專利名稱：發(fā)光二極管陣列結構及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管陣列結構及其制造方法。
背景技術：
發(fā)光二極管(light-emitting diode ；LED)的發(fā)光原理是利用電子在η型半導體 與P型半導體間移動的能量差，以光的形式將能量釋放，這樣的發(fā)光原理有別于白熾燈發(fā) 熱的發(fā)光原理，因此發(fā)光二極管被稱為冷光源。此外，發(fā)光二極管具有高耐久性、壽命長、輕 巧、耗電量低等優(yōu)點，因此現(xiàn)今的照明市場對于發(fā)光二極管寄予厚望，將其視為新一代的照 明工具。傳統(tǒng)的陣列式發(fā)光二極管，如圖1所示，包含藍寶石基板101、多個發(fā)光疊層100形 成于藍寶石基板101上，并可選擇性地形成緩沖層102于上述藍寶石基板101與上述發(fā)光 疊層100之間。上述發(fā)光疊層100包含η型半導體層103、有源層104、以及ρ型半導體層 105。由于藍寶石基板101不導電，多個發(fā)光疊層100之間由經蝕刻發(fā)光疊層100至藍寶石 基板形成的溝槽并覆蓋以絕緣層108做為隔離。另外再于部分蝕刻多個發(fā)光疊層100至η 型半導體層103后，在η型半導體層103暴露區(qū)域以及ρ型半導體層105上形成第一連接電 極106以及第二連接電極107。通過導線109連接多個發(fā)光疊層100的第一連接電極106 及第二連接電極107，使多個發(fā)光疊層100之間形成串聯(lián)電路結構。如圖1所示的串聯(lián)電路結構就電性而言為水平結構，且導線在基板的同一側做電 性連接。其電流的橫向傳導須靠半導體層來完成，然而P型半導體層105其橫向傳導能力 較差，通?？捎忙切桶雽w層朝上(n side up)的結構來解決此問題。但若要形成η型半 導體層朝上(n side up)的結構，需磨除或激光剝除藍寶石基板，使已形成的電性連接結構 遭到破壞，因而造成工藝上的困難。
發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于提出一種新的發(fā)光二極管陣列結構，以解決已知技術所產生的 問題。本發(fā)明的目的是這樣實現(xiàn)的，即提供一種發(fā)光二極管陣列結構制造方法，其步驟 至少包含提供暫時基板；依序交錯形成多個第一發(fā)光疊層及第二發(fā)光疊層；形成第一絕 緣層覆蓋部分第一發(fā)光疊層；形成導線于第一絕緣層之上并與第一發(fā)光疊層及第二發(fā)光疊 層電性連接；形成第二絕緣層完全覆蓋第一發(fā)光疊層、導線及部分第二發(fā)光疊層；形成金 屬連接層于第二絕緣層之上，并與第二發(fā)光疊層電性連接；形成導電基板于金屬連接層之 上；移除暫時基板；及形成第一電極連接第一發(fā)光疊層，使第一發(fā)光疊層與第二發(fā)光疊層 形成串聯(lián)電路結構。
根據以上所述的優(yōu)選實施例，并配合
，讀者當能對本發(fā)明的目的、特征和優(yōu)點有更深入的理解。但值得注意的是，為了清楚描述起見，本說明 書所附的附圖并未按照 比例尺加以繪示。附圖簡單說明如下圖1為傳統(tǒng)陣列式發(fā)光二極管示意圖；圖2A至圖2K為本發(fā)明制造流程與結構示意圖；圖3A至圖3B為本發(fā)明實施例的結構示意圖；圖4為本發(fā)明實施例的結構示意圖。附圖標記說明100 發(fā)光疊層101 藍寶石基板102 緩沖層103 η型半導體層104 有源層105 ρ型半導體層106 第一連接電極107 第二連接電極108 絕緣層109 導線200Α 第一發(fā)光疊層200Β 第二發(fā)光疊層201 暫時基板202 緩沖層203 η型半導體層2031 第一 η型半導體層2032 第二 η型半導體層2033 第三η型半導體層2041 第一有源層2042 第二有源層2051 第一 ρ型半導體層2052 第二 ρ型半導體層206 第一絕緣層2071 第一 ρ型電極2072 第二 ρ型電極208 第一 η型電極2082 第二 η型電極209 導線210 第二絕緣層211 金屬連接層212 導電基板2131 第一電極2132 第二電極214 第三電極301 第四電極302 第五電極
