專(zhuān)利名稱(chēng)：光電子投影裝置的制作方法
光電子投影裝置本專(zhuān)利申請(qǐng)要求德國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)10 2008 062 933. 2，其公開(kāi)內(nèi)容通過(guò)引用結(jié)合于此。本發(fā)明涉及一種具有半導(dǎo)體本體的光電子投影裝置，半導(dǎo)體本體是投影裝置的成像元件。例如在專(zhuān)利文獻(xiàn)W02008/060053 Al中公開(kāi)了一種裝置，其包括設(shè)置在硅襯底上的由基于SiN的LED構(gòu)成的陣列，其中LED設(shè)置成由η行和m列構(gòu)成的二維的、規(guī)則的矩陣中并且彼此互連。LED分別在前側(cè)上和在背側(cè)上具有接觸部，其中LED的前側(cè)分別構(gòu)建為輻射出射側(cè)。由此在LED的輻射出射側(cè)上不利地形成遮蔽效應(yīng)，其導(dǎo)致LED的不均勻的發(fā)射特性。此外，在專(zhuān)利文獻(xiàn)W02001/097^5 A2中描述了一種由LED構(gòu)成的陣列。從InGaN 晶片中分割出規(guī)則設(shè)置的圓柱形LED。這些LED也被從前側(cè)和背側(cè)電接觸，由此不利地形成遮蔽效應(yīng)并且形成與其聯(lián)系的不均勻的發(fā)射特性。本發(fā)明基于以下任務(wù)提出一種光學(xué)投影裝置，其特別節(jié)省位置并且同時(shí)可靈活使用。該任務(wù)尤其通過(guò)具有權(quán)利要求1的特征的光電子投影裝置來(lái)解決。投影裝置的有利的實(shí)施形式和優(yōu)選的改進(jìn)方案是從屬權(quán)利要求的主題。根據(jù)發(fā)明設(shè)計(jì)了一種光電子投影裝置，其在工作中產(chǎn)生預(yù)先給定的圖像。投影裝置包括半導(dǎo)體本體，該半導(dǎo)體本體具有適于產(chǎn)生電磁輻射的有源層和輻射出射側(cè)。半導(dǎo)體本體是投影裝置的成像元件。為了半導(dǎo)體本體的電接觸，第一接觸層和第二接觸層設(shè)置在半導(dǎo)體本體的與輻射出射側(cè)對(duì)置的背側(cè)上并且借助分離層彼此電絕緣。通過(guò)設(shè)置在半導(dǎo)體本體的背側(cè)上的第一接觸層和第二接觸層有利地避免了遮蔽效應(yīng)，其會(huì)通過(guò)設(shè)置在半導(dǎo)體本體的輻射出射側(cè)上的接觸層形成?？傃灾纱烁倪M(jìn)了半導(dǎo)體本體的輻射效率以及輻射均勻性。半導(dǎo)體本體是投影裝置的成像元件。尤其是，由投影裝置在工作中產(chǎn)生的圖像并不由另外的元件(譬如模板、幻燈片)或者光調(diào)制器(譬如LCD板或者微鏡陣列)產(chǎn)生，而是半導(dǎo)體本體本身是成像元件。特征尤其在于節(jié)省位置的特性并且同時(shí)可以靈活使用的光電子投影裝置能夠有利地實(shí)現(xiàn)。于是，尤其形成小型化的投影裝置。半導(dǎo)體本體例如是發(fā)光二極管芯片或者激光二極管芯片。半導(dǎo)體本體優(yōu)選地是薄膜半導(dǎo)體本體。在本申請(qǐng)的范圍中，薄膜半導(dǎo)體本體視為如下半導(dǎo)體本體，在該半導(dǎo)體本體的制造中生長(zhǎng)襯底被剝離，包括半導(dǎo)體本體的半導(dǎo)體層序列例如曾外延地生長(zhǎng)到該生長(zhǎng)襯底上。半導(dǎo)體本體的有源層優(yōu)選地具有用于產(chǎn)生輻射的pn結(jié)、雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)、單量子阱 (SQW, Single Quatum Well)或者多量子阱(MQW，Multi-Quatum Well)。在此，術(shù)語(yǔ)“量子阱結(jié)構(gòu)”并未闡明關(guān)于量子化的維度方面的含義。由此，量子阱結(jié)構(gòu)尤其包括量子槽、量子線和量子點(diǎn)和這些結(jié)構(gòu)的任意組合。半導(dǎo)體本體具有輻射出射側(cè)，在半導(dǎo)體本體中產(chǎn)生的輻射可以通過(guò)該輻射出射側(cè)離開(kāi)半導(dǎo)體本體。在此，輻射出射側(cè)優(yōu)選地通過(guò)半導(dǎo)體本體的主側(cè)形成。尤其是，輻射出射側(cè)通過(guò)半導(dǎo)體本體的如下主側(cè)形成，該主側(cè)與半導(dǎo)體本體的安裝側(cè)對(duì)置。優(yōu)選地，沒(méi)有或者幾乎沒(méi)有光通過(guò)半導(dǎo)體本體的側(cè)面出射。優(yōu)選地，光電子投影裝置在工作產(chǎn)生預(yù)先給定的圖像。尤其是，在投影裝置的工作中，由該投影裝置產(chǎn)生預(yù)先給定并且由此預(yù)先確定的圖像。該圖形例如可以成像到投影面上。半導(dǎo)體本體設(shè)計(jì)用于從輻射出射側(cè)發(fā)射電磁輻射。在與輻射出射側(cè)對(duì)置的背側(cè)上設(shè)置有第一電接觸層和第二電接觸層。第一電接觸層和第二電接觸層借助分離層彼此電絕緣。不一定必需的是，所有第一電接觸層和第二電接觸層都設(shè)置在背側(cè)上。更確切而言，第一接觸層的部分區(qū)域從背側(cè)通過(guò)有源層的穿通部朝著輻射出射側(cè)延伸。在第一接觸層和第二接觸層之間設(shè)置有分離層，其中在半導(dǎo)體本體的俯視圖中第一接觸層和第二接觸層優(yōu)選地在橫向上交疊。有利地，半導(dǎo)體本體的輻射出射側(cè)沒(méi)有電連接部位，例如接合墊。以該方式將通過(guò)電連接部位遮蔽和/或吸收一部分由有源層在工作中發(fā)射的輻射的危險(xiǎn)最小化。此外，可以有利地省去與這種設(shè)置在輻射出射側(cè)上的連接部位的制造和/或限制或者防止電流注入到電連接部位之下的半導(dǎo)體本體的區(qū)域中的措施相結(jié)合的復(fù)雜方法步驟。例如，優(yōu)選地并不一定需要將半導(dǎo)體本體的前側(cè)的表面拋光和/或制造用于電流擴(kuò)展的金屬接片，這些金屬接片具有大的厚度，但是具有小的橫向伸展。