專利名稱：位置對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)、加工裝置以及位置對(duì)準(zhǔn)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在半導(dǎo)體晶片的磨削及研磨加工時(shí)對(duì)半導(dǎo)體晶片的位置進(jìn)行調(diào)整的位置對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)、加工裝置以及位置對(duì)準(zhǔn)方法。
背景技術(shù)：
以往，作為使半導(dǎo)體晶片相對(duì)于磨削裝置的卡盤工作臺(tái)進(jìn)行位置對(duì)準(zhǔn)的位置對(duì)準(zhǔn) 機(jī)構(gòu)，已知有在將半導(dǎo)體晶片的中心定位于臨時(shí)載置工作臺(tái)的中心后將移載到卡盤工作臺(tái) 上的機(jī)構(gòu)(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。該現(xiàn)有的位置對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)構(gòu)成為具有臨時(shí)載置工作臺(tái)， 其直徑比半導(dǎo)體晶片的直徑要小；多個(gè)銷，它們?cè)谂R時(shí)載置工作臺(tái)的周圍能夠相對(duì)于臨時(shí) 載置工作臺(tái)的中心在徑向上移動(dòng)；以及在臨時(shí)載置工作臺(tái)上進(jìn)行了定位后將半導(dǎo)體晶片移 載到卡盤工作臺(tái)上的移載部。在該位置對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)中，當(dāng)半導(dǎo)體晶片被載置于臨時(shí)載置工作臺(tái)時(shí)，多個(gè)銷向臨時(shí) 載置工作臺(tái)的中心移動(dòng)并與半導(dǎo)體晶片的外周面抵接，由此半導(dǎo)體晶片的中心被定位于臨 時(shí)載置工作臺(tái)的中心。然后，將定位后的半導(dǎo)體晶片吸附保持于移載部，并通過移載部的回 轉(zhuǎn)而載置于卡盤工作臺(tái)的上表面。此時(shí)，由于臨時(shí)載置工作臺(tái)的中心和卡盤工作臺(tái)的中心 位于移載部的回轉(zhuǎn)軌跡上，因此移載后的半導(dǎo)體晶片的中心的位置對(duì)準(zhǔn)了卡盤工作臺(tái)的中 心位置。專利文獻(xiàn)1 日本特開2003-133392號(hào)公報(bào)但是，在上述現(xiàn)有的位置對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)中，在半導(dǎo)體晶片含有翹曲的情況下，在多個(gè)銷 與半導(dǎo)體晶片的外周面抵接時(shí)，半導(dǎo)體晶片以其位置偏移與翹曲對(duì)應(yīng)的量的方式定位于臨 時(shí)載置工作臺(tái)。因此，在將半導(dǎo)體晶片移載到了卡盤工作臺(tái)上時(shí)，存在不能使半導(dǎo)體晶片的 中心的位置與卡盤工作臺(tái)的中心的位置高精度地對(duì)準(zhǔn)的問題。特別是，薄型的半導(dǎo)體晶片 大多含有翹曲而無法高精度地進(jìn)行位置對(duì)準(zhǔn)，并且有可能在與銷抵接時(shí)破損。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述問題點(diǎn)而完成的，其目的在于提供一種不會(huì)使含有翹曲的半導(dǎo) 體晶片破損、并且能夠使該半導(dǎo)體晶片與卡盤工作臺(tái)高精度地進(jìn)行位置對(duì)準(zhǔn)的位置對(duì)準(zhǔn)機(jī) 構(gòu)、加工裝置以及位置對(duì)準(zhǔn)方法。本發(fā)明的位置對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)的特征在于，該位置對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)包括工件支撐座，其形成為 直徑比工件的外徑要大，并且具有對(duì)上述工件的至少外周緣部進(jìn)行吸附的吸附面；位置數(shù) 據(jù)獲取部，其用于獲取吸附于上述吸附面的上述工件的外周緣部的位置數(shù)據(jù)；位置數(shù)據(jù)計(jì) 算部，其根據(jù)上述工件的外周緣部的位置數(shù)據(jù)，計(jì)算出上述工件的中心的位置數(shù)據(jù)；以及位 置對(duì)準(zhǔn)部，其在根據(jù)上述工件的中心的位置數(shù)據(jù)而使上述工件的中心位置對(duì)準(zhǔn)了保持上述 工件的保持工作臺(tái)的保持面的中心位置的狀態(tài)下，將上述工件載置于上述保持面。本發(fā)明的位置對(duì)準(zhǔn)方法的特征在于，該位置對(duì)準(zhǔn)方法具有以下步驟將工件載置 于工件支撐座的步驟，其中，上述工件支撐座形成為直徑比上述工件的外徑要大，并且具有對(duì)上述工件的至少外周緣部進(jìn)行吸附的吸附面；獲取吸附于上述工件支撐座的上述工件的 外周緣部的位置數(shù)據(jù)的步驟；根據(jù)上述工件的外周緣部的位置數(shù)據(jù)來計(jì)算出表示上述工件 的中心的工件中心的位置數(shù)據(jù)的步驟；以及在根據(jù)上述工件的中心的位置數(shù)據(jù)而使上述工 件的中心位置對(duì)準(zhǔn)了保持上述工件的保持工作臺(tái)的保持面的中心位置的狀態(tài)下，將上述工 件載置于上述保持面的步驟。 根據(jù)這些結(jié)構(gòu)，即使在工件含有翹曲的情況下，工件的至少外周緣部也會(huì)被吸附 面所吸附，從而矯正了工件的翹曲。由此，能夠在矯正了工件的翹曲的狀態(tài)下獲取外周緣部 的位置數(shù)據(jù)，因此能夠正確地計(jì)算出工件的中心的位置數(shù)據(jù)，能夠使工件的中心位置高精 度地對(duì)準(zhǔn)保持工作臺(tái)的中心位置。此外，在工件支撐座上不需要通過多個(gè)銷的抵接而進(jìn)行 的定位，能夠防止薄型的工件在位置對(duì)準(zhǔn)時(shí)破損。此外，關(guān)于本發(fā)明，在上述位置對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)中，在上述工件的外周緣部形成有表示上 述工件的朝向的標(biāo)記部，上述位置數(shù)據(jù)計(jì)算部根據(jù)上述工件的外周緣部的位置數(shù)據(jù)來計(jì)算 出上述工件的中心的位置數(shù)據(jù)，并且上述位置數(shù)據(jù)計(jì)算部根據(jù)上述標(biāo)記部來計(jì)算出表示上 述工件的朝向的角度數(shù)據(jù)，上述位置對(duì)準(zhǔn)部根據(jù)上述工件的中心的位置數(shù)據(jù)和上述角度數(shù) 據(jù)，使上述工件的中心位置對(duì)準(zhǔn)上述保持面的中心位置，并且使上述工件的朝向?qū)?zhǔn)上述 保持面的朝向。