專(zhuān)利名稱(chēng)：有機(jī)電致發(fā)光器件和顯示單元的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在陽(yáng)極和陰極之間設(shè)有包含發(fā)光層的有機(jī)層的有機(jī)電致發(fā)光器件以 及包括這種有機(jī)電致發(fā)光器件的顯示單元。
背景技術(shù)：
利用了有機(jī)材料的電致發(fā)光(EL)現(xiàn)象的有機(jī)電致發(fā)光器件(所謂的有機(jī)EL器 件)具有層疊結(jié)構(gòu)，在該層疊結(jié)構(gòu)中，有機(jī)層設(shè)在陽(yáng)極和陰極之間，該有機(jī)層中的有機(jī)空穴 輸運(yùn)層、有機(jī)發(fā)光層等相互層疊起來(lái)。作為能夠通過(guò)低電壓直流驅(qū)動(dòng)來(lái)進(jìn)行高強(qiáng)度發(fā)光的 發(fā)光器件，有機(jī)電致發(fā)光器件已經(jīng)弓I起人們的關(guān)注。 圖16示出了上述有機(jī)電致發(fā)光器件中的頂部出射型有機(jī)電致發(fā)光器件的截面結(jié) 構(gòu)示例。有機(jī)電致發(fā)光器件101的結(jié)構(gòu)是光反射性陽(yáng)極103、有機(jī)層104和透光性陰極105 按此次序在具有例如薄膜晶體管(TFT)等驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)基板102上層疊起來(lái)。例如，有 機(jī)層104的結(jié)構(gòu)是空穴輸運(yùn)層104A、發(fā)光層104B和電子輸運(yùn)層104C從陽(yáng)極103側(cè)依次
層疊起來(lái)。 因此，使得所發(fā)出的光能夠從包括驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)基板102的相對(duì)側(cè)(陰極105 側(cè))出射。因此，這種結(jié)構(gòu)有利于提高發(fā)光部的開(kāi)口率。由于開(kāi)口率的提高，因而即使當(dāng)施 加到有機(jī)電致發(fā)光器件的電流密度保持較低時(shí)，仍能獲得足夠的發(fā)光亮度。因此，可改善壽 命特性。 于是，在有機(jī)電致發(fā)光器件101中，設(shè)置在驅(qū)動(dòng)基板102側(cè)上的陽(yáng)極103被用作反 射電極，陰極105被用作透明或半透明電極。為了讓所發(fā)出的光從陰極105側(cè)有效地出射， 陽(yáng)極103應(yīng)當(dāng)由具有高反射率的材料制成。 作為構(gòu)成這種陽(yáng)極103的材料，例如在日本專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)公報(bào)No. 2003-77681和 日本專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)公報(bào)No. 2003-234193中所述的那樣，已經(jīng)提出了可以使用銀(Ag)或包 含銀的合金。另外，例如在日本專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)公報(bào)No. 2003-234193中所述的那樣，還提出 了可以使用包含銅(Cu)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)或鉑(Pt)作為輔助金屬的鋁(Al)合金。 此外，例如在日本專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)公報(bào)No. 2006-79836中所述的那樣，還提出了可以使用以 功函數(shù)比鋁的功函數(shù)更小的元素(例如釹(Nd))作為輔助金屬的鋁合金。
在使用鋁(Al)合金作為陽(yáng)極的情況下，為了彌補(bǔ)耐熱性和凸起電阻(hillock resistance)，可以采用鋁以外的包含例如稀土元素(Nd)或高熔點(diǎn)金屬等的材料。上述高 熔點(diǎn)金屬的示例包括鉭(Ta)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、鎢(W)或硅(Si)。特別是更適合采用的是 包含Al和Nd的AlNd基合金、AlTa基合金、AlNi基合金(例如，AlCNi合金)或AlSi基合
4金。 在驅(qū)動(dòng)包括有機(jī)電致發(fā)光器件的顯示單元時(shí)，存在著顯示部的中心處的亮度降低 的缺點(diǎn)。因此，作為用于克服此缺點(diǎn)的解決方案，在某些情況下形成有輔助配線。鑒于上述 原因，這種輔助配線要求是低電阻材料，所以鋁比鋁合金更合乎需要。然而，為了實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)化 工藝步驟和降低成本，要求在形成陽(yáng)極時(shí)讓輔助配線與陽(yáng)極在同一層中(在同一工藝步驟 中)形成。 鋁合金的電阻比鋁的電阻高。因而，必須增大輔助配線的膜厚，以便減小由具有相
同配線寬度的鋁合金形成的輔助配線的電阻。此外，在增大輔助配線的膜厚的情況下，在同
一工藝步驟中形成的陽(yáng)極的膜厚也相應(yīng)的增大；然而，在陽(yáng)極的膜厚增大的情況下，陽(yáng)極表 面的粗糙度劣化。結(jié)果，反射率(發(fā)光效率)、可靠性等都會(huì)降低。 也就是說(shuō)，與使用鋁單質(zhì)的情況相比，在鋁合金被用作陽(yáng)極時(shí)具有以下優(yōu)點(diǎn)即， 獲得了優(yōu)良的耐熱性和凸起電阻，此外，可獲得與使用鋁單質(zhì)時(shí)的情況相等的高反射率。同 時(shí)，與使用鋁單質(zhì)的情況相比，也存在著電阻高的缺點(diǎn)。因此，當(dāng)為了實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)化工藝步驟和 降低成本而在同一工藝步驟中形成陽(yáng)極和輔助配線時(shí)，難以實(shí)現(xiàn)高發(fā)光效率和高可靠性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明期望提供一種能夠以廉價(jià)的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)高發(fā)光效率和高可靠性的有機(jī)電致 發(fā)光器件，以及包括這種有機(jī)電致發(fā)光器件的顯示單元。 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案，提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，所述有機(jī)電致發(fā)光器件 包括在陽(yáng)極和陰極之間且具有發(fā)光層的有機(jī)層。此外，所述陽(yáng)極具有包括第一層和第二層 的層疊結(jié)構(gòu)，所述第一層由鋁(Al)或包含鋁作為主要成分的合金構(gòu)成，所述第二層設(shè)置在 所述第一層和所述有機(jī)層之間且由包含鋁作為主要成分的合金構(gòu)成。所述第一層的電阻低 于所述第二層的電阻。 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案，提供了 一種包括前述有機(jī)電致發(fā)光器件的顯示單元。
