藝。本發(fā)明另提供一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其包括一基材、一第一電容、一第一保護(hù)層、 一第一金屬層及一第二保護(hù)層。該基材具有一第一表面、一第二表面、至少一溝槽及至少一 穿導(dǎo)孔結(jié)構(gòu)，該溝槽貫穿該第一表面及該第二表面，該穿導(dǎo)孔結(jié)構(gòu)位于該溝槽內(nèi)，且顯露于 該基材的第一表面及第二表面。該第一電容位于該基材的第一表面，且包括一第一下電極、 一第一介電層及一第一上電極，該第一下電極位于該基材的第一表面，該第一介電層位于 該第一下電極上，該第一上電極位于該第一介電層上。該第一保護(hù)層包覆該第一電容，該第 一保護(hù)層包括數(shù)個(gè)第一開口，該等第一開口顯露該穿導(dǎo)孔結(jié)構(gòu)、部分該第一下電極及部分 該第一上電極。該第一金屬層位于該第一保護(hù)層上，且包括一第一電感，該第一金屬層直接 接觸該穿導(dǎo)孔結(jié)構(gòu)、該第一下電極及該第一上電極。該第二保護(hù)層包覆該第一電感。藉此，可將該第一電感、該第一電容及該穿導(dǎo)孔結(jié)構(gòu)一并整合至該半導(dǎo)體封裝結(jié) 構(gòu)內(nèi)，以縮減產(chǎn)品尺寸。


圖1顯示已知半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；圖2至圖21顯示本發(fā)明半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制造方法的第一實(shí)施例的示意圖；圖22顯示本發(fā)明半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的第二實(shí)施例的剖面示意圖；圖23顯示本發(fā)明半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的第三實(shí)施例的剖面示意圖；圖M至圖31顯示本發(fā)明半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制造方法的第二實(shí)施例的示意圖；及圖32至圖34顯示本發(fā)明半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制造方法的第三實(shí)施例的示意圖。
具體實(shí)施例方式參考圖2至圖21，顯示本發(fā)明半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制造方法的第一實(shí)施例的示意 圖。參考圖2，提供一基材21。在本實(shí)施例中，該基材21包括一第一表面211、一下表面212、 至少一溝槽213及至少一導(dǎo)電孔結(jié)構(gòu)217。該溝槽213開口于該基材21的第一表面211。 該導(dǎo)電孔結(jié)構(gòu)217位于該溝槽213內(nèi)，且顯露于該基材21的第一表面211。在本實(shí)施例中，該基材21的材質(zhì)為非絕緣材料，例如硅或氧化硅。該導(dǎo)電孔結(jié)構(gòu) 217包括一外絕緣層2141、一導(dǎo)體2142及一內(nèi)絕緣層2143。該外絕緣層2141位于該溝槽 213的側(cè)壁，定義出一第二中心槽2144，該導(dǎo)體2142位于該第二中心槽2144的側(cè)壁，定義 出一第一中心槽2145，該內(nèi)絕緣層2143填滿該第一中心槽2145。由于該基材21的材質(zhì)為 非絕緣材料，故該外絕緣層2141用以隔絕該基材21及該導(dǎo)體2142，避免通過該導(dǎo)電孔結(jié)構(gòu) 217的電流分流至該基材21，而降低該導(dǎo)電孔結(jié)構(gòu)217的電性效果。然而，在其它應(yīng)用中，如圖3所示，該導(dǎo)電孔結(jié)構(gòu)217可僅包括一外絕緣層2141及 一導(dǎo)體2142，而不包括該內(nèi)絕緣層2143(圖2)，該外絕緣層2141位于該溝槽213的側(cè)壁， 定義出一第二中心槽2144，該導(dǎo)體2142填滿該第二中心槽2144。再者，該基材21的材質(zhì) 可為絕緣材料，例如玻璃，則該導(dǎo)電孔結(jié)構(gòu)217可以不包括該外絕緣層2141 (圖2)。