專利名稱：可增加發(fā)光效率的白色發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)于一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法，尤指一種可增加發(fā)光效率 的白色發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法。
背景技術(shù)：
請參閱第一圖所示，習(xí)知白色發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)包括一封裝本體1、一已封裝 發(fā)光芯片2、至少兩個導(dǎo)電基板(30、31)、一透明膠體4及一熒光膠體5。其中，該封裝本體 1具有一容置空間10。上述至少兩個導(dǎo)電基板30、31設(shè)置于該封裝本體1的容置空間10 內(nèi)。該已封裝發(fā)光芯片2固設(shè)于該封裝本體1的容置空間10內(nèi)，并且電性地連接于上述至 少兩個導(dǎo)電基板30、31之間。該透明膠體4填充于該封裝本體1的容置空間10內(nèi)，并且該 熒光膠體5也填充于該容置空間10內(nèi)且覆蓋于該已封裝發(fā)光芯片2的上端，以避免該熒光 膠體5的質(zhì)量受到該已封裝發(fā)光芯片2的發(fā)熱所影響。換言之，通過“將該熒光膠體5與該 已封裝發(fā)光芯片2進(jìn)行隔離”，使得該已封裝發(fā)光芯片2所產(chǎn)生的熱能不會直接傳遞到該熒 光膠體5，進(jìn)而該熒光膠體5能夠維持其原有的質(zhì)量，并且能夠增加使用的壽命。然而，雖然通過“將該熒光膠體5與該已封裝發(fā)光芯片2進(jìn)行隔離”，能夠使得使得 該熒光膠體5維持其原有的質(zhì)量，但是上述的方式卻無法有效地增加該已封裝發(fā)光芯片2 的發(fā)光效率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題，在于提供一種可增加發(fā)光效率的白色發(fā)光二極管封 裝結(jié)構(gòu)及其制作方法。因為光束可以輕易地從折射率較大的介質(zhì)傳送到折射率較小的介 質(zhì)，所以本發(fā)明半導(dǎo)體發(fā)光單元所產(chǎn)生的光束能夠有效地投射出去，以達(dá)到增加發(fā)光效率 的目的。為了解決上述技術(shù)問題，根據(jù)本發(fā)明的其中一種方案，提供一種可增加發(fā)光效率 的白色發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其包括一基板單元、一半導(dǎo)體發(fā)光單元、一透光單元、一導(dǎo)電 單元、及一熒光單元。其中，該半導(dǎo)體發(fā)光單元成形于該基板單元上，其中該半導(dǎo)體發(fā)光單 元具有一發(fā)光本體、一成形于該發(fā)光本體上的正極導(dǎo)電層、及一成形于該發(fā)光本體上的負(fù) 極導(dǎo)電層。該透光單元具有一成形在該半導(dǎo)體發(fā)光單元上的透光層及至少兩個用于露出該 正極導(dǎo)電層的一部分上表面及該負(fù)極導(dǎo)電層的一部分上表面的缺口。該導(dǎo)電單元具有至少 兩條導(dǎo)線，其中上述至少兩條導(dǎo)線分別穿過上述兩個缺口，以分別電性連接于該正極導(dǎo)電 層與該基板單元之間及電性連接于該負(fù)極導(dǎo)電層與該基板單元之間。該熒光單元成形于該 基板單元上，以覆蓋該半導(dǎo)體發(fā)光單元、該透光單元及該導(dǎo)電單元。藉此，因為該半導(dǎo)體發(fā) 光單元、該透光單元及該熒光單元的折射率都不相同，所以該半導(dǎo)體發(fā)光單元所產(chǎn)生的光 線依序穿過該透光單元及該熒光單元。