專利名稱：用于制造光電子器件的方法、光電子器件以及帶有多個光電子器件的器件布置的制作方法
用于制造光電子器件的方法、光電子器件以及帶有多個光
電子器件的器件布置本發(fā)明涉及一種用于制造光電子器件的方法，該光電子器件帶有半導(dǎo)體層，其在工作中產(chǎn)生有源區(qū)，以及帶有銅層，作為支承襯底，其設(shè)置在半導(dǎo)體層上。本發(fā)明此外涉及一種借助這種方法制造的光電子器件和多個這種光電子器件的布置。觀察到的是，在制造包括銅襯底(其尤其是用作散熱器以及用于機(jī)械穩(wěn)定)的光電子器件時，產(chǎn)生大量的不能工作的器件的次品，尤其是當(dāng)光電子器件是發(fā)光二極管或者激光二極管時。因此，本發(fā)明的任務(wù)是，提出一種方法，借助其得到更少的不能工作的光電子器件的次品。該任務(wù)通過根據(jù)獨(dú)立權(quán)利要求的制造方法以及器件或者器件布置來解決。從屬權(quán)利要求給出了另外的實(shí)施形式以及方法變形方案。根據(jù)本發(fā)明的用于制造光電子器件的方法包括以下方法步驟提供帶有設(shè)置于其上的半導(dǎo)體層的生長襯底(用于產(chǎn)生在工作中活性的區(qū)域)作為方法步驟A)，在方法步驟B)中施加分離結(jié)構(gòu)到半導(dǎo)體層上，以及在半導(dǎo)體層上將多個銅層施加到通過分離結(jié)構(gòu)形成邊界的區(qū)域中。作為另外的方法步驟，該方法包括去除分離結(jié)構(gòu)作為方法步驟D)以及施加保護(hù)層至少到銅層的橫向面上。最后，該方法包括在方法步驟F)中施加輔助襯底在銅層上，在方法步驟G)中去除生長襯底(使得暴露半導(dǎo)體層的表面)，以及將半導(dǎo)體層、銅層和輔助襯底構(gòu)成的復(fù)合結(jié)構(gòu)分割為彼此分離的器件，其于是在方法步驟H)中分別具有(在通常恰好一個)銅層。在此要指出的是，術(shù)語“器件”不僅意味著完成的器件例如發(fā)光二極管(LED)或者激光二極管，而且也意味著襯底和/或半導(dǎo)體層，使得例如銅層和半導(dǎo)體層的復(fù)合結(jié)構(gòu)已經(jīng)是器件并且可以形成上級的第二器件的組成部分，其中例如附加地存在電端子。根據(jù)本發(fā)明的光電子器件例如可以是薄膜半導(dǎo)體芯片，尤其是薄膜發(fā)光二極管芯片。光電子器件例如可以是薄膜發(fā)光二極管芯片。薄膜發(fā)光二極管芯片的特征在于以下典型特征的至少之一-在產(chǎn)生輻射的半導(dǎo)體層序列的朝向支承元件的主面上、尤其是朝向支承襯底的主面上(其尤其是產(chǎn)生輻射的外延層序列)施加或者構(gòu)建有反射層，其至少將半導(dǎo)體層序列中產(chǎn)生的電磁輻射的一部分向該半導(dǎo)體層序列中回反射；-薄膜發(fā)光二極管芯片具有支承元件，其不是生長襯底，在該生長襯底上外延生長了半導(dǎo)體層序列，而是分離的支承元件，其事后固定在半導(dǎo)體層序列上；-半導(dǎo)體層序列具有在20μ m或者更小的范圍中的、尤其是在10 μ m或者更小的范圍中的厚度；-半導(dǎo)體層序列沒有生長襯底，在此“沒有生長襯底”意味著，必要時用于生長的生長襯底被從半導(dǎo)體層序列去除或者至少被強(qiáng)烈薄化。其尤其是被薄化為使得其本身或者與外延層序列一同單獨(dú)地不是自由支承的。強(qiáng)烈薄化的生長襯底的殘留物尤其是不適于生長襯底的功能；以及-半導(dǎo)體層序列包含至少一個帶有至少一個面的半導(dǎo)體層，該面具有充分混合結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)在理想情況下導(dǎo)致光在半導(dǎo)體層序列中的近似各態(tài)歷經(jīng)的分布，也就是說，其具有盡可能各態(tài)歷經(jīng)的隨機(jī)散射特性。薄膜發(fā)光二極管芯片的一個基本原理例如在出版物I. Schnitzer等人的Appl. Phys. Lett. 63 (16)，1993年10月18日，第2174-2176頁進(jìn)行了描述，其公開內(nèi)容就此而言通過引用結(jié)合于此。薄膜發(fā)光二極管芯片的例子在出版物EP 0905797A2和WO 02/13281A1 中進(jìn)行了描述，其公開內(nèi)容同樣通過引用結(jié)合于此。如其在本發(fā)明的范圍中所使用的術(shù)語“層”可以表示單個層或者多個層構(gòu)成的層序列。尤其是，半導(dǎo)體層可以是多個層的層序列(例如P摻雜和η摻雜的半導(dǎo)體層的序列)。 必要時所包含的鏡層也可以由兩個層或者多個層構(gòu)成的序列構(gòu)成。所有其他在本發(fā)明的范圍中提及的層通常由恰好一個層構(gòu)成，只要沒有另外說明。層或者元件設(shè)置或者施加在另外的層或者另外的元件“上”或者“之上”在此和在下文中可以意味著，所述層或者所述元件直接地機(jī)械接觸和/或電接觸地設(shè)置在另外的層或者另外的元件上。此外，也可以意味著，所述層或者所述元件間接地設(shè)置在另外的層或者另外的元件上或者之上。在此，于是另外的層和/或元件可以設(shè)置在所述層和所述另外的層之間或者所述元件和所述另外的元件之間。層或者元件設(shè)置或者施加在兩個另外的層或者元件“之間”在此和在下文中可以意味著，所述層或者所述元件直接地機(jī)械接觸和/或電接觸或者間接接觸所述兩個另外的層或者元件之一，并且直接地機(jī)械接觸和/或電接觸或者間接接觸所述兩個另外的層或者元件中的另一個。在此，間接接觸的情況下，于是另外的層和/或元件可以設(shè)置在所述層和所述兩個另外的層至少之一之間，或者在所述元件和所述兩個另外的元件至少之一之間。根據(jù)本發(fā)明，“分離結(jié)構(gòu)”理解為一種結(jié)構(gòu)元件，其施加在另一層上，以便保證在該層上可以并排施加多個另外的(彼此分離的)層。