專利名稱：半導(dǎo)體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件的制作方法，特別涉及一種具有鍺硅層的PMOS晶體 管的制作方法
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體器件、尤其MOS晶體管中，提高場效應(yīng)晶體管的開關(guān)頻率的一種主要方 法是提高驅(qū)動電流，而提高驅(qū)動電流的主要途徑是提高載流子遷移率?，F(xiàn)有一種提高場 效應(yīng)晶體管載流子遷移率的技術(shù)是應(yīng)力記憶技術(shù)GtressMemorization Technique,簡稱 SMT)，通過在場效應(yīng)晶體管的溝道區(qū)域形成穩(wěn)定應(yīng)力，提高溝道中的載流子遷移率。通常 拉張應(yīng)力可以使得溝道區(qū)域中的分子排列更加疏松，從而提高電子的遷移率，適用于N型 MOS (以下以NMOS表示)晶體管；而壓應(yīng)力使得溝道區(qū)域內(nèi)的分子排布更加緊密，有助于提 高空穴的遷移率，適用于P型MOS(以下以PMOS表示)晶體管。例如，可以通過在PMOS晶 體管的源/漏區(qū)部位嵌入鍺硅(SiGe)層來引入壓應(yīng)力，以提高空穴遷移率并獲得更高的 驅(qū)動電流。因此，所述具有嵌入式鍺硅(EmbededSiGe，eSiGe)層的源/漏結(jié)構(gòu)已廣泛應(yīng)用 于PMOS晶體管。公開號為CN101359685A的中國專利公開文件中提出了一種具有嵌入的 SiGe層的半導(dǎo)體器件及其制作方法，所述半導(dǎo)體器件包括NFET器件源極和漏極區(qū)中嵌入 的SiGeC層及PFET器件源極和漏極區(qū)中嵌入的SiGe層。所述SiGe層提供PFET器件壓應(yīng) 變，所述SiGeC層經(jīng)熔融激光退火以使碳均勻分布于SiGeC層中，從而抵消由嵌入的SiGe 引起的應(yīng)變。在現(xiàn)有技術(shù)中，對于PMOS晶體管，在形成嵌入式鍺硅層的源/漏結(jié)構(gòu)之后，常會執(zhí) 行退火的工藝，以松弛所述鍺硅層，降低PMOS晶體管的缺陷密度和結(jié)泄漏電流。所述退火 工藝常采用例如超級退火(Super Anneal)、快速熱退火(Rapid Thermal Annealing，RTA)、 毫秒退火(Millisecond Anneal)等。對于毫秒退火，典型為激光熱退火工藝(Laser Spike Annealing, LSA)，是在1300°C以上的高溫狀況下進(jìn)行持續(xù)時間非常短的退火，例如約一毫 秒的退火。所述激光熱退火工藝可以通過熔融鍺硅層而使其松弛。但同時發(fā)現(xiàn)，激光熱退 火后半導(dǎo)體晶片會產(chǎn)生翹曲，影響半導(dǎo)體器件的性能(例如增加結(jié)漏)，降低產(chǎn)品的良率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是在于提供一種半導(dǎo)體器件的制作方法，解決現(xiàn)有技術(shù)中采用高 溫、單行程激光熱退火工藝增加半導(dǎo)體晶片翹曲度以及降低器件性能而影響產(chǎn)品良率的問題。本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的制作方法，包括提供形成有PMOS晶體管的半導(dǎo)體 晶片，所述PMOS晶體管具有嵌入式鍺硅層的源/漏結(jié)構(gòu)；對所述半導(dǎo)體晶片執(zhí)行至少兩行 程的激光熱退火工藝，且每一行程的激光熱退火工藝中的處理溫度為1100°C至1200°C。具 體實(shí)施方式部分一致性修改可選地，所述鍺硅層的厚度為500埃至2000埃。