為了解決上述技術(shù)問題，根據(jù)本發(fā)明的其中一種方案，提供一種可增加發(fā)光效率 的白色發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其包括下列步驟首先，提供一半導(dǎo)體發(fā)光單元，其具有一發(fā)光本體、一成形于該發(fā)光本體上的正極導(dǎo)電層及一成形于該發(fā)光本體上的負(fù)極 導(dǎo)電層；接著，形成一透光層于該半導(dǎo)體發(fā)光單元上；然后，形成至少兩個穿透該透光層的 缺口，以用于露出該正極導(dǎo)電層的一部分上表面及該負(fù)極導(dǎo)電層的一部分上表面；接下來， 將該半導(dǎo)體發(fā)光單元電性地設(shè)置于一基板單元上；緊接著，將至少兩條導(dǎo)線分別穿過上述 兩個缺口，以分別電性連接于該正極導(dǎo)電層與該基板單元之間及電性連接于該負(fù)極導(dǎo)電層 與該基板單元之間；最后，形成一熒光單元于該基板單元上，以覆蓋該半導(dǎo)體發(fā)光單元、該 透光層及上述至少兩條導(dǎo)線。本發(fā)明的有益效果在于因為該半導(dǎo)體發(fā)光單元、該透光單元及該熒光單元的折 射率都不相同，所以該半導(dǎo)體發(fā)光單元所產(chǎn)生的光線有效率地依序穿過該透光單元及該熒 光單元，進(jìn)而提高白色光源的發(fā)光效率。為了能更進(jìn)一步了解本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定目的所采取的技術(shù)、手段及功效，請參閱 以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說明與附圖，相信本發(fā)明的目的、特征與特點(diǎn)，當(dāng)可由此得一深入且 具體的了解，然而所附圖式僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制者。


圖1為現(xiàn)有的白色發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的側(cè)視剖面示意圖；圖2為本發(fā)明的可增加發(fā)光效率的白色發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法的第一 實施例的流程圖；圖2A至圖2F為本發(fā)明的可增加發(fā)光效率的白色發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法 的第一實施例的制作流程示意圖；以及圖3為本發(fā)明的可增加發(fā)光效率的白色發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的第二實施例的側(cè) 視示意圖。其中，附圖標(biāo)記說明如下[現(xiàn)有技術(shù)]封裝本體已封裝發(fā)光芯片導(dǎo)電基板透明膠體熒光膠體[第一實施例]半導(dǎo)體發(fā)光單元
1容置空間10
2
30,31
4
5
Ia 發(fā)光本體IOa
發(fā)光區(qū)域Aa
氧化鋁基板IOOa 氮化鎵負(fù)電極層IOla
氮化鎵正電極層10
正極導(dǎo)電層Pa
正極導(dǎo)電區(qū)域Pla
負(fù)極導(dǎo)電層Na
負(fù)極導(dǎo)電區(qū)域Nla
反射層12a
透光單元2a透光層20a
透光層20a ‘
缺口21a
基板單元3a基板本體30a
正極導(dǎo)電焊墊3Pa
負(fù)極導(dǎo)電焊墊3Na
熒光單元4a
聚焦透鏡5a
導(dǎo)電單元Ca導(dǎo)線Cla
光束Lla、L2& >L3&
白色光束L4a、L5a
[第二實施例]
半導(dǎo)體發(fā)光單元lb發(fā)光區(qū)域Ab
熒光單元2b透光層20b
基板單元3b
熒光單元4b
聚焦透鏡5b
導(dǎo)電單元Cb
光束Lib、L2b,L3b
白色光束L4b、L5b