此外，例如可以有利地省去在連接部位下構(gòu)建電絕緣層、肖特基勢(shì)壘和/或注入離子的區(qū)域。在光電子投影裝置的一個(gè)優(yōu)選擴(kuò)展方案中，第二接觸層以像素的形式結(jié)構(gòu)化，其中在投影裝置的工作中通過(guò)將像素投影而形成預(yù)先給的圖像的至少一部分。優(yōu)選地，通過(guò)將像素投影而形成完整的預(yù)先給定的圖像。第二接觸層會(huì)局部地、 與像素對(duì)應(yīng)地受損，使得受損的區(qū)域不導(dǎo)電或者幾乎不導(dǎo)電。第二接觸層的受損的區(qū)域不或幾乎不向有源層供電。以該方式，僅僅有源層的被選擇的區(qū)域發(fā)光。有源層的這些產(chǎn)生光的、被選擇的區(qū)域負(fù)責(zé)形成預(yù)先給定的圖像。在此，第二接觸層的結(jié)構(gòu)化可以通過(guò)局部移除、局部離子注入到或者摻雜材料擴(kuò)散到第二接觸層中來(lái)實(shí)現(xiàn)。在投影裝置的一個(gè)優(yōu)選擴(kuò)展方案中，像素設(shè)置成二維的段式顯示器。優(yōu)選地，像素設(shè)置成二維七段式顯示器。尤其是，于是僅僅半導(dǎo)體本體的輻射出射側(cè)的如下區(qū)域有助于發(fā)射輻射，在垂直方向上在這些區(qū)域之下設(shè)置有第二接觸層的像素。在該情況下，僅僅有源層的被選擇的區(qū)域發(fā)光，其垂直地設(shè)置在第二接觸層、尤其第二接觸層的像素之上。在另一優(yōu)選擴(kuò)展方案中，像素設(shè)置成由η行和m列構(gòu)成的二維的、規(guī)則的矩陣。在投影裝置的另一優(yōu)選擴(kuò)展方案中，第二接觸層具有象形圖、字符、字母或者筆跡形式的至少一個(gè)結(jié)構(gòu)。優(yōu)選地，第二接觸層具有分別為象形圖、字符、字母或者筆跡形式的多個(gè)結(jié)構(gòu)。尤其是，在該情況下第二接觸層的每個(gè)結(jié)構(gòu)是已經(jīng)完整的象形圖或者字符。有利地，于是能夠?qū)崿F(xiàn)多個(gè)字符、字符串和/或筆跡的投影。在一個(gè)優(yōu)選的擴(kuò)展方案中，半導(dǎo)體本體被結(jié)構(gòu)化為圖案，其中在投影裝置的工作中通過(guò)投影圖案形成預(yù)先給定的圖像的至少一部分。特別優(yōu)選地，通過(guò)圖案的投影形成完整的預(yù)先給定的圖像。在此，將半導(dǎo)體本體結(jié)構(gòu)化為圖案例如可以通過(guò)刻蝕方法進(jìn)行，其中要產(chǎn)生的圖案通過(guò)光刻方法來(lái)限定。為此，例如可以將半導(dǎo)體局部完全移除。然而也可能的是僅僅將半導(dǎo)體本體的部分例如導(dǎo)電層移除?？傃灾?，要作為圖像顯示的圖案通過(guò)半導(dǎo)體本體的輻射出射側(cè)的區(qū)域形成，這些區(qū)域在制造半導(dǎo)體本體之后、尤其在進(jìn)行半導(dǎo)體本體的結(jié)構(gòu)化之后在工作中發(fā)射光。如果例如光電子投影裝置要將發(fā)光的星示出為圖像，則可以將半導(dǎo)體本體除了星形區(qū)域之外完全移除?，F(xiàn)在，于是在半導(dǎo)體本體的工作中星形區(qū)域發(fā)光。在此，半導(dǎo)體本體是成像元件，其中圖案通過(guò)星形成。尤其是，在該情況下可以使用結(jié)構(gòu)化為圖案的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)。在該擴(kuò)展方案中，光產(chǎn)生有利地集中到半導(dǎo)體本體的選擇性發(fā)光的區(qū)域上。在一個(gè)優(yōu)選擴(kuò)展方案中，在半導(dǎo)體本體的被移除的區(qū)域中設(shè)置有反射性材料。作為反射性材料，例如考慮金屬例如Ag或者具有低折射率的材料例如Si02。由此，由半導(dǎo)體本體的選擇性發(fā)光的區(qū)域朝著半導(dǎo)體本體的相應(yīng)的、相鄰的、選擇性發(fā)光的區(qū)域發(fā)射的輻射在反射性材料上朝著輻射出射側(cè)反射并且在那里耦合輸出。尤其是，于是有利地改進(jìn)了投影裝置的效率。附加地，可以有利地防止半導(dǎo)體本體的各個(gè)選擇性發(fā)光的區(qū)域之間的光學(xué)串?dāng)_。 光學(xué)串?dāng)_尤其理解為來(lái)自半導(dǎo)體本體的選擇性發(fā)光的區(qū)域中的輻射發(fā)射到關(guān)斷的相鄰的選擇性發(fā)光區(qū)域中。光學(xué)串?dāng)_的結(jié)果是投影裝置的對(duì)比度降低。于是，反射性材料有利地改進(jìn)投影裝置的對(duì)比度以及投影裝置的效率。在一個(gè)優(yōu)選擴(kuò)展方案中，第一接觸層設(shè)置在第二接觸層的背離半導(dǎo)體本體的側(cè)上。特別優(yōu)選地，第二接觸層具有多個(gè)開(kāi)口，第一接觸層朝著半導(dǎo)體本體通過(guò)這些開(kāi)口走向。尤其是，在該情況下在第一接觸層和第二接觸層之間設(shè)置有電絕緣的分離層。電絕緣的分離層優(yōu)選地在第二接觸層的開(kāi)口的區(qū)域中具有開(kāi)口，第一接觸層通過(guò)這些開(kāi)口走向。尤其是，第一接觸層與第二接觸層電絕緣地設(shè)置。因此，第一接觸層與第二接觸層電絕緣地通過(guò)第二接觸層的開(kāi)口朝著半導(dǎo)體本體走向。這可以?xún)?yōu)選地通過(guò)電絕緣的分離層實(shí)現(xiàn)。在一個(gè)優(yōu)選擴(kuò)展方案中，第一接觸層的部分區(qū)域從背側(cè)穿過(guò)有源層的穿通部朝著輻射出射側(cè)延伸。特別優(yōu)選地，第一接觸層的通過(guò)分離層的開(kāi)口和第二接觸層的開(kāi)口走向的部分區(qū)域從背側(cè)穿過(guò)有源層的穿通部朝著輻射出射側(cè)走向。在此優(yōu)選地，第一接觸層與半導(dǎo)體本體電絕緣地在半導(dǎo)體本體中朝著有源層的穿通部走向。在另一擴(kuò)展方案中，第一接觸層具有至少一個(gè)電連接區(qū)域，其適于在有源層的朝向輻射出射側(cè)的側(cè)上電接觸半導(dǎo)體本體。