專利名稱：半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在低介電常數(shù)材料和半導(dǎo)體之間的粘合得到改善的半導(dǎo)體裝置。
背景技術(shù)：
垂直腔表面發(fā)光激光器(VCSEL)的功耗低于邊緣發(fā)光激光二極管，并且VCSEL可 被直接調(diào)制。因此，近年來VCSEL用作光學(xué)通訊的廉價光源。VCSEL通常具有柱形臺面，其中在基板上依次堆疊下分布式布拉格反射(DBR)層、 下間隔層、有源層、上間隔層、上DBR層和接觸層。下DBR層或上DBR層設(shè)置有電流縮窄層， 該電流縮窄層具有縮窄電流注入?yún)^(qū)域的結(jié)構(gòu)，以便增加對有源層的注入電流的效率并且降 低閾值電流。為臺面的頂面和基板的背面都提供電極。在VCSEL中，從電極注入的電流由電 流縮窄層縮窄，然后被注入到有源層，由此通過電子和空穴的復(fù)合產(chǎn)生光。光被下DBR層和 上DBR層反射，激光振蕩在預(yù)定波長產(chǎn)生，并且所產(chǎn)生的光作為激光束從臺面的頂部發(fā)射。臺面的直徑為至多幾十ym，并且臺面上電極的面積極窄。因?yàn)檫@樣，用于配線連 接的電極焊盤電連接到臺面上的電極，形成在臺面的周圍。然而，寄生電容產(chǎn)生在電極焊盤 和下DBR層之間。為了高速直接調(diào)制，必須抑制寄生電容，并且需要諸如在電極焊盤下插入 低介電常數(shù)材料的手段。低介電常數(shù)材料的必要特征為如下三點(diǎn)(1)在低介電常數(shù)下的極好耐熱性和耐 濕性，(2)通過旋涂等易于形成厚膜，(3)易于圖案化。聚酰亞胺(polyimide)是具有所有 這些特性的代表性的低介電常數(shù)材料，并且是形成在電極焊盤和配線下面以減少寄生電容 的常用的材料。

發(fā)明內(nèi)容
通常，在由聚酰亞胺成型的情況下，在作為前體的聚酰胺酸溶解的狀態(tài)下，聚酰亞 胺被涂覆在半導(dǎo)體層或絕緣層上，被圖案化，并且在300°C或更高的高溫下被干燥和固化 (酰亞胺化)。在固化期間，聚酰亞胺膨脹或收縮(在很多情況下收縮)。因此，所形成的聚 酰亞胺必然有變形。另外，聚酰亞胺的熱膨脹系數(shù)與半導(dǎo)體層和絕緣層的不同，從而存在于 后續(xù)工藝中產(chǎn)生斷裂或剝離的情況。還存在粘合配線到電極焊盤時施加超聲波引起斷裂或 剝離的情況。已經(jīng)提出了各種改善電極粘合性的方法。例如，在日本未審查專利申請公開昭 59-35437中，通過為電極下的絕緣層形成粗糙結(jié)構(gòu)，改善了電極和絕緣層之間的粘合強(qiáng)度。 在日本未審查專利申請公開平01-308036中，提出了部分切割電極下的絕緣層和半導(dǎo)體基 板以減少寄生電容的方法。然而，并沒有提出改善諸如聚酰亞胺的低介電常數(shù)材料和半導(dǎo) 體材料之間的粘合性的通常方法。所希望的是提供實(shí)現(xiàn)改善低介電常數(shù)材料和半導(dǎo)體材料之間粘合性的半導(dǎo)體裝置。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所提供的半導(dǎo)體裝置包括在半導(dǎo)體層上從該半導(dǎo)體層側(cè)依
3次設(shè)置的粘合層和低介電常數(shù)材料層。該粘合層具有凸起/凹入結(jié)構(gòu)，并且該低介電常數(shù) 材料層形成來掩埋在該凸起/凹入結(jié)構(gòu)中的間隙。在本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置中，凸起/凹入結(jié)構(gòu)的粘合層提供在半導(dǎo)體層和低 介電常數(shù)材料層之間，并且低介電常數(shù)材料層形成來掩埋粘合層的凸起/凹入結(jié)構(gòu)。通過 該構(gòu)造，增加了粘合層和低介電常數(shù)材料層之間的接觸面積。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置，提供在半導(dǎo)體層和低介電常數(shù)材料層之間的粘 合層與低介電常數(shù)材料層之間的接觸面積增加，從而低介電常數(shù)材料層不易于從粘合層剝 離。因此，可以改善低介電常數(shù)材料和半導(dǎo)體之間的粘合。本發(fā)明其它的和進(jìn)一步的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)通過下面的描述將更加明顯易懂。


圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的激光二極管的透視圖。圖2是圖1所示半導(dǎo)體裝置沿著A-A線剖取的截面圖。圖3A至3C是圖1中的凸起部分26A的截面圖。圖4A和4B是用于說明制造圖1激光二極管工藝的截面圖。圖5A和5B是用于說明圖4B后續(xù)工藝的截面圖。圖6A和6B是用于說明圖5后續(xù)工藝的截面圖。圖7是根據(jù)修改的激光二極管的截面圖。
具體實(shí)施例方式下面，將參考附圖詳細(xì)描述實(shí)施本發(fā)明的方式。將以下面的順序進(jìn)行描述。1.構(gòu)造2.制造方法3.作用與效果4.修改構(gòu)造圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的垂直腔表面發(fā)光型激光二極管1的透視圖。圖2圖解 了圖1激光二極管1沿著A-A線剖取的截面構(gòu)造的示例。圖1和2是示意圖，并且圖1和 2中的大小和形狀與實(shí)際的產(chǎn)品不同。該實(shí)施例的激光二極管1具有堆疊結(jié)構(gòu)20，其中下DBR層11、下間隔層12、有源層 13、上間隔層14、上DBR層15和接觸層16依次堆疊在基板10的一個表面?zhèn)壬?。在堆疊結(jié) 構(gòu)20的上部中，具體地講，在下DBR層11的部分中以及在下間隔層12、有源層13、上間隔 層14、上DBR層15和接觸層16中，形成例如寬度約為30iim的柱形平臺17。在該實(shí)施例中，下DBR層11對應(yīng)于本發(fā)明的“半導(dǎo)體層”和“第一多層反射器”的 具體示例。上DBR層15對應(yīng)于本發(fā)明的“第二多層反射器”的具體示例。堆疊結(jié)構(gòu)20對 應(yīng)于本發(fā)明的“諧振器結(jié)構(gòu)”的具體示例。例如，基板10為n型GaAs基板。n型雜質(zhì)的示例為硅(Si)和硒(Se)。例如，堆 疊結(jié)構(gòu)20由AlGaAs基化合物半導(dǎo)體制備。AlGaAs基化合物半導(dǎo)體是一種至少包括元素周 期表中的III副族元素鋁(A1)和鎵(Ga)和至少包括元素周期表中的V副族元素的砷(As)
4的化合物半導(dǎo)體。下DBR層11通過交替堆疊低折射系數(shù)層(未示出)和高折射系數(shù)層(未示出)而 形成。例如，低折射系數(shù)層由厚度為入c/tu^為振蕩波長，而 表示折射系數(shù))的n型 AlxlGai_xlAs(0 <xl < 1)制備。例如，高折射系數(shù)層由厚度為入乂‘㈨表示折射系數(shù))的 n 型 Alx2Gai_x2As (0 < x2 < xl)制備。例如，下間隔層12由n型Alx3Gai_x3As (0 < x3 < 1)制備。例如，有源層13由未 摻雜的Alx4Gai_x4As(0 < x4 < 1)制備。在有源層13中，相對于稍后將描述的電流注入?yún)^(qū) 域18A的區(qū)域是發(fā)光區(qū)域13A。例如，上間隔層14由p型Alx5Gai_x5As (0 ^ x5 < 1)制備。 P型雜質(zhì)的示例為鋅(Zn)、鎂(Mg)和鈹(Be)。上DBR層15通過交替堆疊低折射系數(shù)層(未示出)和高折射系數(shù)層(未示出)而 形成。例如，低折射系數(shù)層由厚度為、/^㈨表示折射系數(shù))的p型Alx6Gai_x6As(0<x6
<1)制備。例如，高折射系數(shù)層由厚度為XQ/4n4(n4表示折射系數(shù))的p型Alx7Gai_x7As(0
