專利名稱：電刷鍍制備太陽能電池陣列電極的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于太陽能電池制備領(lǐng)域，特別涉及一種用電刷鍍制備硅太陽能電池陣列
電極的方法。
背景技術(shù)：
目前，商品化生產(chǎn)硅太陽能電池陣列電極的方法只有一種，即絲網(wǎng)印刷銀漿形成 陣列電極。但是該工藝中目前存在下列問題得到的柵狀陣列電極大約要覆蓋6 10%的 表面積，使吸收太陽能的有效面積減少，從而使轉(zhuǎn)換效率降低；傳統(tǒng)的絲網(wǎng)印刷工藝難以實 現(xiàn)使太陽能電池擁有更高的高寬比的陣列電極。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足之處，本發(fā)明的首要目的在于提供一種用電 刷鍍制備硅太陽能電池陣列電極的方法。 本發(fā)明的再一目的在于提供上述方法制備的硅太陽能電池陣列電極。 本發(fā)明的又一目的在于提供上述硅太陽能電池陣列電極的應用。 為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案一種用電刷鍍制備硅太陽能電池
陣列電極的方法，包括以下操作步驟 (1)保護膜涂覆在涂有減反射層的硅半導體的表面涂覆一層保護膜；所述硅半 導體具有p/n結(jié)； (2)激光刻槽在涂覆了保護膜的硅半導體的表面上通過激光刻出陣列凹槽；
(3)表面活化處理將刻了陣列凹槽的硅半導體通過表面活性劑清洗后，在含 F一酸溶液或者氫氧化物溶液中對凹槽進行活化，得到經(jīng)過前處理的硅半導體；
(4)電刷鍍采用常規(guī)電鍍電源，利用電源負極連接經(jīng)過前處理的硅半導體，電源 正極連接浸滿鍍液的鍍筆，開啟電源，將鍍筆在經(jīng)過前處理的硅半導體的表面以電流密度 為1 4A/dm2的條件下進行電刷鍍；所述鍍筆為移動鍍筆或象形鍍筆； (5)保護膜退除將電刷鍍完成后的硅半導體在有機溶劑中浸泡，去掉覆蓋在極 板表面的保護膜，清洗，烘干，得到硅太陽能電池陣列電極。
步驟(1)所述減反射層為氮化硅減反射膜、多孔二氧化硅減反射膜、二氧化鈦減
反射膜或MgF2/ZnS雙層減反射膜；所述保護膜與無機酸堿不起作用并且能用有機溶劑容易
去除，優(yōu)選如為酚醛清漆、醇酸清漆、硝基清漆、環(huán)氧清漆或丙烯酸清漆。 步驟(3)所述表面活性劑的質(zhì)量百分比濃度為0. 5% 5% ;所述表面活性劑為
高級脂肪酸鹽或磺酸鹽表面活性劑；所述含F(xiàn)—酸溶液或氫氧化物溶液的質(zhì)量百分比濃度為
1% 40% ;所述含F(xiàn)—酸溶液為HF、 HBF4或NH4HF2的鹽酸溶液；所述氫氧化物為氫氧化鈉
或氫氧化鉀。 所述高級脂肪酸鹽為脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸鈉、十二烷基苯磺酸鈉或十二烷基硫 酸鈉。
步驟(3)所述活化的時間為1 5min ;活化的目的是為了消除硅片上的氧化膜，
同時將硅進行活化，減少電極與硅片上的接觸電阻，提高電極與硅片的結(jié)合力。 步驟(4)所述鍍液為鍍銅液、鍍鎳液、鍍錫液、鍍銀液或鍍金液；步驟(4)所述鍍筆
為移動鍍筆時，移動鍍筆的相對運動速度為0. 5 10M/min，電刷鍍的時間為5 10min ;所