對(duì)于本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件和顯示單元的實(shí)施方案，在具有層疊結(jié)構(gòu)的陽(yáng)極 中，由包含鋁作為主要成分的合金構(gòu)成的第二層設(shè)置在包括發(fā)光層的有機(jī)層側(cè)。因此，從發(fā) 光層發(fā)出的光以高反射率反射。此外，把由鋁(Al)或包含鋁作為主要成分的合金構(gòu)成的、 且電阻比第二層的電阻低的第一層設(shè)置在上述第二層的與有機(jī)層相對(duì)的這一側(cè)上。因此， 例如，即使陽(yáng)極與輔助配線形成在同一層時(shí)，仍可以將整個(gè)陽(yáng)極的膜厚保持為較小，從而降 低了陽(yáng)極表面的凹凸不平。 根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件和顯示單元的實(shí)施方案，由于陽(yáng)極具有包括前述 第一層和前述第二層的層疊結(jié)構(gòu)，因而從發(fā)光層發(fā)出的光能夠以高反射率反射。此外，例 如，即使陽(yáng)極與輔助配線形成在同一層時(shí)，也能降低陽(yáng)極表面的凹凸不平。因此，能夠以廉 價(jià)結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)高發(fā)光效率和高可靠性。 本發(fā)明的其它及更多目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將在下文中更清楚地描述。


圖1是示出了本發(fā)明實(shí)施方案的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)的截面圖。
圖2是示出了上述實(shí)施方案改進(jìn)例的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)的截面圖。
圖3是示出了包括圖1所示有機(jī)電致發(fā)光器件的顯示單元的結(jié)構(gòu)示例的截面圖。 圖4A和圖4B是用于說(shuō)明對(duì)保護(hù)層的電腐蝕的截面示意圖。 圖5是示出了在本發(fā)明實(shí)施例和對(duì)比例的有機(jī)電致發(fā)光器件中的特性數(shù)據(jù)的表。 圖6是示出了在本發(fā)明實(shí)施例和對(duì)比例的有機(jī)電致發(fā)光器件中的驅(qū)動(dòng)時(shí)間和相 對(duì)亮度之間關(guān)系的特性圖。 圖7是示出了圖6的被放大部分的特性圖。 圖8是示出了包括上述實(shí)施方案的顯示單元的模塊的示意結(jié)構(gòu)的平面圖。 圖9是示出了圖8所示模塊中的顯示單元的驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)的平面圖。 圖10是示出了圖9所示像素驅(qū)動(dòng)電路的示例的等效電路圖。 圖11是示出了上述實(shí)施方案的顯示單元的第一應(yīng)用例的外觀的立體圖。 圖12A和圖12B是示出了上述實(shí)施方案的顯示單元的第二應(yīng)用例的外觀的立體圖。 圖13是示出了上述實(shí)施方案的顯示單元的第三應(yīng)用例的外觀的立體圖。 圖14是示出了上述實(shí)施方案的顯示單元的第四應(yīng)用例的外觀的立體圖。 圖15A至圖15G是上述實(shí)施方案的顯示單元的第五應(yīng)用例的外觀的立體圖。 圖16是用于說(shuō)明現(xiàn)有的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)的截面圖。
具體實(shí)施例方式
下面參照附圖按照以下順序詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方案 1.第一實(shí)施方案(有機(jī)電致發(fā)光器件的陽(yáng)極具有三層結(jié)構(gòu)的示例)改進(jìn)例(有機(jī) 電致發(fā)光器件的陽(yáng)極具有兩層結(jié)構(gòu)的示例)
實(shí)施例 2.模塊和電子裝置的應(yīng)用例
1.第一實(shí)施方案 有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示例(頂部出射型的示例) 圖1示出了本發(fā)明實(shí)施方案的有機(jī)電致發(fā)光器件(有機(jī)電致發(fā)光器件4)的截面 結(jié)構(gòu)。有機(jī)電致發(fā)光器件(有機(jī)EL器件)4例如用于諸如彩色顯示器等顯示單元中。有機(jī) 電致發(fā)光器件4例如包括在基板40上依次層疊起來(lái)的陽(yáng)極41、包括發(fā)光層53的有機(jī)層50 以及陰極61。下面說(shuō)明從發(fā)光層53發(fā)出的光(以下稱(chēng)為所發(fā)出的光)從陰極61側(cè)出射的 頂部出射型有機(jī)電致發(fā)光器件的情況。 基板40例如由諸如玻璃、硅基板或膜狀撓性基板等透明基板構(gòu)成。
陽(yáng)極41 陽(yáng)極41具有第一陽(yáng)極層41A(第一層)、作為中間層的保護(hù)層41B、第二陽(yáng)極層 41C(第二層)從基板40側(cè)依次層疊起來(lái)的三層結(jié)構(gòu)。優(yōu)選的是，所形成的陽(yáng)極41能夠反 射可見(jiàn)光(發(fā)光層53所發(fā)出的光)的基本全波長(zhǎng)成分。 第一陽(yáng)極層41A由鋁(Al)或包含鋁作為主要成分的合金制成。特別地，第一陽(yáng)極 層41A更優(yōu)選由鋁制成。第一陽(yáng)極層41A的電阻低于隨后說(shuō)明的第二陽(yáng)極層41C的電阻。
第二陽(yáng)極層41C由包含鋁作為主要成分的合金制成。第二陽(yáng)極層41C合金的輔助 成分優(yōu)選含有至少一種具有比該合金的主要成分的功函數(shù)小的功函數(shù)的元素，因?yàn)檫@種元
