專利名稱：接觸孔形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種接觸孔形成方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體集成電路的制作是極其復(fù)雜的過程，目的在于將特定電路所需的各種電子 組件和線路，縮小制作在小面積的晶片上。其中，各個組件必須藉由適當(dāng)?shù)膬?nèi)連導(dǎo)線來作電 性連接，才能發(fā)揮所期望的功能。由于集成電路的制作向超大規(guī)模集成電路(ULSI)發(fā)展，其內(nèi)部的電路密度越來 越大，隨著芯片中所含元件數(shù)量不斷增加，實際上就減少了表面連線的可用空間。這一問題 的解決方法是采用多層金屬導(dǎo)線設(shè)計，利用多層絕緣層和導(dǎo)電層相互疊加的多層連接，這 其中就需要制作大量的接觸孔。例如在申請?zhí)枮?00610159332. χ的中國專利文獻中公開 了一種形成接觸孔的方法。圖1至圖3為現(xiàn)有的一種接觸孔形成方法的示意圖。下面結(jié)合圖1至圖3對現(xiàn)有 的一種接觸孔的形成方法進行說明。其中，圖1為形成源/漏極摻雜區(qū)后的器件剖面示意 圖。如圖1所示，對襯底進行刻蝕填充，在各器件間形成隔離溝槽102 ；接著在襯底上形成 柵極100及源/漏極摻雜區(qū)107和108 ；然后在各個柵極的頂部及源、漏極區(qū)域形成自行對 準(zhǔn)的金屬硅化物層(本圖中未示出)，以進一步改善其接觸電特性。圖2為沉積層間介質(zhì)層(ILD)后的器件剖面示意圖。如圖2所示，在硅片表面再 覆蓋一層層間介質(zhì)層119，一般包括氧化物層110和覆蓋氧化物層的氮化物層120。其中， 對于清洗或者濕法刻蝕，氮化物120與氧化物層110相比，具有低得多的刻蝕速率。氧化硅 層一般采用摻雜氧化硅層(PSG)，既可以在電學(xué)上隔離器件和互連金屬層，又可以在物理上 將器件與可移動粒子等雜質(zhì)源隔離開。圖3為刻蝕形成接觸孔后的器件剖面示意圖。利用光刻及刻蝕技術(shù)在硅片的對應(yīng) 位置處形成接觸孔。如圖3所示，在同一芯片上要形成的接觸孔也不相同，圖中示出了三 種類型的接觸孔柵極接觸孔140、源/漏極接觸孔150和聯(lián)接?xùn)旁礃O(或漏極)的接觸孔 130，除此之外還可以包括其他類型的接觸孔，例如多層布線的不同導(dǎo)電層之間的接觸孔。 形成上述接觸孔的步驟通常包括刻蝕步驟和清洗步驟，刻蝕步驟用來在層間介質(zhì)層中形成 通孔，由于刻蝕步驟會在接觸孔的底部和側(cè)壁形成刻蝕聚合物，因此清洗步驟可以進一步 的將通孔底部和側(cè)壁的刻蝕聚合物去除，暴露金屬硅化物，形成接觸電特性良好的接觸孔。但是上述接觸孔的形成方法中，對于濕法清洗，氮化物與氧化物層相比，具有低得 多的腐蝕速率，因此會造成在清洗步驟中接觸孔的側(cè)壁在氧化物層形成凹陷，致使在向接 觸孔填充導(dǎo)電物質(zhì)時，導(dǎo)電物質(zhì)不能完全覆蓋接觸孔，從而使得接觸孔的電特性較差。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種接觸孔形成方法，該方法在減小對接觸孔側(cè)壁的損傷，提高了 接觸孔底部的接觸電特性。
