專利名稱：：太陽能電池及其制造方法太陽能電池及其制造方法本發(fā)明的技術與背景本發(fā)明在其一些實施例中涉及光伏太陽能電池以及制造這種電池的方法。更具體地但非唯一地，本發(fā)明涉及制造太陽能電池的前表面和后表面處的金屬觸部的方法。光伏電池是(例如從太陽光)吸收光子并將光子轉化成電力的電池。這種電池通常包括硅基底，并且所吸收的光子被轉換成電子空穴對。所述基底通常包括用于收集電子的到η型硅的觸部和用于收集所述空穴的到P型硅的觸部。硅基底通常可以是P或η型。為了說明本發(fā)明的目的，將參考具有用以形成ρ-η結η型層的P型硅基底進行說明。然而，應當注意，同樣的論述在進行必要變化的情況下通常也適用于具有P型層的η型基底。在本領域中，存在多種光伏電池的布局。一種對P型基底廣泛使用的布局在基底的前表面處具有Ρ-η結。其在基底的前表面處具有到ρ-η結的η層的觸部并且在基底的后表面處具有到P型基底的體(bulk)的觸部。η型摻雜層被首先產生在ρ型基底的前表面上?；椎那皞韧ǔ８采w有鈍化層。為了在前側提供到η型層的觸部，在該鈍化層中形成有開口，金屬沉積在該開口中(例如，通過絲網印刷)，使得金屬接觸η型層。到η型層的觸部形成基底前表面上的網格或指柵(finger)。可替代地，將金屬或玻璃粉的糊劑涂覆在該鈍化層上。當基底被加熱時，金屬滲透穿過該鈍化層并接觸η層?；椎暮蟊砻嫱ǔ０ǖ交椎捏w的觸部并且還被用于將光子傳播到后表面期間未被轉化成電子空穴對的光子反射回。此外，向后表面添加鈍化層增加了電池的效能。在現有技術中，到位于基底后表面的ρ型硅的觸部被形成為網格或形成為涂覆整個后表面的金屬層。與全金屬涂覆相反，在后表面上形成網格可減小背反射(backreflection)0在整個后側上形成全金屬涂覆的現有技術的方法一般不在后側上形成鈍化層。不設置鈍化層的原因之一是全鋁涂覆提供了適度的鈍化而添加鈍化層具有制造局限的事實的結合?，F有技術描述了一些在包括鈍化層的后表面上產生觸部的方法。GLUNZ，S.W.等人的"Laser-FiredContactSiliconSolarCellsonρ-andn-Substrates(p禾口η基底上的激光燒結觸部硅太陽能電池)”(法國，2004年6月，第19屆歐洲光伏太陽能會議)描述了在鈍化層頂部形成全鋁涂覆然后穿過鈍化層在全鋁涂覆的特定點處對全鋁涂覆進行激光燒結。燒結使得被燒結的點與鈍化層形成合金，并且接觸基底的體。該方法中的反射性通過在后表面的全金屬涂覆實現。本領域已知的另一種方法是在鈍化層中形成開口，并且將金屬沉積在這些開口中，通常是利用絲網印刷來沉積。一些現有技術設計在開口中產生P+型層，觸部將連接于該P+型層。通常，P+層通過硼擴散來實現，硼擴散在開口的整個表面處形成P+型層。這種電池的一種已知設計稱作PERF電池，如在GREEN，M.‘‘Crystallinesiliconsolarcells(晶體硅太陽能電池)”,2001年第4章"CleanElectricityFromPhotovoltaics(來自光生伏打的清潔電力)”所描述的那樣。PERF電池通過光刻法產生，該光刻法需要鈍化層和摻雜層中的開口與沉積在其中的金屬精確地對準。PERF電池在后側上提供η+層，這改進了其鈍化特性。后側鈍化通常在形成金屬網格之前產生?，F有技術使用該順序的動作是因為金屬網格的產生導致連接區(qū)域處的基底上的殘留物，這些殘留物必須在產生鈍化層之前被清理。由于已知這是一個復雜的過程，所以通常在觸部之前產生鈍化層。本領域中使用的一些鈍化層在應用于ρ型基底時沒形成良好鈍化，并且因此現有技術使用昂貴的鈍化材料，這些鈍化材料被以普遍復雜的過程產生。一些現有技術的方法在基底的體和鈍化層之間的后表面處添加通常浮動的η型摻雜層。其他的方法使用在后表面處形成感應發(fā)射極的鈍化層。然而，在后表面處具有摻雜層或感應發(fā)射極可導致觸部與摻雜層或感應發(fā)射極之間的分流。因此，到基底的體的觸部應當優(yōu)選不接觸后側的摻雜層。在避免該問題時，這些設計被認為對生產而言更復雜并因此也更昂貴。光伏基底的另一種布局提供到產生在基底的后表面處的η型和ρ型硅區(qū)域兩者的觸部。在該布局中，在后表面處形成ρ-η結，并且沒有連接且通常也沒有ρ-η結被形成在前表面上。例如，US7，339，110描述了一種η型基底的制造方法，該η型基底具有到基底后側處的P型和η型硅兩者的觸部。該方法包括大約二十個步驟，這些步驟中的三個是需要精確對準的圖案化步驟。這種復雜的制造過程切實增加了制造這種電池的成本。提交于2009年6月18日的尚未公開的PCT申請No.PCT/IL2009/000608教導了一種在基底的前側和/或后側產生觸部的方法，其中通過相同的激光或具有相同光學設定的兩個不同激光來執(zhí)行鈍化層中的開口和金屬的沉積。對相同的激光或設置的使用實現了開口與沉積金屬的自動且充分精確的對準，使得能夠利用一次激光操作沉積相對厚的金屬層。該申請中公開的產生觸部的方法適用于本發(fā)明的一些實施例并且該申請在其應用性方面被通過參考的方式包括在本文。另外的
背景技術：
包括HOFFMANM等人的“PECVD-0N0:ANewDepositedFiringStableRearSurfacePassivationLayerSystemforCrystallineSiliconSolarCells(用于晶體硅太陽能電池的新沉積燒結穩(wěn)定后表面鈍化層系統(tǒng))”，Hindawi出版公司，AdvancesinOptoElectronics(光電技術發(fā)展)，2008卷，文章ID485467；GR0HE,A^“LaserTechnologyforContactingHigh—EfficiencySiliconSolarCells(用于接角蟲高效率硅太陽能電池的激光技術)，TheLaserFiredContactsApporach(激光燒結觸部方法)，，;Agostinelli,G等人的"LocalContactStructuresforIndustrialPERC-TypeSolarCells(用于工業(yè)PERC型太陽能電池的局部接觸結構)”;CH0ULAT，P等人的“HighefficiencyindustrialtypePERCSolarCellonverythinEFGSubstrates(極薄EFG基底上的高效率工業(yè)型PERC太陽能電池)”；Agostinelli,G等人的"SiliconSolarCellsonUltra-ThinSubstratesforLargeScaleProduction(用于大規(guī)模產生的超薄基底上硅太陽能電池)”，發(fā)表在第21期的EUPVSEC上，德雷斯頓，2006；ChoulatP等人的"Above17%industrialtypePERCSolarCellonthinMulti-CrystallineSiliconSubstrate(薄多晶硅基底上的高于17%工業(yè)型PERC太陽能電池)”，第22屆歐洲光伏太陽能會議和展覽，2007年9月3-7日，意大利，米蘭；R0MIJN，J等人的“Aspire:ANewIndustrialMWTCellTechnologyEnablingHighEfficienciesonThinandLargeMC-SiWafers(展望實現薄且大的MC-Si晶圓上的高效率的新工業(yè)MWT電池技術)”，以及CESAR，I等人的“BenchmarkofOpenRearSideSolarCellwithImprovedAl-BSFProcessatECN(具有ECN下改進的Al-BSF處理的開放式后側太陽能電池的基準)”，發(fā)表在第23屆歐洲光伏太陽能會議，2008年9月1-5日，西班牙，瓦倫西亞。
