專利名稱：一種半導(dǎo)體器件的制造方法
一種半導(dǎo)體器件的制造方法
技術(shù)領(lǐng) 域本發(fā)明通常涉及半導(dǎo)體器件制造方法，具體來(lái)說(shuō)，涉及一種基于柵極替代工藝/ 后柵工藝的提高器件速度的半導(dǎo)體器件制造方法。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，具有更高性能和更強(qiáng)功能的集成電路要求更大的元件密度，而且各個(gè)部件、元件之間或各個(gè)元件自身的尺寸、大小和空間也需要進(jìn)一步縮小。在45 納米及以下工藝集成中，前柵工藝和柵極替代工藝/后柵工藝都有廣泛的應(yīng)用。對(duì)于柵極替代工藝，典型的工藝包括形成偽柵，接著形成源/漏延伸區(qū)、側(cè)墻和源/漏極區(qū)，而后去除器件的偽柵以形成開(kāi)口，然后在開(kāi)口中形成替代柵堆疊，這種工藝的優(yōu)點(diǎn)在于，其替代柵堆疊的形成在源/漏極生成之后，此工藝中替代柵介質(zhì)和替代柵電極不需要承受很高的退火溫度，避免了高的熱預(yù)算造成器件可能的功函數(shù)轉(zhuǎn)移，但在此工藝中，在柵電極的側(cè)壁也形成了高k柵介質(zhì)材料，這部分連同較高介電常數(shù)的側(cè)墻將會(huì)對(duì)器件的速度造成延遲。因此，需要提出一種基于柵極替代工藝的能夠提高器件速度的半導(dǎo)體器件的制造方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件的制造方法，所述方法包括提供半導(dǎo)體襯底；在所述半導(dǎo)體襯底上形成偽柵堆疊，以及在所述偽柵堆疊側(cè)壁形成偽側(cè)墻，以及在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成源/漏延伸區(qū)和/或halo區(qū)以及源極區(qū)和漏極區(qū)，并覆蓋所述源極區(qū)和漏極區(qū)形成層間介質(zhì)層；去除所述偽柵堆疊，暴露襯底以形成開(kāi)口 ；在所述開(kāi)口內(nèi)形成替代柵堆疊，所述替代柵堆疊包括柵介質(zhì)層和柵電極；去除所述偽側(cè)墻以及在替代柵堆疊中側(cè)壁部分的柵介質(zhì)層；在所述柵電極側(cè)壁形成應(yīng)力氮化物層，以提高所述器件的載流子遷移率。本發(fā)明還提供了一種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括提供半導(dǎo)體襯底； 在所述半導(dǎo)體襯底上形成偽柵堆疊，以及在所述偽柵堆疊側(cè)壁形成偽側(cè)墻，以及在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成源/漏延伸區(qū)和/或halo區(qū)以及源極區(qū)和漏極區(qū)，并覆蓋所述源極區(qū)和漏極區(qū)形成層間介質(zhì)層；去除所述偽柵堆疊，暴露襯底以形成開(kāi)口 ；在所述開(kāi)口內(nèi)形成替代柵堆疊，所述替代柵堆疊包括柵介質(zhì)層和柵電極；去除所述偽側(cè)墻、在替代柵堆疊中側(cè)壁部分的柵介質(zhì)層以及層間介質(zhì)層；覆蓋所述柵電極以及源極區(qū)和漏極區(qū)以形成應(yīng)力氮化物層，以提高所述器件的載流子遷移率。本發(fā)明還提供了一種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括提供半導(dǎo)體襯底； 在所述半導(dǎo)體襯底上形成偽柵堆疊，以及在所述偽柵堆疊側(cè)壁形成偽側(cè)墻，以及在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成源/漏延伸區(qū)和/或halo區(qū)以及源極區(qū)和漏極區(qū)，并覆蓋所述源極區(qū)和漏極區(qū)形成層間介質(zhì)層；去除所述偽柵堆疊，暴露襯底以形成開(kāi)口 ；在所述開(kāi)口內(nèi)形成替代柵堆疊，所述替代柵堆疊包括柵介質(zhì)層和柵電極；去除所述偽側(cè)墻、在替代柵堆疊中側(cè)壁部分的柵介質(zhì)層、層間介質(zhì)層以及部分柵電極；覆蓋所述柵電極以及源極區(qū)和漏極區(qū)以形成應(yīng)力氮化物層，以提高所述器件的載流子遷移率。通過(guò)采用本發(fā)明所述的方法，有效提高了載流子的遷移率，進(jìn)而提高器件的速度。


圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造方法的流程圖；圖2-6示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件各個(gè)制造階段的示意圖；圖7示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造方法的流程圖；圖8-9示出了根據(jù)本 發(fā)明的第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件各個(gè)制造階段的示意圖；圖10示出了根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造方法的流程圖；圖11-12示出了根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的半導(dǎo)體器件各個(gè)制造階段的示意圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明通常涉及制造半導(dǎo)體器件的方法。下文的公開(kāi)提供了許多不同的實(shí)施例或例子用來(lái)實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的不同結(jié)構(gòu)。為了簡(jiǎn)化本發(fā)明的公開(kāi)，下文中對(duì)特定例子的部件和設(shè)置進(jìn)行描述。當(dāng)然，它們僅僅為示例，并且目的不在于限制本發(fā)明。此外，本發(fā)明可以在不同例子中重復(fù)參考數(shù)字和/或字母。這種重復(fù)是為了簡(jiǎn)化和清楚的目的，其本身不指示所討論各種實(shí)施例和/或設(shè)置之間的關(guān)系。此外，本發(fā)明提供了的各種特定的工藝和材料的例子，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以意識(shí)到其他工藝的可應(yīng)用于性和/或其他材料的使用。另外，以下描述的第一特征在第二特征之“上”的結(jié)構(gòu)可以包括第一和第二特征形成為直接接觸的實(shí)施例，也可以包括另外的特征形成在第一和第二特征之間的實(shí)施例，這樣第一和第二特征可能不是直接接觸。需要說(shuō)明的是，以下描述的本發(fā)明的各實(shí)施例可能包含在集成電路的形成過(guò)程或其部分中，可能包括靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)和/或者其它邏輯電路，無(wú)源元件例如電阻、電容器和電感，和有源元件例如P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管(PFET)，N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管(NFET)，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)，互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)晶體管，雙極晶體管，高壓晶體管，高頻晶體管，其它記憶單元，其組合和/或者其它半導(dǎo)體器件。本發(fā)明中以下各實(shí)施例的描述均以CMOS結(jié)構(gòu)為例，其他結(jié)構(gòu)也可應(yīng)用本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例，在此不再一一列舉。第一實(shí)施例根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例，參考圖1，圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造方法的流程圖。在步驟S101，提供半導(dǎo)體襯底200，參考圖2。在本實(shí)施例中， 襯底200包括位于晶體結(jié)構(gòu)中的硅襯底(例如晶片)，還可以包括其他基本半導(dǎo)體或化合物半導(dǎo)體，例如Ge、GeSi, GaAs, InP, SiC或金剛石等。