尤其是，第一接觸層借助從背側(cè)穿過(guò)有源層的穿通部朝著輻射出射側(cè)引導(dǎo)的部分區(qū)域適于在有源層的朝向輻射出射側(cè)的側(cè)上電接觸半導(dǎo)體本體。尤其是，連接區(qū)域設(shè)置在半導(dǎo)體本體的背側(cè)上。由此可以有利地避免在連接區(qū)域中遮蔽和/或吸收由有源層發(fā)射的輻射。在投影裝置的一個(gè)優(yōu)選擴(kuò)展方案中，第一接觸層以結(jié)構(gòu)的形式結(jié)構(gòu)化并且具有多個(gè)電連接區(qū)域，其中結(jié)構(gòu)分別與連接區(qū)域?qū)щ娺B接。尤其是，于是第一接觸層的結(jié)構(gòu)的分離的電激勵(lì)是可能的。于是，通過(guò)合適地電激勵(lì)第一接觸層的各個(gè)結(jié)構(gòu)可以有利地尤其借助同一半導(dǎo)體本體產(chǎn)生不同的圖像。通過(guò)相應(yīng)地對(duì)半導(dǎo)體本體供電可以對(duì)第一接觸層的結(jié)構(gòu)彼此獨(dú)立地供電。以該方式，可以借助唯一的半導(dǎo)體本體將不同的可以預(yù)先給定的圖像彼此獨(dú)立地產(chǎn)生。在投影裝置的另一優(yōu)選擴(kuò)展方案中，第二接觸層以像素形式結(jié)構(gòu)化并且具有多個(gè)電連接面，其中像素分別與連接面導(dǎo)電連接。于是，各個(gè)像素彼此分離地電激勵(lì)。于是能夠?qū)崿F(xiàn)第二接觸層的像素的獨(dú)立供電， 由此可以將不同的可預(yù)先給定的圖像彼此獨(dú)立地產(chǎn)生。特別優(yōu)選地，第一接觸層以結(jié)構(gòu)的形式來(lái)結(jié)構(gòu)化并且第二接觸層以像素的形式結(jié)構(gòu)化，其中優(yōu)選地第一接觸層的結(jié)構(gòu)和第二接觸層的像素可以彼此分離地電激勵(lì)。于是，第一接觸層和第二接觸層的區(qū)域的獨(dú)立供電是可能的，由此可以借助唯一的半導(dǎo)體本體將不同的可預(yù)先給定的圖像彼此獨(dú)立地產(chǎn)生。靈活的光電子投影裝置可以有利地實(shí)現(xiàn)。在光電子投影裝置的一個(gè)優(yōu)選擴(kuò)展方案中，在半導(dǎo)體本體的輻射出射側(cè)上局部地設(shè)置有輻射耦合輸出結(jié)構(gòu)。尤其是，僅僅在半導(dǎo)體本體的輻射出射側(cè)的在垂直方向上在其之下分別設(shè)置有第二接觸層的像素的區(qū)域上設(shè)置有輻射耦合輸出結(jié)構(gòu)。由此，改進(jìn)了由半導(dǎo)體本體所發(fā)射的輻射在半導(dǎo)體本體的所選擇的區(qū)域中的輻射耦合輸出，這些區(qū)域垂直地設(shè)置在第二接觸層之上、尤其在第二接觸層的像素之上。這些輻射出射側(cè)的所選擇的區(qū)域?qū)?yīng)于半導(dǎo)體本體的負(fù)責(zé)形成預(yù)先給定的圖像的區(qū)域。有利地，在輻射出射側(cè)的具有輻射耦合輸出結(jié)構(gòu)的區(qū)域中，改進(jìn)了由半導(dǎo)體本體所發(fā)射的輻射的耦合輸出，由此有利地提高了半導(dǎo)體本體的效率。在半導(dǎo)體本體的邊界面上實(shí)現(xiàn)一方面為半導(dǎo)體本體的材料至另一方面為周?chē)牟牧系恼凵渎实奶S。由此出現(xiàn)光從半導(dǎo)體本體過(guò)渡到環(huán)境中時(shí)的折射。根據(jù)光束射到邊界面上的角度會(huì)出現(xiàn)全反射。由于半導(dǎo)體本體的平行的表面，被反射的光束以相同的角度射到在對(duì)置的邊界面上，使得在那里也出現(xiàn)全反射。結(jié)果，光束由此會(huì)對(duì)光發(fā)射無(wú)貢獻(xiàn)。通過(guò)在輻射出射側(cè)上設(shè)置輻射耦合輸出結(jié)構(gòu)改變了光束射到表面上的角度。輻射耦合輸出結(jié)構(gòu)尤其理解為表面結(jié)構(gòu)化部。尤其可以譬如通過(guò)輻射出射側(cè)的高度輪廓例如微棱鏡結(jié)構(gòu)化或者輻射出射側(cè)的粗糙度提高來(lái)實(shí)現(xiàn)改進(jìn)的光耦合輸出。如果設(shè)置有輻射出射側(cè)的粗化部，則由此形成改進(jìn)光耦合輸出的不規(guī)則的表面。在光電子投影裝置的一個(gè)優(yōu)選擴(kuò)展方案中，在輻射出射側(cè)上在半導(dǎo)體本體之后設(shè)置有波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件。尤其是，通過(guò)半導(dǎo)體本體的輻射出射側(cè)出射的光的至少一部分穿過(guò)波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件，由此，由半導(dǎo)體本體發(fā)射的一個(gè)波長(zhǎng)的輻射至少部分地轉(zhuǎn)換為另一波長(zhǎng)的輻射。由此可以有利地產(chǎn)生發(fā)射多色光的投影裝置。特別有利地，半導(dǎo)體本體具有多個(gè)相鄰的選擇性發(fā)光的區(qū)域，其中波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件的規(guī)則的布置設(shè)置在輻射出射側(cè)上。尤其是，規(guī)則的布置優(yōu)選地包括在每個(gè)第一選擇性發(fā)光區(qū)域上的發(fā)射綠光的轉(zhuǎn)換元件、在每個(gè)第二選擇性發(fā)光區(qū)域上的發(fā)射紅光的轉(zhuǎn)換元件和在每個(gè)第三選擇性發(fā)光的區(qū)域上沒(méi)有轉(zhuǎn)換元件。發(fā)射綠光或者發(fā)光紅光的轉(zhuǎn)換元件尤其理解為如下轉(zhuǎn)換元件，該轉(zhuǎn)換元件將半導(dǎo)體本體所發(fā)射的輻射轉(zhuǎn)換為在綠色波長(zhǎng)范圍或者紅色波長(zhǎng)范圍中的輻射。于是，可以有利地產(chǎn)生全色的半導(dǎo)體本體，其可以在投影裝置中投影全色的圖像。不同轉(zhuǎn)換元件的結(jié)構(gòu)化例如可以通過(guò)刻蝕光學(xué)半導(dǎo)體材料例如II-VI半導(dǎo)體材料，或者通過(guò)部分地、以光刻方式剝離(所謂的剝離方法)之前沉積的陶瓷轉(zhuǎn)換材料來(lái)進(jìn)行。