發(fā)明內容本發(fā)明的一些實施例的方面針對產生到太陽能電池的電觸部的方法。本發(fā)明的一些實施例的方面涉及穿過光伏電池的后表面處的摻雜層或發(fā)射極形成到基底的體的觸部。如這里所參照的，術語“摻雜層”或“發(fā)射極”指的是具有與體相對的極性的層，由鈍化層形成的浮動發(fā)射極或感應發(fā)射極。在一些實施例中，摻雜層涂覆有鈍化層。根據本發(fā)明的一些方面，到基底的體的觸部經由發(fā)射極層和/或鈍化層中的開口制造，并且在對整塊基底的觸部與發(fā)射極層之間提供間隙。產生的觸部優(yōu)選形成為指柵(或者網格)。本發(fā)明的優(yōu)選實施例包括在鈍化層中設置開口(例如，帶或通道)，以及在開口中沉積金屬，其中金屬的寬度比開口的寬度窄，使得在開口的側壁與所沉積的金屬之間留有間隙。開口和沉積優(yōu)選通過激光感應的轉移來執(zhí)行，可選地通過相同的激光或激光設置來執(zhí)行。可選地沉積的觸部被燒結，以提供機械穩(wěn)定性和到基底的體的電連接。所述方法還可選地包括對間隙處的摻雜層和硅進行蝕刻和/或在間隙中提供的鈍化(這不導致發(fā)射極層)。本發(fā)明的一些實施例的方面涉及產生到未被涂覆鈍化層的裸光伏電池的基底的體的觸部。形成觸部的導電材料的網格沉積在裸基底上并且可選地被加熱或燒結，以便將該觸部機械并電連接至體。在一些實施例中，在觸部的沉積和/或燒結后，基底被優(yōu)選地通過使用抵抗觸部的材料清理或蝕刻。在一些實施例中，基底被摻雜層涂覆，并且對基底的蝕刻將暴露的摻雜層去除。在一些實施例中，基底然后被鈍化層涂覆。本發(fā)明的一些實施例的方面涉及光伏電池的各種布局。在一些實施例中，后表面包括到體基底的觸部和到摻雜層的觸部。在本發(fā)明的一些實施例中，前表面包括到摻雜層的觸部，并且后表面包括到體基底的觸部。根據一些實施例，后表面包括在摻雜層或感應發(fā)射極和觸部之間的間隙。根據一些方面，觸部是指形的并且可選地鋪設為連續(xù)(contiguous)的一片材料。在優(yōu)選實施例中，本發(fā)明的方法和/或尚未公開的PCT申請No.PCT/IL2009/000608(其內容通過參考的方式引入)中教導的那些用于形成觸部的方法被用于至少一些觸部。優(yōu)選地，在所述方法和布局的所有實施例中，沉積的金屬足夠厚(即，具有足夠低的阻抗)，使得不需要在其上鋪設附加的金屬。本發(fā)明的一些實施例的方面在于，在基底上產生觸部之后，在基底的后側上設置反射器。在一些實施例中，反射器是反射材料的薄膜。根據本發(fā)明的一些實施例的方面，提供了一種光伏電池，該電池包括具有前表面和后表面的體硅材料的硅基底；所述基底的后表面上的發(fā)射極層；穿過發(fā)射極層的細長通道；位于細長通道的至少一些內的到硅基底的體的細長觸部，其中觸部比通道窄；以及發(fā)射極中的間隙，其在細長觸部中的至少一些與觸部的側部上的發(fā)射極層之間。根據一些實施例，發(fā)射極層包括具有與硅基底相反的極性的摻雜層。根據一些實施例，發(fā)射極包括設置在基底的后表面上的鈍化層形成的感應發(fā)射極。根據一些實施例，電池還包括產生在基底的后表面的發(fā)射極層上的鈍化層。根據一些實施例，細長觸部具有IOym-IOOym之間的寬度。根據一些實施例，細長觸部具有ομm-100μm之間的厚度。根據一些實施例，細長觸部的高度與寬度比在大約0.3禾口3之間。根據一些實施例，觸部由在其厚度上基本均勻的導電材料形成。根據一些實施例，在到體材料的觸部與基底之間形成重摻雜層。根據一些實施例，間隙在該重摻雜層與發(fā)射極層之間隔開。根據一些實施例，電池還包括穿過基底的后表面上的鈍化層的附加細長通道和位于穿過鈍化層的所述通道內的到所述發(fā)射極層的附加細長觸部。根據一些實施例，電池還包括在基底的前表面的發(fā)射極層和在基底的前表面的發(fā)射極層上的鈍化層，并且該電池還包括到位于基底的前表面的發(fā)射極層的觸部。根據一些實施例，到發(fā)射極層的細長觸部具有10μπι-100μπι之間的寬度。根據一些實施例，到發(fā)射極層的細長觸部具有10μm-100μm之間的厚度。根據一些實施例，到發(fā)射極層的細長觸部的高度與寬度比在大約0.1和1之間根據一些實施例，所述電池包括位于其后表面的附加鈍化層。根據一些實施例，所述附加鈍化層僅僅存在于所述間隙中。根據一些實施例，電池還包括在電池的后表面的反射層。根據一些實施例，反射層是薄的金屬層。根據一些實施例，反射層是介電層。根據本發(fā)明的一些實施例，提供了一種穿過發(fā)射極產生到硅基底的觸部的方法，該方法包括在所述基底的表面的發(fā)射極層中形成開口；以及在所述開口中沉積導電材料，所述導電材料在尺寸上比開口小，使得在導電材料和開口的側壁之間留有間隙。根據一些實施例，穿過發(fā)射極層產生到硅基底的觸部包括產生到在反射器層上具有鈍化層的硅基底的觸部，并且其中形成開口包括穿過該鈍化層以及穿過發(fā)射極層的至少一部分形成開口。根據一些實施例，所述方法還包括對沉積的導電材料與基底的連接點進行重摻雜；根據一些實施例，所述方法還包括在所述表面的鈍化層中形成附加開口；以及在所述開口中沉積導電材料，從而形成到發(fā)射極層的觸部。根據一些實施例，所述方法還包括產生用于在到基底的體的觸部之間進行連接的第一母線(busbar)；以及產生用于在到發(fā)射極層的觸部之間進行連接的第二母線。根據一些實施例，產生第一和第二母線包括產生第一和第二母線使得在第一和第二母線之間沒有連接。根據一些實施例，所述方法還包括蝕刻開口中的間隙；以及至少鈍化所蝕刻的間隙。根據本發(fā)明的一些方面，提供了一種穿過發(fā)射極層產生到硅基底的觸部的方法，該方法包括在所述基底的表面的發(fā)射極層的至少一部分中形成開口；在所述開口中沉積導電材料；對導電材料到基底的連接點進行重摻雜；以及蝕刻發(fā)射極層與重摻雜層之間的間隙。根據一些實施例，在發(fā)射極層的至少一部分中形成開口包括在鈍化層和發(fā)射極層的至少一部分中形成開口。根據一些實施例，蝕刻間隙包括用TMAH進行蝕刻。根據一些實施例，蝕刻間隙包括用KOH進行蝕刻。根據一些實施例，所述方法還包括鈍化所蝕刻的間隙。根據一些實施例，鈍化所蝕刻的間隙包括鈍化基底的整個表面。根據一些實施例，鈍化所蝕刻的間隙包括基本上僅僅鈍化所蝕刻間隙中的硅。根據一些實施例，所述方法還包括在與所述表面相反的表面處的鈍化層中形成開口；以及在所述相反的表面中的開口中沉積導電材料，從而形成到所述相反的表面處的發(fā)射極層的觸部。根據一些實施例，在開口中沉積導電材料從而形成到發(fā)射極層的觸部包括沉積具有IOym-IOOym之間的寬度的導電材料。根據一些實施例，在開口中沉積導電材料從而形成到發(fā)射極層的觸部包括沉積具有IOym-IOOym之間的厚度的導電材料。根據一些實施例，在開口中沉積導電材料從而形成到發(fā)射極層的觸部包括沉積具有大約0.1和1之間的高度與寬度比的導電材料。根據本發(fā)明的一些方面，提供了一種產生到硅基底的裸表面的觸部的方法，該方法包括直接在基底的裸表面上沉積導電材料；蝕刻裸表面；以及在導電材料的沉積后鈍化裸表面。根據一些實施例，蝕刻裸表面包括僅僅蝕刻所述表面上的硅。根據一些實施例，所述裸表面包括發(fā)射極層，并且其中蝕刻裸表面包括蝕刻所述裸表面上暴露的發(fā)射極層。根據一些實施例，蝕刻裸表面包括通過KOH進行蝕刻。根據一些實施例，蝕刻裸表面包括通過TMAH進行蝕刻。根據一些實施例，鈍化裸的基底包括鈍化所述表面上暴露的硅。