可選地，所述鍺硅層中鍺的含量為15%至40%?？蛇x地，所述每一行程激光熱退火工藝的處理溫度為1150°C至1180°C?？蛇x地，所述每一行程激光熱退火工藝的掃掠時間為100微秒至1毫秒。可選地，相鄰兩行程的激光熱退火工藝中的掃掠路徑之間保持交叉?？蛇x地，所述相鄰兩行程的激光熱退火工藝中的掃掠路徑之間保持交叉包括在 相鄰兩行程的激光熱退火工藝之間調(diào)整激光熱退火工藝的掃掠方向和/或所述半導(dǎo)體晶 片的位置?？蛇x地，所述交叉形成的角度為90度?？蛇x地，所述激光熱退火采用弧形掃掠方式或線形掃掠方式?？蛇x地，所述執(zhí)行激光熱退火采用二氧化碳激光器。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所提供的半導(dǎo)體器件的制作方法具有如下優(yōu)點(diǎn)對半導(dǎo) 體器件中嵌入的鍺硅層采用低溫、多行程的激光熱退火來松弛鍺硅層，通過在低溫狀況下 進(jìn)行激光熱退火，可以增加鍺硅層的延展性，相應(yīng)降低應(yīng)力，使得半導(dǎo)體晶片獲得低翹曲度 的效果；另外，通過多行程的激光熱退火工藝，可增加半導(dǎo)體器件制作工藝中離子摻雜的活 性，提高半導(dǎo)體器件的性能。


圖1為本發(fā)明半導(dǎo)體器件的制作方法在第一實(shí)施例中的流程示意圖；圖2為根據(jù)所述圖1中步驟SlO所形成的PMOS晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為在第一實(shí)施例中根據(jù)步驟S12和步驟S14對半導(dǎo)體晶片執(zhí)行激光熱退火工 藝的示意圖；圖4為本發(fā)明半導(dǎo)體器件的制作方法在第二實(shí)施例中的流程示意圖；圖5為在第一實(shí)施例中根據(jù)步驟S22至步驟S^對半導(dǎo)體晶片執(zhí)行激光熱退火工 藝的示意圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)在半導(dǎo)體器件制作工藝中，在形成嵌入式鍺硅(SiGe)層的 源/漏結(jié)構(gòu)后，于后續(xù)進(jìn)行激光熱退火過程時，由于溫度較高(通常為1300°C以上)，包括 鍺硅層在內(nèi)的各膜層在受熱狀態(tài)下會加劇應(yīng)力形變，引起過壓、器件缺陷等問題，最終導(dǎo)致 所述半導(dǎo)體晶片產(chǎn)生翹曲，影響半導(dǎo)體器件的性能。因此，本發(fā)明的發(fā)明人設(shè)想在半導(dǎo)體器件制作過程中可以執(zhí)行低溫、多行程的激 光熱退火工藝，相應(yīng)降低應(yīng)力，使得半導(dǎo)體晶片獲得低翹曲度的效果。為使本發(fā)明的上述目的、特征與優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明 的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說明。圖1為本發(fā)明半導(dǎo)體器件的制作方法在第一實(shí)施例中的流程示意圖，所述方法至 少包括步驟S10，提供形成有PMOS晶體管的半導(dǎo)體晶片，所述PMOS晶體管具有嵌入式鍺 硅層的源/漏結(jié)構(gòu)；步驟S12，對所述半導(dǎo)體晶片執(zhí)行第一行程的激光熱退火工藝，所述激光熱退火工藝中的處理溫度為1100°C至1200°C ；步驟S14，對所述半導(dǎo)體晶片執(zhí)行第二行程的激光熱退火工藝，所述激光熱退火工 藝中的處理溫度為1100°C至1200°C。下面結(jié)合附圖對上述步驟進(jìn)行詳細(xì)說明。如圖1所示，首先執(zhí)行步驟S10，提供形成有PMOS晶體管的半導(dǎo)體晶片，所述PMOS 晶體管具有嵌入式鍺硅層的源/漏結(jié)構(gòu)。如圖2所示，形成的PMOS晶體管包括半導(dǎo)體襯底200，在半導(dǎo)體襯底200中形成 摻雜N型離子的深阱，例如注入磷(P)離子的N型阱；在半導(dǎo)體襯底200上通過外延生成的 鍺硅層202，其中鍺硅層202具有約15%至40%的鍺含量和約500埃至2000埃的厚度；形 成在半導(dǎo)體襯底200上的柵極介電層204、位于柵極介電層204上的柵極206以及位于柵極 介電層204和柵極206兩側(cè)的隔離側(cè)壁208 ；以及形成在半導(dǎo)體襯底200內(nèi)且分別對應(yīng)于 柵極206兩側(cè)的源極區(qū)210和漏極區(qū)212，源極區(qū)210和漏極區(qū)212中的每一個都含有一輕 摻雜漏極(LDD)區(qū)和一重?fù)诫s區(qū)。