述鍍筆為象形鍍筆時，電刷鍍的時間為1 10min。 鍍銅液是由焦磷酸銅50 150g/L、焦磷酸鉀250 350g/L、檸檬酸銨10 15g/L、 二氧化硒0. 006 0. 5g/L、2-巰基苯駢噻唑0. 001 0. 5g/L和2-巰基苯駢咪唑0. 001 0. lg/L組成；或者是由硫酸銅100 250g/L、硫酸50 150g/L、氯化鉀100 200mg/L、聚 乙二醇0. 05 0. 3g/L和雙(二甲基硫代氨基)甲酰锍-1-丙烷磺酸鹽0. 02 0. 5g/L組 成； 所述鍍鎳液由胺基磺酸鎳300 500g/L、氯化鎳0 30g/L、硼酸30 40g/L、丙 烯磺酸鈉0. lg-2g/L和香豆素0. 005-0. 2g/L組成； 所述鍍錫液由錫20 35g/L、苯酚磺酸40 80g/L和P -苯酚磺酸0. 1 2g/L 組成； 所述鍍銀液由硝酸銀30 40g/L—'、氰化鉀50 75g/L—1和碳酸鉀20 95g/L一1 組成； 所述鍍金液由氰化金鉀8 20g/L—^氰化鉀15 30g/L—^磷酸氫二鉀10 25g/ L—1和碳酸鉀10 30g/L-1組成。 步驟(5)所述有機溶劑為脂肪烴類化合物、脂環(huán)烴類化合物、卣化烴類化合物、酯 類化合物或酮類化合物；所述浸泡的時間為1 30分鐘。 所述脂肪烴類化合物為苯、甲苯或二甲苯；所述脂環(huán)烴類化合物為環(huán)己烷或環(huán)己
酮；所述鹵化烴類化合物為氯苯、二氯甲烷或二氯甲苯；所述酯類化合物為醋酸乙酯、醋酸
甲酯或醋酸丙酯；所述酮類化合物為丙酮、甲基丙酮或甲基異丁酮。 —種根據(jù)上述方法制備的硅太陽能電池陣列電極。 上述硅太陽能電池陣列電極可應用于制備太陽能電池組合板。 本發(fā)明的原理是首先對具有p/n結(jié)的硅片先進行弱腐蝕活化，使之裸露出基體，
然后一種方法是用浸滿電鍍液的鍍筆以一定相對速度在待鍍的晶體硅片上移動(圖1移動
鍍筆電刷鍍過程示意圖)，使晶體硅片表面與鍍筆接觸的那些部位的金屬離子獲得電子，還
原成金屬原子，這些原子沉積結(jié)晶就形成了導線，隨著電刷鍍時間增加，所得導線逐漸加厚
至規(guī)定尺寸；另一種方法是把鍍筆設計成象形陽極進行電刷鍍(圖2象形鍍筆電刷鍍過程
示意圖)。 如果是電刷鍍銅，則采用另外浸滿鍍液(鍍錫液、鍍鎳液、鍍銀液或鍍金液)的鍍 筆，對硅半導體進行二次電刷鍍，使其表面增加一層耐腐蝕的金屬(例如錫、鎳、銀、金等金 屬)層作為保護層以提高樣品的壽命。 本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有如下突出優(yōu)點和有益效果本發(fā)明采用電刷鍍的方 法在硅太陽能電池硅片表面制備微型金屬導線作為陣列電極，以填補絲網(wǎng)印刷陣列電極難 以制備微型陣列電極的缺陷；在電刷鍍過程中通過控制電沉積時間來增加金屬導線的厚 度，從而提高太陽能電池電極載流子收集能力，減少太陽能電池電極的串聯(lián)電阻和由此引 起的功率損失，提高太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率；該發(fā)明技術(shù)的應用，能夠以最小的投入，通過
5提升陣列電極制作工藝來達到提高太陽能電池轉(zhuǎn)換效率的目的，具有重要的實際價值；電 刷鍍生產(chǎn)效率明顯提高，即在較短的時間內(nèi)實現(xiàn)陣列電極的制備，而且制得的電極均勻，光