此外，關(guān)于本發(fā)明，在上述位置對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)中，上述工件支撐座具有至少使照射向上 述工件的外周緣部的光透射的透光部，并且上述工件支撐座構(gòu)成為能夠繞與上述吸附面正 交的軸旋轉(zhuǎn)，上述位置數(shù)據(jù)獲取部由攝像機(jī)構(gòu)構(gòu)成，該攝像機(jī)構(gòu)具有照射部，其對(duì)上述工 件的外周緣部進(jìn)行照射；以及攝像部，其對(duì)經(jīng)上述透光部而透過了上述工件的透射光進(jìn)行 讀取，上述攝像機(jī)構(gòu)用于獲取上述工件的外周緣部的圖像數(shù)據(jù)。本發(fā)明的加工裝置具有上述位置對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)；以及加工機(jī)構(gòu)，其在上述工件的中 心位置對(duì)準(zhǔn)了上述保持工作臺(tái)的中心位置的狀態(tài)下對(duì)上述工件進(jìn)行加工。根據(jù)本發(fā)明，不會(huì)使含有翹曲的半導(dǎo)體晶片破損，并且能夠使該半導(dǎo)體晶片與卡 盤工作臺(tái)高精度地進(jìn)行位置對(duì)準(zhǔn)。


圖1是表示本發(fā)明所涉及的位置對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)的實(shí)施方式的圖，其是磨削裝置的外觀 立體圖。圖2是表示本發(fā)明所涉及的位置對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)的實(shí)施方式的圖，其是磨削裝置的局部 放大圖。圖3是表示本發(fā)明所涉及的位置對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)的實(shí)施方式的圖，其是半導(dǎo)體晶片的攝 像處理的說明圖。圖4是表示本發(fā)明所涉及的位置對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)的實(shí)施方式的圖，其是表示利用攝像部 拍攝到的圖像數(shù)據(jù)的圖。圖5是表示本發(fā)明所涉及的位置對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)的實(shí)施方式的圖，其是表示含有翹曲的 半導(dǎo)體晶片的中心坐標(biāo)的圖。圖6是表示本發(fā)明所涉及的位置對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)的實(shí)施方式的圖，其是半導(dǎo)體晶片相對(duì) 于卡盤工作臺(tái)的位置對(duì)準(zhǔn)的說明圖。
圖7是表示本發(fā)明所涉及的位置對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)的實(shí)施方式的圖，其是加工裝置進(jìn)行的 位置對(duì)準(zhǔn)處理的整體動(dòng)作流程。圖8是表示本發(fā)明所涉及的位置對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)的變形例的圖。圖9是表示本發(fā)明所涉及的位置對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)的實(shí)施方式的圖，其是半導(dǎo)體晶片的外觀立體圖。標(biāo)號(hào)說明1:磨削裝置(加工裝置)；4:搬入搬出單元(位置對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu))；5:晶片加工單元 (加工機(jī)構(gòu))；14 搬入搬出臂；15 臨時(shí)載置部；16 旋轉(zhuǎn)清洗部；17 晶片供給部(位置對(duì) 準(zhǔn)部)；18 晶片回收部；19 控制部(位置數(shù)據(jù)計(jì)算部、位置對(duì)準(zhǔn)部)；23、94、96 臨時(shí)載置 工作臺(tái)(工件支撐座)；24 攝像機(jī)構(gòu)(位置數(shù)據(jù)獲取部)；25 吸附面；25a 環(huán)狀槽；25b 直線槽；27 照射部；28、93、97 攝像部；52 卡盤工作臺(tái)(保持工作臺(tái))；56 保持面；82 凹 口 ；94 :開口部；W:半導(dǎo)體晶片。
具體實(shí)施例方式下面，參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。本實(shí)施方式所涉及的位置對(duì) 準(zhǔn)機(jī)構(gòu)通過矯正半導(dǎo)體晶片的翹曲并正確地計(jì)算出半導(dǎo)體晶片的中心，來使半導(dǎo)體晶片相 對(duì)于卡盤工作臺(tái)高精度地進(jìn)行位置對(duì)準(zhǔn)。首先，在對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的位置對(duì)準(zhǔn) 機(jī)構(gòu)進(jìn)行說明前，對(duì)作為加工對(duì)象的半導(dǎo)體晶片進(jìn)行簡(jiǎn)單說明。圖9是本發(fā)明的實(shí)施方式 所涉及的半導(dǎo)體晶片的外觀立體圖。另外，在圖9中，表示半導(dǎo)體晶片的背面朝上的狀態(tài)。如圖9所示，半導(dǎo)體晶片W形成為大致圓板狀，并且在表面上被呈格子狀排列的未 圖示的分割預(yù)定線劃分出多個(gè)區(qū)域。在通過分割預(yù)定線劃分出的各區(qū)域內(nèi)，在半導(dǎo)體晶片 W 的中央形成有 ICdntegrated Circuit 集成電路)、LSI (Large Scale Integration 大 規(guī)模集成電路)等器件81。此外，在半導(dǎo)體晶片W的外周緣部形成有表示結(jié)晶方位的凹口 82。在半導(dǎo)體晶片W的表面粘貼有保護(hù)帶83，在對(duì)半導(dǎo)體晶片W的背面進(jìn)行加工時(shí)，通過該 保護(hù)帶83來保護(hù)器件81。這樣構(gòu)成的半導(dǎo)體晶片W在收納于搬入側(cè)的盒2 (參照?qǐng)D1)中 的狀態(tài)下被搬入至磨削裝置1。另外，在本實(shí)施方式中，作為工件，以硅晶片或GaAs等半導(dǎo)體晶片W為例進(jìn)行說 明，但是并不限定于該結(jié)構(gòu)，也可以將陶瓷、玻璃、藍(lán)寶石類的無機(jī)材料基板、板狀金屬或樹 脂的延展性材料、要求從微米級(jí)至亞微米級(jí)的平坦度的各種加工材料作為工件。