借助激光輻射燒蝕轉(zhuǎn)換層也是可能的。在光電子投影裝置的一個(gè)優(yōu)選擴(kuò)展方案中，光學(xué)元件在輻射出射側(cè)上設(shè)置在半導(dǎo)體本體之后。尤其是，于是由半導(dǎo)體本體產(chǎn)生并且通過(guò)半導(dǎo)體本體的輻射出射側(cè)出射的光的至少一部分穿過(guò)光學(xué)元件并且受光學(xué)元件光學(xué)影響。光學(xué)元件優(yōu)選地為偏轉(zhuǎn)輻射的元件，該元件設(shè)置在半導(dǎo)體本體的光路中用于將有源層所發(fā)射的輻射偏轉(zhuǎn)到投影面上。用于將半導(dǎo)體本體所發(fā)射的光投影到投影面上的確定的光學(xué)元件例如可以由一個(gè)或多個(gè)透鏡、尤其透鏡系統(tǒng)構(gòu)成。在此，透鏡或者透鏡系統(tǒng)可以分別具有一個(gè)或兩個(gè)彎曲的面。透鏡或者透鏡系統(tǒng)可以直接固定在半導(dǎo)體本體上。可替選地，透鏡或者透鏡系統(tǒng)可以以距半導(dǎo)體本體限定的距離地設(shè)置。在此，限定的距離可以借助例如為半導(dǎo)體本體鑲框的外框架產(chǎn)生。根據(jù)投影裝置的所希望的應(yīng)用，透鏡或者透鏡系統(tǒng)可以成形為使得在相對(duì)于半導(dǎo)體本體的輻射出射側(cè)垂直、平行或者斜向的平坦或者彎曲的投影面上產(chǎn)生由半導(dǎo)體本體所產(chǎn)生的輻射的合乎比例的圖像。根據(jù)光電子投影裝置的一個(gè)實(shí)施形式，投影裝置包括通過(guò)澆注體的外表面形成的光學(xué)元件，該澆注體圍繞半導(dǎo)體本體。尤其是，半導(dǎo)體本體被澆注材料圍繞，該澆注材料例如為硅樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂或者由硅樹(shù)脂和環(huán)氧樹(shù)脂構(gòu)成的混合材料。在此，澆注材料可以至少局部形狀配合地包封半導(dǎo)體本體。在此，澆注體具有按照投影透鏡的方式成形的外表面。通過(guò)將澆注體構(gòu)建為用于投影裝置的光學(xué)元件能夠?qū)崿F(xiàn)投影裝置有利地僅僅具有兩個(gè)元件。半導(dǎo)體本體用作成像元件。半導(dǎo)體本體的澆注物用作投影光學(xué)系統(tǒng)。由于在澆注體和周?chē)牟牧?例如空氣)之間的邊界面上的全反射造成的損耗通過(guò)澆注體的透鏡形式進(jìn)一步減小。尤其是，光耦合輸出通過(guò)澆注體的外表面的造型有利地提高。在投影裝置的一個(gè)優(yōu)選擴(kuò)展方案中，第一接觸層和/或第二接觸層將有源層朝著背側(cè)發(fā)射的電磁輻射的部分朝著輻射出射側(cè)反射。如果例如第二接觸層以像素形式結(jié)構(gòu)化并且反射性地構(gòu)建，則由半導(dǎo)體本體發(fā)射的光在第二接觸層所在處顯得比在鄰接的區(qū)域中更亮。以該方式可以產(chǎn)生如下圖像，該圖像的特征在于，圖像中的像素比周?chē)鷧^(qū)域更亮地顯示。在一個(gè)優(yōu)選的擴(kuò)展方案中，投影裝置是電子部件的組成部分，電子部件尤其為移動(dòng)電話、個(gè)人數(shù)字助理、筆記本電腦、計(jì)算機(jī)、鐘或者鬧鐘。優(yōu)選地，電子部件為便攜式部件。便攜式部件的特征尤其在于，其特別節(jié)省位置地構(gòu)建。尤其是，部件具有盡可能小的部件尺寸。特別優(yōu)選地，電子部件具有投影面。由此，投影面尤其構(gòu)建在電子部件內(nèi)。在投影裝置的工作中產(chǎn)生的圖像可以借助向回投影到電子部件內(nèi)的投影面上來(lái)成像?？商孢x地，投影面可以位于電子部件的外部。在該情況下，投影面例如為桌、壁或者電子部件的殼體部分。光電子投影裝置的另外的特征、優(yōu)點(diǎn)、優(yōu)選擴(kuò)展方案和適宜性從下面結(jié)合

圖1至3 闡述的實(shí)施例中得出。其中圖IA至IF分別示出了根據(jù)本發(fā)明的投影裝置的實(shí)施例的示意性橫截面，圖2A至2C分別示出了相應(yīng)的根據(jù)本發(fā)明的投影裝置的另外的實(shí)施例的示意性俯視圖，以及圖3示出了帶有設(shè)置在其中的根據(jù)本發(fā)明的投影裝置的電子部件的實(shí)施例的示意性橫截面。相同的或者作用相同的組成部分分別設(shè)置有相同的附圖標(biāo)記。所示的組成部分以及組成部分彼此間的大小關(guān)系不應(yīng)視為合乎比例的。圖IA至IF分別示出了具有半導(dǎo)體本體1的投影裝置的示意性橫截面。半導(dǎo)體本體1例如是發(fā)光二極管芯片或者激光二極管芯片。半導(dǎo)體本體1優(yōu)選地以薄膜結(jié)構(gòu)實(shí)施并且包括外延地沉積的層，這些層形成半導(dǎo)體本體1。半導(dǎo)體器件的層優(yōu)選地基于III/V族化合物半導(dǎo)體材料。III/V族化合物半導(dǎo)體材料具有至少一個(gè)來(lái)自第三主族的元素例如Al、Ga、In和來(lái)自第五主族的元素例如N、P、 As。尤其是，術(shù)語(yǔ)III/V族化合物半導(dǎo)體材料包括二元的、三元的和四元的化合物的組，其包含來(lái)自第三主族的至少一個(gè)元素和來(lái)自第五主族的至少一個(gè)元素，尤其為氮化物化合物半導(dǎo)體和磷化物化合物半導(dǎo)體。此外，這種二元的、三元的和四元的化合物例如可以具有一種或多種摻雜材料以及附加的組成部分。半導(dǎo)體本體1具有適于產(chǎn)生電磁輻射的有源層101。有源層101優(yōu)選地包括用于產(chǎn)生輻射的pn結(jié)、雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)、單量子阱或者多量子阱結(jié)構(gòu)。優(yōu)選地，半導(dǎo)體本體1的有源層101發(fā)射在紫外光譜范圍或者紅外光譜范圍或者特別優(yōu)選地在可見(jiàn)光譜范圍中的輻射。 為此，半導(dǎo)體本體1的有源層101例如可以具有InGaAlP或者InGaN。