根據一些實施例，鈍化裸的基底包括鈍化整個表面，包括所述表面上暴露的硅和沉積的導電材料。根據一些實施例，所述方法還包括在沉積后燒結導電材料。根據一些實施例，沉積導電材料包括沉積具有10μm-100μm之間的寬度的材料。根據一些實施例，沉積導電材料包括沉積具有10μm-100μm之間的厚度的材料。根據一些實施例，沉積導電材料包括沉積具有大約0.1和1之間的高度與寬度比的材料。根據一些實施例，所述方法還包括在基底的后側涂覆反射層。根據本發(fā)明的一些方面，提供了一種光伏電池，該電池包括具有前表面和后表面的體硅材料的硅基底；位于基底的后表面的到硅基底的體的至少兩個細長觸部；以及涂覆包括觸部的整個后表面的反射層。根據一些實施例，反射層是薄金屬層。根據一些實施例，反射層是介電層。除非另外限定，否則此處使用的所有技術和/或科學術語都具有與本發(fā)明所屬領域的普通技術人員所普遍理解的相同的含義。盡管在本發(fā)明的實施例的實踐或測試中可以使用與此處所描述的相似或等同的方法和材料，但是下文僅描述了示例性的方法和/或材料。在相沖突的情況下，本申請的說明書包括其限定在內將占據主導。此外，這里的材料、方法和示例僅僅是示例性的，并不意在必然是限制性的。參照附圖，這里通過僅為示例的方式來描述本發(fā)明的一些實施例?，F在詳細地具體參照附圖，需要強調的是，所示的細節(jié)僅僅是示例的，并用于本發(fā)明實施例的示例性論述的目的。關于這一點，結合附圖進行的描述將使本發(fā)明的實施例可以如何實施對本領域普通技術人員顯而易見。在附圖中圖IA和IB是根據本發(fā)明的一些示例性實施例的制造到硅基底的體的觸部的方法的流程圖；圖2A-I是圖1A-1B的方法的動作的示意性圖示；圖3是根據本發(fā)明的一些示例性實施例的制造到基底的摻雜層或發(fā)射極的觸部的方法的流程圖；圖4A-4B是圖3的方法的動作的示意性圖示；圖5是PCT/IL2009/000608中描述的觸部沉積系統(tǒng)的示意性圖示；圖6是源基底以及其與觸部要附接以便與圖5所示的系統(tǒng)一起使用的基底的關系的示意性圖示；圖7A-7C是根據本發(fā)明的一些示例性實施例的光伏電池的橫截面和布局的示意性圖示；以及圖8A和8B分別是根據本發(fā)明的一些其他示例性實施例的光伏電池的后表面的橫截面和布局的示意性圖示。具體實施例方式將在下面描述的本發(fā)明的一些實施例的方面提供了光伏電池的制造方法和布局，該光伏電池具有在其上產生鈍化層的后側。電池的后側還優(yōu)選地包括適于較簡單的鈍化方法的摻雜層或感應發(fā)射極。在本發(fā)明的一些實施例中還提供了位于電池的后側的到基底的體的觸部的網格?，F有技術因這種方法和布局遇到了兩個主要的問題。1.在后側上形成到基底的體的觸部可能導致與發(fā)射極或摻雜層的分流；和2.在后側上設置觸部的網格可能減小后側的反射性，并且在光子傳播到后側的過程中沒有轉化成電子空穴對的光子可能丟失。如下所述，本發(fā)明的一些實施例提供了對這些現有技術問題中的一個或多個的解決方案。一些實施例通過在到體的觸部與發(fā)射極之間產生間隙避免了到基底的體的觸部與發(fā)射極之間的分流。一些實施例提供在基底的整個后表面的反射層。一些實施例解決了這兩個問題。本發(fā)明的一些實施例的方面涉及在基底的后表面產生到基底的體的連接，其中基底在后表面具有摻雜層或發(fā)射極以及可選地還有鈍化層。盡管是對摻雜層或發(fā)射極進行論述，但是摻雜層可以不產生在基底上，而是通過鈍化層導致。根據本發(fā)明的一些實施例，在基底的后表面的鈍化層和/或發(fā)射極層中形成開口，例如細長通道。開口可以根據本領域已知的任何方法制成。在一些示例性實施例中，開口通過使用如PCT/IL2009/000608中描述的激光來形成。可替代地，開口可以通過化學蝕刻而形成?？蛇x地，開口的深度使得發(fā)射極層的一些或全部留在所述開口中。發(fā)射極層和可選地基底的體的一些可能被激光燒蝕(ablation)損壞。然后，可選地通過利用來自與形成開口所用的相同的激光(或者不同的激光，但是具有相同的光學設置)的能量從源基底分離金屬，在開口中沉積諸如金屬的導電材料。沉積在開口中的導體優(yōu)選比開口本身窄，使得導體不接觸開口的側壁，并且不接觸開口的側部的發(fā)射極層。因此，在導體中，在導體與開口的側壁之間留有間隙。在一些實施例中，導體然后被燒結或合金化，以改善導體到硅的連接。例如，燒結導體將導致導體與下方的硅之間的合金化，這將去除被損壞的硅層和/或導體下方的發(fā)射極摻雜層。導體的燒結導致導體和基底的體之間的機械穩(wěn)定性和電連接。間隙然后可選地被蝕刻，以去除開口的未被金屬覆蓋的部分中的基底的被激光損壞的表面。對間隙的蝕刻將發(fā)射極層從間隙中去除，使得在觸部與發(fā)射極層之間沒有分流發(fā)生。優(yōu)選地，蝕刻通過鈍化層和觸部都抵抗的蝕刻材料來執(zhí)行。例如，當觸部是Al基時，TMAH可以用于蝕刻。當觸部是Ag基時，KOH可以用于蝕刻?？商娲?，觸部相對厚(大于ΙΟΟμπι)，使得蝕刻材料可以蝕刻金屬觸部中的一些而基本上不損害其有效性?？蛇x地，PECVD可以用被于蝕刻間隙。在一些實施例中，形成用于觸部之間的連接的母線?？蛇x地，母線與觸部同時地被產生，例如如PCT/IL2009/000608中所描述的和將在下文描述的那樣。根據本發(fā)明的一些實施例，蝕刻的開口然后被鈍化?？蛇x地，僅僅開口中的間隙被鈍化，作為示例，通過使暴露的硅氧化來鈍化。可替代地，諸如CVD的鈍化層被鋪設在基底的整個后表面上，包括間隙、金屬觸部以及可選地包括母線。可選地，當母線被鈍化時，母線的全部或一部分上的鈍化層通過激光燒蝕、化學蝕刻或機械去除被去除，從而能夠將連接提供給母線。可替代地，母線上的鈍化層通過焊接到光伏電池(的母線)的動作而被去除。本發(fā)明的一些實施例的方面涉及產生到基底的裸表面的觸部，其中裸表面不包括鈍化層。根據這些實施例，金屬觸部沉積在裸基底上，并且可選地被燒結，以實現對硅的機械和電連接。金屬觸部的沉積和/或燒結通常導致基底上的殘留物。本發(fā)明已經發(fā)現，這些殘留物能夠通過利用金屬觸部抵抗的蝕刻材料蝕刻(或者清潔)基底而被清理。這種材料的一個示例是ΤΜΑΗ,ΑΙ基觸部(通常用于P型基底)和銀基觸部(通常用于η型基底)抵抗TMAH的。用于銀基觸部的另一種示例性材料是Κ0Η。在一些實施例中，基底的裸表面由發(fā)射極層產生。在這些實施例中，觸部產生在發(fā)射極層上，并且通過對其進行燒結而連接于體，這將導致觸部與發(fā)射極層并且可選地與一些硅體合金化。蝕刻基底優(yōu)選地去除整個暴露的發(fā)射極層。在這些實施例中具有發(fā)射極層可以是有利的，因為發(fā)射極層可能引起吸除(gettering)效應(雜質或殘留物擴散到發(fā)射極層中)。因此，去除發(fā)射極層去除了大部分殘留物，并且導致光伏電池壽命的提高，并因此導致電池有效性的提高。然后，具有金屬觸部的基底的表面通常被鈍化?？蛇x地，包括觸部的整個表面被鈍化?？商娲?，例如通過使暴露的硅氧化來僅僅鈍化硅表面被鈍化。本發(fā)明的一些實施例的方面涉及產生到基底的前表面或后表面處的發(fā)射極的觸部，該表面包括發(fā)射極和鈍化層。根據本發(fā)明的一些實施例，該開口優(yōu)選在不損壞開口中的發(fā)射極的情況下被形成在鈍化層中。在一些示例性實施例中，開口通過使用諸如PCT/IL2009/000608中描述的激光形成。諸如金屬的導電材料然后被沉積在開口中，可選地通過從源基底分離導電材料來沉積，優(yōu)選地通過使用來自與形成該開口相同的激光(或者激光設置)的能量來分離。