接下來，參照?qǐng)D1和圖2對(duì)將本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的位置對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)應(yīng)用于磨 削裝置的示例進(jìn)行說明。圖1是本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的磨削裝置的外觀立體圖。圖2 是本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的磨削裝置的局部放大圖。另外，在以下的說明中，對(duì)將位置對(duì) 準(zhǔn)機(jī)構(gòu)應(yīng)用于磨削裝置的示例進(jìn)行說明，但是不僅可以應(yīng)用于磨削裝置，也可以應(yīng)用于使 半導(dǎo)體晶片的中心位置與卡盤工作臺(tái)的中心位置對(duì)準(zhǔn)的加工裝置。如圖1所示，磨削裝置1具有搬入搬出單元4，其除了將加工前的半導(dǎo)體晶片W搬 入以外，還將加工后的半導(dǎo)體晶片W搬出；晶片加工單元5，其對(duì)從搬入搬出單元4搬入的 半導(dǎo)體晶片W的背面進(jìn)行磨削。搬入搬出單元4具有長(zhǎng)方體狀的基座11，用于載置盒2、3 的一對(duì)盒載置部12、13以從基座11的前表面Ila向前方凸出的方式設(shè)置于基座11。盒載置部12作為搬入口發(fā)揮功能，用于載置收納有加工前的半導(dǎo)體晶片W的搬入側(cè)的盒2。盒載置部13作為搬出口發(fā)揮功能，用于載置對(duì)加工后的半導(dǎo)體晶片W進(jìn)行收納 的搬出側(cè)的盒3。在基座11的上表面，面向盒載置部12、13地設(shè)置有搬入搬出臂14，與搬 入搬出臂14相鄰地在晶片加工單元5側(cè)的一個(gè)角部設(shè)置有臨時(shí)載置部15，并且在另一角部 設(shè)置有旋轉(zhuǎn)清洗部16。此外，在基座11的上表面，在臨時(shí)載置部15與旋轉(zhuǎn)清洗部16之間 設(shè)置有晶片供給部17和晶片回收部18。另外，在基座11的內(nèi)部設(shè)置有對(duì)搬入搬出單元4 進(jìn)行集中控制的控制部19。搬入搬出臂14具有多節(jié)連桿機(jī)構(gòu)21，其驅(qū)動(dòng)區(qū)域很廣；以及吸附保持部22，其 設(shè)置于多節(jié)連桿機(jī)構(gòu)21的末端，用于吸附保持半導(dǎo)體晶片W。搬入搬出臂14對(duì)多節(jié)連桿機(jī) 構(gòu)21進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，從而將收納于搬入側(cè)的盒2內(nèi)的半導(dǎo)體晶片W載置于臨時(shí)載置部15，此外 還將半導(dǎo)體晶片W從旋轉(zhuǎn)清洗部16收納到搬出側(cè)的盒3內(nèi)。如圖2所示，臨時(shí)載置部15具有臨時(shí)載置工作臺(tái)23，半導(dǎo)體晶片W通過搬入搬出臂14而被臨時(shí)載置于該臨時(shí)載置工作臺(tái)23 ；以及攝像機(jī)構(gòu)24，其對(duì)臨時(shí)載置于臨時(shí)載置 工作臺(tái)23的半導(dǎo)體晶片W進(jìn)行攝像。臨時(shí)載置工作臺(tái)23用玻璃等透光性材料形成為圓盤 狀，并且形成為臨時(shí)載置工作臺(tái)23的直徑比半導(dǎo)體晶片W的直徑要大。在臨時(shí)載置工作臺(tái) 23的上表面形成有吸附半導(dǎo)體晶片W的吸附面25。在吸附面25形成有多個(gè)環(huán)狀槽25a，它們配置成同心圓狀；多個(gè)直線槽25b，它 們從吸附面25的中心沿放射方向延伸；以及多個(gè)未圖示的吸附孔，它們配置于多個(gè)環(huán)狀槽 25a與多個(gè)直線槽25b的交點(diǎn)處。多個(gè)吸附孔貫穿臨時(shí)載置工作臺(tái)23而與未圖示的吸引源 連接，通過該吸引源的吸引，半導(dǎo)體晶片W被吸附于吸附面25。具體來說，通過吸引源的吸引，經(jīng)多個(gè)吸附孔在多個(gè)環(huán)狀槽25a和多個(gè)直線槽25b 中產(chǎn)生負(fù)壓，通過該負(fù)壓來將半導(dǎo)體晶片W拉向吸附面25，從而多個(gè)環(huán)狀槽25a和多個(gè)直線 槽25b被封閉起來。此時(shí)，由于吸附面25的直徑比半導(dǎo)體晶片W的直徑要大，所以環(huán)狀槽 25a和直線槽25b的一部分向大氣開放，但該吸附面25還是具有足以矯正半導(dǎo)體晶片W的 翹曲的程度的吸附力。通過形成于這樣的吸附面25的槽結(jié)構(gòu)，能夠相對(duì)于直徑不同的半導(dǎo) 體晶片使臨時(shí)載置工作臺(tái)23通用。此外，臨時(shí)載置工作臺(tái)23與未圖示的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)連接，并且構(gòu)成為能夠通過旋 轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)而旋轉(zhuǎn)。通過該旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)，來對(duì)半導(dǎo)體晶片W在周向上的攝 像位置進(jìn)行調(diào)整。攝像機(jī)構(gòu)24具有照射部27，其從臨時(shí)載置工作臺(tái)23的下側(cè)對(duì)半導(dǎo)體晶片W進(jìn) 行照射；以及攝像部28，其在臨時(shí)載置工作臺(tái)23的上方對(duì)透過了半導(dǎo)體晶片W的透射光進(jìn) 行讀取。照射部27配置于臨時(shí)載置工作臺(tái)23的下方，并且位于臨時(shí)載置工作臺(tái)23的徑向 外側(cè)。攝像部28經(jīng)支撐部件29設(shè)置于臨時(shí)載置工作臺(tái)23的上方，并且構(gòu)成為能夠在臨時(shí) 載置工作臺(tái)23的徑向上移動(dòng)。通過該攝像部28的移動(dòng)，來對(duì)半導(dǎo)體晶片W在徑向上的攝 像位置進(jìn)行調(diào)整。對(duì)于臨時(shí)載置于臨時(shí)載置工作臺(tái)23的半導(dǎo)體晶片W，以使其外周緣部的一部分包 含于攝像范圍內(nèi)的方式對(duì)該半導(dǎo)體晶片W進(jìn)行位置調(diào)整，并利用攝像機(jī)構(gòu)24進(jìn)行攝像。