具體實施例方式本發(fā)明揭示一種發(fā)光二極管陣列結構及其制作方法。為了使本發(fā)明的敘述更加詳 盡與完備，請參照下列描述并配合圖2Α至圖4的圖示。圖2Α至圖2Κ為根據本發(fā)明第一實施例制造流程的結構示意圖。如圖2Α所示，包 含暫時基板201、多個第一發(fā)光疊層200Α及多個第二發(fā)光疊層200Β，其中多個第一發(fā)光疊 層200Α及多個第二發(fā)光疊層200Β依序交錯形成于暫時基板201上。第一發(fā)光疊層200Α包 括形成在暫時基板201上的η型半導體層203，第一有源層2041形成在η型半導體層203 之上、以及第一 ρ型半導體層2051形成在第一有源層2041之上。第二發(fā)光疊層200Β包括 形成在暫時基板201上的η型半導體層203，第二有源層2042形成在η型半導體層203之 上、以及第二 P型半導體層2052形成在第二有源層2042之上。此外，在η型半導體203與 暫時基板201中也可選擇性的形成緩沖層202。接著，如圖2Β所示，通過蝕刻部分上述第一發(fā)光疊層200Α及第二發(fā)光疊層200Β至緩沖層202或暫時基板201，使η型半導體層被區(qū)分為第一 η型半導體層2031、第二 η型 半導體層2032及島狀的第三η型半導體層2033。其中第一發(fā)光疊層200Α包括第一 η型半 導體層2031、第三η型半導體層2033、第一有源層2041、以及第一 ρ型半導體層2051。第 二發(fā)光疊層200Β則包括第二 η型半導體層2032、第二有源層2042、以及第二 ρ型半導體層 2052。
接著，如圖2C所示，形成第一絕緣層206覆蓋第三η型半導體層2033與第一 ρ型 半導體層2051之間的溝槽。之后，如圖2D所示，分別于第一 ρ型半導體層2051與第二 ρ型半導體層2052之 上形成第一 P型電極2071與第二 P型電極2072。在第三η型半導體2033上形成第一 η型 電極208，并以導線209電性連接上述第一 ρ型電極2071與第一 η型電極208，使得第一 ρ 型電極2071的電流可導入第一 η型電極208之中。接著，如圖2Ε所示，形成第二絕緣層210于第一發(fā)光疊層200Α與第二發(fā)光疊層 200Β之上，其中第一發(fā)光疊層200Α被第二絕緣層210覆蓋，但第二發(fā)光疊層200Β中部分的 第二 P型電極2072則未被第二絕緣層210覆蓋。接著，如圖2F所示，提供第一金屬連接層211Α形成于上述第二絕緣層210及第二 P型電極2072之上。另外提供導電基板212，并于其一側形成第二金屬連接層211Β，并將第 一金屬連接層211Α與第二金屬連接層211Β鍵合在一起。接著，如圖2G所示，翻轉芯片(flip wafer)并移除暫時基板201。接下來，如圖 2H所示，移除緩沖層202。最后，如圖21所示，形成第一電極2131連接上述第一發(fā)光疊層200A的第三η型 半導體層2033及第二發(fā)光疊層200Β的第二 η型半導體層2032，另外，形成第二電極2132 連接第一發(fā)光疊層200Α的第一 η型半導體層2031。如圖21箭頭所示，電流可從第二發(fā)光 疊層200Β的第二 ρ型電極2072流向第一電極2131，電流再通過第一電極2131流向第一發(fā) 光疊層200Α的第三η型半導體層2033后經過第一 η型電極208、導線209、第一 ρ型電極 2071后流向第二電極2132，以形成垂直串聯(lián)發(fā)光二極管陣列結構。