亮，同時電鍍槽液容易維護；自動化程度好，鍍速快，工藝操作簡單，易掌握，成本相對較低， 效率高，而且所得電極與基體結(jié)合強度高、鍍層結(jié)合力高，減少了基體與導電線之間的接觸 電阻，所需工裝設備少。
圖1移動鍍筆電刷鍍示意圖，其中A為鍍液槽；B為負極；C為移動鍍筆；D為泵；E 為導液管；F為負極導線；G為正極導線。 圖2象形鍍筆電刷鍍示意圖，其中A為鍍液槽；B為負極；C為象形鍍筆；D為泵；E 為導液管；F為負極導線；G為正極導線。
具體實施例方式
下面結(jié)合實施例及附圖對本發(fā)明作進一步詳細的描述，但本發(fā)明的實施方式不限于此。 實施例1 (1)保護膜涂覆在涂有氮化硅減反射層的硅半導體的表面涂覆一層酚醛清漆作 為保護膜；所述硅半導體具有p/n結(jié)； (2)激光刻槽在涂覆了保護膜的硅半導體的表面上通過激光刻出陣列凹槽；
(3)表面活化處理將刻了陣列凹槽的硅半導體通過質(zhì)量百分比濃度為5%的脂 肪醇聚氧乙烯醚硫酸鈉清洗后，在質(zhì)量百分比濃度為5%的HF鹽酸溶液中對凹槽進行活化 5min，得到經(jīng)過前處理的硅半導體； (4)電刷鍍采用常規(guī)電鍍電源，利用電源負極連接經(jīng)過前處理的硅半導體，電 源正極連接浸滿鍍銅液的移動鍍筆，開啟電源，將鍍筆在經(jīng)過前處理的硅半導體的表面以 電流密度為1A/dm2、相對運動速度為10M/min的條件下進行電刷鍍5min ;所述鍍銅液由 焦磷酸銅50g/L、焦磷酸鉀250g/L、檸檬酸銨10g/L、二氧化硒0. 006g/L、2_巰基苯駢噻唑 0. OOlg/L和2-巰基苯駢咪唑0. OOlg/L組成。 采用上述同樣的方法，用另一支浸滿鍍鎳液的鍍筆對鍍層進行二次電刷鍍，所述 鍍鎳液由胺基磺酸鎳300g/L、硼酸30g/L、丙烯磺酸鈉0. lg/L和香豆素0. 005g/L組成。
(5)保護膜退除將電刷鍍完成后的硅半導體在環(huán)己烷中浸泡30分鐘，去掉覆蓋 在極板表面的保護膜，清洗，烘干，得到硅太陽能電池陣列電極。
實施例2 (1)保護膜涂覆在涂有多孔二氧化硅減反射層的硅半導體的表面涂覆一層醇酸 清漆作為保護膜；所述硅半導體具有p/n結(jié)； (2)激光刻槽在涂覆了保護膜的硅半導體的表面上通過激光刻出陣列凹槽；
(3)表面活化處理將刻了陣列凹槽的硅半導體通過質(zhì)量百分比濃度為0. 5%的 十二烷基苯磺酸鈉清洗后，在質(zhì)量百分比濃度為5X的HB^鹽酸溶液中對凹槽進行活化 5min，得到經(jīng)過前處理的硅半導體； (4)電刷鍍采用常規(guī)電鍍電源，利用電源負極連接經(jīng)過前處理的硅半導體，電源
6正極連接浸滿鍍銅液的移動鍍筆，開啟電源，將鍍筆在經(jīng)過前處理的硅半導體的表面以電 流密度為4A/dm2、相對運動速度為8M/min的條件下進行電刷鍍10min ;所述鍍銅液由硫酸 銅100g/L、硫酸50g/L、氯化鉀100mg/L、聚乙二醇0. 05g/L和雙(二甲基硫代氨基)甲酰 锍-1-丙烷磺酸鹽0. 02g/L組成。 采用上述同樣的方法，用另一支浸滿鍍銀液的鍍筆對鍍層進行二次電刷鍍，所述 鍍銀液由硝酸銀30g/L—^氰化鉀50g/L—1和碳酸鉀20g/L—1組成。 (5)保護膜退除將電刷鍍完成后的硅半導體在苯中浸泡1分鐘，去掉覆蓋在極板
表面的保護膜，清洗，烘干，得到硅太陽能電池陣列電極。 實施例3 (1)保護膜涂覆在涂有二氧化鈦減反射層的硅半導體的表面涂覆一層硝基清漆 作為保護膜；所述硅半導體具有p/n結(jié)； (2)激光刻槽在涂覆了保護膜的硅半導體的表面上通過激光刻出陣列凹槽；