沉積的導電材料連接于開口中的發(fā)射極，并且優(yōu)選地比開口寬，使得金屬覆蓋開口的側部的鈍化層。應當注意，即使開口中的一些發(fā)射極可能被激光損壞，但是大部分發(fā)射極將保持不被損壞，并且激光損壞一般將不損害連接。導電材料優(yōu)選被燒結，以提供對發(fā)射極的機械和電連接。到基底的體以及到摻雜層(發(fā)射極)的觸部的產生在尚未公開的以下專利申請中進行了詳細描述2008年10月12日提交的以色列申請No.194665，2009年5月7日提交的以色列申請No.198629以及2009年6月18日提交的PCT申請No.PCT/IL2009/000608。所有上述文獻的內容都通過參考的方式并入，如同在此對其進行了完整的闡述一樣。應當注意，觸部可以根據本領域已知的任何其他方法來制造，例如絲網印刷。本發(fā)明的一些實施例的方面與光伏電池的各種布局相關，可選地使用上述接觸形成p-n結的側部的硅的方法。在一些實施例中，光伏電池在在其上產生觸部之前被涂覆鈍化層。在一些實施例中，后表面包括在體基體和鈍化層之間的發(fā)射極層(或者由鈍化層產生的感應發(fā)射極)，從而提供在基底后表面的P-n結。在一些實施例中，后表面包括到體基底和到發(fā)射極兩者的觸部。在本發(fā)明的一些實施例中，優(yōu)選在產生到基底的后表面的觸部之后，在基底的后表面上產生反射器。反射器可選地是高反射膜，其反射在行進穿過電池時未被轉化的光子。在本發(fā)明的一些實施例中，基底具有通過體基底和前表面的發(fā)射極層形成的p-n結，并且包括到位于前表面的發(fā)射極的觸部和到位于后表面的體基底的觸部。在本發(fā)明的一些實施例中，在到基底的體的觸部和位于基底的后表面的發(fā)射極層之間形成有間隙。可選地，在間隙上設置附加鈍化層。在本發(fā)明的一些實施例中，觸部(例如，在后表面的觸部)由金屬制成，所述金屬包括在與基底(或發(fā)射極)的連接點處對基底(或發(fā)射極)重摻雜的材料。例如，當用于連接到P型硅時，鋁(Al)是形成觸部的主要材料。當被加熱到大約800°C或更高時，Al形成基底上的P+層。為了連接到η型硅，與銻混合的銀(Ag)可以用作導電材料。當被加熱到大約900°C或更高時，Ag和銻的組成形成基底上的η+層。在這些實施例中，重摻雜層僅在金屬與硅的連接點處形成。因此，當觸部是到如上所述的包括發(fā)射極層的表面處的基底的體時，蝕刻間隙處的硅和發(fā)射極，還在重摻雜層與發(fā)射極層之間形成間隙。根據本發(fā)明的一些實施例，到基底的體和/或到發(fā)射極層的觸部具有小于500μm的寬度?；椎那氨砻嫣幍挠|部也優(yōu)選窄，因為對太陽而言它有利于具有相對大面積的開□。在本發(fā)明的一些實施例中，到基底的體和/或到發(fā)射極的觸部是指形(fingershaped)的，并且設有這種指柵(finger)的平行陣列?？蛇x地，涂覆材料的每個指柵具有比其寬度大的高度(厚度)。在一些實施例中，涂覆的指柵的縱橫比(高度/寬度)大約在0.3至3之間。可選地，涂覆的指柵的高度在10μπι-300μπι之間，例如在10μπι-150μπι之間。可選地，涂覆的指柵的高度在10μπι-150μπι之間或10μπι-100μπι之間。可選地，每個指柵具有大約154mm的長度?？商娲?，每個指柵具有大約156mm的長度，指柵的長度可以因不同的設計以及為基底的不同尺寸和形狀而變化。可選地，每個指柵鋪設成連續(xù)的一片材料?？蛇x地，沉積的材料在其厚度上基本上是均勻的。在詳細論述本發(fā)明的至少一個實施例之前，應當理解，本發(fā)明并不一定限于應用在下面的描述中闡述和/或附圖中示出的部件和/或方法的構造和布置的細節(jié)中。本發(fā)明能夠具有其他實施例或者能以各種方式來實踐或執(zhí)行。另外，描述了大量的連接方法和布局。盡管關于特定的布局描述了具體的連接方法，但應當理解，對于這些連接中的一些，可以使用其他的連接方法(或者在一些情況下，使用現有技術的連接方法)?，F在參照附圖，圖IA是流程圖，示出了在先被鈍化層涂覆的基底的表面產生到硅基底的體的觸部的方法300。圖2A-2G是方法300的動作之后的基底的橫截面的示意性圖示。出于說明該方法的目的，將對P型硅基底(觸部被產生到該基底)進行論述。應當注意，相同或非常相似的方法可被用于η型硅基底。圖2Α示出了形成在ρ型體材料基底410上的電池400。在圖2Α-2Κ以及圖4Α-4Β中，后側是圖中所示的下側。在一些實施例中，到基底的觸部產生在被鈍化層460覆蓋的基底的后表面處。在一些實施例中，基底的后表面還包括位于基底的體410和鈍化層460之間的摻雜層或η型發(fā)射極450。在一些實施例中，沒有發(fā)射極層450產生在后表面上，然而，鈍化層致使感應發(fā)射極被形成在基底的后表面上。出于說明的目的，下面的論述將針對在其后表面具有發(fā)射極層的基底；然而，相同的產生方法可用于沒有這種發(fā)射極的基底。在302，可選地通過使用激光，在ρ型基底的后表面產生開口。這種開口的示例示出在圖2Β中為開口456。在一些實施例中，開口的深度使得鈍化層和發(fā)射極被去除。在一些實施例中，如圖2Β所示，開口的深度使得發(fā)射極層的一部分或全部留在開口中，發(fā)射極層留在開口中(如圖2Β中的452所表示的)。在這些實施例中，到體基底的連接經由發(fā)射極452。留在開口中的發(fā)射極452可選地被燒蝕開口456的激光損壞。基底410的一部分也可能被激光損壞，如圖2B中所示的硅層412?？蛇x地，在形成開口之后，基底被清潔以去除任何源自于激光燒蝕的殘留物。在304處，如圖2C所示，導電材料或導體480沉積在302所形成的開口中。導體480優(yōu)選沉積為使得導體480不接觸開口456的側壁457和458處的發(fā)射極層460。在一些實施例中，導體480比開口窄，并且在導體480和開口的側壁457和458之間留有間隙454。在一些實施例中，間隙妨4可選地具有2μm-50μm之間的寬度，可選地為5μm-10μm之間的寬度。開口456與導體480之間需要充分精確的對準，特別是如果要留有間隙的情況?？蛇x地，通過使用相同的激光(或者具有相同的光學設置的不同激光)燒蝕開口456和沉積導電導體480來實現對準。2009年6月18日提交的PCT申請No.PCT/IL2009/000608教導了一種用于使用相同的激光設置形成開口和沉積材料從而實現兩種之間精確對準的方法和系統(tǒng)。圖5是如PCT/IL2009/000608中描述的用于燒蝕開口并鋪設硅基底41的觸部的激光系統(tǒng)700的示意性圖示。系統(tǒng)700包括適于射出兩個激光束107和108的兩個激光源112。激光束107和108穿過聲光折射器121，撞擊在旋轉的多面棱體(polygon)122的表面上，穿過透鏡123并最終轉變成兩條平行的激光線127a和127b?？蛇x地，激光線127a和127b以基本相同的時間輻射，并且具有相同的方向。載有用于沉積為硅基底41上的觸部的涂覆線630的源基底53被與導體要沉積在其上的基底微微間隔開地設置。源基底53還包括位于涂覆線630之間的可選的狹縫640。狹縫640適于提供空間，以便激光束穿過源基底并燒蝕硅基底41中的開口?？刂破?47被設置用于控制掃描系統(tǒng)700的操作?？刂破?47控制激光源112和多面棱體122，使得激光線127穿過源基底53的狹縫640掃描線U8a，并且照射硅基底41，從而燒蝕硅基底中的開口?？刂破?47還控制激光源112和多面棱體122，使得激光線127b形成掃描線U8b，掃描線128b沿著源基底的導電涂覆線630掃描并被其吸收，并且使它的沉積到在接收基底中所形成的開口上。