進(jìn) 行該攝像動(dòng)作直到通過攝像機(jī)構(gòu)24在半導(dǎo)體晶片W的整周上對(duì)外周緣部進(jìn)行了攝像為止， 將通過該攝像機(jī)構(gòu)24拍攝到的圖像數(shù)據(jù)輸出至控制部19。晶片供給部17具有轉(zhuǎn)動(dòng)軸31，其沿上下方向延伸；伸縮臂32，其支撐于轉(zhuǎn)動(dòng)軸31的上端；以及吸附保持部33，其設(shè)置于伸縮臂32的末端，用于吸附保持半導(dǎo)體晶片W。轉(zhuǎn) 動(dòng)軸31構(gòu)成為能夠上下移動(dòng)、能夠前后移動(dòng)并且能夠轉(zhuǎn)動(dòng)，伸縮臂32構(gòu)成為能夠在延伸方 向伸縮。通過轉(zhuǎn)動(dòng)軸31的前后移動(dòng)、轉(zhuǎn)動(dòng)以及伸縮臂32的伸縮，對(duì)吸附保持部33在水平 面內(nèi)的位置進(jìn)行調(diào)整，通過轉(zhuǎn)動(dòng)軸31的上下移動(dòng)，對(duì)吸附保持部33在高度方向上的位置進(jìn) 行調(diào)整。 此外，晶片供給部17被控制部19驅(qū)動(dòng)控制，通過控制部19來對(duì)轉(zhuǎn)動(dòng)軸31在上下 方向的移動(dòng)量、前后方向的移動(dòng)量、轉(zhuǎn)動(dòng)量以及伸縮臂32的伸縮量進(jìn)行調(diào)整。另外，晶片供 給部17被控制部19控制，而從臨時(shí)載置工作臺(tái)23吸附保持半導(dǎo)體晶片W并抬起，并將該 半導(dǎo)體晶片W供給至卡盤工作臺(tái)52。此時(shí)，以如下方式進(jìn)行位置對(duì)準(zhǔn)使半導(dǎo)體晶片W的 中心與晶片加工單元5的卡盤工作臺(tái)52的保持面56的中心一致、并且使半導(dǎo)體晶片W的 朝向與卡盤工作臺(tái)52的朝向一致。晶片回收部18除了將吸附保持部37的直徑形成得比晶片供給部17的吸附保持 部33的直徑要大這一點(diǎn)以外，具有與晶片供給部17大致相同的結(jié)構(gòu)。晶片回收部18被控 制部19控制，而從卡盤工作臺(tái)52吸附保持半導(dǎo)體晶片W進(jìn)行回收，并將該半導(dǎo)體晶片W載 置于旋轉(zhuǎn)清洗部16的旋轉(zhuǎn)清洗工作臺(tái)41。此時(shí)，以如下方式進(jìn)行位置對(duì)準(zhǔn)使半導(dǎo)體晶片 W的中心與旋轉(zhuǎn)清洗部16的旋轉(zhuǎn)清洗工作臺(tái)41的載置面42的中心一致、并且使半導(dǎo)體晶 片W的朝向與旋轉(zhuǎn)清洗工作臺(tái)41的朝向一致。返回圖1，旋轉(zhuǎn)清洗部16具有載置加工后的半導(dǎo)體晶片W的旋轉(zhuǎn)清洗工作臺(tái)41。 旋轉(zhuǎn)清洗工作臺(tái)41為圓盤狀，并且形成有載置半導(dǎo)體晶片W的載置面42。在載置面42的 中央部分，由多孔陶瓷材料形成有吸附面42a。吸附面42a形成為與俯視觀察到的半導(dǎo)體 晶片W的外形形狀相符，并且該吸附面42a除與半導(dǎo)體晶片W的凹口 82對(duì)應(yīng)的部分以外形 成為圓形形狀。通過與該半導(dǎo)體晶片W的凹口 82對(duì)應(yīng)的部分的朝向來規(guī)定旋轉(zhuǎn)清洗工作 臺(tái)41的朝向。吸附面42a與配置在基座11內(nèi)的未圖示的吸引源連接，用于吸附保持半導(dǎo) 體晶片W。當(dāng)加工后的半導(dǎo)體晶片W被載置于旋轉(zhuǎn)清洗工作臺(tái)41時(shí)，該半導(dǎo)體晶片W通過旋 轉(zhuǎn)清洗工作臺(tái)41的下降而經(jīng)開口部43收納在基座11內(nèi)。然后，使收納在基座11內(nèi)的半 導(dǎo)體晶片W高速旋轉(zhuǎn)，并同時(shí)噴射清洗液進(jìn)行清洗。然后，在使半導(dǎo)體晶片W高速旋轉(zhuǎn)的狀 態(tài)下停止清洗液的噴射，使半導(dǎo)體晶片W干燥?？刂撇?9執(zhí)行攝像機(jī)構(gòu)24對(duì)半導(dǎo)體晶片W的攝像處理、表示半導(dǎo)體晶片W的中 心的位置數(shù)據(jù)和表示半導(dǎo)體晶片W的朝向的角度數(shù)據(jù)的計(jì)算處理、以及半導(dǎo)體晶片W相對(duì) 于卡盤工作臺(tái)52和旋轉(zhuǎn)清洗工作臺(tái)41的位置對(duì)準(zhǔn)處理等各處理。此外，在控制部19中存 儲(chǔ)有各處理的控制程序以及在位置對(duì)準(zhǔn)處理時(shí)使用的平面直角坐標(biāo)系(參照?qǐng)D6)。另外，關(guān)于控制部19，組裝于其內(nèi)部的CPU (Central Processing Unit 中央處理 器)按照ROM (Read Only Memory 只讀存儲(chǔ)器)內(nèi)的控制程序等各種程序?qū)AM (Random Access Memory 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)內(nèi)的數(shù)據(jù)進(jìn)行運(yùn)算，并與搬入搬出單元4的各部分協(xié)作 來執(zhí)行各處理。此外，關(guān)于表示半導(dǎo)體晶片W的中心的位置數(shù)據(jù)和表示半導(dǎo)體晶片W的朝 向的角度數(shù)據(jù)的計(jì)算處理、以及半導(dǎo)體晶片W相對(duì)于卡盤工作臺(tái)52和旋轉(zhuǎn)清洗工作臺(tái)41 的位置對(duì)準(zhǔn)處理的詳細(xì)內(nèi)容，將在后面進(jìn)行敘述。晶片加工單元5構(gòu)成為粗磨削單元45以及精磨削單元46與保持有半導(dǎo)體晶片W的卡盤工作臺(tái)52相對(duì)旋轉(zhuǎn)，從而對(duì)半導(dǎo)體晶片W進(jìn)行加工。此外，晶片加工單元5具有 長(zhǎng)方體狀的基座51，在基座51的前表面連接有搬入搬出單元4。在基座51的上表面設(shè)置 有配置了三個(gè)卡盤工作臺(tái)52的旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)53，在旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)53的后方豎立設(shè)置有支柱部 54。
旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)53形成為大直徑的圓盤狀，在其上表面沿周向隔開120度間隔地配置 有三個(gè)卡盤工作臺(tái)52。另外，旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)53與未圖示的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)連接，并通過旋轉(zhuǎn)驅(qū) 動(dòng)機(jī)構(gòu)向Dl方向以120度間隔間歇旋轉(zhuǎn)。由此，三個(gè)卡盤工作臺(tái)52在換載位置、粗磨削位 置以及精磨削位置之間移動(dòng)，其中，上述換載位置是在與晶片供給部17以及晶片回收部18 之間交接半導(dǎo)體晶片W的位置，上述粗磨削位置是使半導(dǎo)體晶片W與粗磨削單元45對(duì)置的 位置，上述精磨削位置是使半導(dǎo)體晶片W與精磨削單元46對(duì)置的位置?？ūP工作臺(tái)52為圓盤狀，并且形成有保持半導(dǎo)體晶片W的保持面56 (參照?qǐng)D2)。 在保持面56的中央部分，由多孔陶瓷材料形成有吸附面56a。吸附面56a形成為與俯視觀 察到的半導(dǎo)體晶片W的外形形狀相符。吸附面56a除了與半導(dǎo)體晶片W的凹口 82對(duì)應(yīng)的 部分以外形成為圓形。通過與該半導(dǎo)體晶片W的凹口 82對(duì)應(yīng)的部分的朝向來規(guī)定卡盤工 作臺(tái)52的朝向。此外，卡盤工作臺(tái)52與配置在基座51內(nèi)的未圖示的吸引源連接，卡盤工作臺(tái)52 用于吸附保持半導(dǎo)體晶片W?？ūP工作臺(tái)52與未圖示的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)連接，并且通過旋轉(zhuǎn) 驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)而在將半導(dǎo)體晶片W保持于保持面56的狀態(tài)下旋轉(zhuǎn)。在基座51的上表面，在旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)53的粗磨削位置和精磨削位置的附近設(shè)置有 接觸式傳感器58。該接觸式傳感器58具有兩個(gè)接觸件61、62，一個(gè)接觸件61與半導(dǎo)體晶 片W的上表面接觸，另一個(gè)接觸件62與卡盤工作臺(tái)52的上表面接觸。另外，根據(jù)兩個(gè)接觸 件61、62的高度差來控制磨削深度。支柱部54形成為具有一對(duì)斜面的俯視基體(base)狀，在這一對(duì)斜面上設(shè)置有磨 削單元移動(dòng)機(jī)構(gòu)64、65，這些磨削單元移動(dòng)機(jī)構(gòu)64、65在卡盤工作臺(tái)52的上方使粗磨削單 元45和精磨削單元46移動(dòng)。磨削單元移動(dòng)機(jī)構(gòu)64具有R軸工作臺(tái)67，其通過滾珠絲杠 式的移動(dòng)機(jī)構(gòu)而相對(duì)于支柱部54在Rl方向移動(dòng)；以及Z軸工作臺(tái)71，其通過滾珠絲杠式 的移動(dòng)機(jī)構(gòu)而相對(duì)于R軸工作臺(tái)67在上下方向移動(dòng)。粗磨削單元45經(jīng)安裝于Z軸工作臺(tái) 71前表面的支撐部75而支撐于Z軸工作臺(tái)71。此外，磨削單元移動(dòng)機(jī)構(gòu)65也具有與磨削 單元移動(dòng)機(jī)構(gòu)64相同的結(jié)構(gòu)，精磨削單元46支撐于該磨削單元移動(dòng)機(jī)構(gòu)65。粗磨削單元45具有磨削磨具73，該磨削磨具73以能夠自由裝卸的方式安裝于未 圖示的主軸的下端。磨削磨具73由金剛石磨具構(gòu)成，該金剛石磨具利用金屬粘接劑或樹脂 粘接劑等結(jié)合劑使金剛石磨粒固結(jié)而構(gòu)成。此外，磨削磨具73形成為薄型圓筒狀，并且具 有環(huán)狀的磨削面。另外，精磨削單元46具有與粗磨削單元45相同的結(jié)構(gòu)，但是使用了粒度 較細(xì)的磨具來作為磨削磨具74。另外，關(guān)于粗磨削單元45，通過磨削單元移動(dòng)機(jī)構(gòu)64來對(duì)磨削磨具73相對(duì)于半導(dǎo) 體晶片W在半徑方向的位置進(jìn)行調(diào)整，并且在通過接觸式傳感器58對(duì)磨削量進(jìn)行監(jiān)視的同 時(shí)在Z軸方向進(jìn)行磨削進(jìn)給。另外，當(dāng)在粗磨削單元45進(jìn)行了粗磨削之后，在精磨削單元 46通過同樣的動(dòng)作進(jìn)行精磨削。參照?qǐng)D3，對(duì)攝像機(jī)構(gòu)對(duì)半導(dǎo)體晶片的攝像處理進(jìn)行說明。圖3是攝像機(jī)構(gòu)對(duì)半導(dǎo)體晶片的攝像處理的說明圖。另外，在以下說明中，為了便于說明，采用了在半導(dǎo)體晶片的外周緣部含有翹曲的半導(dǎo)體晶片。如圖3的(a)所示，在半導(dǎo)體晶片W未載置于臨時(shí)載置工作臺(tái)23的初始狀態(tài)下， 攝像部28位于臨時(shí)載置工作臺(tái)23的徑向外側(cè)的退避位置。從該狀態(tài)起，如圖3的(b)所 示，將保持于搬入搬出臂14的半導(dǎo)體晶片W臨時(shí)載置于臨時(shí)載置工作臺(tái)23的上表面。此 時(shí)，通過搬入搬出臂14的吸附保持部22的吸附，半導(dǎo)體晶片W在矯正了外周緣部的翹曲的 狀態(tài)下被臨時(shí)載置。接著，當(dāng)搬入搬出臂14從臨時(shí)載置工作臺(tái)23上退開時(shí)，如圖3的(c) 所示，半導(dǎo)體晶片W被吸附于臨時(shí)載置工作臺(tái)23的吸附面25。此時(shí)，在搬入搬出臂14的吸 附保持部22的吸附被解除的同時(shí)或者被解除之前，半導(dǎo)體晶片被吸附于吸附面25，使得半 導(dǎo)體晶片W的外周緣部的翹曲被矯正。當(dāng)半導(dǎo)體晶片W的外周緣部的翹曲被矯正時(shí)，攝像部28移動(dòng)至對(duì)半導(dǎo)體晶片W的 外周部進(jìn)行攝像的攝像位置，如圖3的(d)所示，半導(dǎo)體晶片W的外周緣部包含于攝像部28 的攝像范圍內(nèi)。然后，如圖3的(e)所示，利用照射部27從臨時(shí)載置工作臺(tái)23的下側(cè)對(duì)半 導(dǎo)體晶片W進(jìn)行照射，并且利用攝像部28讀取透過了臨時(shí)載置工作臺(tái)23和半導(dǎo)體晶片W 的透射光。當(dāng)在一處完成了半導(dǎo)體晶片W的外周緣部的攝像時(shí)，旋轉(zhuǎn)臨時(shí)載置工作臺(tái)23，在 半導(dǎo)體晶片W的外周緣部的整周上進(jìn)行攝像。利用攝像部28拍攝到的圖像數(shù)據(jù)被輸出至 控制部19。當(dāng)利用攝像部28進(jìn)行的攝像完成時(shí)，攝像部28移動(dòng)至退避位置而成為初始狀 態(tài)。參照?qǐng)D4，對(duì)控制部執(zhí)行的、表示半導(dǎo)體晶片的中心的位置數(shù)據(jù)和表示半導(dǎo)體晶片 的朝向的角度數(shù)據(jù)的計(jì)算處理進(jìn)行說明。圖4是表示利用攝像部拍攝到的圖像數(shù)據(jù)的圖。