分離結(jié)構(gòu)的目的因此尤其是在半導(dǎo)體層上施加彼此分離的、彼此不直接連接的銅層。此外，分離結(jié)構(gòu)理解為由一種材料構(gòu)成的結(jié)構(gòu)，其一旦滿足其目的之后又可以被去除(例如化學(xué)地去除)，而并不損害鄰接的層。根據(jù)本發(fā)明的方法借助步驟Α)至H)始終實(shí)施為使得這些步驟以所說明的順序被歷經(jīng)。在此，首先提供生長襯底，在其上通常首先施加η摻雜的半導(dǎo)體層，并且隨后施加ρ 摻雜的半導(dǎo)體層。在該(例如由前述子層組成的)半導(dǎo)體層上隨后施加分離結(jié)構(gòu)，使得可以并排地施加多個銅層。在該步驟中，由此進(jìn)行將生長襯底連同設(shè)置于其上的半導(dǎo)體層分割為以后(在分割之后)形成單個器件的區(qū)域，這些器件于是分別恰好包含一個在方法步驟C)中產(chǎn)生的銅層。在施加銅層之后，分離結(jié)構(gòu)被去除并且接著銅層的橫向面設(shè)置有保護(hù)層。保護(hù)層在此可以完全覆蓋銅層，然而通常僅僅覆蓋銅層的橫向面被覆蓋，并且基本上與半導(dǎo)體層平行延伸的銅層的面僅僅部分地或者完全不被保護(hù)層覆蓋。然而，當(dāng)至少平行于半導(dǎo)體層延伸的保護(hù)層的部分保證導(dǎo)電性時，完全覆蓋銅層是可能的。在各銅層之間的面也可以被保護(hù)層覆蓋(即事先通過分離結(jié)構(gòu)覆蓋的面)。在此，“橫向”的面是并不與生長襯底(和半導(dǎo)體層)的表面平行的面，而是尤其基本上在其上垂直。尤其是，橫向的面具有如下取向，其對應(yīng)于事先施加的分離結(jié)構(gòu)；銅層的橫向的面于是尤其是事先借助分離結(jié)構(gòu)形成共同的界面的面。在方法步驟Ε)之后的方法步驟F)中將輔助襯底施加到銅層上；這例如可以借助澆注材料(例如粘合材料)以存在的層復(fù)合結(jié)構(gòu)來進(jìn)行，該填充材料填充通過事先施加的分離結(jié)構(gòu)形成的溝槽。輔助襯底也可以直接設(shè)置在銅層(或者必要時完全施加在銅層上的保護(hù)層)上；可以整面地直接設(shè)置在保護(hù)層上以及必要時設(shè)置在銅層上或者也直接地僅僅設(shè)置在基本上平行于半導(dǎo)體層的(必要時設(shè)置有保護(hù)層的)銅層的表面區(qū)域上。在步驟G) 和H)中最后去除生長襯底(輔助襯底現(xiàn)在保證足夠的機(jī)械保持性)并且直到該方法步驟而得到的層復(fù)合結(jié)構(gòu)可以被分割。在此，分割通常在完成工藝流程之后進(jìn)行；這可以通過以分離Pn結(jié)和/通過施加電接觸部限定臺地區(qū)域來進(jìn)行。根據(jù)本發(fā)明的方法提供的優(yōu)點(diǎn)是，借助其得到明顯更少比例的不能工作的或者工作能力差的器件。根據(jù)本發(fā)明認(rèn)識到的是，通過施加保護(hù)層在銅層上，更確切地說，尤其是在以后并未被另外的對于器件的功能重要的層覆蓋的面上，可以明顯減少在得到的器件中短路的比例，并且通常也可以延長器件的壽命(作為對于光電子器件的功能性主要的層， 根據(jù)本發(fā)明理解為如下層沒有該層的情況下在施加電壓到器件上時并不構(gòu)建有源區(qū)。尤其是，于是作為主要的層舉出如下的層，通過其進(jìn)行載流子的傳輸，即電子和/或空穴的傳輸)。所基于的是，對于短路因此一方面在焊接器件時出現(xiàn)問題(譬如由于其余的對于電連接所需的焊料，其存在于銅層的橫向側(cè)上-即在并未針對焊接而確定的區(qū)域中-并且引起短路)。相應(yīng)地適用的是，替代焊劑而適用對于電連接的導(dǎo)電膠。另一方面所基于的是，保護(hù)層可以防止銅或銅離子的遷移。尤其是在確定的塑料中，例如在熱塑性塑料中(如在銀離子中那樣)基于增強(qiáng)的遷移。遷移于是尤其是在施加電壓時進(jìn)行(其產(chǎn)生電場)，其中銅 (或者銅離子)于是例如從銅載體例如朝著塑料殼體的方向遷移，該塑料殼體用于該器件。 這可以導(dǎo)致在塑料中形成導(dǎo)電路徑，其可以導(dǎo)致故障電流或者電短路。熱塑性塑料(其中可以進(jìn)行這種遷移)例如可以包含在澆注材料中(其用于根據(jù)本發(fā)明的光電子器件)。然而銅遷移也可以不存在塑料時已經(jīng)進(jìn)行。在電場中可能銅離子于是在器件的一部分的表面上遷移。最后，也確定的是，通過保護(hù)層也-根據(jù)所使用的半導(dǎo)體層(或者使用的部分層)_可以延長根據(jù)本發(fā)明的光電子器件的壽命。所基于的是，銅(或者銅離子)的遷移也為此負(fù)責(zé)，其引起半導(dǎo)體層的損壞。根據(jù)本發(fā)明使用的保護(hù)層可以保護(hù)有機(jī)和/或無機(jī)部件或者由有機(jī)和/或無機(jī)部件構(gòu)成。當(dāng)對于保護(hù)層僅僅考慮作為“焊接停止層”或者“導(dǎo)電膠停止層”的功能時，則保護(hù)層可以由無機(jī)材料、尤其是非導(dǎo)電或者僅僅半導(dǎo)電無機(jī)材料構(gòu)成，例如由金屬鹽(譬如金屬氧化物)構(gòu)成或者包含其作為主要組成部分。此外，對于焊接停止功能也可以使用有機(jī)材料(即尤其是焊接停止漆)作為保護(hù)層。這種“焊接停止層”或者“導(dǎo)電膠停止層”于是使得焊劑或者導(dǎo)電膠并不潤濕保護(hù)層或者僅僅在非常小的程度上潤濕，使得可以抑制短路。當(dāng)需要防止銅遷移(例如由于所使用的澆注材料)時，則尤其是考慮無機(jī)材料、尤其是金屬或者金屬鹽(尤其是金屬氧化物)作為保護(hù)層，該無機(jī)材料抑制銅或者銅離子的擴(kuò)散。在特殊情況下，無機(jī)材料(尤其是熱固性塑料)可以防止銅或者銅離子的遷移。通常，通過這種保護(hù)層防止銅遷移于是實(shí)現(xiàn)銅層的氣密的密封，使得銅或者銅離子的遷移通過保護(hù)層被完全抑制。