涂覆材料優(yōu)選設置為源基底上的成線的材料。由于無需將線與線的側部上的涂覆材料分開，所以激光功率可被減小，使得整個線或被一次傳輸，或者沿著其長度無間斷地順次傳輸。接收基底41被控制器147沿方向1移動，方向1基本垂直于掃描線和源基底53。源基底53被控制器147控制繞其軸線沿方向1旋轉，方向1使得在被照射時涂覆線630基本垂直于掃描線。硅基底41和源基底53的移動優(yōu)選通過控制器147與激光束的輻射相協調，使得每個涂覆線630被沉積在硅基底41的鈍化層中所形成的開口中。可選地激光束基本同時照射，使得利用每個輻射的激光線，開口被形成在接收基底中，并且先前產生的開口被沉積材料填充。在本發(fā)明的一些實施例中，系統(tǒng)700被用于產生到基底的體的觸部和到硅基底41的發(fā)射極層的觸部。可選地，兩種或更多種材料設置在同一源基底上，使得每個涂覆線630由不同的材料形成和/或具有不同的尺寸，例如厚度?？商娲?，具有不同涂層的兩個或更多個源基底被提供，并且所述兩個或更多個源基底的涂覆材料被沉積在同一硅基底上。應當注意，對涂覆材料的燒蝕比沉積需要更多的能量。因此，激光束107和108可以以不同的功率輻射。應當進一步注意，就到基底的體的觸部的燒蝕和對于到發(fā)射極的觸部的燒蝕而言，由于開口的不同深度以及可選地還由于開口的尺寸而處于不同的能量和點尺寸。系統(tǒng)700是有利的，因為利用相同的設置順次執(zhí)行燒蝕和沉積兩個過程，所以它提供接收基底的較快產生。此外，由于相同的系統(tǒng)被用于材料的燒蝕和沉積，所以在涂覆線和燒蝕線之間獲得了較容易的對準(或者無需附加的對準)。在上文參照的PCT申請中所描述的方法和系統(tǒng)實現了利用單個激光操作沉積單片同質材料。此外，每片沉積材料可選地具有比其寬度大的高度。在本發(fā)明的一些實施例中，涂覆線的縱橫比(高度/寬度)大約在0.3至3之間。可選地，涂覆材料的高度在10μ-300μπ之間，例如在10μ-150μπ之間?？蛇x地，涂覆線的寬度在ΙΟμ-ΙδΟμπ之間。在本發(fā)明的一些實施例中，導體480是單片同質材料。在本發(fā)明的一些實施例中，導體480是具有基本平坦的表面而在其上沒有突起的指形。導體480優(yōu)選傳導從所吸收的光子轉化的電子空穴對的電子的金屬材料。在一些實施例中，沉積的觸部被燒結(在305)，以便可選地通過開口中剩余的發(fā)射極層，提供觸部與整塊基底之間的機械穩(wěn)定性和良好的電連接。如圖2D所示，燒結觸部480導致觸部480與發(fā)射極層452和硅層412合金化(或者融合)，從而產生融合層(meltedlayer)481。在一些實施例中，燒結導體使得導體與硅的連接表面被重摻雜。優(yōu)選地，僅僅硅與觸部之間的連接點被重摻雜。如圖2D所示，僅僅融合層481被重摻雜。因此，可選地，在重摻雜硅481和發(fā)射極層450之間沒有連接。在一些實施例中，所沉積的觸部包括某種重摻雜連接點的材料。例如，導體480可以包括Al，當被加熱(或燒結)到大約800°C時，Al與P型基底形成P+觸部481?？商娲兀斒褂忙切突讜r，導體480可由Ag與銻的混合物制成，當被加熱(或燒結)到大約900°C時，該混合物與η型基底形成η+觸部。在306，間隙457被蝕刻，以去除被激光損壞的層412和452。如圖2Ε所示，間隙妨4被一直蝕刻直到到達基底410的未被損壞的表面。對間隙的蝕刻導致沒有發(fā)射極層(或者具有感應發(fā)射極的鈍化層)留在間隙中，使得在觸部480和發(fā)射極450和/或鈍化層460之間沒有分流發(fā)生。它還將任何可能導致導體和發(fā)射極層之間的分流的重摻雜材料去除。在一些實施例中，蝕刻由導體480和鈍化層460兩者都基本抵抗的蝕刻材料形成。例如，當導體480是Al基或Ag基時，TMAH可以用來進行蝕刻。當導體480是Ag基時，KOH同樣可用于蝕刻?？商娲兀瑢w480具有相對大的厚度(例如，超過100μm)，并且一些導體480也被蝕刻。蝕刻的間隙然后在308被涂覆鈍化層。可選地，如圖2F中所示，僅僅間隙中的硅和發(fā)射極被用鈍化層415鈍化?？蛇x地，鈍化層415通過使暴露的硅氧化而形成?？商娲?，如圖2G所示，電池400的整個后表面被以鈍化層455涂覆?？蛇x地，鈍化層455由CVD制成。在本發(fā)明的一些實施例，母線還沉積在基底的后表面上，以形成導體480之間的連接，可選地利用PCT申請No.PCT/IL2009/000608中描述的激光沉積來形成。圖6示出了用于產生如PCT/IL2009/000608中描述的觸部和母線的源基底1000?；?000載有第一涂覆材料1010，第一涂覆材料1010呈相對于如上關于圖5描述的圓形基底1000的中心對齊的徑向線的形式，第一涂覆材料1010可以由用于不同觸部的不同材料制成。第二涂覆材料1020設置成兩個相互隔開的圓形線。相互隔開的圓形線1020的部段優(yōu)選具有相同的長度。產生的源基底1101進一步示出在圖6和7A中，其示出了沉積在源基底1101上的觸部和母線。母線適于電連接至相應的一組指柵，并且適于將兩個或更多個光伏電池連接在一起，例如通過焊接或金線鍵合來連接。為了η型硅的觸部之間的連接，母線可以由與觸部相同的材料制成，例如銀。然而，由于母線用于對電池進行相互連接以及被用于連接至外界，所以母線需要具有高的可焊接性，而P型硅的觸部優(yōu)選由具有相對低的可焊接性的Al制成。因此，用于在到P型硅的觸部之間進行連接的母線可以由不同的材料制成，例如諸如Ag-Al的Ag基材料。源基底1000適于與和圖5所示的系統(tǒng)相似的掃描系統(tǒng)一起被使用。源基底1000繞其軸線1030旋轉，并且多個硅基底1100在源基底和激光線輻射下方沿方向1110(如圖5中詳細示出)輸送。用于源基底1000的掃描系統(tǒng)還包括輻發(fā)射兩個激光點1200的兩個附加的激光源。激光點1200照射在涂覆材料1200，以在線1010沉積在硅基底1100上之后將涂覆材料1020沉積在硅基底1100上。在協調的源1000的旋轉和硅基底1100的運動期間，激光點將沿平行于1110的方向沉積線。激光點1200可以比涂覆圖案1200寬，以補償激光點對準的不精確。例如，涂覆材料1020可以具有2mm的寬度，而激光點可以具有3mm或更大的直徑。優(yōu)選地，點的尺寸應當足夠小，以確保同一激光點不輻射兩條涂覆線1020?？商娲兀瑑H僅設有一個激光點1200，該激光點1200足夠大到照射兩條線1020。涂覆線1200之間的空間與接收基底1100之間的空間相協調，使得涂覆線1200將沉積在一個接收基底上，并將基本終止在該接收基底的端部。應當注意，涂覆材料1200對準的一些不精確是可以容忍的，例如，涂覆材料不必沉積在接收基底的邊緣，而是可以離開邊緣沉積，例如距離邊緣大約100μm-200μm(在圖中放大了相對距離)。在一些實施例中，后表面涂覆有反射器或薄反射層，用于反射p-n結處未被轉化成電子空穴對的光子。圖IB是產生到裸基底的體的觸部的方法350的流程圖。在一些實施例中，在基底上沉積觸部之前，在基底的裸表面上既不產生鈍化層也不產生摻雜層。圖2H是沒有摻雜層和鈍化層的光伏電池401的一部分的示例性圖示，其中根據方法350在基底411上產生觸部482。在352，觸部482沉積在裸基底411上，如圖2H所示?？蛇x地，用圖5所示和PCT/IL2009/000608中描述的系統(tǒng)來進行沉積。可替代地，用絲網印刷或蒸發(fā)或任何其他的沉積技術來進行沉積，所有這些技術都可能導致殘留物被留在涂覆材料周圍的基底上。