因此， 如圖4所示，該導(dǎo)電孔結(jié)構(gòu)217可僅包括一導(dǎo)體2142及一內(nèi)絕緣層2143，該導(dǎo)體2142位 于該溝槽213的側(cè)壁及底部，定義出一第一中心槽2145，該內(nèi)絕緣層2143填滿該第一中心 槽2145?；蛘?，如圖5所示，該導(dǎo)電孔結(jié)構(gòu)217僅包括一導(dǎo)體2142，該導(dǎo)體2142填滿該溝 槽213。參考圖6，形成一第一絕緣底層22于該基材21上。在本實(shí)施例中，該第一絕緣底 層22位于該基材21的第一表面211，且具有一第一穿孔221，該第一穿孔221顯露該導(dǎo)電 孔結(jié)構(gòu)217。然而，在其它應(yīng)用中，可不形成該第一絕緣底層22。接著，形成一第一電容23 (圖10)于該基材21上，該第一電容23包括一第一下電 極231、一第一介電層232及一第一上電極233，該第一下電極231位于該基材21上，該第 一介電層232位于該第一下電極231上，該第一上電極233位于該第一介電層232上。在 本實(shí)施例中，該第一電容23位于該第一絕緣底層22上。在本實(shí)施例中，形成該第一電容 23的步驟如下所述。參考圖7，首先，形成(例如濺鍍)一第二金屬層234于該基材21上。 該第二金屬層234的材質(zhì)為鋁銅(AlCu)。接著，形成(例如濺鍍)一第三金屬層于該第二 金屬層234上，并對(duì)該第三金屬層進(jìn)行陽極氧化，以形成一第一氧化層235。該第三金屬層 的材質(zhì)為鉭(Tantalum，iTa),該第一氧化層235的材質(zhì)為五氧化鉭(Tantalum Pentoxide, Ta2O5)。接著，形成(例如濺鍍)一第四金屬層236于該第一氧化層235上。該第四金屬層 236的材質(zhì)為鋁銅(AlCu)。最后，形成一第一光阻237于該第四金屬層236上。參考圖8，移除部分該第一氧化層235 (圖7)及部分該第四金屬層236 (圖7)，以分別形成該第一介電 層232及該第一上電極233，并移除該第一光阻237 (圖7)。參考圖9，形成一第二光阻238 于該第二金屬層234上，且包覆該第一介電層232及該第一上電極233。參考圖10，移除部 分該第二金屬層234(圖9)，以形成該第一下電極231，并移除該第二光阻238 (圖9)，同時(shí) 形成該第一電容23。參考圖11，形成一第一保護(hù)層M，以包覆該第一電容23。該第一保護(hù) 層M包括數(shù)個(gè)第一開口對(duì)1，該等第一開口 241顯露該導(dǎo)電孔結(jié)構(gòu)217、部分該第一下電極 231及部分該第一上電極233。接著，形成一第一金屬層25 (圖14)于該第一保護(hù)層M上。該第一金屬層25包 括一第一電感251，較佳地，該第一金屬層25填滿該等第一開口 M1，以形成一第一內(nèi)連接 金屬255、一第二內(nèi)連接金屬256及一第三內(nèi)連接金屬257。該第一內(nèi)連接金屬255直接 接觸該導(dǎo)電孔結(jié)構(gòu)217，該第二內(nèi)連接金屬256直接接觸該第一下電極231，該第三內(nèi)連接 金屬257直接接觸該第一上電極233。在本實(shí)施例中，形成該第一金屬層25的步驟如下所 述。參考圖12，形成一第一晶種層252于該第一保護(hù)層M上。參考圖13，形成一第三光阻 253于該第一晶種層252上，以覆蓋部分該第一晶種層252，且顯露部分該第一晶種層252， 并形成一第一電鍍層2M于被顯露的部分該第一晶種層252上。參考圖14，移除該第三光 阻253(圖1 及被覆蓋的部分該第一晶種層252，該第一電鍍層2M及部分該該第一晶種 層252形成該第一金屬層25。參考圖15，形成一第二保護(hù)層26，以包覆該第一電感251。該 第二保護(hù)層沈包括至少一第二開口沈1，該第二開口 261顯露部分該第一金屬層25。接著，形成至少一第一凸塊27 (圖18)于該第二保護(hù)層沈的第二開口內(nèi)。在 本實(shí)施例中，形成該第一凸塊27的步驟如下所述。參考圖16，形成一第二晶種層271于該 第二保護(hù)層沈上。參考圖17，先形成一第四光阻272于該第二晶種層271上，以覆蓋部分 該第二晶種層271，且顯露部分該第二晶種層271，再形成一第二電鍍層273于被顯露的部 分該第二晶種層271上。參考圖18，移除該第四光阻272(圖17)及被覆蓋的部分該第二晶 種層271，以形成該第一凸塊27。