根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)公知的設(shè)計(jì)要求(例如 P型襯底或者η型襯底)，襯底200可以包括各種摻雜配置。此外，可選地，襯底200可以包括外延層，可以被應(yīng)力改變以增強(qiáng)性能，以及可以包括絕緣體上硅(SOI)結(jié)構(gòu)。在步驟S102，在所述半導(dǎo)體襯底200上形成偽柵堆疊300，以及在所述偽柵堆疊 300側(cè)壁形成偽側(cè)墻206，以及在所述半導(dǎo)體襯底200內(nèi)形成源/漏延伸區(qū)和/或halo區(qū) 208以及源極區(qū)和漏極區(qū)210，并覆蓋所述源極區(qū)和漏極區(qū)210形成層間介質(zhì)層214，如圖2 所示。圖2所示的器件結(jié)構(gòu)為形成本發(fā)明器件結(jié)構(gòu)的中間結(jié)構(gòu)，可以通過(guò)常規(guī)工藝步驟、材料以及設(shè)備來(lái)形成，其對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)是顯而易見(jiàn)的。所述偽柵堆疊300通常包括偽柵介質(zhì)層202和偽柵極204，所述偽柵介質(zhì)層202可以為熱氧化層，包括氧化硅、氮化硅，例如二氧化硅，所述偽柵極204可以為非晶硅或多晶硅，例如多晶硅。所述偽側(cè)墻206可以由氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氟化物摻雜硅玻璃、低 k電介質(zhì)材料及其組合，和/或其他合適的材料形成。偽側(cè)墻206可以具有多層結(jié)構(gòu)。偽側(cè)墻206可以通過(guò)包括原子沉積方法、等離子增強(qiáng)化學(xué)氣象沉積或 其他方法沉積合適的電介質(zhì)材料的方法形成。所述源/漏延伸區(qū)和/或halo區(qū)208以及源極區(qū)和漏極區(qū)210，可以通過(guò)根據(jù)期望的晶體管結(jié)構(gòu)，注入P型或η型摻雜物或雜質(zhì)到所述襯底200中而形成，可以由包括光亥IJ、離子注入、擴(kuò)散和/或其他合適工藝的方法形成。所述層間介質(zhì)層214可以通過(guò)先在所述器件上沉積層間介質(zhì)層214，而后對(duì)所述層間介質(zhì)層214平坦化處理以暴露偽柵極204的上表面來(lái)形成，所述層間介質(zhì)層214可以是但不限于例如未摻雜的氧化硅(SiO2)、摻雜的氧化硅(如硼硅玻璃、硼磷硅玻璃等)和氮化硅(Si3N4)。特別地，在形成偽側(cè)墻206以后，還可以在所述源極區(qū)和漏極區(qū)210的半導(dǎo)體襯底 200上形成金屬硅化物層212。所述金屬硅化物層212的形成可以為自對(duì)準(zhǔn)形成金屬硅化物，先在所述器件上沉積金屬材料，例如Co、Ni、Mo、Pt和W等，而后進(jìn)行退火，金屬和所述源極區(qū)和漏極區(qū)210所在的硅襯底的表面反應(yīng)生成金屬硅化物，然后去除未反應(yīng)的金屬， 形成自對(duì)準(zhǔn)的金屬硅化物層212。在步驟S103，去除所述偽柵堆疊300，暴露襯底200以形成開(kāi)口 216，如圖3所示。 在該步驟中，可以使用濕蝕刻和/或干蝕刻除去所述偽柵介質(zhì)層202和偽柵極204。在一個(gè)實(shí)施例中，濕蝕刻工藝包括四甲基氫氧化銨(TMAH)KOH或者其他合適蝕刻劑溶液。在步驟S104，在所述開(kāi)口 216內(nèi)形成替代柵堆疊400，所述替代柵堆疊400包括柵介質(zhì)層218和柵電極220，如圖4所示。在所述器件上沉積柵介質(zhì)層218和柵電極220，所述柵介質(zhì)層218可以為但不限于高k介質(zhì)材料，(例如，和氧化硅相比，具有高介電常數(shù)的材料)，高k介質(zhì)材料的例子包括例如鉿基材料，如氧化鉿(HfO2)，氧化鉿硅(HfSiO)，氮氧化鉿硅(HfSiON)，氧化鉿鉭(HfTaO)，氧化鉿鈦(HfTiO)，氧化鉿鋯(Hf7r0)，其組合和/或者其它適當(dāng)?shù)牟牧?。