<x7 < x6)制備。例如，接觸層16由p型Alx8Gai_x8As (0 < x8 < 1)制備。在激光二極管1中，例如，電流縮窄層18提供在上DBR層15中。電流縮窄層18 提供在上DBR層15中例如遠(yuǎn)離有源層13側(cè)幾層的低折射系數(shù)層部分中以取代低折射系數(shù) 層。電流縮窄層18在該層的周邊區(qū)域中具有電流縮窄區(qū)域18B，并且在該層的中心區(qū)域中 具有電流注入?yún)^(qū)域18A。例如，電流注入?yún)^(qū)域18A由p型Alx9Gai_x9As(0 < x9 ^ 1)制備。例 如，電流縮窄區(qū)域18B由氧化鋁(A1203)制備，并且如稍后所描述的，通過從側(cè)面氧化包含在 待氧化的層18D中高濃度的A1而獲得。因此，電流縮窄層18具有縮窄電流的功能。例如， 電流縮窄層18可以形成在下DBR層11中，在下間隔層12和下DBR層11之間或在上間隔 層14和上DBR層15之間。在臺面17的頂表面(接觸層16的頂表面)上，形成環(huán)形頂電極21，該環(huán)形頂電極 21在相對于電流注入?yún)^(qū)域18A的區(qū)域中具有開口(發(fā)光出口 21A)。絕緣層22形成在臺面 17的側(cè)面和周邊表面上。在絕緣層22的表面上，提供了用于連接配線(未示出)的電極焊 盤23和連接部分24。電極焊盤23和頂電極21通過連接部分24彼此電連接。底電極25 提供在基板10的背側(cè)上。絕緣層22由諸如氧化物或氮化物的絕緣材料制備。例如，頂電極21、電極焊盤23 和連接部分24通過依次堆疊鈦(Ti)、鉬(Pt)和金(Au)而獲得，并且電連接到臺面17上的 接觸層16。例如，底電極25具有通過從基板10側(cè)依次堆疊金(Au)和鍺(Ge)的合金、鎳 (Ni)和金(Au)而獲得的結(jié)構(gòu)，并且電連接到基板10。在該實(shí)施例中，例如，如圖2所示，基底26正好提供在電極焊盤23的下面。基底 26形成在下DBR層11中臺面17的根部(臺面17的非形成區(qū)域)與絕緣層22之間。如 圖2所示，例如，基底26形成在低于臺面17形成部分(11A)的部分(11B)中?；?6具 有凸/凹部分26A和埋入部分26B。在該實(shí)施例中，凸/凹部分26A對應(yīng)于本發(fā)明“粘合層”的具體示例。埋入部分26B 對應(yīng)于本發(fā)明“低介電常數(shù)材料層”的具體示例。圖3A圖解了圖2的激光二極管1沿著A-A線剖取的截面構(gòu)造的示例，其中省略了 埋入部分26B和絕緣層22。凸/凹部分26A形成為與下DBR層11接觸，并且與下DBR層 11整體(連續(xù))形成。如圖3A所示，例如，凸/凹部分26A具有凸起結(jié)構(gòu)，其中多個柱形凸起27以預(yù)定間隔設(shè)置。凸起27優(yōu)選在凸/凹部分26A的底部彼此連接。優(yōu)選地，凸/凹 部分26A沒有與下DBR層11中正好在凸/凹部分26A下面的部分接觸的開口。就是說，優(yōu) 選地，凸/凹部分26A在空間上隔離埋入部分26B和下DBR層11。凸/凹部分26A可以具有圖3A所示結(jié)構(gòu)之外的凸起結(jié)構(gòu)。圖3B和3C圖解了圖2 激光二極管1沿著A-A線剖取的截面構(gòu)造的其它示例，其中省略了埋入部分26B和絕緣層 22。凸/凹部分26A可以具有一種凸起結(jié)構(gòu)，其中在平行于基板10的平面中延伸的多個板 狀凸起28以預(yù)定間隔設(shè)置。優(yōu)選地，凸起28在凸/凹部分26A的底部上彼此連接。例如， 凸/凹部分26A可以具有如圖3C所示的一種凸起結(jié)構(gòu)，其中在平行于基板10的平面中延 伸的多個環(huán)形凸起29以預(yù)定間隔同心設(shè)置。凸起29優(yōu)選在凸/凹部分26A的底部上彼此 連接。凸/凹部分26A由絕緣氧化物半導(dǎo)體制備。如上所述，通過選擇性蝕刻使下DBR 層11、下間隔層12、有源層13、上間隔層14和上DBR層15形成凸起/凹入結(jié)構(gòu)，并且之后 從側(cè)面氧化該凸起/凹入結(jié)構(gòu)，由此形成凸/凹部分26A。