(3)表面活化處理將刻了陣列凹槽的硅半導體通過質(zhì)量百分比濃度為2%的 十二烷基硫酸鈉清洗后，在質(zhì)量百分比濃度為10%的NH4HF2鹽酸溶液中對凹槽進行活化 2min，得到經(jīng)過前處理的硅半導體； (4)電刷鍍采用常規(guī)電鍍電源，利用電源負極連接經(jīng)過前處理的硅半導體，電源 正極連接浸滿鍍液的象形鍍筆，開啟電源，將鍍筆在經(jīng)過前處理的硅半導體的表面以電流 密度為4A/dm2的條件下進行電刷鍍5min ;所述鍍銅液由硫酸銅250g/L、硫酸150g/L、氯化 鉀200mg/L、聚乙二醇0. 3g/L和雙(二甲基硫代氨基)甲酰锍_1_丙烷磺酸鹽0. 5g/L組 成。 采用上述同樣的方法，用另一支浸滿鍍錫液的鍍筆對鍍層進行二次電刷鍍，所述 鍍錫液由錫20g/L、苯酚磺酸40g/L和13 -苯酚磺酸0. lg/L組成。 (5)保護膜退除將電刷鍍完成后的硅半導體在二氯甲烷中浸泡20分鐘，去掉覆 蓋在極板表面的保護膜，清洗，烘干，得到硅太陽能電池陣列電極。
實施例4 (1)保護膜涂覆在涂有MgF2/ZnS雙層減反射層的硅半導體的表面涂覆一層環(huán)氧 清漆作為保護膜；所述硅半導體具有p/n結(jié)； (2)激光刻槽在涂覆了保護膜的硅半導體的表面上通過激光刻出陣列凹槽；
(3)表面活化處理將刻了陣列凹槽的硅半導體通過質(zhì)量百分比濃度為3%的 十二烷基磺酸鈉表面活性劑清洗后，在質(zhì)量百分比濃度為20%的氫氧化鈉溶液中對凹槽進 行活化3min，得到經(jīng)過前處理的硅半導體； (4)電刷鍍采用常規(guī)電鍍電源，利用電源負極連接經(jīng)過前處理的硅半導體，電源 正極連接浸滿鍍銀液的移動鍍筆，開啟電源，將鍍筆在經(jīng)過前處理的硅半導體的表面以電 流密度為3A/dm2、相對運動速度為0. 5M/min的條件下進行電刷鍍8min ;所述鍍銀液由硝酸 銀40g/L—'、氰化鉀75g/L—1和碳酸鉀95g/L—1組成。 (5)保護膜退除將電刷鍍完成后的硅半導體在醋酸乙酯中浸泡10分鐘，去掉覆 蓋在極板表面的保護膜，清洗，烘干，得到硅太陽能電池陣列電極。
實施例5 (1)保護膜涂覆在涂有氮化硅減反射膜的硅半導體的表面涂覆一層丙烯酸清漆作為保護膜；所述硅半導體具有p/n結(jié)； (2)激光刻槽在涂覆了保護膜的硅半導體的表面上通過激光刻出陣列凹槽；
(3)表面活化處理將刻了陣列凹槽的硅半導體通過質(zhì)量百分比濃度為4%的 十二烷基苯磺酸鈉表面活性劑清洗后，在質(zhì)量百分比濃度為30%的氫氧化鉀溶液中對凹槽 進行活化4min，得到經(jīng)過前處理的硅半導體； (4)電刷鍍采用常規(guī)電鍍電源，利用電源負極連接經(jīng)過前處理的硅半導體，電源 正極連接浸滿鍍錫液的移動鍍筆，開啟電源，將鍍筆在經(jīng)過前處理的硅半導體的表面以電 流密度為2A/dm2、相對運動速度為5M/min的條件下進行電刷鍍7min ;所述鍍錫液由錫35g/ L、苯酚磺酸80g/L和|3 -苯酚磺酸2g/L組成。 (5)保護膜退除將電刷鍍完成后的硅半導體在甲基異丁酮中浸泡25分鐘，去掉 覆蓋在極板表面的保護膜，清洗，烘干，得到硅太陽能電池陣列電極。
實施例6 (1)保護膜涂覆在涂有氮化硅減反射膜的硅半導體的表面涂覆一層丙烯酸清漆 作為保護膜；所述硅半導體具有p/n結(jié)； (2)激光刻槽在涂覆了保護膜的硅半導體的表面上通過激光刻出陣列凹槽；