參考圖19，設(shè)置該基材21于一載體觀上，其中該基材21的第一表面211面對(duì)該 載體觀，并從該基材21的下表面212(圖18)移除部分該基材21，以形成一第二表面215， 且顯露該導(dǎo)電孔結(jié)構(gòu)217 (圖18)的導(dǎo)體2142于該第二表面215，以形成一穿導(dǎo)孔結(jié)構(gòu)214。 然而，在其它應(yīng)用中，可再移除更多部分該基材21，使得該導(dǎo)電孔結(jié)構(gòu)217(圖18)的內(nèi)絕緣 層2143亦顯露于該第二表面215，以確保該導(dǎo)體2142顯露于該第二表面215。參考圖20，形成至少一電性組件于該基材21的第二表面215。在本實(shí)施例中，該 電性組件為一第二凸塊31，該第二凸塊31的制造方法，同該第一凸塊27的制造方法，故不 再贅述。參考圖21，移除該載體觀(圖20)，形成本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)2的第一實(shí)施例。 然而，該電性組件可為一第二電感32及一第二電容33，如圖22所示。該第二電感32及該 第二電容33的制造方法，同該第一電感251及該第一電容23的制造方法，亦即，于該基材 21的第二表面215所進(jìn)行的工藝可與于該基材21的第一表面211所進(jìn)行的工藝相同，故不 再贅述。藉此，可簡化該第一電感251及該第一電容23的工藝，且可將該第一電感251、該 第一電容23及該穿導(dǎo)孔結(jié)構(gòu)214 —并整合至該半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)2內(nèi)，以縮減產(chǎn)品尺寸。再參考圖21，顯示本發(fā)明半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的第一實(shí)施例的剖面示意圖。該半導(dǎo)體
7封裝結(jié)構(gòu)2包括一基材21、一第一絕緣底層22、一第二絕緣底層34、一第一電容23、一第一 保護(hù)層對(duì)、一第一金屬層25、一第二保護(hù)層沈、至少一第一凸塊27及至少一電性組件。該基材21具有一第一表面211、一第二表面215、至少一溝槽213及至少一穿導(dǎo)孔 結(jié)構(gòu)214。該溝槽213貫穿該第一表面211及該第二表面215，該穿導(dǎo)孔結(jié)構(gòu)214位于該溝 槽213內(nèi)，且顯露于該第一表面211及該第二表面215。在本實(shí)施例中，該基材21的材質(zhì)為非絕緣材料，例如硅或氧化硅。該穿導(dǎo)孔結(jié)構(gòu) 214包括一外絕緣層2141、一導(dǎo)體2142及一內(nèi)絕緣層2143，該外絕緣層2141位于該溝槽 213的側(cè)壁，定義出一第二中心槽2144，該導(dǎo)體2142位于該第二中心槽2144的側(cè)壁，定義 出一第一中心槽2145，該內(nèi)絕緣層2143填滿該第一中心槽2145。由于該基材21的材質(zhì)為 非絕緣材料，故該外絕緣層2141用以隔絕該基材21及該導(dǎo)體2142，避免通過該穿導(dǎo)孔結(jié)構(gòu) 214的電流分流至該基材21，而降低該穿導(dǎo)孔結(jié)構(gòu)214的電性效果。然而，在其它應(yīng)用中，該穿導(dǎo)孔結(jié)構(gòu)214可僅包括一外絕緣層2141及一導(dǎo)體2142， 而不包括該內(nèi)絕緣層2143，該外絕緣層2141位于該溝槽213的側(cè)壁，定義出一第二中心槽 2144，該導(dǎo)體2142填滿該第二中心槽2144。再者，該基材21的材質(zhì)可為絕緣材料，例如 玻璃，則該穿導(dǎo)孔結(jié)構(gòu)214可以不包括該外絕緣層2141，因此，該穿導(dǎo)孔結(jié)構(gòu)214可僅包括 一導(dǎo)體2142及一內(nèi)絕緣層2143，該導(dǎo)體2142位于該溝槽213的側(cè)壁，定義出一第一中心 槽2145，該內(nèi)絕緣層2143填滿該第一中心槽2145，或者，該穿導(dǎo)孔結(jié)構(gòu)214僅包括一導(dǎo)體 2142，該導(dǎo)體2142填滿該溝槽213。該第一絕緣底層22位于該基材21的第一表面211，且具有一第一穿孔221，該第 一穿孔221顯露該穿導(dǎo)孔結(jié)構(gòu)214。