如果焊接停止層以及防止銅遷移都是所希望的，則尤其是包含金屬鹽(尤其是金屬氧化物)或者大多數(shù)情況下由其構(gòu)成的保護(hù)層是合適的。在個別情況中，如上面描述的那樣，熱固性塑料是可能的，其不但防止銅遷移而且也具有焊接停止功能。根據(jù)本發(fā)明的方法不僅提供了借助施加的保護(hù)層實(shí)現(xiàn)的改進(jìn)的所獲得器件的質(zhì)量的優(yōu)點(diǎn)，而且通過方法步驟的順序也可能的是，制造一種器件，其中關(guān)于半導(dǎo)體層系統(tǒng)的具體構(gòu)型方面形成很大程度上的自由度(并且在此尤其是半導(dǎo)體層的背離銅層的主面或者設(shè)置于其上的另外的層，通過其例如發(fā)射了發(fā)射輻射的光電子器件的輻射)。于是，例如可以以任意方式和方法來施加電接觸部到表面上?？梢允┘恿硗獾墓δ軐硬⑶乙部梢栽谑┘鱼~層(或者散熱器)之后確定半導(dǎo)體層(或者通過不同的部分層形成的層序列)的三維構(gòu)型。例如可能的是，構(gòu)建一種半導(dǎo)體層，其截面平行于兩個主面地從朝著銅層的主面(下面也稱為“上主面”)朝著另外的主面減小(在發(fā)射輻射的裝置情況下于是朝著發(fā)射輻射的方向變小-即具有臺地結(jié)構(gòu))。與此相對，其中臺地結(jié)構(gòu)以相反的形式存在的器件(其中于是截面朝著朝向銅層的主面的方向上變小)具有降低的機(jī)械穩(wěn)定性，因?yàn)樯喜恐髅媾c鄰接的面形成銳角。根據(jù)本發(fā)明，基于正的臺地邊緣實(shí)現(xiàn)提高的穩(wěn)定性和斷裂強(qiáng)度。最后，根據(jù)本發(fā)明還具有的優(yōu)點(diǎn)是，借助特別小的數(shù)量的步驟來實(shí)現(xiàn)，其中器件的表面區(qū)域在例如借助光刻膠來施加后繼的層時必須被保護(hù)。光電子器件尤其是可以構(gòu)建為發(fā)光二極管(LED)或者激光二極管，其中半導(dǎo)體層具有帶有有源區(qū)的至少一個有源層，該有源區(qū)適于發(fā)射電磁輻射。半導(dǎo)體芯片可以例如具有pn結(jié)、雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)、單量子阱結(jié)構(gòu)(SQW結(jié)構(gòu))或者多量子阱結(jié)構(gòu)(MQW結(jié)構(gòu))作為有源層中的有源區(qū)。術(shù)語量子阱結(jié)構(gòu)在本申請的范圍中尤其是包括如下結(jié)構(gòu)其中載流子通過限制(“confinement”)而會經(jīng)歷其能量狀態(tài)的量子化。尤其是術(shù)語量子阱結(jié)構(gòu)并不包含關(guān)于量子化維度的說明。由此，其尤其是包含量子槽、量子線和量子點(diǎn)以及這些結(jié)構(gòu)的任意組合。半導(dǎo)體層序列除了帶有有源區(qū)的有源層之外還可以包括其他的功能層和功能區(qū)域，其選自P摻雜和η摻雜的載流子傳輸層，即電子和空穴傳輸層， P摻雜、η摻雜和未摻雜的限制層、覆蓋層和波導(dǎo)層、勢壘層、平坦化層、緩沖層、保護(hù)層和電極以及所述層的組合。半導(dǎo)體層可以構(gòu)建為外延層序列，即構(gòu)建為外延生長的半導(dǎo)體層序列。在此，半導(dǎo)體層序列尤其是可以構(gòu)建為氮化物半導(dǎo)體系統(tǒng)。術(shù)語氮化物半導(dǎo)體系統(tǒng)包括所有氮化物化合物半導(dǎo)體材料。在此，可以涉及由III主族的元素與氮化物的二元、三元和/或四元化合物構(gòu)成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。這種材料的例子是BN、AWaN、GaN、InAlGaN或者其他的III-V化合物。在該意義中，半導(dǎo)體層序列或者半導(dǎo)體芯片可以基于InAKiaN來實(shí)施?；贗nAKiaN的半導(dǎo)體芯片和半導(dǎo)體層序列尤其是包括其中外延制造的半導(dǎo)體層序列通常具有不同單個層構(gòu)成的層序列的半導(dǎo)體芯片和半導(dǎo)體層序列，所述單個層包含至少一個單個層，其具有由III-V化合物半導(dǎo)體材料系統(tǒng)hxAly(iai_x_yN構(gòu)成的材料，其中0彡χ彡1，0彡y彡1并且x+y < 1。具有至少一個基于MGaAlN的有源層的半導(dǎo)體層序列例如可以發(fā)射在紫外至綠色或者黃綠波長范圍中的電磁輻射。此外，半導(dǎo)體層序列例如可以基于MGaAs來實(shí)施?；贛GaAs的半導(dǎo)體芯片和半導(dǎo)體層序列尤其是包括其中外延制造的半導(dǎo)體層序列通常具有不同單個層構(gòu)成的層序列的半導(dǎo)體芯片和半導(dǎo)體層序列，所述單個層包含至少一個單個層，其具有來自AlxGai_xAS的 III-V化合物半導(dǎo)體材料系統(tǒng)的材料，其中0 < χ < 1。具有基于AKiaAs的材料的有源層尤其是可以適于發(fā)射具有在紅色至紅外波長范圍中的一個或者多個頻譜成分的電磁輻射。此外，這種材料可以附加地或者替代于所提及的元素而具有h和/或P。可替選地或者附加地，半導(dǎo)體層序列或者半導(dǎo)體芯片除了或者替代III-V化合物半導(dǎo)體材料系統(tǒng)之外也可以具有II-VI化合物半導(dǎo)體材料系統(tǒng)。所有前面說明的材料可以具有一個或者多個摻雜材料以及附加的組成部分，它們基本上不改變材料的物理特性。在根據(jù)本發(fā)明的方法的步驟C)中施加的銅層可以借助任何用于施加金屬層的方法來施加。尤其是出于經(jīng)濟(jì)的原因，借助電鍍方法(尤其是借助無電流的沉積或者借助陽極氧化)來施加是有意義的。例如，其可以根據(jù)本發(fā)明基于分離結(jié)構(gòu)以“焊接的電鍍沉積” 的形式來進(jìn)行。