該凸起/凹入結(jié)構(gòu)對應(yīng)于稍后描 述的凸/凹部分26D(參見圖5A)。凸/凹部分26A的寬度D(參見圖3A至3C)優(yōu)選設(shè)定為這樣的程度稍后描述的 氧化工藝中可以氧化(絕緣)整個凸/凹部分26A。例如，優(yōu)選地，寬度D等于或小于臺面 17的寬度的一半(例如，lOym或更小)。通過該構(gòu)造，允許凸/凹部分26D與待氧化的層 18D同時氧化，因此簡化了制造工藝。凸/凹部分26A從減少電極焊盤23和下DBR層11之 間產(chǎn)生的寄生電容上看優(yōu)選盡可能地高，并且優(yōu)選其高度等于臺面17的高度。例如，凸/ 凹部分26A的高度約為0. 1 ii m至5 ii m。埋入部分26B形成在凸/凹部分26A和絕緣層22之間，以與凸/凹部分26A和絕 緣層22接觸。埋入部分26B形成來掩埋在凸/凹部分26A中的間隙，并且埋入部分26B的 頂面是平面。埋入部分26B由絕緣的低介電常數(shù)材料制備。作為埋入部分26B所用的絕緣 低介電常數(shù)材料，例如，優(yōu)選通過旋涂等易于掩埋在凸/凹部分26D中的間隙并且易于圖案 化的材料。還很重要的是，絕緣低介電常數(shù)材料具有高耐熱性和高耐濕性。絕緣低介電常 數(shù)材料具有所有這樣特性的示例為聚酰亞胺、BCB樹脂(苯并環(huán)丁烯)及類似物。制造方法例如，該實(shí)施例的激光二極管1可以制造如下。圖4A和4B至圖6A和6B圖解了按工藝順序的制造方法。圖4A和4B至圖6A和 6B的每一個都是沿著圖1的A-A線剖取的截面圖，圖解了制造工藝中裝置的構(gòu)造。例如，通過M0CVD(金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積)，在由GaAs制備的基板10上形成化 合物半導(dǎo)體層。作為III-V族化合物半導(dǎo)體的材料，例如，采用三甲基鋁(TMA)、三甲基鎵 (TMG)、三甲基銦(TMIn)或砷化三氫(AsH3)。作為施主雜質(zhì)的材料，例如，采用H2Se。作為 受主雜質(zhì)的材料，例如，采用二甲基鋅(DMZ)。具體地講，首先，在基板10上，依次堆疊下DBR層11、下間隔層12、有源層13、上間 隔層14、上DBR層15和接觸層16 (圖4A)。此時，要被氧化的層18D形成在上DBR層15的 部分中。該要被氧化的層18D是在稍后描述的氧化工藝中被氧化以變?yōu)殡娏骺s窄層18的 層，并且例如包含AlAs。接下來，在接觸層16的表面上，形成抗蝕劑層(未示出)，該抗蝕劑層具有對應(yīng)于在稍后工藝中將形成電極焊盤23的區(qū)域的開口。隨后，例如，通過反應(yīng)離子蝕刻(RIE)，采 用抗蝕劑層為掩模，選擇性去除接觸層16和上DBR層15。正好在到達(dá)要氧化的層18D之前， 停止蝕刻。結(jié)果，臺階30形成在在稍后工藝中要形成凸/凹部分26D的區(qū)域中(圖4B)。 其后，去除抗蝕劑層。接下來，直徑等于臺面17的直徑的圓形抗蝕劑層(未示出)形成在接觸層16的 表面上。此外，具有類似于圖3A至3C所示的基板26的圖案的抗蝕劑層(未示出)形成在 上DBR層15中通過之前的工藝暴露的部分表面上。此時，考慮到在稍后描述的氧化工藝中 的氧化速率，例如，圖案的寬度設(shè)定為臺面17直徑的一半或更小。接下來，例如，通過RIE，采用抗蝕劑層作為掩模，選擇性去除下DBR層11的一部 分、下間隔層12、有源層13、上間隔層14、上DBR層15、接觸層16和要氧化的層18D (圖5A)。 通過該操作，正好在環(huán)形抗蝕劑層下形成臺面17。此時，要氧化的層18D從臺面17的側(cè)面 暴露。正好在具有類似于圖3A至3C所示的基底26的圖案的抗蝕劑層下，形成具有對應(yīng)于 該圖案的形狀的凸/凹部分26D。形成凸/凹部分26D的部分(11B)低于形成臺面17的部 分(11A)。其后，去除抗蝕劑層。臺面17和凸/凹部分26D可以同時或分開形成。接下來，在水蒸氣氣氛中的高溫下執(zhí)行氧化工藝，從臺面17的側(cè)面選擇性氧化包 括在要氧化的層18D中的A1，并且選擇性氧化包括在凸/凹部分26D中的A1。