本發(fā)明提供了一種接觸孔形成方法，包括步驟提供半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其包括襯底；位于襯底中及襯底上的MOS器件；覆蓋MOS器件和 襯底的層間介質(zhì)層，所述層間介質(zhì)層包括氧化物層和位于所述氧化物層上的氮化物層；對所述層間介質(zhì)層進行刻蝕，刻蝕停止在襯底表面，在所述層間介質(zhì)層中形成通 孔，所述刻蝕的同時在通孔內(nèi)形成刻蝕聚合物；對所述刻蝕聚合物和所述通孔暴露的襯底進行干法刻蝕，使所述通孔延伸至襯底 內(nèi)；用酸性溶液清洗，去除所述通孔內(nèi)剩余的刻蝕聚合物?？蛇x的，對所述刻蝕聚合物和所述通孔暴露的襯底進行干法刻蝕步驟中，刻蝕氣 體為NF3或者NF3和惰性氣體的混合氣體。可選的，所述氮化物層的材料為氮化硅，所述氧化物層的材料為PSG。可選的，對所述刻蝕聚合物和所述通孔暴露的襯底進行干法刻蝕步驟中NF3的流 量為如ccm至8sccm，腔室壓強為20mt至30mt，射頻功率為40w至60w，電極溫度為60攝氏 度，時間為15s至20s?？蛇x的，所述酸溶液為HF溶液?？蛇x的，所述HF溶液濃度小于或等于500ppm，清洗時間為IOls至130s。本發(fā)明還提供了一種接觸孔形成方法，包括步驟提供半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其包括襯底；位于襯底上的導(dǎo)電層；覆蓋所述導(dǎo)電層的層間介 質(zhì)層，所述層間介質(zhì)層包括氧化物層和位于所述氧化物層上的氮化物層；對所述層間介質(zhì)層進行刻蝕，刻蝕停止在襯底表面，在所述層間介質(zhì)層中形成通 孔，所述刻蝕的同時在通孔內(nèi)形成刻蝕聚合物；對所述刻蝕聚合物和所述通孔暴露的襯底進行干法刻蝕，使所述通孔延伸至襯底 內(nèi)；用酸性溶液清洗，去除所述通孔內(nèi)剩余的刻蝕聚合物?？蛇x的，對所述刻蝕聚合物和所述通孔暴露的襯底進行干法刻蝕步驟中刻蝕氣體 為NF3或NF3和惰性氣體的混合氣體?？蛇x的，所述氮化層的材料為氮化硅，所述氧化物層的材料為PSG?？蛇x的，對所述刻蝕聚合物和所述通孔暴露的襯底進行干法刻蝕步驟中NF3的流 量為如ccm至8sccm，腔室壓強為20mt至30mt，射頻功率為40w至60w，電極溫度為60攝氏 度，時間為15s至20s。可選的，所述酸溶液為HF溶液?？蛇x的，所述HF溶液濃度小于或等于500ppm，清洗時間在IOls至130s。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點本發(fā)明的接觸孔形成方法將現(xiàn)有的清洗步驟替代為刻蝕和清洗步驟，從而采用刻 蝕先去除一部分厚度的刻蝕聚合物，這樣在用清洗進一步去除剩余的刻蝕聚合物的時候就 可以減小濃度和/或縮短時間，因此本發(fā)明就減小了在清洗步驟中對接觸孔側(cè)壁氧化物層 的損傷，提高了接觸孔底部的接觸電特性，提高了產(chǎn)品的成品率及器件的可靠性。


圖1至3為現(xiàn)有的接觸孔形成方法的示意圖；圖4為本發(fā)明接觸孔形成方法的工藝流程圖；圖5至圖8為本發(fā)明接觸孔形成方法的示意圖。
具體實施例方式由背景技術(shù)可知，在現(xiàn)有的形成接觸孔的步驟中通常利用清洗步驟去除刻蝕接觸 孔時的聚合物，但是由于對于清洗或者濕法刻蝕，氮化物120與氧化物層110相比，具有低 得多的刻蝕速率，因此清洗步驟會造成接觸孔的側(cè)壁在氧化物層形成凹陷，這樣致使在向 接觸孔填充導(dǎo)電物質(zhì)時，導(dǎo)電物質(zhì)不能完全覆蓋接觸孔，從而使得接觸孔的電特性較差。本發(fā)明的發(fā)明人經(jīng)過大量的實驗研究，得到一種接觸孔形成方法，包括步驟提供 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其包括襯底；位于襯底中及襯底上的MOS器件；覆蓋MOS器件和襯底的層間介 質(zhì)層，所述層間介質(zhì)層包括氧化物層和位于所述氧化物層上的氮化物層；對所述層間介質(zhì) 層進行刻蝕，刻蝕停止在襯底表面，在所述層間介質(zhì)層中形成通孔，所述刻蝕的同時在通孔 內(nèi)形成刻蝕聚合物；對所述刻蝕聚合物和所述通孔暴露的襯底進行干法刻蝕，使所述通孔 延伸至襯底內(nèi)；用酸性溶液清洗，去除所述通孔內(nèi)剩余的刻蝕聚合物。該方法在減小了對接 觸孔側(cè)壁的損傷，提高了接觸孔底部的接觸電特性。為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明 的具體實施方式