當(dāng)然，其他用于沉積銅層的方法也是可能的。根據(jù)本發(fā)明的銅層不必是純的銅層，而是也可以包含添加物，借助其能夠?qū)崿F(xiàn)提高的強(qiáng)度、多孔性或者提高的電壓。通常，包含不超過1重量％的添加物，大部分情況下不超過0.5重量％。作為添加物，一方面是鎳添加物(其例如作為中間層引起銅層更好的硬度-和由此提高的機(jī)械負(fù)荷能力，然而要求比前述更高的重量比例，并且在使用電鍍方法時例如必須借助更換電鍍浴來產(chǎn)生)，另一方面是非金屬添加物，例如碳、硫或者磷(其也借助電鍍方法由技術(shù)人員已知的添加物中嵌入到銅層中，其中通常嵌入速率可以通過所選擇的電流密度和溫度來影響。)在根據(jù)本發(fā)明的方法的一個實(shí)施形式中，半導(dǎo)體層在其背離生長襯底的側(cè)上(以下也稱為“下主面”)具有反射層(尤其是鏡層)，借助其可以將光電子器件中產(chǎn)生的輻射朝著輻射出射面偏轉(zhuǎn)。對于鏡層可以使用包括銀作為主要組成部分的材料。鏡層可以通過氣相淀積、濺射或者CVD施加到半導(dǎo)體層上。鏡層也可以通過其他的方法步驟來結(jié)構(gòu)化，而在此并不將半導(dǎo)體層結(jié)構(gòu)化(例如通過濕化學(xué)刻蝕或者等離子體刻蝕)。結(jié)構(gòu)化的鏡層具有的優(yōu)點(diǎn)是，在器件工作時在其中去除鏡層的位置上減少或者完全防止電流饋入。由此，可以有針對性地在如下部位抑制電流饋入其中在半導(dǎo)體層、耦合輸出側(cè)的對置側(cè)上存在遮擋物如印制導(dǎo)線或者接合墊。此外，可以將擴(kuò)散勢壘層施加在鏡層上，其防止包含在鏡層中的銀或者銀離子的擴(kuò)散。這種擴(kuò)散勢壘層例如可以由包括TiWN和/或TiN的材料構(gòu)成，并且例如可以借助濺射、氣相淀積或者CVD來施加。在另一實(shí)施形式中，在步驟A)之后-通常直接在步驟A)之后，然而必要時也在步驟B)之后-施加接觸層到半導(dǎo)體層上。借助這種接觸層一方面可以實(shí)現(xiàn)的是，銅層更好地附著在半導(dǎo)體層(和必要時設(shè)置于其上的鏡層)上。另一方面，接觸層也可以保證進(jìn)行銅層的改善的沉積(由其是在借助電鍍沉積的情況下)。理想地，接觸層將兩個要求統(tǒng)一。尤其適于作為接觸層的是包含金、鈀、錫、銀、鎳或者鉬或者這些元素的合金的層。尤其是，在此由所述元素或者合金構(gòu)成的層是適合的。作為合金例如可以提及金錫合金(例如具有大約65至85重量％的金比例)或者鈀銦合金。在步驟B)之后施加具有的優(yōu)點(diǎn)是，接觸層未被整面地沉積，并且于是可以滿足上述功能，然而在分割器件時沒有形成通過接觸層的切割邊緣。接觸層例如可以直到1 μ m厚，而通常其具有0. 5 μ m或者更小的厚度。為了改進(jìn)的電鍍沉積特性，例如一個或者少量的(例如鈀的)原子層也已經(jīng)可以足夠。接觸層因此也可以具有小于Inm的厚度或者例如在Inm到IOOnm之間的厚度。
接觸層例如可以借助濺射、氣相淀積或者CVD方法或者類似方法來施加。在該實(shí)施形式的一個擴(kuò)展方案中，器件可以在步驟G)之后被退火。通過退火，優(yōu)選地進(jìn)行接觸層和銅層的擴(kuò)散，使得在接觸層和銅層之間的界面上形成“金屬間連接”區(qū)， 并且由此改善了銅層在接觸層以及在半導(dǎo)體層上的附著。退火有意義地在步驟E)之后才開始，因?yàn)榉駝t通過退火工藝(Temperprozess)會進(jìn)行銅層的表面氧化，并且表面的氧化層于是隨后必須被去除。原則上，在步驟C)之后的退火也是可能的。退火優(yōu)選在大約200°C 的溫度下進(jìn)行。由此，實(shí)現(xiàn)了金屬原子的足夠的擴(kuò)散速度。特別良好的擴(kuò)散可以在金或者金合金構(gòu)成的接觸層與銅層之間進(jìn)行。在根據(jù)本發(fā)明的方法的另一實(shí)施形式中，步驟E)-施加保護(hù)層-劃分為兩個子步驟El)和E2)。在此作為方法步驟El)將金屬層至少施加在銅層的橫向表面上；作為方法步驟似)將至少施加在銅層的橫向表面上的金屬層氧化為金屬氧化物層。借助這種方法，例如可以首先將整個暴露的銅層表面以金屬層覆蓋，并且隨后僅僅將銅層的橫向部分表面氧化為金屬氧化物層(或者銅層的部分區(qū)域，其在隨后的方法中未以對于光電子器件的功能性重要的層覆蓋)。在施加金屬層之前，可以是有意義的是，在銅層的暴露的表面上清除在表面上形成的氧化物，并且例如借助等離子體刻蝕來去除?？商孢x地，該去除可以借助合適的濕化學(xué)來進(jìn)行。在子步驟似)中的氧化例如可以在等離子體爐中進(jìn)行。在此形成的金屬氧化物層在此不必形成完整的化學(xué)計量學(xué)上的金屬氧化物。尤其是在并不接近表面的區(qū)域中也可以僅僅進(jìn)行部分的氧化，使得得到非化學(xué)計量學(xué)上的金屬氧化物。替代轉(zhuǎn)化為金屬氧化物，當(dāng)然轉(zhuǎn)化為金屬氮化物或者氮氧化物或者類似物質(zhì)也是可能的。金屬層的施加可以借助通常的涂層方法、例如借助濺射、氣相淀積、CVD或者借助電鍍方法來進(jìn)行。在確定的金屬鹽的情況下(例如金屬氮化物)，可以是有意義的是，并不執(zhí)行兩級的方法El)、E2)，而是直接在一個步驟中將金屬鹽層施加在銅層的橫向表面上 (例如借助CVD方法，其中增加相應(yīng)的工藝氣體并且使用相應(yīng)的金屬鹽的前體)。如果施加金屬氧化物(或者其他的金屬鹽，例如金屬氮化物)構(gòu)成的保護(hù)層，則尤其是考慮如下的層這些層包含以下金屬中的一種或者多種作為金屬組分，或者其中金屬組分由這些金屬的一種或者多種構(gòu)成招、鈦、鉻、鎳和鋅。對于一串光電子器件，(尤其是出于經(jīng)濟(jì)方面的原因)由鎳構(gòu)成的金屬層保護(hù)層證明是有利的。