(3)表面活化處理將刻了陣列凹槽的硅半導體通過質(zhì)量百分比濃度為1%的脂 肪醇聚氧乙烯醚硫酸鈉清洗后，在質(zhì)量百分比濃度為4%的氫氟酸溶液中對凹槽進行活化 lmin，得到經(jīng)過前處理的硅半導體； (4)電刷鍍采用常規(guī)電鍍電源，利用電源負極連接經(jīng)過前處理的硅半導體，電源 正極連接浸滿鍍液的象形鍍筆，開啟電源，將鍍筆在經(jīng)過前處理的硅半導體的表面以電流 密度為4A/dm2的條件下進行電刷鍍lmin ;所述鍍鎳液由胺基磺酸鎳500g/L、氯化鎳30g/L、 硼酸40g/L、丙烯磺酸鈉2g/L和香豆素0. 2g/L組成。 (5)保護膜退除將電刷鍍完成后的硅半導體在醋酸乙酯中浸泡5分鐘，去掉覆蓋
在極板表面的保護膜，清洗，烘干，得到硅太陽能電池陣列電極。
實施例7 (1)保護膜涂覆在涂有氮化硅減反射層的硅半導體的表面涂覆一層酚醛清漆作 為保護膜；所述硅半導體具有p/n結(jié)； (2)激光刻槽在涂覆了保護膜的硅半導體的表面上通過激光刻出陣列凹槽；
(3)表面活化處理將刻了陣列凹槽的硅半導體通過質(zhì)量百分比濃度為2. 5%的 脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸鈉清洗后，在質(zhì)量百分比濃度為8%的HF鹽酸溶液中對凹槽進行活 化5min，得到經(jīng)過前處理的硅半導體； (4)電刷鍍采用常規(guī)電鍍電源，利用電源負極連接經(jīng)過前處理的硅半導體，電源 正極連接浸滿鍍銅液的移動鍍筆，開啟電源，將鍍筆在經(jīng)過前處理的硅半導體的表面以電 流密度為4A/dm2、相對運動速度為3M/min的條件下進行電刷鍍9min ;所述鍍銅液由焦磷酸 銅150g/L、焦磷酸鉀350g/L、檸檬酸銨15g/L、二氧化硒0. 5g/L、2-巰基苯駢噻唑0. 5g/L和 2-巰基苯駢咪唑0. lg/L組成。 采用上述同樣的方法，用另一支浸滿鍍金液的鍍筆對鍍層進行二次電刷鍍，所述 鍍金液由氰化金鉀20g/L—^氰化鉀30g/L—^磷酸氫二鉀25g/L—1和碳酸鉀30g/L—1組成。
(5)保護膜退除將電刷鍍完成后的硅半導體在醋酸丙酯中浸泡15分鐘，去掉覆蓋在極板表面的保護膜，清洗，烘干，得到硅太陽能電池陣列電極。
實施例8 (1)保護膜涂覆在涂有氮化硅減反射膜的硅半導體的表面涂覆一層丙烯酸清漆 作為保護膜；所述硅半導體具有p/n結(jié)； (2)激光刻槽在涂覆了保護膜的硅半導體的表面上通過激光刻出陣列凹槽；
(3)表面活化處理將刻了陣列凹槽的硅半導體通過質(zhì)量百分比濃度為1%的 十二烷基苯磺酸鈉表面活性劑清洗后，在質(zhì)量百分比濃度為20%的氫氧化鉀溶液中對凹槽 進行活化lmin，得到經(jīng)過前處理的硅半導體； (4)電刷鍍采用常規(guī)電鍍電源，利用電源負極連接經(jīng)過前處理的硅半導體，電源 正極連接浸滿金液的象形鍍筆，開啟電源，將鍍筆在經(jīng)過前處理的硅半導體的表面以電流 密度為4A/dm2的條件下進行電刷鍍lmin ;所述鍍金液由氰化金鉀8g/L—^氰化鉀15g/L—\ 磷酸氫二鉀10g/L—1和碳酸鉀10g/L—1組成； (5)保護膜退除將電刷鍍完成后的硅半導體在甲基丙酮中浸泡20分鐘，去掉覆 蓋在極板表面的保護膜，清洗，烘干，得到硅太陽能電池陣列電極。 上述實施例為本發(fā)明較佳的實施方式，但本發(fā)明的實施方式并不受上述實施例的 限制，其它的任何未背離本發(fā)明的精神實質(zhì)與原理下所作的改變、修飾、替代、組合、簡化， 均應為等效的置換方式，都包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