通過氧化， 要氧化的層18D的外邊緣區(qū)域變?yōu)榻^緣層(氧化鋁)，從而形成電流縮窄層18(圖5B)。此 外，窄于電流縮窄層18的凸/凹部分26D被完全氧化，由此形成絕緣的凸/凹部分26A(圖 5B)。接下來，例如，通過旋涂，諸如光敏聚酰亞胺的光敏樹脂材料被涂覆在包括凸/凹 部分26A頂面的整個表面上。光敏樹脂材料涂覆到在凸/凹部分26A中的間隙被掩埋并且 表面幾乎變?yōu)槠矫娴某潭取＝酉聛?，通過圖案化，涂覆的光敏樹脂材料中僅留下對應(yīng)于凸/ 凹部分26A的頂面的部分。該留下部分被干燥和固化。絕緣的埋入部分26B形成在凸/凹 部分26A的頂面上，由此，形成基底26 (圖6A)。接下來，在整個表面上，例如，形成由諸如氧化硅(Si02)的絕緣無機(jī)材料制備的 絕緣層22(圖6B)。隨后，具有環(huán)形開口的抗蝕劑層(未示出)形成在臺面17的頂面上，其 后，例如，通過RIE，采用抗蝕劑層作為掩模，選擇性去除絕緣層22。通過該操作，在要形成 頂電極21的部分中形成開口 22A(圖6B)。其后，去除抗蝕劑層。接下來，例如，通過真空沉積，在整個表面上堆疊上述金屬材料。其后，例如，通過 選擇性蝕刻，形成環(huán)形頂電極21以掩埋開口 22A，電極焊盤23正好形成在絕緣層22中的基 底26上的部分中，此外，連接部分24形成它們之間(圖2)。此外，適當(dāng)拋光基板10的背面 以調(diào)整基板10的厚度，并且底電極25形成在基板10的背面上(圖2)。以這樣的方式，制 造了實(shí)施例的激光二極管1。現(xiàn)在，將描述該實(shí)施例的激光二極管1的作用與效果。作用與效果在該實(shí)施例的激光二極管1中，當(dāng)在底電極25和頂電極21之間施加預(yù)定電壓時， 將電流通過電流縮窄層18中的電流注入?yún)^(qū)域18A注入到有源層13中，并且通過電子和空 穴的復(fù)合而發(fā)光。光由成對的下DBR層11和上DBR層15發(fā)射，在預(yù)定的波長產(chǎn)生激光振 蕩，并且作為激光束從發(fā)光出口 21A發(fā)射光到外面。
7
在該實(shí)施例中，具有凸起/凹入結(jié)構(gòu)的凸/凹部分26A提供在由半導(dǎo)體材料制備 的下DBR層11和由低介電常數(shù)材料制備的埋入部分26B之間。此外，埋入部分26B形成來 掩埋凸/凹部分26A的凸起/凹入結(jié)構(gòu)。由于凸/凹部分26A和埋入部分26B之間的接觸 區(qū)域的變大，所以抑制了凸/凹部分26A和埋入部分26B之間裂紋的產(chǎn)生，并且抑制了埋入 部分26B從凸/凹部分26A的剝離。因?yàn)橥?凹部分26A與下DBR層11整體(連續(xù))形 成，所以在通常的工藝中，在凸/凹部分26A和下DBR層11之間不產(chǎn)生裂紋，并且凸/凹部 分26A不從下DBR層11剝離。因此，裂紋不產(chǎn)生在由半導(dǎo)體材料制備的下DBR層11和由低介電常數(shù)材料制備的 埋入部分26B之間，并且埋入部分26B不從下DBR層11剝離。因此，與絕緣的低介電常數(shù) 材料與平坦的半導(dǎo)體材料直接接觸的情況相比，改善了半導(dǎo)體材料和低介電常數(shù)材料之間 的粘合。在該實(shí)施例中，絕緣基底26提供在電極焊盤23和下DBR層11之間。通過該構(gòu)造， 減小了電極焊盤23和下DBR層11之間形成寄生電容的幅度。修改盡管本發(fā)明已經(jīng)通過實(shí)施例進(jìn)行了描述，但是本發(fā)明不限于該實(shí)施例，而是可以 進(jìn)行各種修改。例如，盡管在該實(shí)施例中，凸/凹部分26A由絕緣氧化物半導(dǎo)體制備，但是它可以 由諸如導(dǎo)電半導(dǎo)體的其它材料制備。在此情況下，例如，如圖7所示，取代凸/凹部分26A 而提供的凸/凹部分27A可以由下DBR層11的一部分構(gòu)造。在此情況下，凸/凹部分27A 由與下DBR層11的相同的材料制備。