此外，半導(dǎo)體本體1具有輻射出射側(cè)102，在該輻射出射側(cè)上在有源層101中產(chǎn)生的電磁輻射從半導(dǎo)體本體1出射。半導(dǎo)體本體1是投影裝置的成像元件。尤其是，由投影裝置在工作中產(chǎn)生的圖像并不被另外的元件(譬如模板、幻燈片)或者光調(diào)制器產(chǎn)生，而是半導(dǎo)體本體1本身是投影裝置的成像元件。于是，能夠有利地實(shí)現(xiàn)節(jié)省位置的投影裝置。第一接觸層2和第二接觸層3設(shè)置在與半導(dǎo)體本體1的輻射出射側(cè)102對(duì)置的背側(cè)103上用于電接觸半導(dǎo)體本體1并且借助分離層4彼此電絕緣。優(yōu)選地，第二接觸層3以像素301的形式結(jié)構(gòu)化，其中在投影裝置的工作中通過(guò)像素301的投影形成預(yù)先給定的圖像10的至少一部分。例如，第二接觸層3的像素301可以結(jié)構(gòu)化為二維的段式顯示器(尤其七段式顯示器)或者結(jié)構(gòu)化為由η行和m列構(gòu)成的二維的規(guī)則的矩陣?？商孢x地，第二接觸層3可以具有象形圖、字符、字母或者筆跡形式的至少一個(gè)結(jié)構(gòu)。優(yōu)選地，第二接觸層3具有象形圖、字符、字母或者筆跡形式的多個(gè)結(jié)構(gòu)。優(yōu)選地，第二接觸層3的設(shè)置在像素301之間的區(qū)域305電絕緣地構(gòu)建。尤其是， 像素301借助區(qū)域305彼此電絕緣。
優(yōu)選地，第二接觸層3的區(qū)域305的導(dǎo)電能力在像素301外部被毀壞或者至少被減小?？商孢x地，可以將第二接觸層3在像素301外部局部地移除。在該情況下，在像素 301之間設(shè)置有電絕緣材料、例如介電材料。第一接觸層2優(yōu)選地設(shè)置在第二接觸層3的背離半導(dǎo)體本體1的側(cè)上。優(yōu)選地， 在第一接觸層2和第二接觸層3之間設(shè)置有電絕緣的分離層4。第二接觸層3和分離層4優(yōu)選地具有多個(gè)開(kāi)口 302，第一接觸層2通過(guò)這些開(kāi)口朝著半導(dǎo)體本體1走向。第一接觸層2的通過(guò)開(kāi)口 302引導(dǎo)的部分區(qū)域203從半導(dǎo)體本體 1的背側(cè)103穿過(guò)有源層101的穿通部104朝著輻射出射側(cè)102延伸。由此，第一接觸層2 適于在有源層101的朝向輻射出射側(cè)102的側(cè)上電接觸半導(dǎo)體本體1。第二接觸層3適于從半導(dǎo)體本體1的背側(cè)103電接觸半導(dǎo)體本體1。由此，在該實(shí)施例中，第一接觸層2與半導(dǎo)體本體1的外延層通過(guò)電絕緣的開(kāi)口或者穿通部點(diǎn)狀地連接。尤其是，第一接觸層2的通過(guò)第二接觸層3的開(kāi)口 302并且通過(guò)半導(dǎo)體本體1引導(dǎo)的部分區(qū)域203與第一接觸層3和半導(dǎo)體本體1的層電絕緣地引導(dǎo)。這例如可以通過(guò)電絕緣的分離層4b實(shí)現(xiàn)。第一接觸層和/或第二接觸層2、3可以包含金屬或者合金。電絕緣的分離層4例如可以包含介電層。第一接觸層2優(yōu)選地構(gòu)建為平面的鏡，其幾乎在半導(dǎo)體本體1的整個(gè)橫向伸展上延伸。優(yōu)選地，第一接觸層2構(gòu)建為半導(dǎo)體本體1的η接觸部。第二接觸層3優(yōu)選地設(shè)置在半導(dǎo)體本體1的部分區(qū)域上。由此，第二接觸層3并不在半導(dǎo)體本體1的整個(gè)橫向伸展上延伸。優(yōu)選地，第二接觸層3構(gòu)建為半導(dǎo)體本體1的 P接觸部。優(yōu)選地，第一接觸層和/或第二接觸層2、3對(duì)于由有源層101發(fā)射的輻射反射性地構(gòu)建。特別優(yōu)選地，第二接觸層3反射性地構(gòu)建。由此，在半導(dǎo)體本體的成像區(qū)域中輻射耦合輸出提高，由此優(yōu)選地在這些區(qū)域中輻射效率提高。在圖IA至IF的實(shí)施例中，第一接觸層2具有電連接區(qū)域，其適于電接觸半導(dǎo)體本體1 (未示出)。第二接觸層3優(yōu)選地具有多個(gè)電連接面(未示出)，其中像素301分別與連接面導(dǎo)電連接。由此，第二接觸層3的像素301可以通過(guò)多個(gè)電連接面彼此分離地電激勵(lì)。通過(guò)結(jié)構(gòu)化為像素的第二接觸層3，在投影裝置的工作中投影裝置的要成像的圖像直接通過(guò)在半導(dǎo)體本體1中的在橫向上選擇性的發(fā)射來(lái)生成。于是，通過(guò)合適地激勵(lì)第二接觸層3的像素301可以產(chǎn)生不同的圖案。尤其是，不同的發(fā)光圖像例如象形圖、字母和 /或筆跡可以通過(guò)相應(yīng)的激勵(lì)來(lái)生成并且經(jīng)由透鏡系統(tǒng)成像到投影面上。于是有利地，唯一的半導(dǎo)體本體1可以在投影裝置的工作中顯示多個(gè)預(yù)先給定的圖像，其尤其可以彼此獨(dú)立地來(lái)產(chǎn)生。可靈活使用的投影裝置能夠有利地實(shí)現(xiàn)。圖IB示出了另一投影裝置的示意性橫截面。除圖IA中示出的實(shí)施例之外，在半導(dǎo)體本體1的輻射出射側(cè)102上構(gòu)建有輻射耦合輸出結(jié)構(gòu)11。尤其是，輻射耦合輸出結(jié)構(gòu) 11局部地設(shè)置在輻射出射側(cè)102上。尤其是，僅僅在半導(dǎo)體本體1的輻射出射側(cè)102的如下區(qū)域上設(shè)置有輻射耦合輸出結(jié)構(gòu)11，在這些區(qū)域之下在垂直方向上設(shè)置有第二接觸層3的像素301。在該情況下，改進(jìn)了在半導(dǎo)體本體1的所選擇的區(qū)域中由半導(dǎo)體本體1發(fā)射的輻射的輻射耦合輸出，這些區(qū)域垂直地設(shè)置在第二接觸層3之上，尤其設(shè)置在第二接觸層3的像素301之上。輻射出射側(cè)102的這些所選擇的區(qū)域?qū)?yīng)于半導(dǎo)體本體1的負(fù)責(zé)形成預(yù)先給定的圖像10的區(qū)域。