利用控制部19對(duì)輸出至控制部19的圖像數(shù)據(jù)進(jìn)行邊緣檢測(cè)處理，從而獲得表示 半導(dǎo)體晶片W的外周緣部的曲線。當(dāng)?shù)玫搅税雽?dǎo)體晶片W的外周緣部的曲線時(shí)，從外周緣 部的曲線中任意地提取出A點(diǎn)、B點(diǎn)、C點(diǎn)的坐標(biāo)。此時(shí)，既可以從通過一次的攝像動(dòng)作而得 到的一個(gè)圖像數(shù)據(jù)中提取出三個(gè)點(diǎn)的坐標(biāo)，也可以從通過多次的攝像動(dòng)作而得到的多個(gè)圖 像數(shù)據(jù)中提取出三個(gè)點(diǎn)的坐標(biāo)。然后，計(jì)算出連結(jié)A點(diǎn)和B點(diǎn)的線段的中垂線與連結(jié)B點(diǎn)和C點(diǎn)的線段的中垂線 的交點(diǎn)，來作為半導(dǎo)體晶片W的中心坐標(biāo)P1。當(dāng)計(jì)算出半導(dǎo)體晶片W的中心坐標(biāo)Pi時(shí)，計(jì) 算出通過該中心坐標(biāo)Pl的基準(zhǔn)軸Ll和連結(jié)中心坐標(biāo)Pl和凹口 82的中心的直線L2所成 的角度R。此時(shí)，基準(zhǔn)軸Ll與卡盤工作臺(tái)52的成為晶片移載時(shí)的基準(zhǔn)的朝向?qū)?yīng)，通過使 卡盤工作臺(tái)52從作為該基準(zhǔn)的朝向旋轉(zhuǎn)角度R，能夠在半導(dǎo)體晶片W載置于卡盤工作臺(tái)52 時(shí)使該半導(dǎo)體晶片W的朝向?qū)?zhǔn)卡盤工作臺(tái)52的朝向。這樣，由于在攝像處理中矯正了半導(dǎo)體晶片W的翹曲的狀態(tài)下，計(jì)算出半導(dǎo)體晶 片W的中心，所以能夠高精度地計(jì)算出半導(dǎo)體晶片W的中心。例如，在圖5中，將根據(jù)實(shí)線 所示的含有翹曲的半導(dǎo)體晶片W的圖像數(shù)據(jù)計(jì)算出的中心坐標(biāo)P1、與根據(jù)單點(diǎn)劃線所示的 不含有翹曲的半導(dǎo)體晶片W的圖像數(shù)據(jù)計(jì)算出的中心坐標(biāo)P2相比，產(chǎn)生了位置偏差。另外，在本實(shí)施方式中，在檢測(cè)出半導(dǎo)體晶片W的外周緣部的曲線后檢測(cè)了三個(gè) 點(diǎn)，但是也可以是不檢測(cè)半導(dǎo)體晶片W的外周緣部的曲線而直接檢測(cè)三個(gè)點(diǎn)的結(jié)構(gòu)。由此， 能夠減少檢測(cè)處理量從而提高計(jì)算速度。參照?qǐng)D6，對(duì)半導(dǎo)體晶片相對(duì)于卡盤工作臺(tái)的位置對(duì)準(zhǔn)處理進(jìn)行說明。圖6是半導(dǎo)體晶片相對(duì)于卡盤工作臺(tái)的位置對(duì)準(zhǔn)的說明圖。另外，在初始狀態(tài)下，卡盤工作臺(tái)朝向Y軸 正方向。如圖6所示，控制部19具有由X軸和Y軸構(gòu)成的平面直角坐標(biāo)系，在該平面直角坐標(biāo)系中設(shè)定有預(yù)先存儲(chǔ)的卡盤工作臺(tái)52的中心坐標(biāo)P3、計(jì)算出的半導(dǎo)體晶片W的中心 坐標(biāo)Pl以及表示半導(dǎo)體晶片W的朝向的角度R。首先，通過控制部19，根據(jù)卡盤工作臺(tái)52 的中心坐標(biāo)P3與半導(dǎo)體晶片W的中心坐標(biāo)Pl之差，來計(jì)算出晶片供給部17的轉(zhuǎn)動(dòng)軸31 的前后方向的移動(dòng)量和轉(zhuǎn)動(dòng)量、以及伸縮臂32的伸縮量，并且根據(jù)表示半導(dǎo)體晶片W的朝 向的角度R，來計(jì)算出卡盤工作臺(tái)52的旋轉(zhuǎn)量。接著，晶片供給部17從位于臨時(shí)載置工作臺(tái)23的上方的狀態(tài)起，使轉(zhuǎn)動(dòng)軸31向 下移動(dòng)，通過吸附保持部33吸附保持半導(dǎo)體晶片W并向上移動(dòng)。接著，晶片供給部17與控 制部19所計(jì)算出的轉(zhuǎn)動(dòng)軸31的前后方向的移動(dòng)量和轉(zhuǎn)動(dòng)量相對(duì)應(yīng)地驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)動(dòng)軸31。接 著，晶片供給部17與控制部19所計(jì)算出的伸縮臂32的伸縮量對(duì)應(yīng)地驅(qū)動(dòng)伸縮臂32，使半 導(dǎo)體晶片W位于卡盤工作臺(tái)52的上方。在該時(shí)刻，半導(dǎo)體晶片W的中心與卡盤工作臺(tái)52 的保持面56的中心一致。接著，卡盤工作臺(tái)52從朝向Y軸正方向的初始狀態(tài)旋轉(zhuǎn)角度R，使卡盤工作臺(tái)52 的朝向與半導(dǎo)體晶片W的朝向一致。接著，晶片供給部17使轉(zhuǎn)動(dòng)軸31向下移動(dòng)，并解除吸 附保持部33的吸附。這樣，半導(dǎo)體晶片W的中心位置對(duì)準(zhǔn)卡盤工作臺(tái)52的保持面56的中 心位置，并且半導(dǎo)體晶片W的朝向?qū)?zhǔn)卡盤工作臺(tái)52的朝向。此外，半導(dǎo)體晶片W相對(duì)于 旋轉(zhuǎn)清洗工作臺(tái)41的位置對(duì)準(zhǔn)處理也通過與上述位置對(duì)準(zhǔn)處理相同的處理來進(jìn)行。這樣，由于在半導(dǎo)體晶片W的朝向與卡盤工作臺(tái)52的朝向一致的狀態(tài)下，對(duì)半導(dǎo) 體晶片W相對(duì)于卡盤工作臺(tái)52進(jìn)行位置對(duì)準(zhǔn)，所以半導(dǎo)體晶片W以與卡盤工作臺(tái)52的吸附 面56a吻合的方式載置于吸附面56a。因此，形成于半導(dǎo)體晶片W的凹口 82和吸附面56a 的與凹口 82對(duì)應(yīng)的部分一致，從而防止了吸附面56a的吸附力由于該半導(dǎo)體晶片W與吸附 面56a之間的位置偏差而降低。接下來，參照?qǐng)D7，對(duì)基于加工裝置的位置對(duì)準(zhǔn)的整體動(dòng)作的流程進(jìn)行說明。圖7 是基于加工裝置的位置對(duì)準(zhǔn)處理的整體動(dòng)作流程。以下的動(dòng)作流程通過使加工裝置執(zhí)行步 驟SOl 步驟S04的控制程序來實(shí)施。如圖7所示，利用搬入搬出臂14從盒2取出加工前的半導(dǎo)體晶片W，并臨時(shí)載置 于臨時(shí)載置工作臺(tái)23(步驟S01)。此時(shí)，通過臨時(shí)載置工作臺(tái)23的吸附面25來矯正半導(dǎo) 體晶片W的外周緣部的翹曲。接著，在矯正了半導(dǎo)體晶片W的外周緣部的翹曲的狀態(tài)下，利 用攝像機(jī)構(gòu)24對(duì)半導(dǎo)體晶片W進(jìn)行攝像，并將拍攝到的圖像數(shù)據(jù)輸出至控制部19 (步驟 S02)。