所述柵電極220可以是一層或多層結(jié)構(gòu)，可以但不限于從包含下列元素的組中選擇一種或多種元素進(jìn)行沉積TaN、Ta2C、HfN、HfC、TiC、TiN、AlTi、MoN、MoC、TaTbN、 TaErN, TaYbN, TaSiN, TaAlN, TiAlN, TaHfN, TiHfN, HfSiN、MoSiN、MoAIN、Mo、Ru、RuO2、RuTax、 NiTax、多晶硅和金屬硅化物，及其它們的組合。柵介質(zhì)層218和柵電極220的沉積可以采用常規(guī)沉積工藝形成，例如濺射、PLD、MOCVD, ALD、PEALD或其他合適的方法。而后，可以通過(guò)化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)方法，來(lái)去除層間介質(zhì)層214和偽側(cè)墻206之上的柵介質(zhì)層218和柵電極220，在開(kāi)口 216內(nèi)形成替代柵堆疊400。在步驟S105，去除所述偽側(cè)墻206以及在替代柵堆疊400中側(cè)壁部分的柵介質(zhì)層 218，如圖5所示?？梢酝ㄟ^(guò)RIE的方法將所述偽側(cè)墻206以及替代柵堆疊400中側(cè)壁部分的柵介質(zhì)層218去除。在步驟S106，在所述柵電極220側(cè)壁形成應(yīng)力氮化物層222，如圖6所示?？梢酝ㄟ^(guò)但不限于PECVD的方法在所述器件上沉積氮化物材料，以形成應(yīng)力氮化物層222，所述氮化物材料可以為Si3N4、SiON等。所述應(yīng)力氮化物層222有效提高器件載流子遷移率，進(jìn)而提高了器件的速度。而后，對(duì)器件進(jìn)行后續(xù)加工步驟，在金屬硅化物層212上形成源極和/或漏極區(qū) 210的接觸，接觸的形成可以通過(guò)光刻、沉積和平坦化等常規(guī)的工藝步驟形成，其對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)是顯而易見(jiàn)的。第二實(shí)施例下面將僅就第二實(shí)施 例區(qū)別于第一實(shí)施例的方面進(jìn)行闡述。未描述的部分應(yīng)當(dāng)認(rèn)為與第一實(shí)施例采用了相同的步驟、方法或者工藝來(lái)進(jìn)行，因此在此不再贅述。參考圖7，圖7示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的制造半導(dǎo)體器件的方法的流程圖，根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的步驟S201至步驟S204，同第一實(shí)施例中的步驟SlOl至步驟 S104相同，視為與第一實(shí)施例采用了相同的步驟、方法或者工藝來(lái)進(jìn)行，在此不再贅述。在步驟S205，去除所述偽側(cè)墻206、在替代柵堆疊400中側(cè)壁部分的柵介質(zhì)層218 以及層間介質(zhì)層214，如圖8所示?？梢酝ㄟ^(guò)RIE的方法將所述偽側(cè)墻206、替代柵堆疊400 中側(cè)壁部分的柵介質(zhì)層218以及層間介質(zhì)層214去除。在步驟S206，覆蓋所述柵電極220以及源極區(qū)和漏極區(qū)210以形成應(yīng)力氮化物層 222，如圖9所示?？梢酝ㄟ^(guò)但不限于PECVD的方法在所述器件上沉積氮化物材料，以形成應(yīng)力氮化物層222，所述氮化物材料可以為Si3N4、SiON等。所述應(yīng)力氮化物層222有效提高器件載流子遷移率，進(jìn)而提高了器件的速度。而后，對(duì)器件進(jìn)行后續(xù)加工步驟，在金屬硅化物層212上形成源極和/或漏極區(qū) 210的接觸，接觸的形成可以通過(guò)光刻、沉積和平坦化等常規(guī)的工藝步驟形成，其對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)是顯而易見(jiàn)的。第三實(shí)施例下面將僅就第三實(shí)施例區(qū)別于第一實(shí)施例的方面進(jìn)行闡述。未描述的部分應(yīng)當(dāng)認(rèn)為與第一實(shí)施例采用了相同的步驟、方法或者工藝來(lái)進(jìn)行，因此在此不再贅述。