因此，可選地，基底在觸部沉積之后被清潔或蝕刻。在一些實施例中，觸部在353被燒結，以改善硅的觸部的連接和/或使觸部硬化?？蛇x地，在觸部與基底411之間的連接點處形成重摻雜層483?；自?M被清潔或蝕刻，以從燒結和/或沉積中去除殘留物。本發(fā)明的發(fā)明人已經發(fā)現，殘留物能夠通過用金屬觸部抵抗的材料蝕刻(或者清潔)基底而被清理。這種材料的示例是用于Al基觸部(通常用于ρ型基底)的TMAH和用于銀基觸部(通常用于η型基底)的Κ0Η。本發(fā)明的發(fā)明人已經發(fā)現，在這種蝕刻過程中對整塊材料中的一層的去除基本上不降級對電池的操作。在356，包括觸部482的基底然后被用鈍化層461鈍化?？蛇x地，包括觸部的整個表面被鈍化?？商娲?，僅僅硅表面被鈍化，例如通過對暴露的硅進行氧化。在一些實施例中，在觸部沉積于其上之前，基底的裸表面具有摻雜層但是不具有鈍化層。應當注意，設置發(fā)射極層導致發(fā)射極層上的殘留物的排出(gutteringoftheresidue)，使得在3蝕刻發(fā)射極層之后，大部分的殘留物被去除。在353燒結觸部使觸部與發(fā)射極合金化(或者融合)，并形成與基底411的重摻雜觸部。圖2I-I是具有發(fā)射極451但沒有鈍化層的光伏電池402的一部分的示意性圖示，觸部根據方法350產生在該部分上。圖21示出了沉積在摻雜層451上的觸部482。圖2J示出了在353燒結和在邪4清理之后的基底。在觸部482和基底411之間形成重摻雜層483，并且暴露的摻雜層451全部通過蝕刻被去除。圖觀示出了在356鈍化之后的基底。在本發(fā)明的一些實施例中，在產生根據圖IA或圖IB的觸部之后，在基底的后側上產生反射層?？蛇x地，反射層是可以通過真空被沉積的薄膜(1-5納米)。反射層的沉積時間通常非常短，并且基本上不影響光伏電池的生產成本。此外，應當注意，反射層可以提高電池的后側的金屬阻力和焊接特性。可選地。例如當光伏電池在其前側和后側都具有觸部時，反射層由銀制成。可替代地，例如當基底的后側包括到基底的體和到發(fā)射極的觸部時，介電膜或膜堆層可以用作反射層，這將避免不同觸部之間的導電。圖3是流程圖，示出了產生到發(fā)射極的觸部的方法500，發(fā)射極產生在涂覆有鈍化層的硅基底上。圖4A和4B是方法500的動作的示意性圖示。出于說明該方法的目的，將對產生有η型發(fā)射極的P型硅基底進行論述，其中觸部被產生給該η型發(fā)射極。應當注意，相同的方法可以用于產生有P型發(fā)射極的η型硅基底。進一步注意，下面的說明將涉及對η型發(fā)射極的觸部，其中該η型發(fā)射極產生在基底的前表面上。然而，相同的方法可以應用于在基底的后表面產生所述觸部?？蛇x地，在產生觸部前，基底的前表面在502被紋理化，以在其前表面形成金字塔或之字形紋理。使基底紋理化提高了太陽能電池的抗反射特性，因此在本發(fā)明的一些實施例中是有利的。在503，在紋理化的對象的前表面上產生摻雜層或發(fā)射極?？蛇x地，在504，在摻雜層上產生鈍化層。應當注意，在本發(fā)明的一些實施例中，對象的后表面可以在如上關于圖1和2所描述的在其上產生觸部前被紋理化和鈍化。在506，在鈍化層中形成開口，如圖4Α所示的那樣。應當注意，圖4Α沒有示出紋理化的表面，然而，相同的方法和圖示可以被應用于紋理化的表面。圖4Α示出了光伏電池，其包括ρ型硅基底610、產生于基底的前表面上的η型發(fā)射極620和產生于發(fā)射極620上的鈍化層630。圖4Α還示出了形成在鈍化層630中的開口636。開口636的深度優(yōu)選使得其不損壞發(fā)射極620?？蛇x地，開口636被以不燒蝕發(fā)射極620的功率水平由激光燒蝕形成。在508，導電材料640沉積在開口636中，如圖4B中所示。優(yōu)選地，導電材料640比開口寬，使得材料的邊緣覆蓋鈍化層630。在本發(fā)明的一些實施例中，材料640通過使用激光被沉積，可選地，通過使用與用于形成開口636相同的激光(或者具有相同光學設置的不同激光)來沉積?？蛇x地，根據PCT申請No.PCT/IL2009/000608中所描述的和本文的圖5和圖6中所示出的方法和系統(tǒng)來產生開口和沉積材料?？蛇x地，導電材料640被加熱，以便對其進行硬化并改善與硅的連接?？蛇x地，加熱導電材料還在導電材料與發(fā)射極的連接點處形成重摻雜層。優(yōu)選地，加熱導電材料不導致導電層與發(fā)射極的融合，該融合可導致如上參照圖IA和IB描述的與整塊基底的連接。可選地，例如當發(fā)射極620是η型發(fā)射極時，導電材料640是在被加熱時不與整個發(fā)射極層620形成合金的Ag基。現在論述光伏電池的布局，可選地通過圖1-6中描述的方法來對該光伏電池產生觸部。圖7Α示出了根據本發(fā)明的示例性實施例，在電池的前表面和后表面都具有觸部的光伏電池100的布局。該電池包括優(yōu)選由單晶硅或者可替代地由多晶硅制成的基底110。在一些實施例中，基底的厚度可選地在100μπι-200μπι之間?？商娲兀摵穸却蠹s為300μm?？商娲?，基底110的厚度在IOym-IOOym之間。出于說明的目的，硅基底110稱作ρ型基底。然而，相同的說明在進行必要變化的情況下適用于η型基底的生產。η型發(fā)射極層120鋪設或摻雜在基底的前表面上，并且發(fā)射極層120被進一步用鈍化層130涂覆。電池100的前表面還包括穿過鈍化層110的到發(fā)射極層120的觸部140?？蛇x地，觸部140是與η型發(fā)射極層120形成良好連接的銀基觸部。在一些實施例中，觸部140具有IOym-IOOym之間(可選地為大約50μm)的寬度和/或厚度?？蛇x地，觸部的厚度與寬度的縱橫比在0.3至3之間?？蛇x地，在觸部140之間設有大約lmm-3mm的空間?？蛇x地，電池100的每個表面包括大約40個指柵。觸部140可選地利用圖3的方法500產生。電池100還包括位于其后表面的鈍化層160。電池100的后表面還包括穿過鈍化層的對整塊基底Iio的觸部180。在一些實施例中，電池100還包括位于整塊基底110和鈍化層160之間的浮動發(fā)射極層150。發(fā)射極層150的存在提供了比基底110更好的鈍化特性。在這些實施例中，觸部180穿過鈍化層160并穿過(浮動的)發(fā)射極層150而形成?？蛇x地，沒有發(fā)射極層150形成在后表面上，但是鈍化層160導致在后表面的感應發(fā)射極。同樣在這種情況下，在對體的觸部與鈍化層160之間不應有相互連接。優(yōu)選地，觸部180不觸及浮動的發(fā)射極層150或鈍化層160，并且在觸部180和發(fā)射極150和/或鈍化層160之間設有間隙154。觸部180可選地利用圖IA描述的方法來產生。在本發(fā)明的一些實施例中，觸部180具有小于500μπι的寬度?？蛇x地，觸部180的寬度和/或厚度在50口111-40(^111之間、5(^111-10(^111之間或10μm-100μm之間。在本發(fā)明的一些實施例中，觸部180的寬度與厚度的縱橫比小于0.1,0.2或1。在本發(fā)明的一些實施例中，觸部180由Al制成，Al在被加熱到大約800°C時提供到硅基底110的P+型觸部。在本發(fā)明的一些實施例中，基底Iio是η型基底，并且觸部180包括銀-銻，以在其被加熱到大約900°C時提供到η型基底110的η+型觸部。在本發(fā)明的一些實施例中，觸部180為指形，并且具有其上沒有突起的基本平坦表面。觸部140可選地也為指形，并且可以在面對基底的表面上具有突起。觸部140和180可選地由一片同質材料形成。