接著，利用控制部19，根據(jù)所輸入的圖像數(shù)據(jù)，計(jì)算出半導(dǎo)體晶片W的中心坐標(biāo)Pl以 及表示半導(dǎo)體晶片W的朝向的角度R(步驟S03)。接著，根據(jù)計(jì)算出的半導(dǎo)體晶片W的中心 坐標(biāo)Pl和角度R，使半導(dǎo)體晶片W的朝向?qū)?zhǔn)卡盤工作臺(tái)52的朝向，并且將半導(dǎo)體晶片W 的中心位置對(duì)準(zhǔn)卡盤工作臺(tái)52的中心位置(步驟S04)。如上所述，根據(jù)本實(shí)施方式所涉及的位置對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)，即使在半導(dǎo)體晶片W含有翹 曲的情況下，也能夠?qū)雽?dǎo)體晶片W的至少外周緣部吸附于臨時(shí)載置工作臺(tái)23的吸附面 25，從而矯正半導(dǎo)體晶片W的翹曲。由此，能夠在矯正了半導(dǎo)體晶片W的翹曲的狀態(tài)下進(jìn)行 攝像，因此能夠正確地計(jì)算出半導(dǎo)體晶片W的中心的位置數(shù)據(jù)，能夠使半導(dǎo)體晶片W的中心位置高精度地對(duì)準(zhǔn)卡盤工作臺(tái)52的中心位置。此外，在臨時(shí)載置工作臺(tái)23上不需要利用 多個(gè)銷的抵接而進(jìn)行的定位，能夠防止薄型的半導(dǎo)體晶片W在位置對(duì)準(zhǔn)時(shí)破損。另外，在上述實(shí)施方式中，臨時(shí)載置工作臺(tái)23的吸附面25構(gòu)成為對(duì)半導(dǎo)體晶片W 進(jìn)行整體吸附的結(jié)構(gòu)，但并不限定于該結(jié)構(gòu)。只要在臨時(shí)載置工作臺(tái)23中在能夠矯正半導(dǎo) 體晶片W的翹曲的范圍內(nèi)形成有吸附面25即可，例如，也可以是僅在能夠吸附半導(dǎo)體晶片 W的外周緣部的位置形成有吸附面的結(jié)構(gòu)。此外，在上述實(shí)施方式中，作為規(guī)定半導(dǎo)體晶片W的朝向的標(biāo)記部，例示出凹口 82 進(jìn)行了說明，但是并不限定于該結(jié)構(gòu)。只要是能夠在半導(dǎo)體晶片W的外周緣部確定半導(dǎo)體 晶片W的朝向的結(jié)構(gòu)即可，也可以采用定向平面(orientation flat)來代替凹口 82。此外，在上述實(shí)施方式中，具有這樣的結(jié)構(gòu)臨時(shí)載置工作臺(tái)23整體由透光性材 料形成，但是并不限定于該結(jié)構(gòu)。只要是能夠?qū)d置于臨時(shí)載置工作臺(tái)23的半導(dǎo)體晶片W 的至少外周緣部進(jìn)行攝像的結(jié)構(gòu)即可，例如，也可以是這樣的結(jié)構(gòu)只有能夠?qū)Π雽?dǎo)體晶片 W的外周緣部進(jìn)行攝像的位置由透光性材料形成。此外，在上述實(shí)施方式中，具有這樣的結(jié)構(gòu)臨時(shí)載置工作臺(tái)23由透光性材料形 成，并且利用攝像部28對(duì)透過了臨時(shí)載置工作臺(tái)23和半導(dǎo)體晶片W的透射光進(jìn)行讀取，但 是并不限定于該結(jié)構(gòu)。只要是能夠?qū)Π雽?dǎo)體晶片W進(jìn)行攝像的結(jié)構(gòu)即可，例如，如圖8的 (a)所示，可以是這樣的結(jié)構(gòu)在臨時(shí)載置工作臺(tái)94的一部分形成開口，利用攝像部93對(duì) 經(jīng)該開口 95而透過了半導(dǎo)體晶片W的透射光進(jìn)行讀取，或者如圖8的(b)所示，也可以是 這樣的結(jié)構(gòu)對(duì)臨時(shí)載置工作臺(tái)96進(jìn)行鏡面加工，并且利用攝像部97讀取被臨時(shí)載置工作 臺(tái)96反射的反射光。此外，在上述實(shí)施方式中，具有這樣的結(jié)構(gòu)使半導(dǎo)體晶片W的中心位置對(duì)準(zhǔn)卡盤 工作臺(tái)52的中心位置，并且使半導(dǎo)體晶片W的朝向?qū)?zhǔn)卡盤工作臺(tái)52的朝向，但也可以是 僅使半導(dǎo)體晶片W的中心位置對(duì)準(zhǔn)卡盤工作臺(tái)52的中心位置的結(jié)構(gòu)。此外，在上述實(shí)施方式中，具有這樣的結(jié)構(gòu)通過圖像處理來計(jì)算出半導(dǎo)體晶片W 的中心，但是并不限定于該結(jié)構(gòu)。只要是能夠?qū)Π雽?dǎo)體晶片W的外周緣部進(jìn)行檢測(cè)的結(jié)構(gòu) 即可，例如，也可以是使用反射式的光電傳感器對(duì)半導(dǎo)體晶片W的外周緣部進(jìn)行檢測(cè)的結(jié) 構(gòu)。此外，在上述實(shí)施方式中，具有這樣的結(jié)構(gòu)對(duì)晶片供給部17的移動(dòng)進(jìn)行控制，從 而使半導(dǎo)體晶片W的中心位置對(duì)準(zhǔn)卡盤工作臺(tái)52的中心位置，但是并不限定于該結(jié)構(gòu)。只 要是能夠計(jì)算出半導(dǎo)體晶片W的中心從而使其對(duì)準(zhǔn)卡盤工作臺(tái)52的中心的結(jié)構(gòu)即可，例 如，也可以是在臨時(shí)載置工作臺(tái)23上或卡盤工作臺(tái)52上進(jìn)行位置對(duì)準(zhǔn)的結(jié)構(gòu)。此外，在上述實(shí)施方式中，具有這樣的結(jié)構(gòu)在進(jìn)行位置對(duì)準(zhǔn)時(shí)對(duì)卡盤工作臺(tái)52 的旋轉(zhuǎn)量進(jìn)行控制從而使半導(dǎo)體晶片W的朝向?qū)?zhǔn)卡盤工作臺(tái)52的朝向，但是并不限定于 該結(jié)構(gòu)。只要是能夠使半導(dǎo)體晶片W的朝向?qū)?zhǔn)卡盤工作臺(tái)52的朝向的結(jié)構(gòu)即可，例如也 可以是在臨時(shí)載置工作臺(tái)23或晶片供給部33側(cè)使朝向?qū)?zhǔn)的結(jié)構(gòu)。此外，在上述實(shí)施方式中，具有這樣的結(jié)構(gòu)利用控制部19檢測(cè)半導(dǎo)體晶片W的外 周緣部的任意三個(gè)點(diǎn)從而計(jì)算出半導(dǎo)體晶片W的中心，但是并不限定于該結(jié)構(gòu)。只要能夠 計(jì)算出半導(dǎo)體晶片W的中心，可以采用任意的計(jì)算方法。例如，也可以從獲取自圖像數(shù)據(jù)的 外周緣部的曲線中分別檢測(cè)出兩個(gè)點(diǎn)，并將從這兩個(gè)點(diǎn)出發(fā)的相對(duì)于各曲線的法線的交點(diǎn)作為半導(dǎo)體晶片W的中心。此外，此次公開的實(shí)施方式的所有內(nèi)容均為例示，并不限定于該實(shí)施方式。本發(fā)明的范圍不是僅對(duì)上述實(shí)施方式進(jìn)行的說明，而是通過權(quán)利要求書而揭示的內(nèi)容，也就是說 本發(fā)明的范圍包含與權(quán)利要求書均等的意思和范圍內(nèi)的所有變更。產(chǎn)業(yè)上的可利用性如以上說明的那樣，本發(fā)明具有不使含有翹曲的半導(dǎo)體晶片破損、并且能夠使該 半導(dǎo)體晶片與卡盤工作臺(tái)高精度地進(jìn)行位置對(duì)準(zhǔn)的效果，特別是，對(duì)于在半導(dǎo)體晶片的磨 削加工時(shí)進(jìn)行半導(dǎo)體晶片的位置調(diào)整的位置對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)、加工裝置以及位置對(duì)準(zhǔn)方法是有實(shí) 用性的。