需說明的是，對于上述PMOS晶體管，各部件(例如鍺硅層202、柵極206等)的形 成方式可以有多種實(shí)施方法，例如在一個實(shí)施例中，可以先在半導(dǎo)體襯底200上外延生成 鍺硅層202，后在鍺硅層202上形成柵極介電層204和柵極206 ；而在另一實(shí)施例中，可以先 在半導(dǎo)體襯底200上形成柵極介電層204和柵極206，再在柵極介電層204和柵極206相對 兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底200上形成凹槽，在所述凹槽內(nèi)外延生成的鍺硅層202。當(dāng)然，上述各方 法僅為示例性說明，但并不以此為限，本技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員可以認(rèn)識到其它變更、 修改和替換。根據(jù)前述說明，我們易知，對于PMOS晶體管，嵌入鍺硅(SiGe)，引入壓應(yīng)力，使得 溝道區(qū)域內(nèi)的分子排布更加緊密，有助于提高空穴的遷移率。步驟S12，執(zhí)行第一行程的激光熱退火工藝。在第一實(shí)施例中，相比于現(xiàn)有技術(shù)中 通常為1300°C以上的處理溫度，所述第一行程的激光熱退火工藝中的處理溫度相應(yīng)降低， 為1100°C至1200°C，優(yōu)選地，所述處理溫度為1150°C至1180°C。通過在激光熱退火工藝中 采用相對較低的處理溫度，相應(yīng)降低應(yīng)力，使得半導(dǎo)體晶片獲得低翹曲度的效果。現(xiàn)對所述第一行程的激光熱退火工藝進(jìn)行詳細(xì)描述結(jié)合圖3，所述激光熱退火工藝采用的是弧形掃掠方式(即激光所形成的掃掠路 徑為弧形)，由激光器所產(chǎn)生的激光光束對所述半導(dǎo)體晶片W掃掠是按照自下而上、左右來 回的處理軌跡進(jìn)行的。具體來講在第一行掃掠時，是由激光光束從所述半導(dǎo)體晶片W的下 端自左往右地掃掠，掃掠所形成的路徑Ll為弧形；接著，調(diào)整所述激光器上移一定距離，所 述距離等于或略小于所述激光光束的長度；接著，在第二行掃掠時，是由激光光束從所述半 導(dǎo)體晶片W的下端自右往左地掃掠；重復(fù)上述各步驟，自左往右再自右往左地往復(fù)掃掠，直 至由激光光束將所述半導(dǎo)體晶片W整個地掃掠一遍，完成第一行程的激光熱退火工藝。所述執(zhí)行激光熱退火的激光光束可以由激光器產(chǎn)生，優(yōu)選地，所述激光器為二氧 化碳激光器。所述二氧化碳激光器包括放電管、電極和諧振腔等部件，所述放電管通常是由 玻璃或石英材料制成，里面充以(X)2氣體和其他輔助氣體(主要是氦氣和氮?dú)?，一般還有少 量的氫或氙氣)；所述電極一般是鎳制空心圓筒；所述諧振腔的一端是鍍金的全反射鏡，另 一端是用鍺或砷化鎵磨制的部分反射鏡。當(dāng)在電極上施加高電壓(一般是直流的或低頻交流的)，放電管中產(chǎn)生輝光放電，用鍺或砷化鎵磨制的部分反射鏡就有激光輸出，其波長為 10. 6微米附近的中紅外波段。在第一實(shí)施例中，所述形成的激光光束大致呈矩形，長度可以 為8毫米至9毫米，寬度為0. 1毫米至0. 2毫米。另外，在上述第一行程的激光熱退火工藝中，所述激光器產(chǎn)生的激光光束的溫度 為1150°C至1180°C，脈寬在幾十納秒量級，掃掠時間為100微秒至1毫秒。在這里，所述掃 掠時間具體指激光光束掃掠半導(dǎo)體晶片上的任一點(diǎn)所需耗費(fèi)的時間。步驟S14，執(zhí)行第二行程的激光熱退火工藝。