有利地，在輻射出射側(cè)102的具有輻射耦合輸出結(jié)構(gòu)11的區(qū)域中改進(jìn)了由半導(dǎo)體本體1發(fā)射的輻射的耦合輸出，由此有利地提高了半導(dǎo)體本體1的效率。在半導(dǎo)體本體1的邊界面上實(shí)現(xiàn)一方面為半導(dǎo)體本體1的材料至另一方面為周?chē)牟牧系恼凵渎实奶S。由此，出現(xiàn)光從半導(dǎo)體本體1過(guò)渡到環(huán)境中時(shí)的折射。根據(jù)光束射到邊界面上的角度會(huì)出現(xiàn)全反射。由于半導(dǎo)體本體1的平行的表面，被反射的光束以相同的角度射到對(duì)置的邊界面上，使得在那里也出現(xiàn)全反射。結(jié)果，光束由此對(duì)光發(fā)射無(wú)貢獻(xiàn)。 通過(guò)在輻射出射側(cè)102上設(shè)置有輻射耦合輸出結(jié)構(gòu)11改變了光束射到表面上的角度。輻射耦合輸出結(jié)構(gòu)11尤其理解為表面結(jié)構(gòu)化部。尤其是，能夠通過(guò)譬如輻射出射側(cè)102的高度輪廓例如微棱鏡結(jié)構(gòu)化或者輻射出射側(cè)102的粗糙度提高來(lái)實(shí)現(xiàn)改進(jìn)的光耦合輸出。如果設(shè)置有輻射出射側(cè)102的粗化部，則由此形成改進(jìn)光耦合輸出的不規(guī)則的表此外，圖IB的實(shí)施例與圖IA的實(shí)施例一致。圖IC示出了另一投影裝置的示意性橫截面。與圖IA的實(shí)施例不同，半導(dǎo)體本體 1結(jié)構(gòu)化為圖案，其中在投影裝置的工作中通過(guò)圖案的投影形成預(yù)先給定的圖像10的至少一部分。優(yōu)選地，通過(guò)半導(dǎo)體本體1的圖案的投影形成完整的預(yù)先給定的圖像10。在此，將半導(dǎo)體本體1結(jié)構(gòu)化為圖案例如可以通過(guò)刻蝕方法進(jìn)行，其中要產(chǎn)生的圖案10通過(guò)光刻方法限定。例如，為此可以將半導(dǎo)體本體局部完全移除。于是，要顯示為圖像10的圖案通過(guò)半導(dǎo)體本體1的輻射出射側(cè)102的如下區(qū)域形成，這些區(qū)域在半導(dǎo)體本體1制成之后、尤其在進(jìn)行半導(dǎo)體本體1的結(jié)構(gòu)化之后在工作中發(fā)射光。如果例如光電子投影裝置將條紋圖案顯示為圖像，則可以將半導(dǎo)體本體1局部完全移除，尤其在圖IB中示出為被移除的區(qū)域8。于是，現(xiàn)在在半導(dǎo)體本體1的工作中條紋狀的區(qū)域9發(fā)光。在此，半導(dǎo)體本體1是成像元件，其中圖案通過(guò)條紋形成。尤其是，可以在該情況下應(yīng)用結(jié)構(gòu)化為圖案的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)。在該擴(kuò)展方案中，光產(chǎn)生有利地集中到半導(dǎo)體本體1的選擇性發(fā)光的區(qū)域上。此外，圖IC的實(shí)施例與圖IA的實(shí)施例一致。圖ID示出了另一投影裝置的示意性橫截面。與圖IC的實(shí)施例不同，被移除的區(qū)域8以反射性材料81填充。作為反射性材料81，例如考慮金屬例如Ag或者具有低折射率的材料例如Si02。由此，由各個(gè)條紋狀區(qū)域9朝著相應(yīng)的相鄰的條紋狀區(qū)域9發(fā)射的輻射可以在反射性材料81上朝著輻射出射側(cè)102反射并且在那里耦合輸出。尤其，于是投影裝置的效率有利地改進(jìn)。附加地，可以有利地阻止各個(gè)區(qū)域9之間的光學(xué)串?dāng)_。于是，通過(guò)反射性材料81 有利地改進(jìn)了投影裝置的對(duì)比度以及投影裝置的效率。此外，圖ID的實(shí)施例與圖IC的實(shí)施例一致。圖IE示出了另一投影裝置的另一實(shí)施例。與圖IC中示出的實(shí)施例不同，在圖IE中示出的實(shí)施例中輻射耦合輸出結(jié)構(gòu)11設(shè)置在輻射出射側(cè)102上。在此，輻射耦合輸出結(jié)構(gòu)11設(shè)置在半導(dǎo)體本體的輻射出射側(cè)102的區(qū)域9中，在這些區(qū)域之下在垂直方向上設(shè)置有第二接觸層3的像素301。輻射耦合輸出結(jié)構(gòu)11有利地改進(jìn)由半導(dǎo)體本體1發(fā)射的輻射的耦合輸出，由此半導(dǎo)體本體1的效率有利地提高。此外，圖IE的實(shí)施例與圖IC的實(shí)施例一致。圖IF示出了另一投影裝置的另一實(shí)施例。與在圖IE中示出的實(shí)施例不同，在輻射出射側(cè)102上替代輻射耦合輸出結(jié)構(gòu)設(shè)置有波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件111。例如，在半導(dǎo)體本體的第一區(qū)域9上設(shè)置有發(fā)射綠光的轉(zhuǎn)換元件111a，在半導(dǎo)體本體的第二區(qū)域9上設(shè)置有發(fā)射紅光的轉(zhuǎn)換元件Illb并且在半導(dǎo)體本體的第三區(qū)域9上在區(qū)域Illc中未設(shè)置轉(zhuǎn)換元件。由此，可以有利地產(chǎn)生全色的半導(dǎo)體本體，其可以在投影裝置中投影全色圖像。此外，圖IF的實(shí)施例與圖IE的實(shí)施例一致。在圖2A至圖2C中分別示出了沿著投影裝置的橫向伸展的縱向截面。尤其是，詳細(xì)示出了第一接觸層2和第二接觸層3。在圖2A的該實(shí)施例中，第一接觸層2整面地構(gòu)建。尤其是，第一接觸層2幾乎在半導(dǎo)體本體1的整個(gè)橫向伸展上延伸。第一接觸層2具有電連接區(qū)域201。該連接區(qū)域201適于在半導(dǎo)體本體的輻射出射側(cè)上電接觸半導(dǎo)體本體1。第二接觸層3以像素301的形式結(jié)構(gòu)化地構(gòu)建。在圖2A的該實(shí)施例中，第二接觸層3的像素301設(shè)置成二維的七段式顯示器。七段式顯示器尤其適于顯示數(shù)字0至9。如在圖1的實(shí)施例中所示那樣，圖2A的實(shí)施例的第二接觸層3設(shè)置在第一接觸層 2和半導(dǎo)體本體1之間。