6素具有高反射率且價(jià)格相對(duì)低廉。上述合金的這種輔助成分的示例包括選自下組中的至少 一種作為稀土元素的釹(Nd)或者作為高熔點(diǎn)金屬的鉭(Ta)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、鎢(W)、硅 (Si)。此外，輔助成分的濃度優(yōu)選是10wt^以下，因?yàn)檫@樣就可獲得良好的反射率，并且電 導(dǎo)率變高，且與基板40的附著特性變高。此外，在這種情況下，在制造有機(jī)電致發(fā)光器件4 時(shí)，反射率被良好且穩(wěn)定地保持著，因此可獲得高加工精度和化學(xué)穩(wěn)定性。利用這種結(jié)構(gòu)， 與前述的第一陽(yáng)極層41A相比，第二陽(yáng)極層41C具有更優(yōu)良的熱穩(wěn)定性和凸起電阻，并且第 二陽(yáng)極層41C具有與前述的第一陽(yáng)極層41A的反射率幾乎相等的高反射率。換句話說(shuō)，在 第二陽(yáng)極層41C中，熱穩(wěn)定性和凸起電阻高于第一陽(yáng)極層41A的熱穩(wěn)定性和凸起電阻，并且 第二陽(yáng)極層41C具有幾乎與第一陽(yáng)極層41A相等的高反射率。 保護(hù)層41B是在成膜過(guò)程中起到阻斷熱應(yīng)力作用的中間層。因此，可以防止形成 凸起，并可以提高耐熱性。這種保護(hù)層41B由鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉻(Cr)或鎳(Ni)構(gòu)成，或 者由包含上述這些元素作為主要成分的合金構(gòu)成。
改講例 例如，在如圖2所示的有機(jī)電致發(fā)光器件5的陽(yáng)極41-1中，不必要設(shè)置保護(hù)層 41B。也就是說(shuō)，陽(yáng)極41-1具有第一陽(yáng)極層41A和第二陽(yáng)極層41C從基板40側(cè)依次層疊起 來(lái)的兩層結(jié)構(gòu)。
有機(jī)層50 有機(jī)層50具有空穴注入層51、空穴輸運(yùn)層52、發(fā)光層53和電子輸運(yùn)層54從陽(yáng)極 41側(cè)依次層疊起來(lái)的層疊結(jié)構(gòu)。 空穴注入層51用來(lái)將陽(yáng)極41中產(chǎn)生的空穴有效地注入到空穴輸運(yùn)層52中?？昭?注入層51例如由4，4' ，4〃 -三(3-甲基苯基-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)或4，4'， 4〃 -三(2-萘基苯基氨基)三苯胺((2-TNATA)構(gòu)成。具體地，空穴注入層51可包含下式
l所示的化合物。
式1 在上述式1中，Rl R6各自獨(dú)立地代表氫；鹵素；羥基；氨基；芳氨基；具有20 個(gè)以下碳原子的取代或未取代的羰基；具有20個(gè)以下碳原子的取代或未取代的羰酯基；具 有20個(gè)以下碳原子的取代或未取代的烷基；具有20個(gè)以下碳原子的取代或未取代的鏈烯 基；具有20個(gè)以下碳原子的取代或未取代的烷氧基；具有30個(gè)以下碳原子的取代或未取 代的芳基；具有30個(gè)以下碳原子的取代或未取代的雜環(huán)基；或者選自氰基、硝基、異氰基、 甲硅烷基之一的取代基。相鄰的Rm(m為1 6)能夠通過(guò)環(huán)狀結(jié)構(gòu)相互結(jié)合。XI X6各 自獨(dú)立地代表碳原子或氮原子。 空穴輸運(yùn)層52用來(lái)提高空穴注入效率。該空穴輸運(yùn)層52例如由4，4'-雙(N-l-萘基-N-苯基氨基)聯(lián)苯(a -NPD)構(gòu)成。 通過(guò)施加電場(chǎng)，從陽(yáng)極41側(cè)注入的部分空穴和從陰極61側(cè)注入的部分電子之間 發(fā)生電子_空穴復(fù)合，由此使發(fā)光層53發(fā)光。發(fā)光層53含有諸如苯乙烯胺衍生物、芳胺衍 生物、茈衍生物、香豆素衍生物、吡喃基染料或三苯胺衍生物等有機(jī)材料。
電子輸運(yùn)層54用來(lái)提高向發(fā)光層53的電子注入效率。該電子輸運(yùn)層54例如由 8-羥基喹啉鋁(Alq3)制成。 還可在陰極61與有機(jī)層50中的電子輸運(yùn)層54之間設(shè)置有用于提高電子注入效 率的電子注入層(未示出)。該電子注入層的材料示例包括堿金屬氧化物、堿金屬氟化物、 堿土金屬氧化物和堿土氟化物，例如Li20、 Cs20、 LiF、 CaF2等。
陰極61 陰極61是用來(lái)施加電場(chǎng)到發(fā)光層53的電極之一。陰極61由透光性材料(具有 對(duì)從發(fā)光層53發(fā)出的光的透光性的材料)制成。因此，發(fā)光層53所發(fā)出的光和被陽(yáng)極41 的表面反射的所發(fā)出的光通過(guò)陰極61出射到外部。在陰極61中，在發(fā)光層53側(cè)形成有由 功函數(shù)較小的材料制成的層。在陰極61中，第一陰極層61A和第二陰極層61B從發(fā)光層53 側(cè)依次層疊。 第一陰極層61A由透光性良好、功函數(shù)較小且能夠有效地將電子注入到電子輸運(yùn) 層54的材料制成。這種材料的示例包括堿金屬氧化物、堿金屬氟化物、堿土金屬氧化物和 堿土氟化物，例如Li20、 Cs20、 LiF、 CaF2等。 此外，第二陰極層61B由諸如薄膜MgAg電極材料或Ca電極材料等具有透光性和 良好電導(dǎo)率的材料制成。此外，特別地，在有機(jī)電致發(fā)光器件4具有讓所發(fā)出的光在陽(yáng)極41 和陰極61之間共振然后出射的腔結(jié)構(gòu)的情況下，第二陰極層61B可由厚度為10nm的諸如 Mg-Ag(9 : 1)等半透明反射材料制成。 根據(jù)需要，陰極61可具有把作為密封電極的第三陰極層(未示出)層疊在第二陰 極層61B上的結(jié)構(gòu)，該密封電極用于防止電極劣化。 陰極61的各層(第一陰極層61A、第二陰極層61B以及在需要時(shí)設(shè)有的第三陰極 層)的形成方法的示例包括真空蒸發(fā)法、濺射法和等離子體CVD(化學(xué)氣相沉積)法。
有機(jī)電致發(fā)光器件的制造方法的示例
前述的有機(jī)電致發(fā)光器件4例如可按如下方法制造。 首先，通過(guò)蒸發(fā)法或?yàn)R射法等方法將由前述材料制成的陽(yáng)極41形成在基板40上； 隨后，在陽(yáng)極41上形成有機(jī)層50。此時(shí)，首先通過(guò)諸如旋涂法等濕式工藝把由前述材料制 成的空穴注入層51形成在陽(yáng)極41上；隨后，通過(guò)諸如真空蒸發(fā)法等氣相法把各自由前述材 料制成的空穴輸運(yùn)層52、發(fā)光層53和電子輸運(yùn)層54按此順序?qū)盈B在空穴注入層51上。由 此，形成了有機(jī)層50。最后，通過(guò)蒸發(fā)法等把第一陰極層61A和第二陰極層61B按此順序?qū)?疊在電子輸運(yùn)層54上，從而形成陰極61 。由此，制成了圖1所示的有機(jī)電致發(fā)光器件4 。