該第二絕緣底層34位于該基材21的第二表面215，且 具有一第二穿孔341，該第二穿孔341顯露該穿導(dǎo)孔結(jié)構(gòu)214。該第一電容23位于該第一 絕緣底層22上，且包括一第一下電極231、一第一介電層232及一第一上電極233，該第一 下電極231位于該第一絕緣底層上，該第一介電層232位于該第一下電極231上，該第一上 電極233位于該第一介電層232上。在本實(shí)施例中，該第一下電極231及該第一上電極233 的材質(zhì)為鋁銅(AlCu)，該第一介電層232的材質(zhì)為五氧化鉭(Tantalum Pentoxide, Ta2O5) °該第一保護(hù)層M包覆該第一電容23。在本實(shí)施例中，該第一保護(hù)層M包括數(shù)個(gè) 第一開口 M1，該等第一開口 241顯露該穿導(dǎo)孔結(jié)構(gòu)214、部分該第一下電極231及部分該 第一上電極233。該第一金屬層25位于第一保護(hù)層M上，且包括一第一電感251，較佳地， 位于該等第一開口 Ml內(nèi)的部分該第一金屬層25形成一第一內(nèi)連接金屬255、一第二內(nèi)連 接金屬256及一第三內(nèi)連接金屬257。該第一內(nèi)連接金屬255直接接觸該穿導(dǎo)孔結(jié)構(gòu)214， 該第二內(nèi)連接金屬256直接接觸該第一下電極231，該第三內(nèi)連接金屬257直接接觸該第一 上電極233。該第二保護(hù)層沈包覆該第一電感251。在本實(shí)施例中，該第二保護(hù)層沈包括 至少一第二開口沈1，該第二開口 261顯露部分該第一金屬層25。該第一凸塊27位于該第 二保護(hù)層沈的第二開口內(nèi)。該電性組件位于該基材21的第二表面215。該電性組件 為一第二凸塊31。藉此，可將該第一電感251、該第一電容23及該穿導(dǎo)孔結(jié)構(gòu)214 —并整合至該半導(dǎo) 體封裝結(jié)構(gòu)2內(nèi)，以縮減產(chǎn)品尺寸。參考圖22，顯示本發(fā)明半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的第二實(shí)施例的剖面示意圖。本實(shí)施例的 半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)3與第一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)2(圖21)大致相同，其中相同的組件賦予相同的編號(hào)。本實(shí)施例與第一實(shí)施例的不同處在于，在本實(shí)施例中，該半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)3 的第二表面215包括數(shù)個(gè)電性組件(例如一第二電感32、一第二電容33及一第二凸塊31)。參考圖23，顯示本發(fā)明半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的第三實(shí)施例的剖面示意圖。本實(shí)施例的 半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)4與第一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)2(圖21)大致相同，其中相同的組件賦 予相同的編號(hào)。本實(shí)施例與第一實(shí)施例的不同處在于，在本實(shí)施例中，該半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)3 不包括該第一絕緣底層22及該第二絕緣底層34，較佳地，該第一電容23位于該基材21的 第一表面211。參考圖M至圖31，顯示本發(fā)明半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制造方法的第二實(shí)施例的示意 圖。參考圖M，提供一基材21。在本實(shí)施例中，該基材21具有一上表面216及一第二表面 215，該溝槽213開口于該基材21的第二表面215，且該導(dǎo)電孔結(jié)構(gòu)217顯露于該基材21的 第二表面215。參考圖25，形成一第二絕緣底層34于該基材21上。