出于清楚性原因，在圖2A至圖2C的實(shí)施例中分別示出了第一接觸層2、第二接觸層3和半導(dǎo)體本體1的布置，使得尤其示出第二接觸層3。第二接觸層3具有多個(gè)電連接面303。在該實(shí)施例中，第二接觸層3具有七個(gè)電連接面303。第二接觸層3的像素301分別與連接面303導(dǎo)電連接。尤其，每個(gè)像素301經(jīng)由設(shè)置在像素301下的印制導(dǎo)線304獨(dú)立地分別與電連接面303連接。第一接觸層2的部分區(qū)域203通過(guò)第二接觸層3的開(kāi)口 302來(lái)引導(dǎo)。尤其是，第一接觸層2的部分區(qū)域203與第二接觸層3電絕緣地通過(guò)第二接觸層3的開(kāi)口 302來(lái)引導(dǎo)。 如在圖1中所示，第一接觸層2的部分區(qū)域203電絕緣地通過(guò)第二接觸層3的開(kāi)口并且通過(guò)有源層101的穿通部來(lái)引導(dǎo)。在第一接觸層2和第二接觸層3之間設(shè)置有電絕緣的分離層(未示出)，用于第一接觸層和第二接觸層2、3的電絕緣。第一接觸層2具有電連接區(qū)域201，用于電接觸?？商孢x地，存在如下可能性第一接觸層2不具有這種導(dǎo)電連接區(qū)域201，而是直接導(dǎo)電地與導(dǎo)電的支承體連接(未示出)。因此，這種支承體能夠?qū)崿F(xiàn)從背側(cè)103對(duì)接觸層 2進(jìn)行接觸。在圖2B中示出了投影裝置的一個(gè)實(shí)施例的另一縱截面。在該實(shí)施例中，第一接觸層2以結(jié)構(gòu)202的形式、尤其條紋狀地來(lái)結(jié)構(gòu)化。因此，第一接觸層2并非整面地構(gòu)建，而是具有彼此絕緣的結(jié)構(gòu)202。此外，第一接觸層2具有多個(gè)電連接區(qū)域201。第一接觸層2的結(jié)構(gòu)202分別與電連接區(qū)域201導(dǎo)電連接。因此，第一接觸層2的結(jié)構(gòu)202可以彼此獨(dú)立地分別經(jīng)由電連接區(qū)域201來(lái)電激勵(lì)。第二接觸層3以像素201的形式結(jié)構(gòu)化，其中像素301設(shè)置成由η行和m列構(gòu)成的二維的、規(guī)則的矩陣。像素301尤其設(shè)置在第一接觸層2的條紋狀的結(jié)構(gòu)202上。尤其是，分別位于共同的排中的像素301共同地分別經(jīng)由印制導(dǎo)線304與導(dǎo)電的連接面303導(dǎo)電地連接。尤其是，第二接觸層3在帶有η行的像素301的矩陣布置中具有η個(gè)電連接面 303。通過(guò)像素301以行的方式分別獨(dú)立地與第二接觸層的電連接面303并且以列的方式分別獨(dú)立地與第一接觸層2的電連接區(qū)域201導(dǎo)電連接，每個(gè)像素301可以獨(dú)立地電激勵(lì)。如果僅僅導(dǎo)電地激勵(lì)第一接觸層2的列并且僅僅導(dǎo)電地激勵(lì)第二接觸層3的行， 則僅僅像素301被電接觸。由此實(shí)現(xiàn)了在半導(dǎo)體本體1的背側(cè)上各個(gè)可彼此電激勵(lì)的像素 301的連接。通過(guò)相應(yīng)地激勵(lì)在半導(dǎo)體本體1上的各個(gè)像素301，于是不同的發(fā)光圖像例如象形圖、字母和/或筆跡可以生成并且經(jīng)由透鏡或者透鏡系統(tǒng)成像到附近的投影面上?？梢酝队办`活的圖像的投影裝置有利地實(shí)現(xiàn)。如在圖2Α的實(shí)施例中那樣，第一接觸層2的部分區(qū)域203電絕緣地通過(guò)第二接觸層3并且通過(guò)半導(dǎo)體本體朝著半導(dǎo)體本體1的輻射出射側(cè)來(lái)引導(dǎo)。在圖2C中示出了投影裝置的另一實(shí)施例。如在圖2Α的實(shí)施例中那樣，在圖2C的該實(shí)施例中第一接觸層2整面地構(gòu)建。與圖2Α的實(shí)施例相比，第二接觸層3具有分別以象形圖或者字符為形式的結(jié)構(gòu)301b。結(jié)構(gòu) 301b分別經(jīng)由相應(yīng)的印制導(dǎo)線304與第二接觸層3的電連接面303導(dǎo)電連接。由此，第二接觸層3的每個(gè)結(jié)構(gòu)301b可以獨(dú)立地電激勵(lì)。電連接面303在半導(dǎo)體本體1的背側(cè)上的布置提供了如下優(yōu)點(diǎn)由此多個(gè)半導(dǎo)體本體1可以緊密并排設(shè)置并且因此能夠?qū)崿F(xiàn)多個(gè)字符、字符串或者筆跡的投影。在該情況下，可以對(duì)于每個(gè)半導(dǎo)體本體1使用獨(dú)立的透鏡系統(tǒng)或獨(dú)立的透鏡，或者對(duì)于所有半導(dǎo)體本體1使用共同的透鏡系統(tǒng)或者共同的透鏡。在圖3的實(shí)施例中示出了投影裝置，其示出了半導(dǎo)體本體1、光學(xué)元件5和投影面 7。圖3的實(shí)施例的投影裝置是電子部件6的組成部分，該電子部件例如為移動(dòng)電話、筆記本電腦、個(gè)人數(shù)字助理、計(jì)算機(jī)、鐘或者鬧鐘。優(yōu)選地，電子部件6是便攜式部件。投影面7可以是電子部件6的組成部分(例如通過(guò)該部件的殼體部分來(lái)形成)，或者位于部件6外部(例如通過(guò)桌或者壁形成)。通過(guò)集成在電子部件中的投影裝置可以有利地以確定的圖像例如象形圖、字母和/或筆跡將光投影到附近的面上。為了將半導(dǎo)體本體1所發(fā)射的光投影到投影面7上而確定的透鏡系統(tǒng)或者透鏡5 可以由一個(gè)或多個(gè)透鏡構(gòu)成，其分別優(yōu)選地具有一個(gè)或兩個(gè)彎曲的面。在此，透鏡系統(tǒng)或者透鏡5可以直接固定在半導(dǎo)體本體1上或者通過(guò)外部框架以距半導(dǎo)體本體1限定的距離而保持。在此，透鏡系統(tǒng)或者透鏡5可以成形為使得根據(jù)所希望的應(yīng)用，所發(fā)射的光圖案的合乎比例的投影出現(xiàn)在相對(duì)于半導(dǎo)體本體1的光出射側(cè)垂直、平行或者斜向的平坦或彎曲的面上。投影面7可以借助向回投影而位于電子部件6內(nèi)或者位于該電子部件外部?？伸`活使用并且可投影不同的圖像的小型化的投影裝置于是有利地實(shí)現(xiàn)。