在第一實(shí)施例中，相比于現(xiàn)有技術(shù)中 通常為1300°C以上的處理溫度，所述第一行程的激光熱退火工藝中的處理溫度相應(yīng)降低， 為1100°C至1200°C，優(yōu)選地，所述處理溫度為1150°C至1180°C。通過在激光熱退火工藝中 采用相對較低的處理溫度，相應(yīng)降低應(yīng)力，使得半導(dǎo)體晶片獲得低翹曲度的效果。與步驟S12中的第一行程的激光熱退火工藝相類似，結(jié)合圖3，在步驟S14中的第 二行程的激光熱退火工藝中，在第一行掃掠時，是由激光光束從所述半導(dǎo)體晶片W的下端 自左往右地掃掠，掃掠所形成的路徑L2為弧形；接著，調(diào)整所述激光器上移一定距離，所述 距離等于或略小于所述激光光束的長度；接著，在第二行掃掠時，是由激光光束從所述半導(dǎo) 體晶片W的下端自右往左地掃掠；重復(fù)上述各步驟，自左往右再自右往左地往復(fù)掃掠，直至 由激光光束將所述半導(dǎo)體晶片W整個地掃掠一遍，完成第二行程的激光熱退火工藝。需說明的是，在其他實(shí)施例中，步驟S12和步驟S14中的各子步驟仍可作其他的變 更。例如，所述激光熱退火工藝也可以采用的線形掃掠方式(即激光所形成的掃掠路徑為 線形)來實(shí)現(xiàn)，由產(chǎn)生的激光光束以線形的掃掠方式往復(fù)掃掠，直至由激光光束將所述半 導(dǎo)體晶片整個地掃掠一遍；另外，在進(jìn)行一次掃掠后調(diào)整所述激光器上移一定距離也可以 通過調(diào)整所述半導(dǎo)體晶片下移相應(yīng)的距離來實(shí)現(xiàn)，具有類似的效果。 如圖3所示，根據(jù)步驟S12和步驟S14對半導(dǎo)體晶片W執(zhí)行激光熱退火工藝，對于 半導(dǎo)體晶片W，第一行程激光熱退火工藝中激光束所形成的掃掠路徑Ll與第二行程激光熱 退火工藝中激光束所形成的掃掠路徑L2 —致。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所提供的半導(dǎo)體器件的制作方法在進(jìn)行激光熱退火時， 處理溫度相對較低，可以增加鍺硅層的延展性，相應(yīng)降低應(yīng)力，使得半導(dǎo)體晶片獲得低翹曲 度的效果。另外，在本發(fā)明中，對所述半導(dǎo)體晶片執(zhí)行了至少兩行程的激光熱退火工藝，通過 多行程的激光熱退火工藝，可增加半導(dǎo)體器件制作工藝中離子摻雜的活性，提高半導(dǎo)體器 件的性能。圖4為本發(fā)明半導(dǎo)體器件的制作方法在第二實(shí)施例中的流程示意圖，所述方法至 少包括步驟S20，提供形成有PMOS晶體管的半導(dǎo)體晶片，所述PMOS晶體管具有嵌入式鍺 硅層的源/漏結(jié)構(gòu)；步驟S22，執(zhí)行第一行程的激光熱退火工藝，所述激光熱退火工藝中的處理溫度為 1100°C至 1200°C ；步驟S24，調(diào)整所述半導(dǎo)體晶片的位置；步驟S26，執(zhí)行第二行程的激光熱退火工藝，所述激光熱退火工藝中的處理溫度為 1100°C至1200°C，所述第二行程激光熱退火工藝的掃掠路徑與第一行程激光熱退火工藝的掃掠路徑成之間保持交叉。下面結(jié)合附圖對上述步驟進(jìn)行詳細(xì)說明。首先執(zhí)行步驟S20，提供形成有PMOS晶體管的半導(dǎo)體晶片，所述PMOS晶體管具有 嵌入式鍺硅層的源/漏結(jié)構(gòu)。 步驟S22，執(zhí)行第一行程的激光熱退火工藝。特別地，在第二實(shí)施例中，所述第一行 程的激光熱退火工藝中的處理溫度相應(yīng)降低，為1100°c至1200°C，優(yōu)選地，所述處理溫度 為1150°C至1180°C。通過在激光熱退火工藝中采用相對較低的處理溫度，相應(yīng)降低應(yīng)力， 使得半導(dǎo)體晶片獲得低翹曲度的效果。結(jié)合圖5，所述第一行程的激光熱退火工藝采用的是弧形掃掠方式(即激光所形 成的掃掠路徑為弧形)，由激光器所產(chǎn)生的激光光束對所述半導(dǎo)體晶片W掃掠是按照自下 而上、左右來回的處理軌跡進(jìn)行的。