具體實施例方式請參閱圖2所示，本發(fā)明提供一種可增加發(fā)光效率的白色發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的 制作方法，其包括下列步驟首先，提供一半導(dǎo)體發(fā)光單元，其具有一發(fā)光本體、一成形于該 發(fā)光本體上的正極導(dǎo)電層及一成形于該發(fā)光本體上的負(fù)極導(dǎo)電層；接著，形成一透光層于 該半導(dǎo)體發(fā)光單元上；然后，形成至少兩個穿透該透光層的缺口，以用于露出該正極導(dǎo)電層 的一部分上表面及該負(fù)極導(dǎo)電層的一部分上表面；接下來，將該半導(dǎo)體發(fā)光單元電性地設(shè) 置于一基板單元上；然后，上述至少兩條導(dǎo)線分別穿過上述兩個缺口，以分別電性連接于該 正極導(dǎo)電層與該基板單元之間及電性連接于該負(fù)極導(dǎo)電層與該基板單元之間；最后，形成 一熒光單元于該基板單元上，以覆蓋該半導(dǎo)體發(fā)光單元、該透光單元及該導(dǎo)電單元。接下來，本發(fā)明可增加發(fā)光效率的白色發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作流程將配合圖 2A至圖2F來進(jìn)行說明。請配合圖2及圖2A所示，提供一半導(dǎo)體發(fā)光單元la，其具有一發(fā)光本體10a、一成 形于該發(fā)光本體IOa上的正極導(dǎo)電層Pa(例如P型半導(dǎo)體材料層)、一成形于該發(fā)光本體 IOa上的負(fù)極導(dǎo)電層Na (例如N型半導(dǎo)體材料層)、及一成形于該發(fā)光本體IOa內(nèi)的發(fā)光區(qū) 域Aa (步驟S100)。此外，該發(fā)光本體IOa具有一氧化鋁基板100a、一成形于該氧化鋁基板IOOa上的 氮化鎵負(fù)電極層101a、及一成形于該氮化鎵負(fù)電極層IOla上的氮化鎵正電極層102a，此外該正極導(dǎo)電層1 成形于該氮化鎵正電極層10 上，該負(fù)極導(dǎo)電層Na成形于該氮化鎵負(fù)電 極層IOla上。另外，該正極導(dǎo)電層1 的上表面具有一正極導(dǎo)電區(qū)域Pla，該負(fù)極導(dǎo)電層Na 的上表面具有一負(fù)極導(dǎo)電區(qū)域ma。再者，該半導(dǎo)體發(fā)光單元Ia更進(jìn)一步具有一設(shè)置于該發(fā)光本體IOa底端的反射層 12a,以使得該發(fā)光區(qū)域Aa所產(chǎn)生的朝下光束Lla能通過該反射層12a的反射而轉(zhuǎn)換為朝 上光束Ua。請配合圖2及圖2B所示，形成一透光層20a于該半導(dǎo)體發(fā)光單元Ia上(步驟 S102)。亦即，該透光層20a成形于該正極導(dǎo)電層1 的部分正極導(dǎo)電區(qū)域Pla上、及該負(fù)極 導(dǎo)電層Na的部分負(fù)極導(dǎo)電區(qū)域ma上，其中該透光層20a可為一透明單晶氧化鋁層。請配合圖2及圖2C所示，形成至少兩個穿透該透光層20a的缺口 21a，以用于露 出該正極導(dǎo)電層1 的一部分正極導(dǎo)電區(qū)域Pla及該負(fù)極導(dǎo)電層Na的一部分負(fù)極導(dǎo)電區(qū)域 ma (步驟S104)。因此，原本的透光層20a即形成一用于露出該正極導(dǎo)電層1 的一部分上 表面及該負(fù)極導(dǎo)電層Na的一部分上表面的透光層20a'。請配合圖2及圖2D所示，將該半導(dǎo)體發(fā)光單元Ia電性地設(shè)置于一基板單元3a上 (步驟S106)，其中該基板單元3a具有一基板本體30a、一形成于該基板本體30a上表面的 正極導(dǎo)電焊墊3Pa、及一形成于該基板本體30a上表面的負(fù)極導(dǎo)電焊墊3Na。請配合圖2及圖2D所示，將至少兩條導(dǎo)線Cla分別穿過上述兩個缺口 21a，以使得 上述至少兩條導(dǎo)線Cla分別電性連接于“該正極導(dǎo)電層1 的正極導(dǎo)電區(qū)域Pla與該基板單 元3a的正極導(dǎo)電焊墊之間及電性連接于“該負(fù)極導(dǎo)電層Na的負(fù)極導(dǎo)電區(qū)域Nla與該 基板單元3a的負(fù)極導(dǎo)電焊墊3Na”之間(步驟S108)。請配合圖2及圖2E所示，形成一熒光單元如于該基板單元3a上，以覆蓋該半導(dǎo) 體發(fā)光單元la、該透光層20a'及上述至少兩條導(dǎo)線Cla (步驟S110)。