此外，如圖2J所示，也可以依上述工藝，依序形成第二發(fā)光疊層200Β、第一發(fā)光疊 層200Α、第一發(fā)光疊層200Α及第二發(fā)光疊層200Β的發(fā)光二極管陣列結構。在此結構中，如 箭頭所示，可使電流由兩側的第二發(fā)光疊層200Β的第二ρ型電極2072流向第一電極2131， 電流再通過第一電極2131流向第一發(fā)光疊層200Α的第三η型半導體層2033后經過第一 η 型電極208、導線209、第一 ρ型電極2071后流向連接中央兩第一發(fā)光疊層200Α的兩第一 η型半導體層2031的第三電極214，以形成串并聯(lián)發(fā)光二極管陣列結構。電路圖如圖2Κ所 示，其中兩側的第二發(fā)光疊層200Β、第一發(fā)光疊層200Α為串聯(lián)電路結構而兩組串聯(lián)電路結 構又可依上述電流傳導方向結合為并聯(lián)電路結構。另外，本發(fā)明的發(fā)光二極管陣列結構也可依照設計或工藝需要彈性的組合上述第 一發(fā)光疊層200Α及第二發(fā)光疊層200Β，并依電流的傳導方向形成水平或垂直串聯(lián)或并聯(lián) 電路結構，以下實施例列舉其中幾種可能的連接方式。如圖3Α所示，可連續(xù)形成兩個第一發(fā)光疊層200Α，其中各層的組成與標號與圖 2Α-圖2Κ相同，在此不再贅述。另外，形成第四電極301連接左側第一發(fā)光疊層200Α的第 三η型半導體層2033，并形成第五電極302連接左側第一發(fā)光疊層200Α的第一 η型半導體層2031及右側第一發(fā)光疊層200A的第三η型半導體層2033。如箭頭所示，電流方向可從 左側第一發(fā)光疊層200Α的第四電極301流經第三η型半導體層2033后流向第一 η型電極 208、導線209、第一 ρ型電極2071后，流向第五電極302，再流入右側第一發(fā)光疊層200Α的 第三η型半導體層2033后流向其第一 η型電極208、導線209、第一 ρ型電極2071后，流向 第二電極2132，以形成水平串聯(lián)發(fā)光二極管陣列結構。在另一實施例中，如圖3Β所示，可連續(xù)形成兩個第一發(fā)光疊層200Α’，其中各層的 組成與標號與圖2Α-圖2Κ相同，在此不再贅述，但在本實施例中，第一發(fā)光疊層200Α’不需 形成第三η型半導體層2033及第一 η型電極208。另外，形成第四電極301連接左側第一 發(fā)光疊層200Α’的導線209，并形成第五電極302連接左側第一發(fā)光疊層200Α'的第一 η 型半導體層2031及右側第一發(fā)光疊層200Α的導線209。如箭頭所示，電流方向可從左側 第一發(fā)光疊層200Α的第四電極301流經導線209、第一 ρ型電極2071后流向第五電極302 后，再流入右側第一發(fā)光疊層200Α的導線209、第一 ρ型電極2071后流向第二電極2132， 以形成水平串聯(lián)發(fā)光二極管陣列結構。在另一實施例中，如圖4所示，可 依序形成第一發(fā)光疊層200Α’及第二發(fā)光疊層 200Β，。但在本實施例中，第一發(fā)光疊層200Α，不需形成第三η型半導體層2033及第一 η型 電極208，且在第二發(fā)光疊層200Β，的第二 η型半導體層之上形成第二 η型電極2082。如 箭頭所示，電流方向可從左側第二發(fā)光疊層200Β’的第二 ρ型電極2072流向第二 η型半導 體層2032后流向第二 η型電極2082，再經由導線209流入右側第一發(fā)光疊層200Α'、第一 P型電極2071后流向第二電極2132，以形成垂直串聯(lián)發(fā)光二極管陣列結構。