做詳細的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā) 明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不 違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施的限制。其次，本發(fā)明利用示意圖進行詳細描述，在詳述本發(fā)明實施例時，為便于說明，表 示器件結(jié)構(gòu)的剖面圖會不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是實例，其在此不應(yīng) 限制本發(fā)明保護的范圍。此外，在實際制作中應(yīng)包含長度、寬度及深度的三維空間尺寸。下面結(jié)合附圖5至圖8，對本發(fā)明的接觸孔形成方法進行詳細說明。參考圖4，本 發(fā)明的接觸孔形成方法包括下列步驟步驟S10，提供半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其包括襯底；位于襯底中及襯底上的MOS器件；覆蓋MOS 器件和襯底的層間介質(zhì)層，所述層間介質(zhì)層包括氧化層和位于所述氧化物層上的氮化物層。具體的，參考圖5，提供半導(dǎo)體襯底101，所述的半導(dǎo)體襯底101可以是單晶硅、多 晶硅或非晶硅；所述半導(dǎo)體襯底101也可以是硅、鍺、砷化鎵或硅鍺化合物；該半導(dǎo)體襯底 101還可以具有外延層或絕緣層上硅結(jié)構(gòu)；所述的半導(dǎo)體襯底101還可以是其它半導(dǎo)體材 料，這里不再一一列舉。參考圖5，在所述襯底101表面形成柵極，及柵極兩側(cè)的源極和漏極，例如首先在 硅襯底上形成多晶硅柵極。在硅襯底101上淀積厚度在IOA到200A之間的柵氧化硅層 103 (Gate Oxide)，再在硅襯底101上刻蝕溝槽，填充氧化硅以形成各器件間的隔離溝槽 102 ；接著淀積多晶硅，刻蝕形成多晶硅柵極104。然后，在多晶硅柵極104側(cè)壁處形成側(cè)壁層。例如形成多晶硅柵極104后，先沉積 一層厚度在101入到250人之間，如為150人的氧化硅層105，其與多晶硅柵極接觸良好，不 易脫落；再沉積一層厚度在200A到800A之間，如為300A的氮化硅層106，一般該氮化硅層是在較高溫度下形成，以生成較為致密的氮化硅材料，實現(xiàn)對多晶硅柵極的良好保護，該 側(cè)壁層即為通常所說的氧化硅-氮化硅(ON)結(jié)構(gòu)。由于氮化硅層的沉積溫度較高，可容許 生長的厚度有限，故而在有的側(cè)壁層結(jié)構(gòu)中還會在其上再生長一層200A左右的氧化硅層 (圖中未示出)，形成另一種常用的氧化硅-氮化硅-氧化硅(ONO)側(cè)壁層結(jié)構(gòu)。接著，對 沉積而成的ON或ONO介質(zhì)層進行刻蝕，柵極側(cè)壁處的側(cè)壁層被保留，而在柵極頂部和柵極 間硅襯底表面處的側(cè)壁層被刻蝕去除。再接著，就可以利用離子注入的方法形成源/漏極摻雜區(qū)。一般是利用多晶硅柵 極及其側(cè)壁上保留的側(cè)壁層作為掩膜進行離子注入形成源/漏極摻雜區(qū)107和108。所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括覆蓋MOS器件和襯底的層間介質(zhì)層119。所述層間介質(zhì)層 119用于對襯底上的導(dǎo)線與導(dǎo)線之間的隔離。所述層間介質(zhì)層119包括氧化物層110和位于所述氧化物層110上的氮化 物層120。所述氮化物層120的材料一般為氮化硅(SiN)。