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權(quán)利要求
一種用電刷鍍制備硅太陽能電池陣列電極的方法，其特征在于包括以下操作步驟(1)保護膜涂覆在涂有減反射層的硅半導體的表面涂覆一層保護膜；所述硅半導體具有p/n結(jié)；(2)激光刻槽在涂覆了保護膜的硅半導體的表面上通過激光刻出陣列凹槽；(3)表面活化處理將刻了陣列凹槽的硅半導體通過表面活性劑清洗后，在含F(xiàn)-酸溶液或者氫氧化物溶液中對凹槽進行活化，得到經(jīng)過前處理的硅半導體；(4)電刷鍍采用常規(guī)電鍍電源，利用電源負極連接經(jīng)過前處理的硅半導體，電源正極連接浸滿鍍液的鍍筆，開啟電源，將鍍筆在經(jīng)過前處理的硅半導體的表面以電流密度為1～4A/dm2的條件下進行電刷鍍；所述鍍筆為移動鍍筆或象形鍍筆；(5)保護膜退除將電刷鍍完成后的硅半導體在有機溶劑中浸泡，去掉覆蓋在極板表面的保護膜，清洗，烘干，得到硅太陽能電池陣列電極。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用電刷鍍制備硅太陽能電池陣列電極的方法，其特征在 于步驟(1)所述減反射層為氮化硅減反射膜、多孔二氧化硅減反射膜、二氧化鈦減反射膜或MgF2/ZnS雙層減反射膜；所述保護膜為酚醛清漆、醇酸清漆、硝基清漆、環(huán)氧清漆或丙烯酸清漆。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用電刷鍍制備硅太陽能電池陣列電極的方法，其特征在于步驟(3)所述表面活性劑的質(zhì)量百分比濃度為0. 5% 5% ;所述表面活性劑為高級脂肪酸鹽或磺酸鹽表面活性劑；所述含F(xiàn)-酸溶液或氫氧化物溶液的質(zhì)量百分比濃度為1% 40% ;所述含F(xiàn)-酸溶液為HF、 HBF4或NH4HF2的鹽酸溶液；所述氫氧化物為氫氧化鈉或氫氧 化鉀。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種用電刷鍍制備硅太陽能電池陣列電極的方法，其特征在于所述高級脂肪酸鹽為脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸鈉、十二烷基苯磺酸鈉或十二烷基硫酸鈉。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用電刷鍍制備硅太陽能電池陣列電極的方法，其特征在 于步驟(3)所述活化的時間為1 5min ;步驟(4)所述鍍液為鍍銅液、鍍鎳液、鍍錫液、鍍 銀液或鍍金液；步驟(4)所述鍍筆為移動鍍筆時，移動鍍筆的相對運動速度為0. 5 10M/ min，電刷鍍的時間為5 10min ;所述鍍筆為象形鍍筆時，電刷鍍的時間為1 10min。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種用電刷鍍制備硅太陽能電池陣列電極的方法，其特征在于鍍銅液是由焦磷酸銅50 150g/L、焦磷酸鉀250 350g/L、檸檬酸銨10 15g/L、二 氧化硒0. 