在本實(shí)施例中，該第二 絕緣底層34位于該基材21的第二表面215，且具有一第二穿孔341，該第二穿孔341顯露 該導(dǎo)電孔結(jié)構(gòu)217。接著，形成至少一電性組件于該基材21的第二表面215，較佳地，位于 該第二絕緣底層34上，在本實(shí)施例中，該電性組件為一第二凸塊31。參考圖26，設(shè)置該基 材21于一載體觀上，其中該基材21的第二表面215面對(duì)該載體28，并從該基材21的上 表面216(圖25)移除部分該基材21，以形成一第一表面211，且顯露該導(dǎo)電孔結(jié)構(gòu)217(圖 25)于該第一表面211，以形成一穿導(dǎo)孔結(jié)構(gòu)217。參考圖27，形成一第一電容23于該基材21上，該第一電容23包括一第一下電極 231、一第一介電層232及一第一上電極233，該第一下電極231位于該基材21上，該第一介 電層232位于該第一下電極231上，該第一上電極233位于該第一介電層232上。在本實(shí) 施例中，該第一電容23位于該第一絕緣底層22上。參考圖觀，形成一第一保護(hù)層24，以包 覆該第一電容23。該第一保護(hù)層M包括數(shù)個(gè)第一開口 M1，該等第一開口 241顯露部分該 第一上電極233。參考圖29，形成一第一金屬層25于該第一保護(hù)層M上。一第一電鍍層 254及一第一晶種層252形成該第一金屬層25。該第一金屬層25包括一第一電感251，較 佳地，該第一金屬層25填滿該等第一開口 M1，以形成一第一內(nèi)連接金屬255、一第二內(nèi)連 接金屬256及一第三內(nèi)連接金屬257。該第一內(nèi)連接金屬255直接接觸該穿導(dǎo)孔結(jié)構(gòu)214， 該第二內(nèi)連接金屬256直接接觸該第一下電極231，該第三內(nèi)連接金屬257直接接觸該第一 上電極233。參考圖30，形成一第二保護(hù)層沈，以包覆該第一電感251。該第二保護(hù)層沈 包括至少一第二開口沈1，該第二開口 261顯露部分該第一金屬層25。參考圖31，形成至 少一第一凸塊27于該第二保護(hù)層沈的第二開口內(nèi)，一第二電鍍層273及一第二晶種 層271形成該第一凸塊27。接著，移除該載體觀，形成本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)2的第一 實(shí)施例。參考圖32至圖34，顯示本發(fā)明半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制造方法的第三實(shí)施例的示意 圖。本實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制造方法與第一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制造方法 (圖2至圖21)大致相同，其中相同的組件賦予相同的編號(hào)。本實(shí)施例與第一實(shí)施例不同處 在于，參考圖32，在提供一基材21時(shí)，該基材21具有一第一表面211、一第二表面215、至 少一溝槽213及至少一導(dǎo)電孔結(jié)構(gòu)，該溝槽213貫穿該第一表面211及該第二表面215，該 導(dǎo)電孔結(jié)構(gòu)位于該溝槽213內(nèi)，且顯露于該第一表面211及該第二表面215，以形成一穿導(dǎo) 孔結(jié)構(gòu)214。接著，參考圖33，先于該基材21的第一表面211形成一第一電感251及一第一電容23。參考圖34，再于該基材21的第二表面215形成至少一電性組件，且同時(shí)形成本 發(fā)明的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的第一實(shí)施例。然而，在其它應(yīng)用中，亦可先于該基材21的第二表 面215形成該電性組件，再于該基材21的第一表面211形成該第一電感251及該第一電容 23。 惟上述實(shí)施例僅為說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用以限制本發(fā)明。因此，習(xí)于 此技術(shù)的人士對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修改及變化仍不脫本發(fā)明的精神。本發(fā)明的權(quán)利范圍應(yīng)如 權(quán)利要求書所列。