上述各實施例中的暫時基板201的材料可選自藍寶石(Sapphire)、碳化硅(SiC)、 氧化鋅(ZnO)、氮化鎵(GaN)或硅、玻璃、石英、或陶瓷等高導熱基板；緩沖層202的材料可 選自氮化鋁(A1N)、氮化鎵(GaN)等與暫時基板適當匹配的材料；上述第一 η型半導體層 2031、第二 η型半導體層2032、第三η型半導體層2033、第一有源層2041、第二有源層2042、 第一 P型半導體層2051及第二 ρ型半導體層2052的材料包含一種或一種以上的物質選 自鎵(Ga)、鋁(Al)、銦(In)、砷(As)、磷(P)、氮(N)以及硅(Si)所構成群組。第一絕緣層 206及第二絕緣層210的材料可選自氧化硅、氧化鋁、氧化鈦、等各式氧化物，或其他高分子 材料、聚酰亞胺(PI)、苯并環(huán)丁烯(BCB)、過氟環(huán)丁烷(PFCB)、旋涂玻璃等各種絕緣材料均 可選擇；第一 P型電極2071、第二 ρ型電極2072、第一 η型電極208、第二 η型電極2082、第 一電極2131、第二電極2132、第三電極214、第四電極301、第五電極302及導線209的材料 可選自金、鋁、合金或多層金屬結構。連接層211的材料可選自銀、金、鋁、或銦等其他適用 于接合基板的金屬；導電基板212的材料可選自銅、鋁、陶瓷、或硅等導電性材料。本發(fā)明所列舉的各實施例僅用以說明本發(fā)明，并非用以限制本發(fā)明的范圍。任何 人對本發(fā)明所作的任何顯而易知的修飾或變更皆不脫離本發(fā)明的精神與范圍。
權利要求
1.一種發(fā)光二極管陣列結構制造方法，其步驟包含 提供暫時基板；交錯形成多個第一發(fā)光疊層及第二發(fā)光疊層于該暫時基板之上； 形成第一絕緣層覆蓋部分該第一發(fā)光疊層；形成導線于該第一絕緣層之上并與該第一發(fā)光疊層及該第二發(fā)光疊層電性連接； 形成第二絕緣層完全覆蓋該第一發(fā)光疊層、該導線及部分該第二發(fā)光疊層； 形成金屬連接層于該第二絕緣層之上，并與該第二發(fā)光疊層電性連接； 形成導電基板于該金屬連接層之上； 移除該暫時基板；及 形成第一電極連接該第一發(fā)光疊層。
2.如權利要求1所述的發(fā)光二極管陣列結構制造方法，其中該第一發(fā)光疊層包括第一 η型半導體層、第一 ρ型半導體層、及第一有源層形成于該第一 η型半導體層與該第一 P型 半導體層之間；該第二發(fā)光疊層包括第二 η型半導體層、第二 P型半導體層、及第二有源層 形成于該第二 η型半導體層與該第二 ρ型半導體層之間；且其中該第一電極形成于該第一 η型半導體層之上。
3.如權利要求2所述的發(fā)光二極管陣列結構制造方法，其中該第一發(fā)光疊層還包含第 三η型半導體層形成于該暫時基板之上并與該導線電性連接，及形成第二電極連接該第三 η型半導體層與該第二 η型半導體層。
4.如權利要求1所述的發(fā)光二極管陣列結構制造方法，其中該第一發(fā)光疊層與該第二 發(fā)光疊層為串聯(lián)電路結構。
5.一種發(fā)光二極管陣列結構制造方法，其步驟包含 提供暫時基板；交錯形成多個第一發(fā)光疊層、第二發(fā)光疊層、第三發(fā)光疊層及第四發(fā)光疊層于該暫時 基板之上，其中該第一發(fā)光疊層包含第一 η型半導體層及第二 η型半導體層，該第四發(fā)光疊 層包含第三η型半導體層及第四η型半導體層；形成第一絕緣層覆蓋部分該第二發(fā)光疊層及部分該第三發(fā)光疊層； 形成第一導線于該第一絕緣層之上并電性連接該第一發(fā)光疊層及該第二發(fā)光疊層； 形成第二導線于該第一絕緣層之上并電性連接該第三發(fā)光疊層及該第四發(fā)光疊層； 形成第二絕緣層完全覆蓋該第二發(fā)光疊層、該第三發(fā)光疊層、該第一導線及第二導線 并覆蓋部分該第一發(fā)光疊層及第二發(fā)光疊層；形成金屬連接層于該第二絕緣層之上，并與該第一發(fā)光疊層及該第四發(fā)光疊層電性連接；形成導電基板于該金屬連接層之上； 移除該暫時基板；形成第一電極連接該第一發(fā)光疊層及該第二發(fā)光疊層的第二 η型半導體層； 形成第二電極連接該第三發(fā)光疊層及該第四發(fā)光疊層的第四η型半導體層；及 形成第三電極連接該第二發(fā)光疊層的第一η型半導體層與該第三發(fā)光疊層的第三η型 半導體層。