在本例中，是通過(guò)例如真空蒸發(fā)法等氣相法來(lái)形成有機(jī)層50中的空穴輸運(yùn)層52、 發(fā)光層53和電子輸運(yùn)層54。然而，也可以通過(guò)濕式工藝來(lái)形成這些層。
顯示單元的結(jié)構(gòu)示例 隨后，參照?qǐng)D3、圖4A和圖4B，對(duì)包括前述有機(jī)電致發(fā)光器件4的顯示單元(有機(jī) EL顯示單元)的示例進(jìn)行說(shuō)明。圖3示出了這種顯示單元1的截面結(jié)構(gòu)。
8
顯示單元1適合用作薄型有機(jī)EL顯示器，并且是對(duì)以矩陣形態(tài)布置的多個(gè)像素 分別驅(qū)動(dòng)以進(jìn)行顯示的有源矩陣型顯示單元。在顯示單元1中，用于構(gòu)成紅(R)、綠(G)和 藍(lán)(B)各像素的前述有機(jī)電致發(fā)光器件4(有機(jī)EL顯示器件10)整體上以矩陣形態(tài)依次設(shè) 置在例如由玻璃等制成的驅(qū)動(dòng)側(cè)基板10上。也就是說(shuō)，作為R像素的有機(jī)電致發(fā)光器件 4R(有機(jī)EL器件10R)、作為G像素的有機(jī)電致發(fā)光器件4G(有機(jī)EL器件10G)和作為B像 素的有機(jī)電致發(fā)光器件4B(有機(jī)EL器件10B)在整體上以矩陣形態(tài)依次設(shè)置著。此外，在 驅(qū)動(dòng)側(cè)基板10之上，形成有包括用于驅(qū)動(dòng)前述有機(jī)EL器件IOR、 10G和10B的TFT 11的像 素驅(qū)動(dòng)電路(稍后詳細(xì)說(shuō)明)和平坦化層12。前述的有機(jī)EL器件10R、10G和10B設(shè)置在 平坦化層12上。驅(qū)動(dòng)側(cè)基板10之上的有機(jī)EL器件IOR、 10G和10B被密封側(cè)基板20隔著 保護(hù)膜30和粘合層31密封住。 TFT11是通過(guò)有源矩陣法來(lái)驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL器件IOR、 IOG、 10B的驅(qū)動(dòng)元件，可以是底 柵型或頂柵型。TFT 11的柵極連接到掃描線驅(qū)動(dòng)電路。TFT 11的源極和漏極(未示出) 連接到配線層IIB，且例如由氧化硅或磷硅酸鹽玻璃(Phospho-Silicate Glass,PSG)構(gòu)成 的層間絕緣膜IIA介于二者之間。配線層IIB例如通過(guò)由鋁(Al)單質(zhì)或鋁合金構(gòu)成的單 層膜、鈦(Ti)/鋁層疊膜或者鈦/鋁/鈦三層膜來(lái)制成。平坦化層12形成在TFT11、層間絕 緣膜IIA及布線層IIB上面。 平坦化層12用來(lái)使形成有TFT11的驅(qū)動(dòng)側(cè)基板10的表面平坦化，并使得均勻地 形成有機(jī)EL器件10R、10G和IOB各層的膜厚。平坦化層12由絕緣材料制成。作為這種絕 緣材料，例如，可使用諸如聚酰亞胺樹(shù)脂、丙烯酸樹(shù)脂或酚醛樹(shù)脂等有機(jī)材料，或者可使用 諸如氧化硅(Si02)等無(wú)機(jī)材料。在平坦化層12中為每個(gè)像素都設(shè)有接觸孔12a。第一電 極13(陽(yáng)極41)被埋入到接觸孔12a中，因此保證了與前述配線層11B的電連接。
在有機(jī)EL器件10R、10G和10B中，例如，將第一電極13(陽(yáng)極41)和輔助配線14 布置在平坦化層12上；然后，像素間絕緣膜15、包括前述發(fā)光層53的有機(jī)層16 (有機(jī)層50) 以及第二電極(陰極61)按此順序?qū)盈B在第一電極13(陽(yáng)極41)及輔助配線14上。如前 所述，有機(jī)層16和第二電極18作為各像素共有的層設(shè)置在所有像素上。
對(duì)應(yīng)于各像素的第一電極13布置在平坦化層12上。 輔助配線14可以抑制第二電極18中的電壓降。輔助配線14與第一電極13電絕 緣，但輔助配線14與第二電極18電連接。例如，輔助配線14被布置在平坦化層12上與第 一電極13鄰近的區(qū)域中。同時(shí)，設(shè)置在輔助配線14上的像素間絕緣膜15和有機(jī)層16中 設(shè)有向下穿透像素間絕緣膜15和有機(jī)層16直至達(dá)到輔助配線14的接觸孔16A。通過(guò)接 觸孔16A，輔助配線14與第二電極18電連接。這種輔助配線14被布置在像素之間的像素 間區(qū)域中，并被布置在圍繞著以矩陣形態(tài)布置的所有像素區(qū)域(即，顯示區(qū)域)的外圍區(qū)域 中。 在本實(shí)施方案中，輔助配線14由與第一電極13(陽(yáng)極41)相同的材料制成。因此， 由于輔助配線14與第一電極13(陽(yáng)極41)由相同的材料制成，所以輔助配線14和第一電 極13能夠在同一步驟中圖形化地形成，這使得步驟數(shù)目減少。因而，能夠?qū)崿F(xiàn)簡(jiǎn)單的工藝 和較低的成本并獲得簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)。 此外，在這種情況下，例如，如圖4A所示，輔助配線14中的保護(hù)層41B的側(cè)面更優(yōu) 選被像素間絕緣膜15覆蓋。因此，具體地，在用鉬作為保護(hù)層41B的情況下，可避免陽(yáng)極41和輔助配線14的電腐蝕，因而能夠防止第二陽(yáng)極層41C的反射率降低。也就是說(shuō)，在相反 的情況下，如圖4B所示，在輔助配線14中的保護(hù)層41B的側(cè)面暴露出來(lái)的情況下，在陽(yáng)極 41和輔助配線14中會(huì)產(chǎn)生電腐蝕，因而第二陽(yáng)極層41C的反射率會(huì)降低。