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括(a)提供一基材，該基材包括至少一溝槽及至少一導(dǎo)電孔結(jié)構(gòu)，該導(dǎo)電孔結(jié)構(gòu)位于該溝 槽內(nèi)；(b)形成一第一電容于該基材上，該第一電容包括一第一下電極、一第一介電層及一第 一上電極，該第一下電極位于該基材上，該第一介電層位于該第一下電極上，該第一上電極 位于該第一介電層上；(c)形成一第一保護(hù)層，以包覆該第一電容，該第一保護(hù)層包括數(shù)個(gè)第一開口，該等第 一開口顯露該導(dǎo)電孔結(jié)構(gòu)、部分該第一下電極及部分該第一上電極；(d)形成一第一金屬層于該第一保護(hù)層上，該第一金屬層包括一第一電感，且直接接觸 該導(dǎo)電孔結(jié)構(gòu)、該第一下電極及該第一上電極；及(e)形成一第二保護(hù)層，以包覆該第一電感。
2.如權(quán)利要求1的方法，其中該步驟(a)中，該基材具有一第一表面及一第二表面，該 溝槽貫穿該基材的第一表面及第二表面，且該導(dǎo)電孔結(jié)構(gòu)顯露于該基材的第一表面及第二 表面，以形成一穿導(dǎo)孔結(jié)構(gòu)，該步驟(b)中，該第一電容位于該基材的第一表面。
3.如權(quán)利要求1的方法，其中該步驟(a)中，該基材具有一第一表面及一下表面，該溝 槽開口于該基材的第一表面，且該導(dǎo)電孔結(jié)構(gòu)顯露于該基材的第一表面，該步驟(b)中，該 第一電容位于該基材的第一表面。
4.如權(quán)利要求3的方法，其中該步驟(e)之后，更包括(f)設(shè)置該基材于一載體上，其中該基材的第一表面面對(duì)該載體；(g)從該基材的下表面移除部分該基材，以形成一第二表面，且顯露該導(dǎo)電孔結(jié)構(gòu)于該 第二表面，以形成一穿導(dǎo)孔結(jié)構(gòu)；(h)形成至少一電性組件于該基材的第二表面；及(i)移除該載體。
5.如權(quán)利要求1的方法，其中該步驟(a)中，該基材具有一上表面及一第二表面，該溝 槽開口于該基材的第二表面，且該導(dǎo)電孔結(jié)構(gòu)顯露于該基材的第二表面。
6.如權(quán)利要求5的方法，其中該步驟(a)之后，更包括 (al)形成至少一電性組件于該基材的第二表面；(a2)設(shè)置該基材于一載體上，其中該基材的第二表面面對(duì)該載體；及 (a3)從該基材的上表面移除部分該基材，以形成一第一表面，且顯露該導(dǎo)電孔結(jié)構(gòu)于 該第一表面，以形成一穿導(dǎo)孔結(jié)構(gòu)。
7.如權(quán)利要求6的方法，其中該步驟(b)中，該第一電容位于該基材的第一表面。
8.如權(quán)利要求6的方法，其中該步驟(e)之后，更包括一移除該載體的步驟。
9.如權(quán)利要求1的方法，其中該步驟(b)包括 (bl)形成一第二金屬層于該基材上；(b2)形成一第三金屬層于該第二金屬層上，并對(duì)該第三金屬層進(jìn)行陽極氧化，以形成 一第一氧化層；(b3)形成一第四金屬層于該第一氧化層上； (b4)形成一第一光阻于該第四金屬層上；(b5)移除部分該第一氧化層及部分該第四金屬層，以分別形成該第一介電層及該第一上電極；(b6)移除該第一光阻；(b7)形成一第二光阻于該第二金屬層上，且包覆該第一介電層及該第一上電極； (b8)移除部分該第二金屬層，以形成該第一下電極；及 (b9)移除該第二光阻。
10.如權(quán)利要求1的方法，其中該步驟(d)包括 (dl)形成一第一晶種層于該第一保護(hù)層上；(d2)形成一第三光阻于該第一晶種層上，以覆蓋部分該第一晶種層，且顯露部分該第一晶種層；(d3)形成一第一電鍍層于被顯露的部分該第一晶種層上；及(d4)移除該第三光阻及被覆蓋的部分該第一晶種層，該第一電鍍層及部分該第一晶種 層形成該第一金屬層。
11.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，包括一基材，具有一第一表面、一第二表面、至少一溝槽及至少一穿導(dǎo)孔結(jié)構(gòu)，該溝槽貫穿 該第一表面及該第二表面，該穿導(dǎo)孔結(jié)構(gòu)位于該溝槽內(nèi)，且顯露于該基材的第一表面及第 二表面；一第一電容，位于該基材的第一表面，且包括一第一下電極、一第一介電層及一第一上 電極，該第一下電極位于該基材的第一表面，該第一介電層位于該第一下電極上，該第一上 電極位于該第一介電層上；一第一保護(hù)層，包覆該第一電容，該第一保護(hù)層包括數(shù)個(gè)第一開口，該等第一開口顯露 該穿導(dǎo)孔結(jié)構(gòu)、部分該第一下電極及部分該第一上電極；一第一金屬層，位于該第一保護(hù)層上，且包括一第一電感，該第一金屬層直接接觸該穿 導(dǎo)孔結(jié)構(gòu)、該第一下電極及該第一上電極；及 一第二保護(hù)層，包覆該第一電感。