氧化物層110的材料一般 選自Si02或者摻雜的Si02，例如USG(Undoped Silicon Glass，沒有摻雜的硅玻璃)、 BPSG(Borophosphosilicate Glass，摻雜硼磷的硅玻璃)、BSG(Borosilicate Glass，摻雜 硼的硅玻璃)、PSG(Ph0Sph0Silitcate Glass，摻雜磷的硅玻璃)等。所述層間介質(zhì)層119 的厚度可以為20nm至5000nm。所述層間介質(zhì)層119的形成工藝可以是任何常規(guī)真空鍍膜技術(shù)，比如原子沉積 (ALD)、物理氣相淀積(PVD)、化學(xué)氣相淀積(CVD)、等離子體增強型化學(xué)氣相淀積(PECVD) 等等，在這里不做贅述。步驟S20，對層間介質(zhì)層119進行刻蝕，刻蝕停止在襯底表面，在所述層間介質(zhì)層 119中形成通孔，所述刻蝕的同時在通孔內(nèi)形成刻蝕聚合物。參考圖6，具體的可以先在所述層間介質(zhì)層119表面形成光刻膠圖形(未圖示)， 接著以所述光刻膠圖形為掩膜，刻蝕層間介質(zhì)層119直至暴露襯底表面，形成通孔201。一 般的，刻蝕的過程中都會形成刻蝕聚合物，如圖6中刻蝕聚合物202。該刻蝕聚合物會影響 電接觸特性，因此需要被去除。所述刻蝕工藝可以是任何常規(guī)刻蝕技術(shù)，比如化學(xué)刻蝕或者等離子體刻蝕技術(shù)， 在本實施例中，采用等離子體刻蝕技術(shù)，采用CF4、CHF3、CH2F2、CH3F、C4F8或者C5F8中的 一種或者幾種作為反應(yīng)氣體刻蝕介質(zhì)層200。具體的刻蝕工藝參數(shù)可以為選用等離子體型刻蝕設(shè)備，刻蝕設(shè)備腔體壓力為10 毫托至50毫托，射頻功率為200W至500W，C4F8流量為IOsccm至50sccm，CO流量為IOlsccm 至 200sccm，Ar 流量為 300sccm 至 600sccm，02 流量為 IOsccm 至 50sccm。 步驟S30，對所述刻蝕聚合物202和所述通孔201暴露的襯底進行干法刻蝕，使所 述通孔延伸至襯底內(nèi)。具體的，參考圖7，所述刻蝕采用等離子刻蝕技術(shù)，采用刻蝕氣體為NF3和惰性氣 體的混合氣體，該刻蝕步驟可以剝落通孔201內(nèi)的刻蝕聚合物202，并且進一步的刻蝕接觸 孔內(nèi)暴露的襯底，使得接觸孔延伸到襯底內(nèi)。具體的刻蝕工藝參數(shù)可以為選用等離子體型刻蝕設(shè)備，刻蝕設(shè)備腔體壓強為 20mt至30mt，射頻功率為40w至60w，NF3的流量是4sccm至8sccm，還可以包括惰性氣體， 例如流量可以為30SCCm至60SCCm的Ar，電極溫度是60攝氏度至70攝氏度，刻蝕時間為15s 至 20s。例如在一具體實施中，刻蝕設(shè)備腔體壓強為25mt，射頻功率為50w，NF3的流量是 5sccm, Ar的流量是55sCCm，電極溫度是65攝氏度，刻蝕時間為15s至20s。在該刻蝕步驟之后可以去除光刻膠圖形，其工藝可以為公知的光刻膠去除工藝， 包括光刻膠去除溶液去除、等離子轟擊去除等等。該步驟形成暴露源極的接觸孔，刻蝕去除襯底的厚度為200A (接觸孔進入襯底 的深度為200 A)。在其它實施例中，例如在存儲器件的制造中需要在STI上形成接觸孔， 則去除襯底的厚度為350A (接觸孔進入襯底內(nèi)STI的深度為350 A)。在現(xiàn)有技術(shù)中，接 觸孔一般都停止在襯底表面，但是襯底表面容易存在絕緣的雜質(zhì)，因此本發(fā)明中通過清洗 步驟使得接觸孔延伸到襯底內(nèi)，從而使得在接觸孔中填充導(dǎo)電介質(zhì)之后，導(dǎo)電介質(zhì)和襯底 內(nèi)的金屬硅化物或者硅的電接觸性更好。步驟S40，用酸性溶液清洗，去除所述通孔內(nèi)剩余的刻蝕聚合物，形成接觸孔。