像素間絕緣膜15分別用于使第一電極13與第二電極18電絕緣以及使第一電極 13與輔助配線14電絕緣。該像素間絕緣膜15例如由諸如氧化硅(Si02)和聚酰亞胺等絕 緣材料制成。像素間絕緣膜15中設(shè)有與第一電極13對(duì)應(yīng)的孔15A和與輔助配線14對(duì)應(yīng) 的孔15B。在孔15A中，有機(jī)層16和第二電極18按此順序?qū)盈B；在孔15B中，埋入有第二 電極18。也就是說(shuō)，在有機(jī)EL器件10R、10G和10B中與孔15A對(duì)應(yīng)的區(qū)域成為發(fā)光區(qū)域。 孔15B起到作為前述接觸孔16A的一部分的作用。 有機(jī)層16形成得覆蓋住像素間絕緣膜15的側(cè)面和頂面并且覆蓋住通過(guò)孔15A而 暴露出來(lái)的第一電極13的頂面。然而，有機(jī)層16在像素間絕緣膜15的孔15B正上方的部 分附近是隔離開(kāi)的，并且構(gòu)成接觸孔16A的一部分。 保護(hù)膜30由透明的電介質(zhì)體制成。保護(hù)膜30例如由氧化硅(Si02)或氮化硅(SiN) 等構(gòu)成。粘合層31例如由熱固化樹(shù)脂或紫外線固化樹(shù)脂等制成。 密封側(cè)基板20用于將有機(jī)EL器件IOR、 10G和10B與粘合層31密封在一起。該 密封側(cè)基板20由對(duì)于有機(jī)EL器件IOR、 10G和10B中生成的光(所發(fā)出的光LR、LG和LB) 呈透明性的諸如玻璃等材料制成。密封側(cè)基板20設(shè)有分別與有機(jī)EL器件10R、10G和10B 的排列對(duì)應(yīng)的紅色光濾光片、綠色光濾光片和藍(lán)色光濾光片(未示出)。因此，分別在有機(jī) EL器件10R、10G和10B中產(chǎn)生的白光作為三原色光出射出來(lái)，被每一層反射的外部光被吸 收掉，并且對(duì)比度得到了改善。上述各顏色濾光片可設(shè)置在驅(qū)動(dòng)側(cè)基板10上。此外，在各 顏色濾光片之間可設(shè)置有黑矩陣。
有機(jī)電致發(fā)光器件的作用和效果 隨后，說(shuō)明本實(shí)施方案的有機(jī)電致發(fā)光器件4的作用和效果。 在有機(jī)電致發(fā)光器件4中，當(dāng)電壓施加在陽(yáng)極41和陰極61之間且電場(chǎng)施加到有 機(jī)層50上時(shí)，來(lái)自陽(yáng)極41的空穴從空穴注入層51有效地注入到空穴輸運(yùn)層52 ;空穴輸運(yùn) 層52將注入過(guò)來(lái)的空穴有效地輸運(yùn)到發(fā)光層。同時(shí)，來(lái)自陰極61的電子通過(guò)電子輸運(yùn)層 54有效地輸運(yùn)到發(fā)光層53。從陽(yáng)極41側(cè)移動(dòng)過(guò)來(lái)的空穴和從陰極61側(cè)移動(dòng)過(guò)來(lái)的電子 在發(fā)光層53中復(fù)合，因此發(fā)出光。發(fā)光層53所發(fā)出的光和被陽(yáng)極41的表面反射的該所發(fā) 出的光通過(guò)陰極61透射并出射。 在這種情況下，在由層疊結(jié)構(gòu)構(gòu)成的陽(yáng)極41中，用以鋁作為主要成分的合金制成 的第二陽(yáng)極層41C被設(shè)置在包括發(fā)光層53的有機(jī)層50側(cè)，因此發(fā)光層53所發(fā)出的光以高 反射率被反射。此外，由鋁構(gòu)成的或包含鋁作為主要成分的并且具有比第二陽(yáng)極層41C的 電阻更低的電阻的第一陽(yáng)極層41A設(shè)置在第二陽(yáng)極層41C的與有機(jī)層53相對(duì)的側(cè)上。因 而，例如，即使陽(yáng)極41與輔助配線14在同一層形成，也可使整個(gè)陽(yáng)極41保持小的膜厚，并 且使陽(yáng)極41表面的凹凸不平(粗糙度)降低。 如上所述，在本實(shí)施方案中，陽(yáng)極41具有包括前述第一陽(yáng)極層41A和前述第二陽(yáng) 極層41C的層疊結(jié)構(gòu)，因而從發(fā)光層53發(fā)出的光能夠以高反射率被反射。此外，例如，即使 陽(yáng)極41與輔助配線14在同一層形成，也能減少陽(yáng)極41表面的凹凸不平。因此，能夠以廉 價(jià)的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)高發(fā)光效率和高可靠性。
此外，在在第一陽(yáng)極層41A和第二陽(yáng)極層41C之間設(shè)置有保護(hù)層41B的情況下，阻 斷了在成膜過(guò)程中的熱應(yīng)力，能夠防止形成凸起(hillock)，并且能夠提高耐熱性。
實(shí)施例 下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例。
實(shí)施例1 4 圖l所示的有機(jī)電致發(fā)光器件4(或圖2所示的有機(jī)電致發(fā)光器件5)通過(guò)以下工 序制造出來(lái)。在各實(shí)施例和后述的對(duì)比例中，作為陽(yáng)極41 (或陽(yáng)極41-1)，使用了圖5所示 的材料和層疊結(jié)構(gòu)。 首先，將陽(yáng)極41或陽(yáng)極41-1形成在尺寸為25mmX25mm且由玻璃制成的基板40上。 在實(shí)施例1中，形成了具有兩層結(jié)構(gòu)的陽(yáng)極41-1，該兩層結(jié)構(gòu)包括含有鑭系元素 釹(Nd)的鋁合金層。具體地，如圖5所示，陽(yáng)極41-1由作為第一陽(yáng)極層41A(下層)的A1 層(膜厚150nm)和作為第二陽(yáng)極層41C(上層)的Al-Nd層(膜厚100nm)構(gòu)成。
此外，在實(shí)施例2和3中，形成了具有三層結(jié)構(gòu)的陽(yáng)極41，該三層結(jié)構(gòu)包括含有鑭 系元素釹(Nd)的鋁合金層。具體地，如圖5所示，作為保護(hù)層41B(中間層)的鉬(Mo)被 插入到作為第一陽(yáng)極層41A(下層)的A1層(膜厚150nm)和作為第二陽(yáng)極層41C(上層) 的Al-Nd層(膜厚100nm)之間。保護(hù)層41B的膜厚在實(shí)施例2中是50nm，在實(shí)施例3中 是25nm。 此外，在實(shí)施例4中，形成了具有三層結(jié)構(gòu)的陽(yáng)極41，該三層結(jié)構(gòu)包括含有鑭系元 素釹(Nd)的鋁合金層。具體地，如圖5所示，作為保護(hù)層41B(中間層)的鉬(Mo)被插入 到作為第一陽(yáng)極層41A(下層)的A1層(膜厚150nm)和作為第二陽(yáng)極層41C(上層)的 Al-Nd層(膜厚80nm)之間。保護(hù)層41B的膜厚是50nm。 接著，使用具有上述實(shí)施例1 4所形成結(jié)構(gòu)的陽(yáng)極41或陽(yáng)極41-1，制成了有機(jī) 電致發(fā)光器件的單元，在該單元中，除了尺寸為2mmX2mm的發(fā)光區(qū)域以外的其他部分被聚 酰亞胺膜所形成的絕緣膜(未示出)掩蓋著。 之后，在各個(gè)實(shí)施例的陽(yáng)極41和陽(yáng)極41-1上形成空穴注入層51。此時(shí)，如圖5所 示，蒸發(fā)及沉積下式2所示的材料(蒸發(fā)率0. 2至0. 4nm/sec)，形成具有8nm膜厚的空穴 注入層51。