在根據(jù)本發(fā)明的方法的另一實(shí)施形式中，可以在步驟G)之后進(jìn)行步驟Kl)。在此， 在半導(dǎo)體層的表面的部分區(qū)域上(其在步驟G)中被暴露)施加電接觸部。原則上，步驟 Kl)也可以在以后的時刻進(jìn)行。然而通常直接在步驟G)之后(或者必要時直接在下面描述的步驟K2)之后)進(jìn)行。在另一實(shí)施形式中，在步驟G)之后進(jìn)行步驟K2)。在此，在步驟G)中暴露的半導(dǎo)體層的表面被結(jié)構(gòu)化。結(jié)構(gòu)化在此可以在于，將溝槽引入到表面中和/或?qū)雽?dǎo)體層的上主面粗化。將溝槽引入表面例如可以借助刻蝕方法來進(jìn)行。該方法尤其是實(shí)施為使得臺地溝槽通過刻蝕工藝形成。尤其是這些臺地溝槽構(gòu)建為使得事先存在的半導(dǎo)體層被劃分為單個的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，這些半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)于是對應(yīng)于在分割(步驟H))之后得到的器件的半導(dǎo)體層。 通常，結(jié)構(gòu)化為臺地溝槽于是進(jìn)行為使得臺地溝槽與步驟B)中施加的、在單個銅層之間的“溝槽”在空間上對應(yīng)，使得尤其是在分割時各器件可以在一個步驟中彼此分離。臺地區(qū)域也可以由以后的芯片表面的斷裂部構(gòu)成，即芯片包括多個分離的半導(dǎo)體區(qū)域，它們又可以在電學(xué)上彼此組合。通過從上表面的在方法步驟G)中被暴露的一側(cè)進(jìn)行臺地溝槽的刻蝕，得到了正的臺地邊緣或者與表面形成90°的角度的臺地邊緣。這意味著，通過刻蝕工藝形成的臺地溝槽從事先與生長襯底相連的“面”來觀察朝著另外的層變細(xì)。而臺地本身、即尤其是半導(dǎo)體層從上部主面來觀察而變寬。臺地溝槽的側(cè)邊尤其是略微傾斜并且并不垂直于表面地延伸，這是濕刻蝕方法的結(jié)果。近似90°的角度例如可以借助干刻蝕方法來得到。正的臺地邊緣不僅具有機(jī)械上的優(yōu)點(diǎn)，在發(fā)射輻射的器件情況下，光輻射的一定改善也是可能的。半導(dǎo)體層的表面的結(jié)構(gòu)化也可以在于，表面被粗化。借助這樣粗化的表面，在發(fā)射輻射的器件情況下可以實(shí)現(xiàn)改善的輻射耦合輸出。表面的粗化同樣可以借助刻蝕工藝來實(shí)現(xiàn)。本發(fā)明所基于的任務(wù)通過該光電子器件以及帶有多個這種光電子器件的器件布置來解決。根據(jù)一個實(shí)施形式，光電子器件包括半導(dǎo)體層，其設(shè)置在作為支承襯底的銅層上。 至少在銅層的橫向表面上在此設(shè)置有保護(hù)層。在光電子電子器件工作時，在半導(dǎo)體層中形成有源區(qū)，尤其是發(fā)射輻射。通過設(shè)置在銅層的橫向表面上的保護(hù)層，可以防止短路和/或延長器件的壽命。尤其是所基于的是， 保護(hù)層防止銅或者銅離子的遷移和/或用作焊接停止功能層或者導(dǎo)電膠停止層。在一個實(shí)施形式中，保護(hù)層包含鎳，尤其是具有氧化鎳形式。在另一實(shí)施形式中，半導(dǎo)體層包括AlfeInP層和/或AKialnAs層。如上所述，半導(dǎo)體層可以由多個子層構(gòu)成并且上述層中的一個或者兩個可以是這些子層之一。根據(jù)本發(fā)明，AlGaInP或者AlGaInAs層理解為基于AlGaInP或者AlGaInAs的層。根據(jù)本發(fā)明，這種層于是如下定義該層包括至少一種材料AlxG￡^ni_x_yP或者AlxG￡^ni_x_yAs，其中 彡χ彡1， 0 < y < 1并且x+y < 1。在此，該材料不必一定具有根據(jù)上式的數(shù)學(xué)上精確的組分。更確切地說，其可以具有一種或者多種摻雜材料以及附加的組成部分，其基本上不改變該材料的物理特性。帶有這種層的器件例如可以發(fā)射綠色至紅色光，尤其是紅色、黃色或者橙色光。根據(jù)本發(fā)明，觀察到的是，如果不包含根據(jù)本發(fā)明設(shè)計的保護(hù)層，則包含AKialnP 或者AKialnAs層的光電子器件提供特別多的不能工作或者工作差的器件的次品。因此所基于的是，這些層會通過銅遷移特別容易被損壞，這最后導(dǎo)致半導(dǎo)體層不再能夠滿足其功能，并且例如LED不再發(fā)光或者僅僅以更弱的功率發(fā)光。在另一實(shí)施形式中，光電子器件直接在銅層的朝向半導(dǎo)體層的主面上具有接觸層，尤其是金、鈀、鉬或者這些元素的合金構(gòu)成的接觸層。與此無關(guān)地，器件可以在半導(dǎo)體層的朝向銅層的側(cè)上具有鏡層。通常，鏡層于是直接設(shè)置在半導(dǎo)體層上。必要時，在鏡層的朝向銅層的側(cè)上設(shè)置有擴(kuò)散勢壘層。根據(jù)本發(fā)明的任務(wù)最后也通過帶有多個光電子器件的器件布置來解決，這些光電子器件在機(jī)械復(fù)合結(jié)構(gòu)中在一起(即材料配合、力配合或者形狀配合地相互連接)地設(shè)置。尤其是，光電子器件設(shè)置在共同的殼體中，使得原則上在器件布置的各光電子器件之間提供了離子(例如銀或者銅離子)的擴(kuò)散路徑。器件尤其是可以設(shè)置在共同的支承材料上， 其優(yōu)選與殼體一同完全包圍半導(dǎo)體層和銅層構(gòu)成的布置。此外，單個器件可以通過澆注材料彼此連接。這種器件布置此外的特征在于，各個光電子器件可以是相同或者不同的(例如光可以以不同顏色發(fā)射)，其中例如在器件布置中包含的器件之一可以具有半導(dǎo)體層，該半導(dǎo)體層包括AlfetInP層或者AWaInAs層。借助這種器件布置可能的是，延長特別敏感的帶有AlfeInP層或者AlfeInAs層的器件的壽命，并且由此總體上明顯延長器件布置的壽命。通過根據(jù)本發(fā)明設(shè)計的保護(hù)層，明顯防止了銅或者銅離子從該器件布置的第一光電子器件中向包括AlfeInP和/或AlfeInAs 的第二光電子器件的擴(kuò)散。通常，根據(jù)本發(fā)明的(單個)器件也具有前面描述的支承襯底和殼體構(gòu)成的布置。 在此，光電子部件本身不必一定是殼體中的唯一功能元件-也可以包括其他的功能元件 (例如記錄器件的工作狀態(tài)并且始終控制器件的功能元件，溫度傳感器和/或光傳感器)。下面要借助附圖和實(shí)施例進(jìn)一步闡述本發(fā)明的變形方案。其中