參考圖10，圖10示出了根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的制造半導(dǎo)體器件的方法的流程圖，根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的步驟S301至步驟S304，同第一實(shí)施例中的步驟SlOl至步驟S104相同，視為與第一實(shí)施例采用了相同的步驟、方法或者工藝來(lái)進(jìn)行，在此不再贅述。在步驟S305，去除所述偽側(cè)墻206、在替代柵堆疊400中側(cè)壁部分的柵介質(zhì)層218、 層間介質(zhì)層214以及部分柵電極220，如圖11所示?？梢酝ㄟ^(guò)RIE的方法將所述柵介質(zhì)層 218、層間介質(zhì)層214以及部分柵電極220去除。在步驟S306，覆蓋所述柵電極220以及源極區(qū)和漏極區(qū)210以形成應(yīng)力氮化物層 222，如圖12所示。可以通過(guò)但不限于PECVD的方法在所述器件上沉積氮化物材料，以形成應(yīng)力氮化物層222，所述氮化物材料可以為Si3N4、SiON等。所述應(yīng)力氮化物層222有效提高器件載流子遷移率，進(jìn)而提高了器件的速度。而后，對(duì)器件進(jìn)行后續(xù)加工步驟，在金屬硅化物層212上形成源極和/或漏極區(qū) 210的接觸，以及在柵電極220上形成接觸，接觸的形成可以通過(guò)光刻、沉積和平坦化等常規(guī)的工藝步驟形成，其對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)是顯而易見(jiàn)的。本發(fā)明對(duì)通過(guò)形成應(yīng)力氮化物層來(lái)提高載流子遷移率的器件制造方法進(jìn)行了描述，根據(jù)本發(fā)明，在柵極替代工藝(R印lacement gate或Gate last)制備半導(dǎo)體器件的過(guò)程中，至少去除偽側(cè)墻和替代柵堆疊中柵電極側(cè)壁部分的柵介質(zhì)材料后，在柵電極的側(cè)壁形成應(yīng)力氮化物層，由于去除了影響器件速度的柵電極側(cè)壁部分的柵介質(zhì)材料和偽側(cè)墻， 并進(jìn)一步形成能提高器件載流子遷移率的應(yīng)力氮化物層，有效提高了器件載流子遷移率， 進(jìn)而提高了器件的速度。雖然關(guān)于示例實(shí)施例及其優(yōu)點(diǎn)已經(jīng)詳細(xì)說(shuō)明，應(yīng)當(dāng)理解在不脫離本發(fā)明的精神和所附權(quán)利要求限定的保護(hù)范圍的情況下，可以對(duì)這些實(shí)施例進(jìn)行各種變化、替換和修改。對(duì)于其他例子，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)容易理解在保持本發(fā)明保護(hù)范圍內(nèi)的同時(shí)，工藝步驟的次序可以變化。此外，本發(fā)明的應(yīng)用范圍不局限于說(shuō)明書(shū)中描述的特定實(shí)施例的工藝、機(jī)構(gòu)、制造、物質(zhì)組成、手段、方法及步驟。從本發(fā)明的公開(kāi)內(nèi)容，作為本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將容易地理解，對(duì)于目前已存在或者以后即將開(kāi)發(fā)出的工藝、機(jī)構(gòu)、制造、物質(zhì)組成、手段、方法或步驟，其中它們執(zhí)行與本發(fā)明描述的對(duì)應(yīng)實(shí)施例大體相同的功能或者獲得大體相同的結(jié)果，依照本發(fā)明可以對(duì)它們進(jìn)行應(yīng)用。因此，本發(fā)明所附權(quán)利要求旨在將這些工藝、機(jī)構(gòu)、制造、物質(zhì)組成、手段、方法或步驟包含在其保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，所述方法包括A.提供半導(dǎo)體襯底；B.在所述半導(dǎo)體襯底上形成偽柵堆疊，以及在所述偽柵堆疊側(cè)壁形成偽側(cè)墻，以及在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成源/漏延伸區(qū)和/或halo區(qū)以及源極區(qū)和漏極區(qū)，并覆蓋所述源極區(qū)和漏極區(qū)形成層間介質(zhì)層；C.去除所述偽柵堆疊，暴露襯底以形成開(kāi)口；D.