其中，上述的熒光單 元如可依據(jù)不同的使用需求，而選擇為由硅膠與熒光粉所混合形成的熒光膠體或由環(huán)氧 樹脂與熒光粉所混合形成的熒光膠體。請配合圖2及圖2F所示，將一聚焦透鏡fe設(shè)置于該基板單元3a上，以用于覆蓋 該熒光單元如(步驟Sl 12)。因此，該發(fā)光區(qū)域Aa所產(chǎn)生的朝下光束Lla (例如藍(lán)光)能通 過該反射層1 的反射而轉(zhuǎn)換為朝上光束L2a，并且該些光束Lh進(jìn)入該透光層20a'以產(chǎn) 生光束L3a ；然后，該些光束L3a穿過該熒光單元如而激發(fā)出白光光束L4a ；最后，該些白色 光束Ma可穿過該聚焦透鏡fe而產(chǎn)生聚焦的白色光束L5a。藉此，由上述圖2F可知，本發(fā)明提供一種可增加發(fā)光效率的白色發(fā)光二極管封裝 結(jié)構(gòu)，其包括一基板單元3a、一半導(dǎo)體發(fā)光單元la、一透光單元加、一熒光單元如、及一導(dǎo) 電單元Ca。其中，該透光單元加為一折射率介于1. 6 2. 4之間的絕緣透光層，該絕緣透 光層為金屬氧化物薄膜或透光高分子薄膜，并且該熒光單元如的折射率低于該透光單元 加并且高于1。其中，該基板單元3a具有一基板本體30a、一形成于該基板本體30a上表面的正極 導(dǎo)電焊墊3Pa、及一形成于該基板本體30a上表面的負(fù)極導(dǎo)電焊墊3Na。此外，該半導(dǎo)體發(fā)光單元Ia具有一發(fā)光本體10a、一成形于該發(fā)光本體IOa上的正 極導(dǎo)電層Pa、一成形于該發(fā)光本體IOa上的負(fù)極導(dǎo)電層Na、及一成形于該發(fā)光本體IOa內(nèi) 的發(fā)光區(qū)域Aa。該發(fā)光本體IOa具有一氧化鋁基板100a、一成形于該氧化鋁基板IOOa上的氮化鎵負(fù)電極層101a、及一成形于該氮化鎵負(fù)電極層IOla上的氮化鎵正電極層102a，此 外該正極導(dǎo)電層1 成形于該氮化鎵正電極層10 上，該負(fù)極導(dǎo)電層Na成形于該氮化鎵負(fù) 電極層IOla上。另外，該正極導(dǎo)電層1 的上表面具有一正極導(dǎo)電區(qū)域Pla，該負(fù)極導(dǎo)電層 Na的上表面具有一負(fù)極導(dǎo)電區(qū)域ma。再者，該透光單元加具有一成形在該半導(dǎo)體發(fā)光單元Ia上的透光層20a'及至少 兩個用于露出該正極導(dǎo)電層1 的正極導(dǎo)電區(qū)域Pla的一部分上表面及該負(fù)極導(dǎo)電層Na的 負(fù)極導(dǎo)電區(qū)域Wa的一部分上表面的缺口 21a。另外，該導(dǎo)電單元Ca具有至少兩條導(dǎo)線Cla，其中上述至少兩條導(dǎo)線Cla分別穿過 上述兩個缺口 21a，以分別電性連接于“該正極導(dǎo)電層1 的正極導(dǎo)電區(qū)域Pla與該基板單 元3a的正極導(dǎo)電焊墊3 間及電性連接于“該負(fù)極導(dǎo)電層Na的負(fù)極導(dǎo)電區(qū)域Nla與該 基板單元3a的負(fù)極導(dǎo)電焊墊3Na”之間。此外，該熒光單元如成形于該基板單元Ia上，以 覆蓋該半導(dǎo)體發(fā)光單元la、該透光單元加及該導(dǎo)電單元Ca。此外，該半導(dǎo)體發(fā)光單元Ia具有一設(shè)置于該發(fā)光本體IOa底端的反射層12a。再 者，本發(fā)明可增加發(fā)光效率的白色發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)更進(jìn)一步包括一成形于該基板單 元Ia上的聚焦透鏡5a，以用于覆蓋該熒光單元如。因此，該發(fā)光區(qū)域Aa所產(chǎn)生的朝下光 束Lla (例如藍(lán)光)能通過該反射層12a的反射而轉(zhuǎn)換為朝上光束L2a，并且該些光束L2a 進(jìn)入該透光層20a'以產(chǎn)生光束L3a ；然后，該些光束L3a穿過該熒光單元如而激發(fā)出白光 光束L4a ；最后，該些白色光束Ma可穿過該聚焦透鏡fe而產(chǎn)生聚焦的白色光束L5a。另外，由于該半導(dǎo)體發(fā)光單元Ia的折射率(例如折射率為2. 