權(quán)利要求
一種位置對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)，其特征在于，上述位置對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)包括工件支撐座，其形成為直徑比工件的外徑大，并且具有對(duì)上述工件的至少外周緣部進(jìn)行吸附的吸附面；位置數(shù)據(jù)獲取部，其用于獲取吸附于上述吸附面的上述工件的外周緣部的位置數(shù)據(jù)；位置數(shù)據(jù)計(jì)算部，其根據(jù)上述工件的外周緣部的位置數(shù)據(jù)，計(jì)算出上述工件的中心的位置數(shù)據(jù)；以及位置對(duì)準(zhǔn)部，其在根據(jù)上述工件的中心的位置數(shù)據(jù)，使上述工件的中心相對(duì)于保持上述工件的保持工作臺(tái)的保持面的中心進(jìn)行了位置對(duì)準(zhǔn)的狀態(tài)下，將上述工件載置于上述保持面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的位置對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)，其特征在于， 在上述工件的外周緣部形成有表示上述工件的朝向的標(biāo)記部，上述位置數(shù)據(jù)計(jì)算部根據(jù)上述工件的外周緣部的位置數(shù)據(jù)來計(jì)算出上述工件的中心 的位置數(shù)據(jù)，并且上述位置數(shù)據(jù)計(jì)算部根據(jù)上述標(biāo)記部來計(jì)算出表示上述工件的朝向的角 度數(shù)據(jù)，上述位置對(duì)準(zhǔn)部根據(jù)上述工件的中心的位置數(shù)據(jù)和上述角度數(shù)據(jù)，使上述工件的中心 相對(duì)于上述保持面的中心進(jìn)行位置對(duì)準(zhǔn)，并且使上述工件的朝向?qū)?zhǔn)上述保持面的朝向。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的位置對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)，其特征在于，上述工件支撐座具有至少使照射向上述工件的外周緣部的光透射的透光部，并且上述 工件支撐座構(gòu)成為能夠繞與上述吸附面正交的軸旋轉(zhuǎn)，上述位置數(shù)據(jù)獲取部是攝像機(jī)構(gòu)，該攝像機(jī)構(gòu)具有照射部，其對(duì)上述工件的外周緣部 進(jìn)行照射；以及攝像部，其對(duì)經(jīng)上述透光部而透過了上述工件的透射光進(jìn)行讀取，上述攝像 機(jī)構(gòu)用于獲取上述工件的外周緣部的圖像數(shù)據(jù)。
4.一種加工裝置，其特征在于， 上述加工裝置具有權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的位置對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)；以及加工機(jī)構(gòu)，其在上述工件的中心與上述保持工作臺(tái)的中心進(jìn)行了位置對(duì)準(zhǔn)的狀態(tài)下對(duì) 上述工件進(jìn)行加工。
5.一種位置對(duì)準(zhǔn)方法，其特征在于， 上述位置對(duì)準(zhǔn)方法具有以下步驟將工件載置于工件支撐座的步驟，其中，上述工件支撐座形成為直徑比上述工件的外 徑大，并且上述工件支撐座具有對(duì)上述工件的至少外周緣部進(jìn)行吸附的吸附面； 獲取吸附于上述工件支撐座的上述工件的外周緣部的位置數(shù)據(jù)的步驟； 根據(jù)上述工件的外周緣部的位置數(shù)據(jù)來計(jì)算出表示上述工件的中心的工件中心的位 置數(shù)據(jù)的步驟；以及在根據(jù)上述工件的中心的位置數(shù)據(jù)，使上述工件的中心相對(duì)于保持上述工件的保持工 作臺(tái)的保持面的中心進(jìn)行了位置對(duì)準(zhǔn)的狀態(tài)下，將上述工件載置于上述保持面的步驟。
全文摘要
本發(fā)明提供一種位置對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)、加工裝置以及位置對(duì)準(zhǔn)方法，其不會(huì)使含有翹曲的半導(dǎo)體晶片破損，能使該半導(dǎo)體晶片與卡盤工作臺(tái)高精度地進(jìn)行位置對(duì)準(zhǔn)。位置對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)包括臨時(shí)載置工作臺(tái)(23)，其形成為直徑大于半導(dǎo)體晶片(W)的外徑，并具有對(duì)半導(dǎo)體晶片的至少外周緣部進(jìn)行吸附的吸附面(25)；攝像機(jī)構(gòu)(24)，其對(duì)吸附于吸附面的半導(dǎo)體晶片的外周緣部進(jìn)行攝像；控制部(19)，其根據(jù)半導(dǎo)體晶片的外周緣部的圖像數(shù)據(jù)，計(jì)算出半導(dǎo)體晶片的中心的位置數(shù)據(jù)；和晶片供給部(17)，其在根據(jù)半導(dǎo)體晶片的中心的位置數(shù)據(jù)而使半導(dǎo)體晶片的中心位置對(duì)準(zhǔn)了保持半導(dǎo)體晶片的卡盤工作臺(tái)(52)的保持面(56)的中心位置的狀態(tài)下，將半導(dǎo)體晶片載置于保持面。
文檔編號(hào)H01L21/68GK101807537SQ20101011510
公開日2010年8月18日 申請(qǐng)日期2010年2月11日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月12日
發(fā)明者小林長(zhǎng) 申請(qǐng)人:株式會(huì)社迪思科