在一些實施例中，電池100還包括位于電池的前表面和后表面上分別用于在觸部140和180之間進行連接的母線，例如為圖7A所示的母線142。圖7B是圖7A所示的電池的橫截面。如圖7B所示，間隙154優(yōu)選涂覆有鈍化層190?？蛇x地，鈍化層190涂覆電池的整個后表面，如圖7B所示。可替代地，鈍化層190僅僅存在于間隙154中的硅材料和發(fā)射極上。圖7C是根據本發(fā)明的另一個示例性實施例的光伏電池101的布局的示意性圖示，觸部被生成在該電池的前表面和后表面。電池101包括基底110和在其前表面的到發(fā)射極層120的觸部142。觸部142類似于上面關于圖7A描述的觸部140。電池101在其后表面不包括發(fā)射極層。電池101包括位于其后表面的觸部181，觸部181連接于整塊基底110。電池101的后表面和觸部140涂覆有鈍化層161。母線(未示出)通常設置用于指柵之間的連接和連接至外部。應當注意，圖7A-7C僅僅是示例性實施例，其他示例性實施例包括利用上面關于圖1-6描述的實施例所生成的觸部的組合。例如，圖7B中示出的觸部181可以產生在摻雜層上。圖8A示出了根據本發(fā)明的其他實施例的光伏電池200的橫截面，其中電池的后表面包括對整塊到基底的體的觸部和到發(fā)射極的觸部。電池200由與上面描述的基底110相似的硅基底210形成。基底210在其前表面被鈍化層220涂覆，并且在其后表面被鈍化層260涂覆。電池200還包括位于基底210和鈍化層260之間的發(fā)射極層250?？蛇x地，電池200在其前表面不包括發(fā)射極層，并且在前表面沒有觸部產生。電池200包括到發(fā)射極層250的觸部240和位于基底的后表面的到整塊基底210的觸部觀0。在本發(fā)明的一些實施例中，觸部240與上文關于圖7A描述的以及在圖3A中描述了其產生的觸部140類似?？商娲?，觸部240與上文關于圖7B描述的以及在圖:3B中描述了其產生的觸部142類似。在一些實施例中，觸部280與上文關于圖7A描述且在圖IA中描述了其產生的觸部180類似?？商娲兀|部280與上文關于圖7B描述且在圖IB中描述了其產生的觸部181類似。在一些實施例中，到觸部的連接點處的硅被重摻雜。例如，當基底210是ρ型基底時，在觸部280和基底210之間產ρ+型層。可選地，觸部280包括Al，并且ρ+層通過將Al加熱到大約800°C而形成。在這些實施例中，P+層僅在觸部280和基底210之間的連接點處形成，使得P+層和發(fā)射極250之間沒有連接。在本發(fā)明的一些實施例中，電池200還包括位于其后表面的附加的鈍化層四0?？蛇x地，后表面還涂覆有反射器(未示出)，以反射未被吸收的光。如果反射器由絕緣材料制成，則反射器能夠鋪設在整個后表面上。然而，如果反射器由導電材料制成，則在反射器層中應當形成間隙，使得所述層將不在觸部240和觸部280之間形成連接?？蛇x地，例如當光伏電池在其前側和后側都具有觸部時，反射層由銀制成?？商娲?，例如當基底的后側包括到基底的體和到發(fā)射極兩者的觸部時，介電膜或膜疊層可以用作反射層，該反射層將避免不同觸部之間的導電。可選地，反射器設置在鈍化層290上?？蛇x地，觸部280之間的距離在大約lmm-3mm之間。圖8B是電池200的后表面的示意性圖示。如圖8B所示，電池200還包括用于在觸部240之間進行連接的母線242和用于在觸部280之間進行連接的母線觀2。優(yōu)選地，觸部240和280之間不應有任何連接。因此，觸部240被沉積到靠近基底210的右側212，并且在基底210的左側214之前終止。類似地，觸部214靠近左側214沉積并且終止在右側212之前?？蛇x地，在母線和不與母線相連的觸部之間留有10μm-lmm之間的空間。因此，放置在右側212的母線242形成觸部240之間的連接而未形成到觸部觀0的任何連接。類似地，放置在左側214的母線282形成觸部280之間的連接而不接觸觸部M0。母線242和282可選地由與它們所連接的觸部相同的材料制成。然而，由于Al不適于焊接，所以到Al觸部的母線可以由Al-Ag金屬制成。此處使用的術語“大約”指的是士10%。術語“包括”、“包括有”、“包含”、“含有”、“具有”及其同根變形意指“包括但不限于”。該術語包括術語“由……構成”和“基本上由……構成”。術語“基本上由……構成”意指構成或方法可以包括附加的成分和/或步驟，但只在該附加的成分和/或步驟不在實質上改變要求保護的成分或方法的基本和新穎特征的情況下。如此處所使用的，除非文中清楚地另有所指，否則單數形式“一”、“一個”、“該”包括復數形式。例如，術語“一個化合物”或“至少一個化合物”可以包括多個化合物，包括其混合物。詞語“示例性，，在此處用來表示“用作示例、例子或示意”。描述為“示例性，，的任何實施例都不一定理解為相對于其他實施例是優(yōu)選的或有利的和/或排除來自其他實施例的特征的引入。詞語“可選地”在此處用來表示“設置在一些實施例中并且不設置在其他實施例中”。本發(fā)明的任何特定實施例都可包括多個“可選的”特征，除非這些特征相互沖突。在整個該申請中，本發(fā)明的各種實施例都可以范圍的形式來表示。應當理解，范圍形式的描述僅僅是為了方便和簡潔，不應理解為在本發(fā)明的范圍上的硬性限制。因此，范圍的描述應當被認為具有具體公開的所有可能子范圍以及該范圍內的各個數值。例如，諸如從1到6的范圍的描述應當被認為具有具體公開的子范圍，如從1到3、從1到4、從1到5、從2到4、從2到6、從3到6等，以及落在該范圍內的各個數，例如1、2、3、4、5和6。不管范圍的闊度如何，這都適用。無論此處在何時指示數字范圍，都意味著包括該指示范圍內的任何引用的數字(分數或整數)。詞語“在第一指示數字到第二指示數字之間”和“從第一指示數字到第二指示數字”此處可互換地使用，并且意指包括第一指示數字和第二指示數字以及其間的所有分數和整數。應當注意到，為了清楚起見而在各個實施例的背景中描述的本發(fā)明的某些特征也可以在單個實施例中組合地提供。相反地，為了簡潔起見而在單個實施例的背景中描述的本發(fā)明的各個特征也可以在本發(fā)明的任何其他所描述的實施例中單獨地提供，或者以任何適當的子組合來提供，或者適當地提供。在各個實施例的背景中描述的某些特征不應理解為這些實施例的必要特征，除非該實施例在沒有這些元素的情況下是無法操作的。盡管已經結合其具體實施例描述了本發(fā)明，但是顯然，很多替代形式、修改和變型對本領域普通技術人員都是顯而易見的。因此，本發(fā)明意在包括落在所附權利要求的精神和廣泛范圍內的所有這種替代形式、修改和變型。本說明書中提及的所有公開文獻、專利以及專利申請在此都通過參引的方式全部并入說明書中，如同每個單獨的公開文獻、專利或專利申請被具體和單獨地表明通過參引的方式并入此處。此外，本申請中對任何參考文獻的引用或識別都不應理解為承認這種參考文獻可用作本發(fā)明的現有技術。在使用章節(jié)標題的情況下，其不應理解為必須是限制性的。權利要求1.一種光伏電池，所述電池包括具有前表面和后表面的體硅材料的硅基底；在所述基底的后表面上的發(fā)射極層；穿過所述發(fā)射極層的細長通道；到所述硅基底的體的細長觸部，所述觸部在所述細長通道中的至少一些內，其中所述觸部比所述通道窄；以及在所述細長觸部的至少一些與所述觸部的側部上的所述發(fā)射極層之間的發(fā)射極中的間隙。2.如權利要求1所述的電池，其中，所述發(fā)射極層包括具有與所述硅基底相反的極性的摻雜層。3.如權利要求1或2所述的電池，其中，所述發(fā)射極包括由設置在所述基底的后表面上的鈍化層形成的感應發(fā)射極。4.