本發(fā)明并不通過(guò)借助實(shí)施例的描述而限于此，而是包括任意新特征以及這些特征的任意組合，這尤其包含在權(quán)利要求中的特征的任意組合，即使這些特征或者這些組合本身并未明確地在權(quán)利要求或者實(shí)施例中予以說(shuō)明。
權(quán)利要求
1.一種光電子投影裝置，其在工作中產(chǎn)生預(yù)先給定的圖像(10)，所述投影裝置包括半導(dǎo)體本體(1)，所述半導(dǎo)體本體具有適于產(chǎn)生電磁輻射的有源層(101)和輻射出射側(cè)(102) 并且是投影裝置的成像元件，其中第一接觸層( 和第二接觸層C3)設(shè)置在半導(dǎo)體本體(1) 的與輻射出射側(cè)(102)對(duì)置的背側(cè)(103)上并且借助分離層(4)彼此電絕緣。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電子投影裝置，其中第二接觸層(3)以像素(301)的形式結(jié)構(gòu)化，其中在投影裝置的工作中通過(guò)像素(301)的投影形成預(yù)先給定的圖像(10)的至少一部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光電子投影裝置，其中像素(301)設(shè)置成二維的段式顯示器。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光電子投影裝置，其中像素(301)設(shè)置成由η行和m列構(gòu)成的二維的、規(guī)則的矩陣。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電子投影裝置，其中第二接觸層C3)具有以象形圖、字符、 字母或者筆跡為形式的至少一個(gè)結(jié)構(gòu)(301b)。
6.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的光電子投影裝置，其中半導(dǎo)體本體(1)結(jié)構(gòu)化為圖案，其中在投影裝置的工作中通過(guò)圖案的投影形成預(yù)先給定的圖像(10)的至少一部分。
7.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的光電子投影裝置，其中第一接觸層( 設(shè)置在第二接觸層(3)的背離半導(dǎo)體本體(1)的側(cè)上，第二接觸層(3)具有多個(gè)開(kāi)口(302)，并且第一接觸層( 通過(guò)所述開(kāi)口(30 朝著半導(dǎo)體本體(1)走向。
8.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的光電子投影裝置，其中第一接觸層O)的部分區(qū)域 (203)從背側(cè)(103)穿過(guò)有源層(101)的穿通部(104)朝著輻射出射側(cè)(102)延伸。
9.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的光電子投影裝置，其中第一接觸層( 具有至少一個(gè)電連接區(qū)域001)，所述電連接區(qū)域適于在有源層(101)的朝向輻射出射側(cè)(102)的側(cè)上電接觸半導(dǎo)體本體(1)。
10.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的光電子投影裝置，其中第一接觸層O)以結(jié)構(gòu)(202) 的形式結(jié)構(gòu)化并且具有多個(gè)電連接區(qū)域001)，其中結(jié)構(gòu)(202)分別與連接區(qū)域(201)導(dǎo)電連接。
11.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的光電子投影裝置，其中第二接觸層(3)以像素(301) 的形式結(jié)構(gòu)化并且具有多個(gè)電連接面(303)，其中像素(301)分別與連接面(303)導(dǎo)電連接。
12.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的光電子投影裝置，其中在輻射出射側(cè)(10 上局部地設(shè)置有輻射耦合輸出結(jié)構(gòu)(11)。
13.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的光電子投影裝置，其中光電子元件( 在輻射出射側(cè)(10 上設(shè)置在半導(dǎo)體本體(1)之后。
14.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的光電子投影裝置，其中第一接觸層和/或第二接觸層(2，；3)將有源層(4)朝著背側(cè)(10 所發(fā)射的電磁輻射的部分朝著輻射出射側(cè)(102)反射。
15.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的光電子投影裝置，其中投影裝置是電子部件(6)的組成部分，所述電子部件尤其為移動(dòng)電話、個(gè)人數(shù)字助理、筆記本電腦、計(jì)算機(jī)、鐘或者鬧鐘。
全文摘要
提出了一種光電子投影裝置，其在工作中產(chǎn)生預(yù)先給定的圖像(10)。投影裝置包括半導(dǎo)體本體(1)，其具有適于產(chǎn)生電磁輻射的有源層(101)和輻射出射側(cè)(102)。半導(dǎo)體本體(1)是投影裝置的成像元件。為了電接觸半導(dǎo)體本體(1)，第一接觸層(2)和第二接觸層(3)設(shè)置在半導(dǎo)體本體(1)的與輻射出射側(cè)(102)對(duì)置的背側(cè)(103)上并且借助分離層(4)彼此電絕緣。
文檔編號(hào)H01L27/15GK102265399SQ200980152067
公開(kāi)日2011年11月30日 申請(qǐng)日期2009年11月27日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月23日
發(fā)明者于爾根·莫斯布格爾, 克勞斯·施特羅伊貝爾, 卡爾·恩格爾, 盧茨·赫佩爾, 帕特里克·羅德, 諾溫·文馬爾姆 申請(qǐng)人:歐司朗光電半導(dǎo)體有限公司