5)大于該透光單元 2a的折射率(例如折射率為1. 7)，并且該透光單元加的折射率(例如折射率為1. 7)高于 該熒光單元如的折射率(例如折射率為1. 4)。因為光束可以輕易地從折射率較大的介質(zhì) 傳送到折射率較小的介質(zhì)，所以該半導(dǎo)體發(fā)光單元Ia所產(chǎn)生的光束能夠有效地投射出去， 以達(dá)到增加發(fā)光效率的目的。藉此，因為該半導(dǎo)體發(fā)光單元la、該透光單元加及該熒光單 元如的折射率都不相同，所以該半導(dǎo)體發(fā)光單元Ia所產(chǎn)生的光線有效率地依序穿過該透 光單元加及該熒光單元如，進(jìn)而提高白色光源的發(fā)光效率。請參閱圖3所示，本發(fā)明第二實施例提供一種可增加發(fā)光效率的白色發(fā)光二極管 封裝結(jié)構(gòu)，其包括一半導(dǎo)體發(fā)光單元lb、一熒光單元2b、一基板單元北、一熒光單元4b、一 聚焦透鏡恥及一導(dǎo)電單元Cb。由圖3可知，該半導(dǎo)體發(fā)光單元Ib的底部省略反射層。因 此，該發(fā)光區(qū)域Ab所產(chǎn)生的朝下光束Lib (例如藍(lán)光)能通過該基板單元北的反射而轉(zhuǎn) 換為朝上光束L2b，并且該些光束L2b進(jìn)入該透光層20b‘以產(chǎn)生光束L3b ；然后，該些光束 L3b穿過該熒光單元4b而激發(fā)出白光光束L4b ；最后，該些白色光束L4b可穿過該聚焦透鏡 5b而產(chǎn)生聚焦的白色光束L5b。但是，本發(fā)明的所有范圍應(yīng)以下述的權(quán)利要求為準(zhǔn)，凡是符合本發(fā)明的權(quán)利要求 的精神及其類似變化的實施例，都應(yīng)包含于本發(fā)明的范疇中，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在本發(fā) 明的領(lǐng)域內(nèi)，可輕易思及的變化或修飾均被涵蓋于本案的專利范圍。
權(quán)利要求
1.一種可增加發(fā)光效率的白色發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括一基板單元；一半導(dǎo)體發(fā)光單元，其成形于該基板單元上，其中該半導(dǎo)體發(fā)光單元具有一發(fā)光本體、 一成形于該發(fā)光本體上的正極導(dǎo)電層、及一成形于該發(fā)光本體上的負(fù)極導(dǎo)電層；一透光單元，其具有一成形在該半導(dǎo)體發(fā)光單元上的透光層及至少兩個用于露出該正 極導(dǎo)電層的一部分上表面及該負(fù)極導(dǎo)電層的一部分上表面的缺口；一導(dǎo)電單元，其具有至少兩條導(dǎo)線，其中上述至少兩條導(dǎo)線分別穿過上述兩個缺口，以 分別電性連接于該正極導(dǎo)電層與該基板單元之間及電性連接于該負(fù)極導(dǎo)電層與該基板單 元之間；以及一熒光單元，其成形于該基板單元上，以覆蓋該半導(dǎo)體發(fā)光單元、該透光單元及該導(dǎo)電 單元；其中該半導(dǎo)體發(fā)光單元、該透光單元及該熒光單元的折射率都不相同，從而該半導(dǎo)體 發(fā)光單元所產(chǎn)生的光線依序穿過該透光單元及該熒光單元。
2.如權(quán)利要求1所述的可增加發(fā)光效率的白色發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該 基板單元具有一基板本體、一形成于該基板本體上表面的正極導(dǎo)電焊墊、及一形成于該基 板本體上表面的負(fù)極導(dǎo)電焊墊。
3.如權(quán)利要求2所述的可增加發(fā)光效率的白色發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于上 述至少兩條導(dǎo)線分別電性連接于該正極導(dǎo)電層與該正極導(dǎo)電焊墊之間及電性連接于該負(fù) 極導(dǎo)電層與該負(fù)極導(dǎo)電焊墊之間。