在所述開(kāi)口內(nèi)形成替代柵堆疊，所述替代柵堆疊包括柵介質(zhì)層和柵電極；E.去除所述偽側(cè)墻以及在替代柵堆疊中側(cè)壁部分的柵介質(zhì)層；F.在所述柵電極側(cè)壁形成應(yīng)力氮化物層，以提高所述器件的載流子遷移率。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述應(yīng)力氮化物層的材料為=Si3N4或SiON。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述步驟B還包括在所述源極區(qū)和漏極區(qū)上形成金屬硅化物層。
4.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，所述方法包括A.提供半導(dǎo)體襯底；B.在所述半導(dǎo)體襯底上形成偽柵堆疊，以及在所述偽柵堆疊側(cè)壁形成偽側(cè)墻，以及在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成源/漏延伸區(qū)和/或halo區(qū)以及源極區(qū)和漏極區(qū)，并覆蓋所述源極區(qū)和漏極區(qū)形成層間介質(zhì)層；C.去除所述偽柵堆疊，暴露襯底以形成開(kāi)口；D.在所述開(kāi)口內(nèi)形成替代柵堆疊，所述替代柵堆疊包括柵介質(zhì)層和柵電極；E.去除所述偽側(cè)墻、在替代柵堆疊中側(cè)壁部分的柵介質(zhì)層以及層間介質(zhì)層；F.覆蓋所述柵電極以及源極區(qū)和漏極區(qū)以形成應(yīng)力氮化物層，以提高所述器件的載流子遷移率。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中形成所述應(yīng)力氮化物層的材料為=Si3N4或SiON。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中所述步驟B還包括在所述源極區(qū)和漏極區(qū)上形成金屬硅化物層。
7.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，所述方法包括A.提供半導(dǎo)體襯底；B.在所述半導(dǎo)體襯底上形成偽柵堆疊，以及在所述偽柵堆疊側(cè)壁形成偽側(cè)墻，以及在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成源/漏延伸區(qū)和/或halo區(qū)以及源極區(qū)和漏極區(qū)，并覆蓋所述源極區(qū)和漏極區(qū)形成層間介質(zhì)層；C.去除所述偽柵堆疊，暴露襯底以形成開(kāi)口；D.在所述開(kāi)口內(nèi)形成替代柵堆疊，所述替代柵堆疊包括柵介質(zhì)層和柵電極；E.去除所述偽側(cè)墻、在替代柵堆疊中側(cè)壁部分的柵介質(zhì)層、層間介質(zhì)層以及部分柵電極；F.覆蓋所述柵電極以及源極區(qū)和漏極區(qū)以形成應(yīng)力氮化物層，以提高所述器件的載流子遷移率。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中形成所述應(yīng)力氮化物層的材料為=Si3N4或SiON。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述步驟B還包括在所述源極區(qū)和漏極區(qū)上形成金屬硅化物層。
全文摘要
一種半導(dǎo)體器件的制造方法，所述方法在柵極替代工藝(Replacementgate或Gate last)的替代柵堆疊形成后，至少去除偽側(cè)墻和替代柵堆疊中側(cè)壁部分的柵介質(zhì)材料；而后，至少在柵電極的側(cè)壁形成應(yīng)力氮化物層，有效提高器件載流子遷移率，進(jìn)而提高了器件的速度。
文檔編號(hào)H01L21/28GK102157378SQ201010111079
公開(kāi)日2011年8月17日 申請(qǐng)日期2010年2月11日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月11日
發(fā)明者鐘匯才 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院微電子研究所