<formula>formula see original document page 11</formula> 接著，在空穴注入層51上形成由空穴輸運(yùn)層52、發(fā)光層53和電子輸運(yùn)層54層疊 起來(lái)而得到的有機(jī)層50 ;之后，在有機(jī)層50上形成具有兩層結(jié)構(gòu)的陰極61。具體地，作為 第一陰極層61A，通過(guò)真空蒸發(fā)法形成具有大約0. 3nm膜厚的LiF ;然后，作為第二陰極層 61B，通過(guò)真空蒸發(fā)法形成具有9nm膜厚的MgAg。由此，完成了圖1和圖2所示的有機(jī)電致 發(fā)光器件4和有機(jī)電致發(fā)光器件5的制作。
對(duì)比例1和對(duì)比例2
在對(duì)比例1和2中，按照類(lèi)似于實(shí)施例1 4制作有機(jī)電致發(fā)光器件4和5的方 法，制作出具有用于代替陽(yáng)極41或41-1的鋁合金單層陽(yáng)極的有機(jī)電致發(fā)光器件。
評(píng)價(jià)結(jié)果1 對(duì)于按照上述工序制造的實(shí)施例1 4及對(duì)比例1和2的有機(jī)電致發(fā)光器件，對(duì) 它們各自的發(fā)光效率進(jìn)行測(cè)量。測(cè)量結(jié)果列于圖5中。圖5中的各個(gè)發(fā)光效率(cd/A)是 在電流密度為10mA/cm2的情況下測(cè)得的值。 從前述的結(jié)果可以確定的是，在如實(shí)施例1 4所示陽(yáng)極具有由Al和Al合金構(gòu) 成的兩層結(jié)構(gòu)的情況和陽(yáng)極具有把Mo作為中間層(保護(hù)層)夾在中間的三層結(jié)構(gòu)的情況 下，都能獲得與對(duì)比例1和2中由Al合金構(gòu)成的單層結(jié)構(gòu)的發(fā)光效率相等的發(fā)光效率。
此外可確定的是，由于該陽(yáng)極對(duì)450nm或650nm波長(zhǎng)的光的反射率是85%以上的 高反射率值，因此發(fā)光層53中所發(fā)出的光有效地出射到外部。
評(píng)價(jià)結(jié)果2 對(duì)于實(shí)施例1 4及對(duì)比例1和2的有機(jī)電致發(fā)光器件，測(cè)量它們各自的驅(qū)動(dòng)時(shí) 間和相對(duì)亮度之間的關(guān)系。測(cè)量結(jié)果也列于圖5的"可靠性"一列中，并在圖6和圖7(圖6 中由符號(hào)P3表示的部分的放大圖)中進(jìn)行圖示說(shuō)明。有機(jī)電致發(fā)光器件的可靠性表示在 電流密度為90mA/cm2的狀態(tài)下經(jīng)過(guò)600小時(shí)后的相對(duì)亮度。 從前述結(jié)果可以確定的是，在如實(shí)施例1 4所示陽(yáng)極具有由Al和Al合金構(gòu)成 的兩層結(jié)構(gòu)和陽(yáng)極具有把Mo作為中間層(保護(hù)層)夾在中間的三層結(jié)構(gòu)的兩種情況下，都 能獲得優(yōu)勝于對(duì)比例2中的Al合金(膜厚500nm)的可靠性。 此外，如圖6和圖7所示，可確定的是與實(shí)施例1、3和4相比，實(shí)施例2的可靠性 特別高。 評(píng)價(jià)結(jié)果3 實(shí)施例1 4及對(duì)比例1和2中的陽(yáng)極各自的方塊電阻是通過(guò)四端子法測(cè)量的。 該測(cè)量結(jié)果在圖5中的"方塊電阻"這一列示出。在實(shí)施例1 4的所有層疊結(jié)構(gòu)中，方塊 電阻為0.2Q / 口以下。因此，可確定的是，在陽(yáng)極具有層疊結(jié)構(gòu)的情況，即使膜厚小于A1 合金(對(duì)比例2)的500nm，仍可獲得與Al合金(對(duì)比例2)相等的低電阻。
根據(jù)評(píng)價(jià)結(jié)果1 3，在陽(yáng)極具有由低電阻的純鋁和具有優(yōu)良的熱穩(wěn)定性和凸起 電阻且具有高反射率的鋁合金構(gòu)成的層疊結(jié)構(gòu)的情況下，可以減小膜厚但也能獲得低電阻 以及高發(fā)光效率。此外，由于膜厚減小，因此陽(yáng)極表面的凹凸不平減小，并提高了可靠性。因 而，使用簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)就能實(shí)現(xiàn)高發(fā)光效率和高可靠性。
2.模塊和電子裝置的應(yīng)用例 以下將說(shuō)明包括在前述實(shí)施方案和前述實(shí)施例中描述的有機(jī)電致發(fā)光器件4的 顯示單元1的模塊以及電子裝置的應(yīng)用例。 顯示單元1適用于例如電視機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、筆記本電腦、諸如移動(dòng)電話等便攜式終 端裝置、攝像機(jī)等任何領(lǐng)域的電子裝置。即，顯示單元1適合于用于把從外部輸入的視頻信 號(hào)或在內(nèi)部產(chǎn)生的視頻信號(hào)顯示成圖像或視頻的任何領(lǐng)域中的電子裝置。
顯示單元1作為例如圖8所示的模塊被裝配在諸如下文所述的第一至第五應(yīng)用例 等各種電子裝置。在該模塊中，例如在驅(qū)動(dòng)側(cè)基板10的側(cè)邊設(shè)置有從密封側(cè)基板20露出來(lái)的區(qū)域210，通過(guò)信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路120和掃描線驅(qū)動(dòng)電路130的延長(zhǎng)線在該露出來(lái)的區(qū)域 210中形成外部連接端子(未示出)。該外部連接端子可設(shè)有用于輸入和輸出信號(hào)的撓性 印刷電路(FPC)220。 在驅(qū)動(dòng)側(cè)基板10中，例如，如圖9所示，形成有顯示區(qū)域110以及作為用于顯示視 頻的驅(qū)動(dòng)器的信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路120和掃描線驅(qū)動(dòng)電路130。在顯示區(qū)域110中，形成有像 素驅(qū)動(dòng)電路140。在顯示區(qū)域110中，有機(jī)EL器件10R、10G和10B整體上以矩陣形態(tài)布置著。 如圖10所示，在低于第一電極13的層中形成有像素驅(qū)動(dòng)電路140。像素驅(qū)動(dòng)電路 140包括驅(qū)動(dòng)晶體管Trl、寫(xiě)晶體管Tr2以及在驅(qū)動(dòng)晶體管Trl和寫(xiě)晶體管Tr2之間的電容 器(保持電容)Cs。此外，像素驅(qū)動(dòng)電路140具有在第一電力線(Vcc)和第二電力線(GND; 地)之間與驅(qū)動(dòng)晶體管Trl串聯(lián)起來(lái)的有機(jī)EL器件10R(或10G，10B)。也就是說(shuō)，該像素驅(qū) 動(dòng)電路140是有源驅(qū)動(dòng)電路。