4.如權(quán)利要求1所述的可增加發(fā)光效率的白色發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該 半導(dǎo)體發(fā)光單元具有一成形于該發(fā)光本體內(nèi)的發(fā)光區(qū)域。
5.如權(quán)利要求4所述的可增加發(fā)光效率的白色發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該 半導(dǎo)體發(fā)光單元具有一設(shè)置于該發(fā)光本體底端的反射層，以使得該發(fā)光區(qū)域所產(chǎn)生的朝下 光束通過該反射層的反射而轉(zhuǎn)換為朝上光束。
6.如權(quán)利要求1所述的可增加發(fā)光效率的白色發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該 發(fā)光本體具有一氧化鋁基板、一成形于該氧化鋁基板上的氮化鎵負(fù)電極層、及一成形于該 氮化鎵負(fù)電極層上的氮化鎵正電極層，此外該正極導(dǎo)電層成形于該氮化鎵正電極層上，該 負(fù)極導(dǎo)電層成形于該氮化鎵負(fù)電極層上。
7.如權(quán)利要求1所述的可增加發(fā)光效率的白色發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該 半導(dǎo)體發(fā)光單元的折射率大于該透光單元的折射率，并且該透光單元的折射率高于該熒光 單元的折射率。
8.如權(quán)利要求1所述的可增加發(fā)光效率的白色發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該 透光單元為一折射率介于1. 6 2. 4之間的絕緣透光層，該絕緣透光層為金屬氧化物薄膜 或透光高分子薄膜，并且該熒光單元的折射率低于該透光單元并且高于1。
9.如權(quán)利要求1所述的可增加發(fā)光效率的白色發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該 熒光層為由硅膠與熒光粉所混合形成的熒光膠體或由環(huán)氧樹脂與熒光粉所混合形成的熒 光膠體。
10.如權(quán)利要求1所述的可增加發(fā)光效率的白色發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，更 進(jìn)一步包括一設(shè)置于該基板單元上的聚焦透鏡，以用于覆蓋該熒光單元。
11.一種可增加發(fā)光效率的白色發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括下 列步驟提供一半導(dǎo)體發(fā)光單元，其具有一發(fā)光本體、一成形于該發(fā)光本體上的正極導(dǎo)電層及 一成形于該發(fā)光本體上的負(fù)極導(dǎo)電層；形成一透光層于該半導(dǎo)體發(fā)光單元上；形成至少兩個穿透該透光層的缺口，以用于露出該正極導(dǎo)電層的一部分上表面及該負(fù) 極導(dǎo)電層的一部分上表面；將該半導(dǎo)體發(fā)光單元電性地設(shè)置于一基板單元上；將至少兩條導(dǎo)線分別穿過上述兩個缺口，以分別電性連接于該正極導(dǎo)電層與該基板單 元之間及電性連接于該負(fù)極導(dǎo)電層與該基板單元之間；以及形成一熒光單元于該基板單元上，以覆蓋該半導(dǎo)體發(fā)光單元、該透光層及上述至少兩 條導(dǎo)線。
12.如權(quán)利要求11所述的可增加發(fā)光效率的白色發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其 中該基板單元具有一基板本體、一形成于該基板本體上表面的正極導(dǎo)電焊墊、及一形成于 該基板本體上表面的負(fù)極導(dǎo)電輝墊。
13.如權(quán)利要求12所述的可增加發(fā)光效率的白色發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其 特征在于上述至少兩條導(dǎo)線分別電性連接于該正極導(dǎo)電層與該正極導(dǎo)電焊墊之間及電性 連接于該負(fù)極導(dǎo)電層與該負(fù)極導(dǎo)電焊墊之間。