由于在步驟S30中刻蝕聚合物被剝落，但是可能還存在一些殘余，在該步驟中進 一步的將殘余的刻蝕聚合物202去除，將步驟S30中剝落掉的刻蝕聚合物清洗去除，從而形 成接觸電特性更好的接觸孔。參考圖8，具體的，利用HF溶液，優(yōu)選的，HF溶液濃度小于或等于500ppm，清洗時 間在IOls至130s，例如在一具體實現(xiàn)中，HF溶液濃度為400ppm，清洗時間為120s。本發(fā)明的接觸孔形成方法將現(xiàn)有的清洗步驟替代為刻蝕和清洗步驟，從而采用刻 蝕先去除一部分厚度的刻蝕聚合物，這樣在用清洗去除剩余的刻蝕聚合物的時候就可以減 小濃度和/或縮短時間，因此本發(fā)明就減小了在清洗步驟中對接觸孔側(cè)壁氧化物層的損 傷，提高了接觸孔底部的接觸電特性，提高了產(chǎn)品的成品率及器件的可靠性。在另一實施例中，本發(fā)明還提供了一種接觸孔形成方法，包括步驟提供半導(dǎo)體結(jié) 構(gòu)，其包括襯底；位于襯底上的導(dǎo)電層；覆蓋所述導(dǎo)電層的層間介質(zhì)層，所述層間介質(zhì)層包 括氧化物層和位于所述氧化物層上的氮化物層；對所述層間介質(zhì)層進行刻蝕，刻蝕停止在 襯底表面，在所述層間介質(zhì)層中形成通孔，所述刻蝕的同時在通孔內(nèi)形成刻蝕聚合物；對所 述刻蝕聚合物和所述通孔暴露的襯底進行干法刻蝕，使所述通孔延伸至襯底內(nèi)；用酸性溶 液清洗，去除所述通孔內(nèi)剩余的刻蝕聚合物。所述導(dǎo)電層可以為一層布線的互連層或者二 層布線的互連層。其中，對所述刻蝕聚合物和所述通孔暴露的襯底進行干法刻蝕步驟中刻蝕氣體為 NF3或NF3和惰性氣體的混合氣體。其中，所述氮化物層的材料為氮化硅，所述氧化物層的材料為PSG。其中，對所述刻蝕聚合物和所述通孔暴露的襯底進行干法刻蝕步驟中NF3的流量 為4sccm至8sccm，腔室壓強為20mt至30mt，射頻功率為40w至60w，電極溫度為60攝氏 度，時間為15s至20s。其中，所述酸溶液為HF溶液。其中，所述HF溶液濃度小于或等于500ppm，清洗時間在IOls至130s。在上述實施例中接觸孔的位置僅僅是舉例說明，不對本發(fā)明做限定，實際上本發(fā) 明的接觸孔形成方法可以應(yīng)用于任何位置及類型的接觸孔的形成。本發(fā)明雖然以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以做出可能的變動和修改，因此本發(fā)明的保 護范圍應(yīng)當(dāng)以本發(fā)明權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種接觸孔形成方法，其特征在于，包括步驟提供半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其包括襯底；位于襯底中及襯底上的MOS器件；覆蓋MOS器件和襯底 的層間介質(zhì)層，所述層間介質(zhì)層包括氧化物層和位于所述氧化物層上的氮化物層；對所述層間介質(zhì)層進行刻蝕，刻蝕停止在襯底表面，在所述層間介質(zhì)層中形成通孔，所 述刻蝕的同時在通孔內(nèi)形成刻蝕聚合物；對所述刻蝕聚合物和所述通孔暴露的襯底進行干法刻蝕，使所述通孔延伸至襯底內(nèi)；用酸性溶液清洗，去除所述通孔內(nèi)剩余的刻蝕聚合物，形成接觸孔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接觸孔形成方法，其特征在于，對所述刻蝕聚合物和所述通 孔暴露的襯底進行干法刻蝕步驟中，刻蝕氣體為NF3或者NF3和惰性氣體的混合氣體。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的接觸孔形成方法，其特征在于，所述氮化物層的材料為氮化 硅，所述氧化物層的材料為PSG。