驅(qū)動(dòng)晶體管Trl和寫(xiě)晶體管Tr2由普通的薄膜晶體管(TFT) 構(gòu)成。它們二者的結(jié)構(gòu)沒(méi)有被特別限制，例如可以是逆錯(cuò)列結(jié)構(gòu)(所謂的底柵型)或錯(cuò)列 結(jié)構(gòu)(頂柵型)。 在像素驅(qū)動(dòng)電路140中，有多條信號(hào)線120A在列方向上布置著，并有多條掃描線 130A在行方向上布置著。每條信號(hào)線120A和每條掃描線130A之間的每個(gè)交叉部對(duì)應(yīng)于有 機(jī)EL器件10R、10G和IOB(亞像素)之一。每條信號(hào)線120A都與信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路120連 接。圖像信號(hào)通過(guò)信號(hào)線120A從信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路120提供給寫(xiě)晶體管Tr2的源極。每條 掃描線130A都連接到掃描線驅(qū)動(dòng)電路130。掃描信號(hào)通過(guò)掃描線130A從掃描線驅(qū)動(dòng)電路 130依次提供給寫(xiě)晶體管Tr2的柵極。
第一應(yīng)用例 圖11示出了應(yīng)用了前述實(shí)施方案等的顯示單元1的電視機(jī)的外觀。該電視機(jī)例 如具有包括前面板310和濾光玻璃320的圖像顯示屏部300。
第二應(yīng)用例 圖12A和12B示出了應(yīng)用了前述實(shí)施方案等的顯示單元1的數(shù)碼相機(jī)的外觀。該 數(shù)碼相機(jī)例如具有用于閃光的發(fā)光部410、顯示部420、菜單開(kāi)關(guān)430和快門(mén)按鈕440。
第三應(yīng)用例 圖13示出了應(yīng)用了前述實(shí)施方案等的顯示單元1的筆記本電腦的外觀。該筆記 本電腦例如具有主體510、用于進(jìn)行字符等的輸入操作的鍵盤(pán)520和用于顯示圖像的顯示 部530。 第四應(yīng)用例 圖14示出了應(yīng)用了前述實(shí)施方案等的顯示單元1的攝像機(jī)的外觀。該攝像機(jī)例 如具有主體610、設(shè)置在主體610的前側(cè)面且用于拍攝被攝對(duì)象的鏡頭620、拍攝開(kāi)始/停 止開(kāi)關(guān)630和顯示部640。
第五應(yīng)用例 圖15A至15G示出了應(yīng)用了前述實(shí)施方案等的顯示單元1的移動(dòng)電話的外觀。在 該移動(dòng)電話中，例如，上部殼體710和下部殼體720通過(guò)接合部(鉸鏈部)730相互接合。該 移動(dòng)電話設(shè)有顯示器740、副顯示器750、圖片燈760和照相機(jī)770。 盡管參照前述的實(shí)施方案、實(shí)施例和應(yīng)用例已經(jīng)說(shuō)明了本發(fā)明，但本發(fā)明不限于前述的實(shí)施方案等，并可進(jìn)行各種改進(jìn)。 例如，在前述實(shí)施方案等中，已經(jīng)說(shuō)明了第一陽(yáng)極層41A由鋁單質(zhì)構(gòu)成的情況。然 而，如果第一陽(yáng)極層41A具有比第二陽(yáng)極層41C更低的電阻，則包含鋁作為主要成分的合金 可用作第一陽(yáng)極層41A。 此外，在前述的實(shí)施方案等中，已經(jīng)主要說(shuō)明了構(gòu)成有機(jī)層50的空穴注入層51、 空穴輸運(yùn)層52、發(fā)光層53和電子輸運(yùn)層54分別由單層形成的情況，然而，各層也可由多層 形成。 此外，各層的材料、厚度、成膜方法、成膜條件等不限于在前述實(shí)施方案等中說(shuō)明 的那些，也可采用其它的材料、厚度、成膜方法和成膜條件。 此外，在前述的實(shí)施方案等中，已經(jīng)說(shuō)明了頂部出射型有機(jī)電致發(fā)光器件，然而， 本發(fā)明也可應(yīng)用于底部出射型有機(jī)電致發(fā)光器件。在這種情況下，基板由透明材料制成，并 且陽(yáng)極、有機(jī)層和陰極按照與前述實(shí)施方案相同的方式依次層疊在該透明基板上。然而，在 這種情況下，作為反射電極的陰極具有如前述實(shí)施方案中所說(shuō)明的陽(yáng)極那樣的層疊結(jié)構(gòu)， 而陽(yáng)極是透明電極。具體地，在這種情況下的陰極中，例如，第二陰極層(與第二陽(yáng)極層41C 對(duì)應(yīng)的層)和第一陰極層(與第一陽(yáng)極層41A對(duì)應(yīng)的層)從有機(jī)層側(cè)依次層疊。可替換地， 第一陰極層(與第一陽(yáng)極層41A對(duì)應(yīng)的層)和第二陰極層(與第二陽(yáng)極層41C對(duì)應(yīng)的層) 從有機(jī)層側(cè)依次層疊。此外，根據(jù)需要，可以在第一陰極層和第二陰極層之間形成有保護(hù)層 (中間層)。在具有上述結(jié)構(gòu)的底部出射型有機(jī)電致發(fā)光器件中，所得到的效果與前述實(shí)施 方案的效果類(lèi)似。 此外，在前述的實(shí)施方案等中，已經(jīng)說(shuō)明了包括有三層(紅光發(fā)光層、綠光發(fā)光層 和藍(lán)光發(fā)光層)來(lái)作為有機(jī)層50的發(fā)光層53的情況；但用于發(fā)射白光的發(fā)光層的結(jié)構(gòu)不 限于此。也就是說(shuō)，可采用兩種互補(bǔ)顏色的兩個(gè)發(fā)光層的結(jié)構(gòu)，例如橙光發(fā)光層和藍(lán)光發(fā)光 層的結(jié)合，藍(lán)綠光發(fā)光層和紅光發(fā)光層的結(jié)合，等等。此外，在前述的實(shí)施方案中，已經(jīng)說(shuō)明 了將三層在厚度方向上層疊起來(lái)的情況。但是，各顏色發(fā)光層可以通過(guò)與R、 G和B各像素 對(duì)應(yīng)地旋涂每個(gè)像素來(lái)獨(dú)立地形成。 此外，在前述的實(shí)施方案等中已經(jīng)描述了有源矩陣型顯示單元。然而，本發(fā)明可應(yīng) 用于無(wú)源型顯示單元。 本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解的是，依據(jù)設(shè)計(jì)要求和其他因素，可在本發(fā)明所附的權(quán) 利要求或其等同物的范圍內(nèi)進(jìn)行各種修改、組合、次組合及改變。
權(quán)利要求