圖1示出了生長襯底和半導(dǎo)體層構(gòu)成的、帶有設(shè)置于其上的鏡層的層序列。圖2示出了圖1中的層序列，在其上附加地施加有擴(kuò)散勢壘層和接觸層。圖3示出了根據(jù)圖2的層序列，其中附加地施加分離結(jié)構(gòu)。圖4示出了圖3的層復(fù)合結(jié)構(gòu)，其帶有設(shè)置在分離結(jié)構(gòu)之間的銅層。圖5示出了在去除分離結(jié)構(gòu)之后的層復(fù)合結(jié)構(gòu)。圖6示出了根據(jù)圖5的在施加金屬層之后的層復(fù)合結(jié)構(gòu)。圖7示出了在退火之后的層復(fù)合結(jié)構(gòu)。圖8示出了根據(jù)圖7的層復(fù)合結(jié)構(gòu)，其中施加了背側(cè)接觸部。圖9示出了在銅層的橫向表面的保護(hù)層氧化之后的層復(fù)合結(jié)構(gòu)的狀態(tài)。圖10示出了根據(jù)圖9的帶有施加的輔助襯底的層序列。圖11示出了在去除生長襯底之后的層序列。圖12示出了帶有被接觸的表面的層序列。圖13示出了帶有粗化過的半導(dǎo)體層的層序列。圖14示出了帶有臺地溝槽的層序列。圖15示出了帶有覆蓋層的層序列。圖16示出了在轉(zhuǎn)移到彈性襯底上之后的層序列。圖17示出了在彈性襯底上的被分割的器件的示意圖。圖18示出了在電路板上的被分割的器件的示意圖。圖19A和B在側(cè)視圖和俯視圖中示出了在共同的支承體上帶有三個光電子器件的器件布置的示意圖。圖1示出了在方法步驟A)中提供的層序列的示意性側(cè)視圖。該層序列包括三個層(其中半導(dǎo)體層2被劃分為兩個子層)，具有如下層序列生長襯底l、n摻雜的半導(dǎo)體層 2a (例如η摻雜的氮化鎵層)、ρ摻雜的半導(dǎo)體層2b (例如ρ摻雜的氮化鎵層)、鏡層3。鏡層在此可以通過擴(kuò)散勢壘區(qū)域3a來中斷(其例如可以由SiO2構(gòu)成)。
作為生長襯底考慮GaP、GaN、SiC、Si、Ge或者藍(lán)寶石構(gòu)成的襯底。通常，使用藍(lán)寶石或者硅構(gòu)成的襯底。圖2示出了在施加擴(kuò)散勢壘層4 (其尤其是要防止鏡層的銀離子的遷移)和接觸層5(其尤其是用作隨后要施加的銅層的種子層)之后的側(cè)視圖。接觸層5例如可以由金或者金-錫合金構(gòu)成。擴(kuò)散勢壘層4例如可以由鎳構(gòu)成。為了保證至隨后的層的歐姆連接，因此通常有意義的是進(jìn)行離子預(yù)先凈化，其中在這種鎳層(或者其他金屬層)的表面上(其用作擴(kuò)散勢壘層)去除相應(yīng)金屬的自然的氧化物。該步驟可以在原地在施加接觸層5之前進(jìn)行。圖3示出了如從圖2中可以得到的實(shí)施形式的示意性側(cè)視圖。在此，將分離結(jié)構(gòu) 6施加到接觸層上。分離結(jié)構(gòu)6尤其是設(shè)計用于將單個光電子器件的銅層彼此分離；其位置對應(yīng)于擴(kuò)散勢壘區(qū)域3a。分離結(jié)構(gòu)根據(jù)本發(fā)明尤其是由一種材料構(gòu)建，該材料防止在電鍍沉積方法中在該分離結(jié)構(gòu)材料的表面上沉積金屬層。分離結(jié)構(gòu)因此使得金屬層僅僅在分離結(jié)構(gòu)的垂直側(cè)之間沉積在分別水平地設(shè)置在這些分離結(jié)構(gòu)之間的面上(在當(dāng)前情況下為接觸層5)。分離結(jié)構(gòu)尤其是可以由不導(dǎo)電的材料構(gòu)成，并且可以是光敏或者非光敏的。這種分離結(jié)構(gòu)的合適的材料包括聚合物、聚酰亞胺、環(huán)氧樹脂、光刻膠、熱塑性化合物、聚對二甲苯和類似材料。圖4示出了示意性側(cè)視圖，其中在圖3所示的分離結(jié)構(gòu)之間引入銅層7。銅層7尤其可以借助電鍍來施加，其中接觸層5有利于加速沉積并且用作種子層。圖5示出了層布置的一個實(shí)施形式的示意性側(cè)視圖，其中在圖4中示出的分離結(jié)構(gòu)6又被去除。在銅層7之間因此形成溝槽，切割平面在隨后的分割中通過這些溝槽延伸。 溝槽因此對應(yīng)于擴(kuò)散勢壘區(qū)域。圖6示出了一個實(shí)施形式的示意性側(cè)視圖，其中在根據(jù)圖5的層布置上沉積了金屬層8。層沉積方法在此實(shí)施為使得銅層7的橫向表面7a也完全被金屬層8覆蓋。金屬層8的厚度在此通常為1口111至6口111，通常選擇2口111至3口111、例如3口111的層厚度。然而，200nm的層厚度也已經(jīng)可以滿足由金屬層制造的保護(hù)層11所想要的目的。大于6 μ m的層厚度出于生產(chǎn)技術(shù)的原因通常較不適合。圖7示出了根據(jù)圖6的層布置的一個實(shí)施形式的示意性側(cè)視圖，其中層系統(tǒng)被退火，使得在銅層7和接觸層5之間進(jìn)行擴(kuò)散。如果例如接觸層由金或者由金合金構(gòu)成，則在界面上進(jìn)行金和銅的“充分混合”并且進(jìn)行金屬間連接(然而其中存在不同原子類型的統(tǒng)計分布，并且并不形成在具有限定的熔點(diǎn)的化合物意義上的真實(shí)合金)。通過退火，得到 “擴(kuò)散層”9，其導(dǎo)致銅層在金層上的改善的附著。退火例如可以在100°C至200°C的溫度情況下、通常為180°C至200°C的溫度情況下在30分鐘到1小時的時間上進(jìn)行。