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的接觸孔形成方法，其特征在于，對所述刻蝕聚合物和所述通 孔暴露的襯底進行干法刻蝕步驟中NF3的流量為如ccm至8SCCm，腔室壓強為20mt至30mt， 射頻功率為40w至60w，電極溫度為60攝氏度，時間為1 至20s。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接觸孔形成方法，其特征在于，所述酸溶液為HF溶液。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的接觸孔形成方法，其特征在于，所述HF溶液濃度小于或等于 500ppm，清洗時間為IOls至130s。
7.一種接觸孔形成方法，其特征在于，包括步驟提供半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其包括襯底；位于襯底上的導(dǎo)電層；覆蓋所述導(dǎo)電層的層間介質(zhì)層， 所述層間介質(zhì)層包括氧化物層和位于所述氧化物層上的氮化物層；對所述層間介質(zhì)層進行刻蝕，刻蝕停止在襯底表面，在所述層間介質(zhì)層中形成通孔，所 述刻蝕的同時在通孔內(nèi)形成刻蝕聚合物；對所述刻蝕聚合物和所述通孔暴露的襯底進行干法刻蝕，使所述通孔延伸至襯底內(nèi)；用酸性溶液清洗，去除所述通孔內(nèi)剩余的刻蝕聚合物，形成接觸孔。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的接觸孔形成方法，其特征在于，對所述刻蝕聚合物和所述通 孔暴露的襯底進行干法刻蝕步驟中刻蝕氣體為NF3或NF3和惰性氣體的混合氣體。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的接觸孔形成方法，其特征在于，所述氮化層的材料為氮化硅， 所述氧化物層的材料為PSG。
10.根據(jù)權(quán)利要求11所述的接觸孔形成方法，其特征在于，對所述刻蝕聚合物和所述 通孔暴露的襯底進行干法刻蝕步驟中NF3的流量為4SCCm至Ssccm，腔室壓強為20mt至 30mt，射頻功率為40w至60w，電極溫度為60攝氏度，時間為1 至20s。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的接觸孔形成方法，其特征在于，所述酸溶液為HF溶液。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的接觸孔形成方法，其特征在于，所述HF溶液濃度小于或等 于500ppm，清洗時間在IOls至130s。
全文摘要
公開了一種接觸孔形成方法，包括步驟提供半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其包括襯底；位于襯底中及襯底上的MOS器件；覆蓋MOS器件和襯底的層間介質(zhì)層，所述層間介質(zhì)層包括氧化物層和位于所述氧化物層上的氮化物層；對所述層間介質(zhì)層進行刻蝕，刻蝕停止在襯底表面，在所述層間介質(zhì)層中形成通孔，所述刻蝕的同時在通孔內(nèi)形成刻蝕聚合物；對所述刻蝕聚合物和所述通孔暴露的襯底進行干法刻蝕，使所述通孔延伸至襯底內(nèi)；用酸性溶液清洗，去除所述通孔內(nèi)剩余的刻蝕聚合物。該方法在減小對接觸孔側(cè)壁的損傷，提高了接觸孔底部的接觸電特性。
文檔編號H01L21/768GK102148191SQ20101011114
公開日2011年8月10日 申請日期2010年2月10日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月10日
發(fā)明者奚裴, 楊昌輝, 肖海波 申請人:上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司