006 0. 5g/L、2-巰基苯駢噻唑0. 001 0. 5g/L和2-巰基苯駢咪唑0. 001 0. lg/L組成；或者是由硫酸銅100 250g/L、硫酸50 150g/L、氯化鉀100 200mg/L、聚 乙二醇0. 05 0. 3g/L和雙(二甲基硫代氨基)甲酰锍-1-丙烷磺酸鹽0. 02 0. 5g/L組 成；所述鍍鎳液由胺基磺酸鎳300 500g/L、氯化鎳0 30g/L、硼酸30 40g/L、丙烯磺酸鈉0. lg-2g/L和香豆素0. 005-0. 2g/L組成;所述鍍錫液由錫20 35g/L、苯酚磺酸40 80g/L和P -苯酚磺酸0. 1 2g/L組成； 所述鍍銀液由硝酸銀30 40g/L—'、氰化鉀50 75g/L—1和碳酸鉀20 95g/L—1組成； 所述鍍金液由氰化金鉀8 20g/L—^氰化鉀15 30g/L—^磷酸氫二鉀10 25g/L—1和碳酸鉀10 30g/L—'組成。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用電刷鍍制備硅太陽能電池陣列電極的方法，其特征在 于步驟(5)所述有機溶劑為脂肪烴類化合物、脂環(huán)烴類化合物、卣化烴類化合物、酯類化 合物或酮類化合物；所述浸泡的時間為1 30分鐘。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種用電刷鍍制備硅太陽能電池陣列電極的方法，其特征在 于所述脂肪烴類化合物為苯、甲苯或二甲苯；所述脂環(huán)烴類化合物為環(huán)己烷或環(huán)己酮；所 述鹵化烴類化合物為氯苯、二氯甲烷或二氯甲苯；所述酯類化合物為醋酸乙酯、醋酸甲酯或 醋酸丙酯；所述酮類化合物為丙酮、甲基丙酮或甲基異丁酮。
9. 一種根據(jù)權(quán)利要求1 8任一項所述方法制備的硅太陽能電池陣列電極。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述硅太陽能電池陣列電極應用于制備太陽能電池組合板。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種用電刷鍍制備硅太陽能電池陣列電極的方法。該方法包括步驟(1)保護膜涂覆；(2)激光刻槽；(3)表面活化處理；(4)電刷鍍；采用常規(guī)電鍍電源，利用電源負極連接經(jīng)過前處理的硅半導體，電源正極連接浸滿鍍液的鍍筆，開啟電源，將鍍筆在經(jīng)過前處理的硅半導體的表面進行電刷鍍；所述鍍筆為移動鍍筆或象形鍍筆；(5)保護膜退除。本發(fā)明采用電刷鍍生產(chǎn)效率明顯提高，即在較短的時間內(nèi)實現(xiàn)陣列電極的制備，而且制得的電極均勻，光亮，同時電鍍槽液容易維護；電極與基體結(jié)合強度高，鍍層結(jié)合力高，減少了基體與導電線之間的接觸電阻；自動化程度好，鍍速快，工藝操作簡單，易掌握，成本相對較低，效率高，所需工裝設備少。
文檔編號H01L31/0224GK101789468SQ20101011815
公開日2010年7月28日 申請日期2010年2月26日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月26日
發(fā)明者吳飛, 李偉善, 莫燁強, 黃啟明, 黃美玲 申請人:華南師范大學