圖8示出了根據(jù)圖7的層布置的示意性側(cè)視圖，其中施加了背面接觸部10。背面接觸部在此例如可以由導(dǎo)電的稀有金屬和/或尤其是適于將芯片焊接到接觸面上的工藝的材料構(gòu)成?？梢蕴峒暗睦缡侨缦虏牧掀溆山?、銀、錫、鎳和/或這些金屬的合金構(gòu)成， 或者包含上述金屬和/或合金作為主要組成部分。如已經(jīng)關(guān)于擴(kuò)散勢壘層4和接觸層5所描述的那樣，在此可以為了更好的附著而將金屬層8的表面進(jìn)行離子預(yù)先凈化，以便去除形成的表面氧化物。在圖9中所示的層布置的示意性側(cè)視圖示出了在執(zhí)行方法步驟E)或者E》之后的狀態(tài)。在此，設(shè)置在銅層7的橫向側(cè)面7a上的金屬層8被氧化為金屬氧化物構(gòu)成的保護(hù)層11。氧化例如可以在等離子體爐中進(jìn)行。為了防止銅層的水平面設(shè)置的金屬層8的氧化， 可以替代圖8中所示的背面接觸層也使用任意另外的保護(hù)層，尤其是僅僅可以施加到要保護(hù)的面上的層。為此，可以利用氣相淀積工藝的高定向性。圖10示出了層布置的一個示意性側(cè)視圖，其中在圖10中所示的布置上施加了輔助襯底13。在此，輔助襯底13借助粘合劑12固定在層布置上，該粘合劑也可以填充金屬層 7之間的間隙(它們通過分離結(jié)構(gòu)6引起)，層布置固定在輔助襯底上。輔助襯底通常具有 5 μ m到1000 μ m之間的厚度。任何材料都是適合的，即導(dǎo)電材料如金屬，或者非導(dǎo)體例如藍(lán)寶石。輔助襯底用于穩(wěn)定層序列，以便能夠?qū)崿F(xiàn)去除生長襯底。圖11示出了根據(jù)圖10的層布置的一個實(shí)施形式的、在去除生長襯底1之后的示意性側(cè)視圖(其被旋轉(zhuǎn)180°C )。生長襯底在此例如可以借助激光剝離(LLO)來去除。在激光剝離(LLO)中，要從其他層剝離的襯底用脈沖激光或者非脈沖激光來照射，該激光穿透襯底。由此，出現(xiàn)連接到襯底的半導(dǎo)體層的表面的加熱。如果達(dá)到所需的溫度，則出現(xiàn)襯底的分裂。借助激光剝離的襯底與半導(dǎo)體層的分離方法例如在DE 19640594A1 中進(jìn)行了闡述，其公開內(nèi)容通過引用結(jié)合于此。在硅作為生長襯底的情況下，例如也可以使用主要化學(xué)的剝離方法，其選擇性地在半導(dǎo)體層上停止。在取走生長襯底1之后，由此暴露的半導(dǎo)體層2的側(cè)被處理完成。在此，例如可以施加電接觸結(jié)構(gòu)14(例如接合墊)。這對應(yīng)于方法步驟Kl)或者圖12。在圖13中示出了層布置的示意性側(cè)視圖，其中暴露的半導(dǎo)體層2的側(cè)被粗化(例如借助氫氧化鉀)，使得形成半導(dǎo)體層的不規(guī)則表面15，其保證了改善的輻射耦合輸出。圖14示出了在將半導(dǎo)體層2的表面15結(jié)構(gòu)化之后的層系統(tǒng)的狀態(tài)；這例如可以借助掩模和刻蝕來實(shí)現(xiàn)。在此，得到多個溝槽16 (或者臺地)，并且將事先連續(xù)的半導(dǎo)體層 2劃分為各層(或者子層堆疊)。溝槽16的空間布置在此對應(yīng)于通過分離結(jié)構(gòu)6產(chǎn)生的在銅層7之間的間隙的布置。溝槽16在此朝著銅層變細(xì)；由此得到正的臺地邊緣-如圖14 中所示。在一個實(shí)施形式中，溝槽16的寬度bl大于在各銅層之間存在的“溝槽” 1^2的寬度。由此，得到一種器件，其中銅層的寬度大于半導(dǎo)體層的寬度。這導(dǎo)致器件的附加的機(jī)械穩(wěn)定。寬度bl在此通常至少為22 μ m;寬度1^2通常至少為30 μ m。通常，寬度bl在40 μ m 到50 μ m之間，例如在43 μ m到47 μ m之間，并且寬度1^2在30 μ m到40 μ m之間，通常在 33 μ m到37 μ m之間。通過這種寬度bl和1^2，保證了在以后的分割工藝中不損壞半導(dǎo)體器件的保護(hù)層和不同的層。圖15示出了另一實(shí)施形式的示意性側(cè)視圖。在此，溝槽16的表面設(shè)置有蓋層17。 蓋層17在此用于鈍化并且用于保護(hù)半導(dǎo)體層2，并且被施加為使得電接觸結(jié)構(gòu)14還暴露， 使得電接觸是可能的。圖16示出了在去除輔助襯底13和必要時包含的粘合劑層12之后的狀態(tài)。輔助襯底在此通過彈性襯底18來替代，使得在執(zhí)行分割步驟之后允許將彈性襯底延展并且由此改善被分割的光電子器件的進(jìn)一步處理是可能的。圖17示出了在執(zhí)行方法步驟H)之后的一個實(shí)施形式的示意性側(cè)視圖。在此，光電子器件借助分離方法沿箭頭19的方向彼此分離。分割在此例如可以借助鋸割(即機(jī)械方式)進(jìn)行或者借助激光來進(jìn)行。使用激光具有的優(yōu)點(diǎn)是，所形成的切割接縫可以僅僅為大約9 μ m寬，使得得到特別優(yōu)化的方法。此外，借助激光來切割特別精確。圖18示出了根據(jù)本發(fā)明的光電子器件30的一個實(shí)施形式的示意性側(cè)視圖，該器件設(shè)置在電路板20上。圖18從電路板20出發(fā)具有以下層結(jié)構(gòu)背面接觸層10、金屬層8、 帶有設(shè)置在側(cè)面7a上的保護(hù)層11的銅層7、擴(kuò)散層9、接觸層5、擴(kuò)散勢壘層4、帶有側(cè)面設(shè)置的擴(kuò)散勢壘區(qū)域3a的鏡層3、半導(dǎo)體層2 (帶有子層加和2b)以及側(cè)面設(shè)置的蓋層17、 電接觸結(jié)構(gòu)14。圖19a和19B在側(cè)視圖(圖19A)和俯視圖(圖19B)中示出了帶有三個光電子器件30的器件布置的示意圖。圖19A示出了帶有支承元件33的布置，其中光電子器件(在此為LED) 30在反射腔35中設(shè)置為支承元件33。反射腔在此可以用澆注材料填充和/或具有反射輻射的表面。 此外，該器件具有透明的殼體34。電接觸LED可以借助這里并未示出的接合線來進(jìn)行。然而，也可以從LED芯片的下側(cè)來進(jìn)行接觸，使得無需接合線。三個發(fā)光二極管30例如可以以三種不同的顏色發(fā)光(例如藍(lán)色、綠色和橙黃色)。圖19B在俯視圖中示出了根據(jù)圖19A的實(shí)施形式。在此，看到三個發(fā)光二極管30 在反射腔35中的布置以及電端子(陽極31和陰極32)，它們能夠?qū)崿F(xiàn)分離地激勵不同的發(fā)