具體來講在第一行掃掠時，是由激光光束從所述半導(dǎo) 體晶片W的下端自左往右地掃掠，掃掠所形成的路徑Ll為弧形；接著，調(diào)整所述激光器上移 一定距離，所述距離等于或略小于所述激光光束的長度；接著，在第二行掃掠時，是由激光 光束從所述半導(dǎo)體晶片W的下端自右往左地掃掠；重復(fù)上述各步驟，自左往右再自右往左 地往復(fù)掃掠，直至由激光光束將所述半導(dǎo)體晶片W整個地掃掠一遍，完成第一行程的激光 熱退火工藝。步驟S24，調(diào)整所述半導(dǎo)體晶片的位置。在本實(shí)施例中，所述調(diào)整所述半導(dǎo)體晶片 的位置是將所述半導(dǎo)體晶片以順時針方向或逆時針方向旋轉(zhuǎn)90度。具體包括找到所述半 導(dǎo)體晶片的定位標(biāo)記(即晶片缺口 notch)；順時針或逆時針旋轉(zhuǎn)所述半導(dǎo)體晶片，直至使 得旋轉(zhuǎn)后的定位標(biāo)記的新坐標(biāo)相對于旋轉(zhuǎn)前的原有坐標(biāo)相差90度角。當(dāng)然，在其他實(shí)施例 中，所述旋轉(zhuǎn)的角度可以根據(jù)實(shí)際情況而作適應(yīng)性調(diào)整，例如所述旋轉(zhuǎn)角度也可以為45度 或135度。步驟S26，執(zhí)行第二行程的激光熱退火工藝。在第二實(shí)施例中，所述第一行程的 激光熱退火工藝中的處理溫度相應(yīng)降低，為1100°c至1200°C，優(yōu)選地，所述處理溫度為 1150°C至1180°C。通過在激光熱退火工藝中采用相對較低的處理溫度，相應(yīng)降低應(yīng)力，使得 半導(dǎo)體晶片獲得低翹曲度的效果。與步驟S22中的第一行程的激光熱退火工藝相類似，結(jié)合圖5，在步驟S26中的第 二行程的激光熱退火工藝中，在第一行掃掠時，是由激光光束從所述半導(dǎo)體晶片W的下端 自左往右地掃掠，掃掠所形成的路徑L2為弧形；接著，調(diào)整所述激光器上移一定距離，所述 距離等于或略小于所述激光光束的長度；接著，在第二行掃掠時，是由激光光束從所述半導(dǎo) 體晶片W的下端自右往左地掃掠；重復(fù)上述各步驟，自左往右再自右往左地往復(fù)掃掠，直至 由激光光束將所述半導(dǎo)體晶片W整個地掃掠一遍，完成第二行程的激光熱退火工藝。需說明的是，在其他實(shí)施例中，步驟S22和步驟S^中的各子步驟仍可作其他的變 更。例如，所述激光熱退火工藝也可以采用的線形掃掠方式(即激光所形成的掃掠路徑為 線形)來實(shí)現(xiàn)，由產(chǎn)生的激光光束以線形的掃掠方式往復(fù)掃掠，直至由激光光束將所述半 導(dǎo)體晶片整個地掃掠一遍；另外，在進(jìn)行一次掃掠后調(diào)整所述激光器上移一定距離也可以 通過調(diào)整所述半導(dǎo)體晶片下移相應(yīng)的距離來實(shí)現(xiàn)，具有類似的效果。步驟S24中是通過調(diào) 整所述半導(dǎo)體晶片的位置來實(shí)現(xiàn)相鄰兩行程的激光熱退火工藝中的掃掠路徑之間保持交 叉的，但并不以此為限，在其他實(shí)施例中，也可以通過調(diào)整激光熱退火工藝的掃掠方向或者同時調(diào)整所述半導(dǎo)體晶片的位置和激光熱退火工藝的掃掠方向來實(shí)現(xiàn)，有關(guān)調(diào)整所述半導(dǎo) 體晶片的位置和激光熱退火工藝的掃掠方向的技術(shù)為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所熟知，故在此 不再贅述。如圖5所示，根據(jù)步驟S22和步驟S^對半導(dǎo)體晶片W執(zhí)行激光熱退火工藝，對于 半導(dǎo)體晶片W，由于第二行程的激光熱退火工藝和第一行程的激光熱退火工藝之間調(diào)整了 半導(dǎo)體晶片W的位置，因此第二行程激光熱退火工藝中激光束所形成的掃掠路徑L2與第一 行程激光熱退火工藝中激光束所形成的掃掠路徑Ll保持交叉(相鄰兩行程的激光熱退火 工藝中的掃掠路徑之間交叉形成的角度為90度)。