12.如權(quán)利要求11的封裝結(jié)構(gòu)，其中該基材的材質(zhì)為玻璃、硅或氧化硅。
13.如權(quán)利要求11的封裝結(jié)構(gòu)，其中該穿導(dǎo)孔結(jié)構(gòu)包括一導(dǎo)體，該導(dǎo)體填滿該溝槽。
14.如權(quán)利要求11的封裝結(jié)構(gòu)，其中該穿導(dǎo)孔結(jié)構(gòu)包括一導(dǎo)體及一內(nèi)絕緣層，該導(dǎo)體 位于該溝槽的側(cè)壁，定義出一第一中心槽，該內(nèi)絕緣層填滿該第一中心槽。
15.如權(quán)利要求11的封裝結(jié)構(gòu)，其中該穿導(dǎo)孔結(jié)構(gòu)包括一外絕緣層及一導(dǎo)體，該外絕 緣層位于該溝槽的側(cè)壁，定義出一第二中心槽，該導(dǎo)體填滿該第二中心槽。
16.如權(quán)利要求11的封裝結(jié)構(gòu)，其中該穿導(dǎo)孔結(jié)構(gòu)包括一外絕緣層、一導(dǎo)體及一內(nèi)絕 緣層，該外絕緣層位于該溝槽的側(cè)壁，定義出一第二中心槽，該導(dǎo)體位于該第二中心槽的側(cè) 壁，定義出一第一中心槽，該內(nèi)絕緣層填滿該第一中心槽。
17.如權(quán)利要求11的封裝結(jié)構(gòu)，其中該第一下電極直接接觸該基材的第一表面。
18.如權(quán)利要求11的封裝結(jié)構(gòu)，更包括一第一絕緣底層，位于該基材的第一表面，且具 有一第一穿孔，該第一穿孔顯露該導(dǎo)電孔結(jié)構(gòu)，該第一電容位于該第一絕緣底層上，該第一 下電極位于該第一絕緣底層上。
19.如權(quán)利要求11的封裝結(jié)構(gòu)，其中該第一金屬層更包括一第一內(nèi)連接金屬、一第二 內(nèi)連接金屬及一第三內(nèi)連接金屬，該第一內(nèi)連接金屬直接接觸該穿導(dǎo)孔結(jié)構(gòu)，該第二內(nèi)連接金屬直接接觸該第一下電極，該第三內(nèi)連接金屬直接接觸該第一上電極。
20.如權(quán)利要求11的封裝結(jié)構(gòu)，其中該第二保護(hù)層包括至少一第二開口，該第二開口 顯露部分該第一金屬層。
21.如權(quán)利要求20的封裝結(jié)構(gòu)，更包括至少一第一凸塊，位于該第二保護(hù)層的第二開 口內(nèi)。
22.如權(quán)利要求11的封裝結(jié)構(gòu)，更包括至少一電性組件，位于該基材的第二表面，其中該電性組件為一第二電感、一第二電容或一第二凸塊。
全文摘要
本發(fā)明關(guān)于一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。該半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)包括一基材、一第一電容、一第一保護(hù)層、一第一金屬層及一第二保護(hù)層。該基材具有至少一穿導(dǎo)孔結(jié)構(gòu)。該第一電容位于該基材的一第一表面。該第一保護(hù)層包覆該第一電容。該第一金屬層位于該第一保護(hù)層上，且包括一第一電感。該第二保護(hù)層包覆該第一電感。藉此，可將該第一電感、該第一電容及該穿導(dǎo)孔結(jié)構(gòu)一并整合至該半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)，以縮減產(chǎn)品尺寸。
文檔編號(hào)H01L21/822GK102136475SQ20101011897
公開日2011年7月27日 申請(qǐng)日期2010年1月27日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月27日
發(fā)明者李德章, 陳建樺 申請(qǐng)人:日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司