光二極管。單個LED形式的光電子器件可以根據(jù)圖19A和19B來構(gòu)建，其中僅需要兩個電端子(以及一個光電子器件30)。本發(fā)明并未通過借助實(shí)施例的描述而局限于此。更確切地說，本發(fā)明包括任意新的特征和特征的任意組合，尤其是權(quán)利要求中的特征的任意組合，即使該特征或者該組合本身并未明確地權(quán)利要求或者實(shí)施例中說明。
權(quán)利要求
1.一種用于制造光電子器件的方法，具有以下步驟A)提供生長襯底(1)，帶有設(shè)置于其上的半導(dǎo)體層(2)用于產(chǎn)生工作中的有源區(qū)，B)施加分離結(jié)構(gòu)(6)在半導(dǎo)體層(2)上，C)將多個銅層(7)在半導(dǎo)體層(2)上施加到通過分離結(jié)構(gòu)(6)形成邊界的區(qū)域中，D)去除分離結(jié)構(gòu)(6)，E)將保護(hù)層(11)至少施加在銅層(7)的橫向表面(7a)上，F(xiàn))在銅層(7)上施加輔助襯底(13)，G)去除生長襯底(1)，H)將包括半導(dǎo)體層位)、銅層(7)和輔助襯底(1 的復(fù)合結(jié)構(gòu)分割為彼此分離的器件。
2.根據(jù)上一權(quán)利要求所述的方法，其中在步驟A)和C)之間進(jìn)行以下步驟I)在半導(dǎo)體層( 上施加接觸層(5)。
3.根據(jù)上一權(quán)利要求所述的方法，其中在步驟E)之后進(jìn)行以下步驟J)將器件退火，使得改善接觸層( 在銅層(7)上的附著。
4.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法，其中步驟E)包括以下子步驟El)將金屬層(8)至少施加在銅層(7)的橫向表面(7a)上，E2)至少將施加在銅層(7)的橫向表面(7a)上的金屬層(8)氧化為金屬氧化物層 (11)。
5.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法，其中在步驟G)之后執(zhí)行以下步驟Kl)將電接觸部(14)施加在表面的部分區(qū)域上，該表面。
6.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法，其中在步驟G)之后執(zhí)行以下步驟K2)將表面上的半導(dǎo)體層O)結(jié)構(gòu)化，該表面已通過步驟G)暴露。
7.根據(jù)上一權(quán)利要求所述的方法，其中通過結(jié)構(gòu)化在步驟K2)中產(chǎn)生溝槽(16)，其劃分半導(dǎo)體層(2)。
8.一種光電子器件，具有半導(dǎo)體層O)，該半導(dǎo)體層設(shè)置在作為支承襯底的銅層(7) 上，其中至少在銅層(7)的橫向表面(7a)上設(shè)置有保護(hù)層(11)。
9.根據(jù)上一權(quán)利要求所述的光電子器件，其中保護(hù)層(11)包含鎳，尤其是氧化鎳。
10.根據(jù)權(quán)利要求8和9之一所述的光電子器件，其中所述至少一個半導(dǎo)體層( 包括 AlGaInP 層和 / 或 AlGaInAs 層。
11.根據(jù)權(quán)利要求8至10之一所述的光電子器件，其中在銅層(7)的朝向半導(dǎo)體層的主側(cè)上設(shè)置有至少一個接觸層(5)。
12.根據(jù)上一權(quán)利要求所述的光電子器件，其中接觸層( 包括焊料，該焊料選自金、 鈀、鉬、錫、銀、鎳和這些元素的合金或者由這種材料之一構(gòu)成。
13.根據(jù)權(quán)利要求8至12之一所述的光電子器件，其中在半導(dǎo)體層( 的朝向銅層(7) 的側(cè)上設(shè)置有鏡層(3)。
14.根據(jù)上一權(quán)利要求所述的光電子器件，其中在鏡層C3)的朝向銅層(7)的側(cè)上設(shè)置有擴(kuò)散勢壘層(4)。
15.一種器件布置，帶有多個設(shè)置在共同的支承元件(3 上的根據(jù)權(quán)利要求8至14之一所述的光電子器件(30)，其中各器件相同或者不同，并且這些器件的至少之一根據(jù)權(quán)利要求10構(gòu)建。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于制造光電子器件的方法，具有以下步驟A)提供生長襯底，帶有設(shè)置于其上的半導(dǎo)體層用于產(chǎn)生工作中的有源區(qū)，B)施加分離結(jié)構(gòu)在半導(dǎo)體層上，C)施加多個銅層在半導(dǎo)體層上的通過分離結(jié)構(gòu)形成邊界的區(qū)域中，D)去除分離結(jié)構(gòu)，E)將保護(hù)層至少施加在銅層的橫向表面上，F(xiàn))在銅層上施加輔助襯底，G)去除生長襯底，H)將由半導(dǎo)體層、銅層和輔助襯底構(gòu)成的復(fù)合結(jié)構(gòu)分割為彼此分離的器件，以及一種借助這種方法制造的器件和器件布置。
文檔編號H01L33/46GK102388472SQ200980158653
公開日2012年3月21日 申請日期2009年4月3日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月3日
發(fā)明者盧茨·赫佩爾 申請人:歐司朗光電半導(dǎo)體有限公司