一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其包括有機(jī)層，所述有機(jī)層在陽(yáng)極和陰極之間，所述有機(jī)層包括發(fā)光層，其中，所述陽(yáng)極具有包括第一層和第二層的層疊結(jié)構(gòu)，所述第一層由鋁或包含鋁作為主要成分的合金構(gòu)成，所述第二層設(shè)置在所述第一層和所述有機(jī)層之間并由包含鋁作為主要成分的合金構(gòu)成，并且所述第一層的電阻低于所述第二層的電阻。
2. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其中所述陽(yáng)極具有在所述第一層和所述第 二層之間的保護(hù)層。
3. 如權(quán)利要求2所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其中所述保護(hù)層由鉬、鈦、鉻或鎳構(gòu)成，或 者由包含上述這些元素作為主要成分的合金構(gòu)成。
4. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其中所述第二層具有比所述第一層的熱穩(wěn) 定性更高的熱穩(wěn)定性和比所述第一層的凸起電阻更高的凸起電阻。
5. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其中所述第二層的合金的輔助成分包含至 少一種具有比該合金的主要成分的功函數(shù)小的功函數(shù)的元素。
6. 如權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其中所述第二層的合金的輔助成分包含 釹、鉭、鈦、鎳、鎢、硅中的至少一種元素。
7. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其中所述陽(yáng)極、所述有機(jī)層和所述陰極向 上依次層疊，并且所述陰極由具有對(duì)從所述發(fā)光層發(fā)出的光的透光性的材料制成。
8. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，所述有機(jī)層中與 所述陽(yáng)極接觸的層含有下式1所示的化合物這里，Rl R6各自獨(dú)立地代表氫、鹵素、羥基、氨基、芳氨基、具有20個(gè)以下碳原子的 取代或未取代的羰基、具有20個(gè)以下碳原子的取代或未取代的羰酯基、具有20個(gè)以下碳原 子的取代或未取代的烷基、具有20個(gè)以下碳原子的取代或未取代的鏈烯基、具有20個(gè)以下 碳原子的取代或未取代的烷氧基、具有30個(gè)以下碳原子的取代或未取代的芳基、具有30個(gè) 以下碳原子的取代或未取代的雜環(huán)基，或者代表選自氰基、硝基、異氰基、甲硅烷基之一的 取代基；m為1 6的相鄰Rm能夠通過(guò)環(huán)狀結(jié)構(gòu)相互結(jié)合；以及XI X6各自獨(dú)立地代表 碳原子或氮原子。
9. 一種顯示單元，其包括有機(jī)電致發(fā)光器件，所述有機(jī)電致發(fā)光器件包括有機(jī)層，所述 有機(jī)層在陽(yáng)極和陰極之間，所述有機(jī)層包括發(fā)光層，其中，所述陽(yáng)極具有包括第一層和第二層的層疊結(jié)構(gòu)，所述第一層由鋁或包含鋁作為 主要成分的合金構(gòu)成，所述第二層設(shè)置在所述第一層和所述有機(jī)層之間并由包含鋁作為主 要成分的合金構(gòu)成，并且所述第一層的電阻低于所述第二層的電阻。
10. 如權(quán)利要求9所述的顯示單元，其中所述陽(yáng)極具有在所述第一層和所述第二層之 間的保護(hù)層。
11. 如權(quán)利要求9所述的顯示單元，其中所述保護(hù)層由鉬、鈦、鉻或鎳構(gòu)成，或者由包含 上述這些元素作為主要成分的合金構(gòu)成。
12. 如權(quán)利要求9所述的顯示單元，其中所述第二層具有比所述第一層的熱穩(wěn)定性更 高的熱穩(wěn)定性和比所述第一層的凸起電阻更高的凸起電阻。
13. 如權(quán)利要求9所述的顯示單元，其中所述第二層的合金的輔助成分包含至少一種 具有比該合金的主要成分的功函數(shù)小的功函數(shù)的元素。
14. 如權(quán)利要求9所述的顯示單元，其中所述第二層的合金的輔助成分包含釹、鉭、鈦、 鎳、鎢、硅中的至少一種元素。
15. 如權(quán)利要求9所述的顯示單元，其中所述陽(yáng)極、所述有機(jī)層和所述陰極向上依次層 疊，并且所述陰極由具有對(duì)從所述發(fā)光層發(fā)出的光的透光性的材料制成。
16. 如權(quán)利要求9所述的顯示單元，其中，所述有機(jī)層中與所述陽(yáng)極接觸的層包含下式 1所示的化合物這里，Rl R6各自獨(dú)立地代表氫、鹵素、羥基、氨基、芳氨基、具有20個(gè)以下碳原子的 取代或未取代的羰基、具有20個(gè)以下碳原子的取代或未取代的羰酯基、具有20個(gè)以下碳原 子的取代或未取代的烷基、具有20個(gè)以下碳原子的取代或未取代的鏈烯基、具有20個(gè)以下 碳原子的取代或未取代的烷氧基、具有30個(gè)以下碳原子的取代或未取代的芳基、具有30個(gè) 以下碳原子的取代或未取代的雜環(huán)基，或者代表選自氰基、硝基、異氰基、甲硅烷基之一的 取代基；m為1 6的相鄰Rm能夠通過(guò)環(huán)狀結(jié)構(gòu)相互結(jié)合；以及XI X6各自獨(dú)立地代表 碳原子或氮原子。
全文摘要
本發(fā)明提供了有機(jī)電致發(fā)光器件和顯示單元，所述有機(jī)電致發(fā)光器件能夠以廉價(jià)的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)高發(fā)光效率和高可靠性。所述有機(jī)電致發(fā)光器件包括有機(jī)層，所述有機(jī)層在陽(yáng)極和陰極之間，所述有機(jī)層包括發(fā)光層。所述陽(yáng)極具有包括第一層和第二層的層疊結(jié)構(gòu)，上述第一層由鋁或包含鋁作為主要成分的合金構(gòu)成，上述第二層設(shè)置在第一層和有機(jī)層之間并由包含鋁作為主要成分的合金構(gòu)成，并且第一層的電阻低于第二層的電阻。在本發(fā)明中，由于陽(yáng)極具有包括第一層和第二層的層疊結(jié)構(gòu)，因而從發(fā)光層發(fā)出的光能夠以高反射率反射。此外，即使陽(yáng)極與輔助配線在同一層形成，也能降低陽(yáng)極表面的凹凸不平。因此，能夠以廉價(jià)結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)高發(fā)光效率和高可靠性。
文檔編號(hào)H01L51/54GK101789494SQ20101000106
公開(kāi)日2010年7月28日 申請(qǐng)日期2010年1月21日 優(yōu)先權(quán)日2009年1月22日
發(fā)明者吉崎誠(chéng), 山田弘和 申請(qǐng)人:索尼公司