6.如權利要求5所述的發(fā)光二極管陣列結構制造方法，其中該第一發(fā)光疊層與該第二發(fā)光疊層為串聯(lián)電路結構且該第三發(fā)光疊層與該第四發(fā)光疊層為串聯(lián)電路結構。
7.如權利要求6所述的發(fā)光二極管陣列結構制造方法，其中該分別串聯(lián)的第一發(fā)光疊 層及第二發(fā)光疊層與第三發(fā)光疊層及第四發(fā)光疊層為并聯(lián)電路結構。
8.一種發(fā)光二極管陣列結構制造方法，其步驟包含 提供暫時基板；交錯形成多個第一發(fā)光疊層及第二發(fā)光疊層于該暫時基板之上； 形成第一絕緣層覆蓋部分該第一發(fā)光疊層及部分該第二發(fā)光疊層； 形成第一導線在該第一絕緣層之上并覆蓋部分該第一發(fā)光疊層； 形成第二導線在該絕緣層上并覆蓋部分該第二發(fā)光疊層；形成第二絕緣層完全覆蓋該第一發(fā)光疊層、該第二發(fā)光疊層、該第一導線及該第二導線；形成金屬連接層于該第二絕緣層之上； 形成導電基板于該金屬連接層之上； 移除該暫時基板；及形成第一電極連接該第一發(fā)光疊層與第二發(fā)光疊層。
9.如權利要求8所述的發(fā)光二極管陣列結構制造方法，其中該第一發(fā)光疊層與該第二 發(fā)光疊層為串聯(lián)電路結構。
10.如權利要求8所述的發(fā)光二極管陣列結構制造方法，其中該第一發(fā)光疊層包括第一η型半導體層、第一 ρ型半導體層、及第一有源層形成于該第一 η型半導體層與該第一 P 型半導體層之間；該第二發(fā)光疊層包括第二 η型半導體層、第二 P型半導體層、及第二有源 層形成于該第二 η型半導體層與該第二 ρ型半導體層之間，且還包含第二電極形成于該第二η型半導體層之上，及第三電極形成于該第一 η型半導體層之上。
11.如權利要求10所述的發(fā)光二極管陣列結構制造方法，還包括形成第三η型半導體 層形成于該暫時基板之上并與該導線電性連接及第四η型半導體層形成于該暫時基板之 上并與該導線電性連接，其中該第一電極形成于部分該第二 η型半導體層及部分該第三η 型半導體層之上。
12.一種發(fā)光二極管陣列結構，包含多個交錯形成的第一發(fā)光疊層及第二發(fā)光疊層； 第一絕緣層覆蓋部分該第一發(fā)光疊層；導線形成于該第一絕緣層之上并與該第一發(fā)光疊層及該第二發(fā)光疊層電性連接； 第二絕緣層完全覆蓋該第一發(fā)光疊層、該導線及部分該第二發(fā)光疊層； 金屬連接層覆蓋于該第二絕緣層之上，并與該第二發(fā)光疊層電性連接； 導電基板形成于該金屬連接層之上；及 第一電極形成于該第一發(fā)光疊層之上。
13.如權利要求12所述的發(fā)光二極管陣列結構，其中該第一發(fā)光疊層與該第二發(fā)光疊 層形成串聯(lián)電路結構。
14.如權利要求13所述的發(fā)光二極管陣列結構，其中該第一發(fā)光疊層包括第一η型半 導體層、第一 P型半導體層、及第一有源層形成于該第一 η型半導體層與該第一 ρ型半導體 層之間；該第二發(fā)光疊層包括第二 η型半導體層、第二 ρ型半導體層、及第二有源層形成于該第二 η型半導體層與該第二 ρ型半導體層之間。
15.如權利要求14所述的發(fā)光二極管陣列結構，其中該第一發(fā)光疊層還包含與第一η 型半導體層分開的島狀第三η型半導體層。