14.如權(quán)利要求11所述的可增加發(fā)光效率的白色發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其 特征在于該半導(dǎo)體發(fā)光單元具有一成形于該發(fā)光本體內(nèi)的發(fā)光區(qū)域。
15.如權(quán)利要求14所述的可增加發(fā)光效率的白色發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其 特征在于該半導(dǎo)體發(fā)光單元具有一設(shè)置于該發(fā)光本體底端的反射層，以使得該發(fā)光區(qū)域 所產(chǎn)生的朝下光束通過該反射層的反射而轉(zhuǎn)換為朝上光束。
16.如權(quán)利要求11所述的可增加發(fā)光效率的白色發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其 特征在于該發(fā)光本體具有一氧化鋁基板、一成形于該氧化鋁基板上的氮化鎵負(fù)電極層、及 一成形于該氮化鎵負(fù)電極層上的氮化鎵正電極層，此外該正極導(dǎo)電層成形于該氮化鎵正電 極層上，該負(fù)極導(dǎo)電層成形于該氮化鎵負(fù)電極層上。
17.如權(quán)利要求11所述的可增加發(fā)光效率的白色發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其 特征在于該半導(dǎo)體發(fā)光單元的折射率大于該透光單元的折射率，并且該透光單元的折射 率高于該熒光單元的折射率。
18.如權(quán)利要求11所述的可增加發(fā)光效率的白色發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其 特征在于該透光單元為折射率介于1. 6 2. 4之間的絕緣透光層，該絕緣透光層為金屬氧 化物薄膜或透光高分子薄膜，并且該熒光單元的折射率低于該透光單元并且高于1。
19.如權(quán)利要求11所述的可增加發(fā)光效率的白色發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其 特征在于該熒光層由硅膠與熒光粉所混合形成的熒光膠體或由環(huán)氧樹脂與熒光粉所混合 形成的熒光膠體。
20.如權(quán)利要求11所述的可增加發(fā)光效率的白色發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其 特征在于，更進(jìn)一步包括將一聚焦透鏡設(shè)置于該基板單元上，以用于覆蓋該熒光單元。
全文摘要
一種白色發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其包括一基板單元、一半導(dǎo)體發(fā)光單元、一透光單元、一導(dǎo)電單元、及一熒光單元。半導(dǎo)體發(fā)光單元成形于基板單元上，半導(dǎo)體發(fā)光單元具有一發(fā)光本體及兩個成形于發(fā)光本體上的正、負(fù)極導(dǎo)電層。透光單元具有一成形在半導(dǎo)體發(fā)光單元上的透光層及至少兩個用于露出正極導(dǎo)電層的一部分上表面及負(fù)極導(dǎo)電層的一部分上表面的缺口。導(dǎo)電單元具有兩條導(dǎo)線，其分別穿過上述兩個缺口，以分別電性連接于正極導(dǎo)電層與基板單元之間及電性連接于負(fù)極導(dǎo)電層與基板單元之間。熒光單元成形于基板單元上，以覆蓋半導(dǎo)體發(fā)光單元、透光單元及導(dǎo)電單元。本發(fā)明的技術(shù)方案可有效地增加已封裝的發(fā)光芯片的發(fā)光效率。
文檔編號H01L33/50GK102136540SQ20101000285
公開日2011年7月27日 申請日期2010年1月21日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月21日
發(fā)明者莊峰輝, 汪秉龍, 蕭松益 申請人:宏齊科技股份有限公司