凸/凹部分27A可以具有凸起27、28或29，如圖3A、 3B和3C所示。盡管在前面的實(shí)施例中采用AlGaAs基化合物激光二極管作為示例已經(jīng)對本發(fā)明 進(jìn)行了描述，但是它也可應(yīng)用于諸如由可氧化的化合物半導(dǎo)體制備的激光二極管的其它化 合物激光二極管。盡管已經(jīng)描述了本發(fā)明應(yīng)用于VCSEL的情況，但是，顯然，本發(fā)明也可以 應(yīng)用于其它半導(dǎo)體裝置。本發(fā)明包含2009年2月6日提交至日本專利局的日本優(yōu)先權(quán)專利申請JP 2009-026673中公開的相關(guān)主題事項(xiàng)，其全部內(nèi)容通過弓|用結(jié)合于此。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解的是，在權(quán)利要求或其等同方案的范圍內(nèi)，根據(jù)設(shè)計(jì) 需要和其他因素，可以進(jìn)行各種修改、結(jié)合、部分結(jié)合和替換。
權(quán)利要求
一種半導(dǎo)體裝置，包括在半導(dǎo)體層上從該半導(dǎo)體層側(cè)依次設(shè)置的粘合層和低介電常數(shù)材料層，其中該粘合層具有凸起/凹入結(jié)構(gòu)，并且該低介電常數(shù)材料層形成來掩埋在該凸起/凹入結(jié)構(gòu)中的間隙。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，還包括諧振器結(jié)構(gòu)，包括在該半導(dǎo)體層上且與該粘合層不同的區(qū)域中從該半導(dǎo)體層側(cè)依次設(shè) 置的第一多層反射器、有源層和第二多層反射器；以及電極，電連接到該低介電常數(shù)材料層上的該第二多層反射器。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，該粘合層由氧化物半導(dǎo)體制備。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其中，通過選擇性蝕刻將包括該第一多層反射 器、該有源層和該第二多層反射器的堆疊結(jié)構(gòu)形成為凸起/凹入結(jié)構(gòu)且氧化該結(jié)構(gòu)而使該 粘合層絕緣。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，該半導(dǎo)體層與該粘合層接觸的部分低于 該半導(dǎo)體層與該諧振器結(jié)構(gòu)接觸的部分。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中該低介電常數(shù)材料層由聚酰亞胺制備。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中該粘合層由半導(dǎo)體制備。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其中該粘合層由與該半導(dǎo)體層的材料相同的材 料制備。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體裝置，該半導(dǎo)體裝置實(shí)現(xiàn)了在低介電常數(shù)材料和半導(dǎo)體材料之間改善的粘合性。該半導(dǎo)體裝置包括在半導(dǎo)體層上從該半導(dǎo)體層側(cè)依次設(shè)置的粘合層和低介電常數(shù)材料層。該粘合層具有凸起/凹入結(jié)構(gòu)，并且該低介電常數(shù)材料層形成來掩埋在該凸起/凹入結(jié)構(gòu)中的間隙。
文檔編號H01S5/183GK101867154SQ20101010624
公開日2010年10月20日 申請日期2010年1月29日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月6日
發(fā)明者城岸直輝, 增井勇志, 大木智之, 成瀬晃和, 荒木田孝博, 菊地加代子 申請人:索尼公司