16.一種發(fā)光二極管陣列結構，包含多個交錯形成的第一發(fā)光疊層、第二發(fā)光疊層、第三發(fā)光疊層及第四發(fā)光疊層，其中該 第一發(fā)光疊層包含第一 η型半導體層及第二 η型半導體層，該第四發(fā)光疊層包含第三η型 半導體層及第四η型半導體層；第一絕緣層覆蓋部分該第二發(fā)光疊層及部分該第三發(fā)光疊層；第一導線形成于該第一絕緣層之上并與該第一發(fā)光疊層及該第二發(fā)光疊層電性連接；第二導線形成于該第一絕緣層之上并與該第三發(fā)光疊層及該第四發(fā)光疊層電性連接；第二絕緣層完全覆蓋該第二發(fā)光疊層、該第三發(fā)光疊層、該第一導線及第二導線并覆 蓋部分該第一發(fā)光疊層及第二發(fā)光疊層；金屬連接層形成于該第二絕緣層之上，并與該第一發(fā)光疊層及該第四發(fā)光疊層電性連接；導電基板形成于該金屬連接層之上；第一電極連接該第一發(fā)光疊層及該第二發(fā)光疊層的第二 η型半導體層； 第二電極連接該第三發(fā)光疊層及該第四發(fā)光疊層的第四η型半導體層；及 第三電極連接該第二發(fā)光疊層的第一 η型半導體層與該第三發(fā)光疊層的第三η型半導 體層。
17.如權利要求16所述的發(fā)光二極管陣列結構，其中該第一發(fā)光疊層與該第二發(fā)光疊 層為串聯(lián)電路結構且該第三發(fā)光疊層與該第四發(fā)光疊層為串聯(lián)電路結構。
18.如權利要求17所述的發(fā)光二極管陣列結構，其中該分別串聯(lián)的第一發(fā)光疊層及第 二發(fā)光疊層與第三發(fā)光疊層及第四發(fā)光疊層為并聯(lián)電路結構。
19.一種發(fā)光二極管陣列結構，包含多個交錯形成的第一發(fā)光疊層及第二發(fā)光疊層； 第一絕緣層覆蓋部分該第一發(fā)光疊層及部分該第二發(fā)光疊層； 第一導線在該絕緣層上并覆蓋部分該第一發(fā)光疊層； 第二導線在該絕緣層上并覆蓋部分該第二發(fā)光疊層；第二絕緣層完全覆蓋該第一發(fā)光疊層、該第二發(fā)光疊層、該第一導線及該第二導線； 金屬連接層形成于該第二絕緣層之上； 導電基板形成于該金屬連接層之上；及 第一電極連接該第一發(fā)光疊層與第二發(fā)光疊層。
20.如權利要求19所述的發(fā)光二極管陣列結構，其中該第一發(fā)光疊層與該第二發(fā)光疊 層為串聯(lián)電路結構。
21.如權利要求20所述的發(fā)光二極管陣列結構，該第一發(fā)光疊層包括第一η型半導體 層、第一 P型半導體層、及第一有源層形成于該第一 η型半導體層與該第一 ρ型半導體層之 間；該第二發(fā)光疊層包括第二 η型半導體層、第二 ρ型半導體層、及第二有源層形成于該第二 η型半導體層與該第二 ρ型半導體層之間。
22.如權利要求21所述的發(fā)光二極管陣列結構，其中該第一發(fā)光疊層還包含與第一 η 型半導體層分開的島狀第三η型半導體層，該第二發(fā)光疊層還包含與第三η型半導體層分 開的島狀第四η型半導體層，其中該第一電極形成于部分該第二 η型半導體層及部分該第 三η型半導體層之上；且還包含第二電極形成于該第二 η型半導體層之上及第三電極形成 于該第一 η型半導體層之上。
全文摘要
本發(fā)明公開一種發(fā)光二極管陣列結構及其制造方法，該發(fā)光二極管陣列結構制造方法至少包含提供暫時基板；依序形成多個第一發(fā)光疊層及第二發(fā)光疊層；形成第一絕緣層覆蓋部分第一發(fā)光疊層；形成導線于第一絕緣層之上并與第一發(fā)光疊層及第二發(fā)光疊層電性連接；形成第二絕緣層完全覆蓋第一發(fā)光疊層、導線及部分第二發(fā)光疊層；形成金屬連接層于第二絕緣層之上，并與第二發(fā)光疊層電性連接；形成導電基板于金屬連接層之上；移除暫時基板；及形成第一電極連接第一發(fā)光疊層，使第一發(fā)光疊層與第二發(fā)光疊層形成串聯(lián)電路結構。
文檔編號H01L27/15GK102130241SQ20101000398
公開日2011年7月20日 申請日期2010年1月15日 優(yōu)先權日2010年1月15日
發(fā)明者陳昭興 申請人:晶元光電股份有限公司