相較于第一實(shí)施例，在第二實(shí)施例中，通 過將相鄰兩行程激光熱退火工藝中的掃掠路徑相互交叉，更可使得第一行程激光熱退火工 藝中對半導(dǎo)體晶片W所產(chǎn)生的應(yīng)力與第二行程激光熱退火工藝中對半導(dǎo)體晶片W所產(chǎn)生的 應(yīng)力相互平衡，使得半導(dǎo)體晶片獲得低翹曲度的效果。本發(fā)明雖然以較佳實(shí)施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技 術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以做出可能的變動和修改，因此本發(fā)明的保 護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以本發(fā)明權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，包括提供形成有PMOS晶體管的半導(dǎo)體晶片，所述PMOS晶體管具有嵌入式鍺硅層的源/漏 結(jié)構(gòu)；對所述半導(dǎo)體晶片執(zhí)行至少兩行程的激光熱退火工藝，且每一行程的激光熱退火工藝 中的處理溫度為1100°C至1200°C。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所述鍺硅層的厚度為 500埃至2000埃。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所述鍺硅層中鍺的含 量為15%至40%。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所述每一行程激光熱 退火工藝的處理溫度為1150°C至1180°C。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所述每一行程激光熱 退火工藝的掃掠時間為100微秒至1毫秒。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，相鄰兩行程的激光熱 退火工藝中的掃掠路徑之間保持交叉。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所述相鄰兩行程的激 光熱退火工藝中的掃掠路徑之間保持交叉包括在相鄰兩行程的激光熱退火工藝之間調(diào)整 激光熱退火工藝的掃掠方向和/或半導(dǎo)體晶片的位置。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所述交叉形成的角度 為90度。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所述激光熱退火采用 弧形掃掠方式或線形掃掠方式。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所述執(zhí)行激光熱退火采用二氧化碳激光器。
全文摘要
一種半導(dǎo)體器件的制作方法，包括提供形成有PMOS晶體管的半導(dǎo)體晶片，所述PMOS晶體管具有嵌入式鍺硅層的源/漏結(jié)構(gòu)；對所述半導(dǎo)體晶片執(zhí)行至少兩行程的激光熱退火工藝，且每一行程的激光熱退火工藝中的處理溫度為1100℃至1200℃。相對于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明能夠松弛所述鍺硅層，增加其延展性，相應(yīng)降低應(yīng)力，使得半導(dǎo)體晶片獲得低翹曲度的效果，提高器件性能。
文檔編號H01L21/336GK102122616SQ20101002258
公開日2011年7月13日 申請日期2010年1月8日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月8日
發(fā)明者何永根, 劉佑銘, 陳勇 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司