如權利要求1或2所述的電池，其中，所述電池還包括產生在所述基底的后表面的發(fā)射極層上的鈍化層。5.如前述權利要求中任一項所述的電池，其中，所述細長觸部具有10μπι-100μπι之間的寬度。6.如前述權利要求中任一項所述的電池，其中，所述細長觸部具有10μπ-100μπ之間的厚度。7.如前述權利要求中任一項所述的電池，其中，所述細長觸部的高度與寬度比在大約0.3和3之間。8.如前述權利要求中任一項所述的電池，其中，所述觸部由在其厚度上基本均勻的導電材料形成。9.如前述權利要求中任一項所述的電池，其中，在到所述體材料的觸部和所述基底之間，形成有重摻雜層。10.如權利要求6所述的電池，其中，所述間隙在所述重摻雜層與所述發(fā)射極層之間隔開。11.如前述權利要求中任一項所述的電池，其中，所述電池還包括穿過所述基底后表面上的鈍化層的附加的細長通道，以及穿過所述鈍化層在所述通道內的到所述發(fā)射極層的附加的細長觸部。12.如權利要求1至10中任一項所述的電池，其中，所述電池還包括位于所述基底的前表面的發(fā)射極層和位于所述基底的前表面的發(fā)射極層上的鈍化層，并且所述電池還包括到位于所述基底的前表面的發(fā)射極層的觸部。13.如權利要求11或12所述的電池，其中，到所述發(fā)射極層的所述細長觸部具有在10μ-100μπ之間的寬度。14.如權利要求11至13中任一項所述的電池，其中，到所述發(fā)射極層的所述細長觸部具有在ΙΟμπι-ΙΟΟμπι之間的厚度。15.如權利要求11至14中任一項所述的電池，其中，對所述發(fā)射極層的所述細長觸部的高度與寬度比在大約0.1和1之間.16.如前述權利要求中任一項所述的電池，其中，所述電池包括在其后表面的附加鈍化層。17.如權利要求16所述的電池，其中，所述附加鈍化層僅僅存在于所述間隙中。18.如前述權利要求中任一項所述的電池，還包括在所述電池的后表面的反射層。19.如權利要求18所述的電池，其中，所述反射層是薄金屬層。20.如權利要求18所述的電池，其中，所述反射層是介電層。21.—種產生穿過發(fā)射極的到硅基底的觸部的方法，所述方法包括在所述基底的表面的發(fā)射極層中形成開口；以及在所述開口中沉積導電材料，所述導電材料在尺寸上比所述開口小，使得在所述導電材料與所述開口的側壁之間留有間隙。22.如權利要求21所述的方法，其中，產生穿過發(fā)射極的對到硅基底的觸點觸部包括產生對到在所述發(fā)射極層上具有具有鈍化層的硅基底的觸點觸部，并且其中形成產生開口包括產生形成穿過所述鈍化層并穿過所述發(fā)射極層的至少一部分的開口。23.如權利要求21或22所述的方法，其中所述方法還包括對沉積的導電材料和所述基底的連接點進行重摻雜。24.如權利要求22或23所述的方法，其中所述方法還包括在所述表面的鈍化層中形成附加開口；以及在所述開口中沉積導電材料，從而產生到所述發(fā)射極層的觸部。25.如權利要求M所述的方法，其中所述方法還包括產生用于在到所述基底的體的觸部之間進行連接的第一母線；和產生用于在到所述發(fā)射極層的觸部之間進行連接的第二母線。26.如權利要求25所述的方法，其中產生第一母線和第二母線包括產生使得在所述第一母線和第二母線之間沒有連接的第一母線和第二母線。27.如權利要求21至沈中任一項所述的方法，還包括蝕刻所述開口中的間隙；和至少鈍化所蝕刻的間隙。28.—種產生穿過發(fā)射極層的到硅基底的觸部的方法，所述方法包括在所述基底的表面的發(fā)射極層的至少一部分中形成開口；在所述開口中沉積導電材料；對所述導電材料與所述基底的連接點進行重摻雜；以及蝕刻所述發(fā)射極層和所述重摻雜層之間的間隙。29.如權利要求觀所述的方法，其中，在所述發(fā)射極層的至少一部分中形成開口包括在發(fā)射極層的至少一部分和鈍化層中形成開口。30.如權利要求27至四中任一項所述的方法，其中，蝕刻間隙包括用TMAH進行蝕刻。31.如權利要求27至四中任一項所述的方法，其中，蝕刻間隙包括用KOH進行蝕刻。32.如權利要求27至31中任一項所述的方法，其中，所述方法還包括鈍化所蝕刻的間隙。33.如權利要求32所述的方法，其中，鈍化所蝕刻的間隙包括鈍化所述基底的整個表34.如權利要求32或33所述的方法，其中，鈍化所蝕刻的間隙包括基本上僅僅鈍化所蝕刻的間隙中的硅。35.如權利要求21至34中任一項所述的方法，其中，所述方法還包括在所述表面的相反表面的鈍化層中形成開口；以及在所述相反表面的開口中沉積導電材料，從而形成到在所述相反表面的發(fā)射極層的觸部。36.如權利要求35所述的方法，其中，在開口中沉積導電材料從而形成到發(fā)射極層的觸部包括沉積具有10μm-100μm之間的寬度的導電材料。37.如權利要求35或36所述的方法，其中，在開口中沉積導電材料從而形成到發(fā)射極層的觸部包括沉積具有10μm-100μm之間的厚度的導電材料。38.如權利要求35至37中任一項所述的方法，其中，在開口中沉積導電材料從而形成到發(fā)射極層的觸部包括沉積具有大約0.1和1之間的高度與寬度比的導電材料。39.一種產生到硅基底的裸表面的觸部的方法，所述方法包括直接在所述基底的裸表面上沉積導電材料；蝕刻所述裸表面；以及在所述導電材料的沉積之后鈍化所述裸表面。40.如權利要求39所述的方法，其中，蝕刻所述裸表面包括僅僅蝕刻所述表面上的硅。41.如權利要求39所述的方法，其中，所述裸表面包括發(fā)射極層，并且其中蝕刻所述裸表面包括蝕刻所述裸表面上暴露的發(fā)射極層。42.如權利要求39至41中任一項所述的方法，其中，蝕刻所述裸表面包括通過KOH進行蝕刻。43.如權利要求39至41中任一項所述的方法，其中，蝕刻所述裸表面包括通過TMAH進行蝕刻。44.如權利要求39至43中任一項所述的方法，其中，鈍化所述裸基底包括鈍化所述表面上暴露的硅。45.如權利要求39至43中任一項所述的方法，其中，鈍化所述裸基底包括鈍化整個表面，包括所述表面上暴露的硅和沉積的導電材料。46.如權利要求39至45中任一項所述的方法，其中，所述方法還包括在沉積后燒結所述導電材料。47.如權利要求21至46中任一項所述的方法，其中，沉積導電材料包括沉積具有10μm-100μm之間的寬度的材料。48.如權利要求21至47中任一項所述的方法，其中，沉積導電材料包括沉積具有10μm-100μm之間的厚度的材料。49.如權利要求21至48中任一項所述的方法，其中，沉積導電材料包括沉積具有大約0.1和1之間的高度與寬度比的材料。50.如權利要求21至49中任一項所述的方法，其中，所述方法還包括用反射層涂覆所述基底的后側。51.一種光伏電池，所述電池包括具有前表面和后表面的體硅材料的硅基底；位于所述基底的后表面的到硅基底的體的至少兩個細長觸部，其中間隙隔開在所述觸部之間；以及涂覆包括所述觸部的整個后表面的反射層。52.如權利要求51所述的電池，其中，所述反射層是薄金屬層。53.如權利要求51所述的電池，其中，所述反射層是介電層。全文摘要一種光伏電池(400)，該電池包括具有前表面和后表面的體硅材料的硅基底(410)；位于所述基底的后表面上的發(fā)射極層(450)；穿過發(fā)射極層的細長通道(456)；到硅基底的體的細長觸部(480)，其位于細長通道中的至少一些內，其中觸部比通道窄；以及位于細長觸部中的至少一些與觸部側部(457)上的發(fā)射極層之間的發(fā)射極中的間隙(454)。文檔編號H01L31/18GK102318074SQ200980151314公開日2012年1月11日申請日期2009年10月12日優(yōu)先權日2008年10月12日發(fā)明者A·諾伊,M·菲納羅夫,M·馬圖索夫斯基申請人:實用光有限公司