專利名稱：薄膜晶體管和顯示器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種包括作為溝道的氧化物半導(dǎo)體層的薄膜晶體管(TFT)和提供有該薄膜晶體管的顯示器件。
背景技術(shù)：
諸如氧化鋅或氧化銦鎵鋅(IGZO)的氧化物半導(dǎo)體具有優(yōu)良的特性而充當(dāng)半導(dǎo)體器件的活性層，并且最近正在被開發(fā)，目的是應(yīng)用于TFT、發(fā)光器件、透明導(dǎo)電膜等。例如，與先前在液晶顯示器中使用的其中溝道是非晶硅(a-Si:H)的TFT相比，使用氧化物半導(dǎo)體的TFT具有高電子遷移率并具有優(yōu)良的電特性。此類TFT還具有可能甚至在約室溫的低溫下實(shí)現(xiàn)高遷移率的優(yōu)點(diǎn)。另一方面，已知氧化物半導(dǎo)體是不夠耐熱的，并且由于TFT制造過程中的熱處理期間的氧、鋅等的解吸附而引起晶格缺陷。此類晶格缺陷降低氧化物半導(dǎo)體層的電阻，因?yàn)樵陔妼W(xué)上，雜質(zhì)水平隨之變低。因此，在正常導(dǎo)通模式下(即在耗盡模式下)執(zhí)行導(dǎo)致該結(jié)果發(fā)生的操作，在該模式下，甚至在不施加?xùn)艠O電壓的情況下也提供漏極電流的流動。結(jié)果，隨著缺陷水平的增加，閾值電壓降低，從而增加漏電流。先前提出的是通過使用非晶氧化鋁(Al2O3)來構(gòu)成柵極絕緣層以降低界面上的缺陷水平，所述柵極絕緣層與例如作為氧化物半導(dǎo)體的溝道層接觸(作為示例，參考專利文獻(xiàn)1) O引用列表專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1 專利No. 3913756的說明書非專利文獻(xiàn)非專利文獻(xiàn)l:Cetin Kilic 和 1 個其他人，n-type doping of oxides by hydrogen, "Applied Physics Letters，，，2002, Volume #81, issue No. 1, p. 73 to p. 75.

發(fā)明內(nèi)容
然而，用專利文獻(xiàn)1所述的結(jié)構(gòu)，柵極絕緣層具有IOOnm或之上、并且更優(yōu)選地 200nm或之上的厚度，因?yàn)檠趸X具有慢成膜速率，對于形成此類厚氧化鋁層而言，成膜將花費(fèi)的時間是長的。此外，除由于氧的解吸附引起的晶格缺陷之外，據(jù)報(bào)道氫也是降低氧化物半導(dǎo)體中的雜質(zhì)水平的元素(作為示例，參考非專利文獻(xiàn)1)。換言之，如果氧化物半導(dǎo)體被暴露于空氣，則空氣中的氫還原氧化物半導(dǎo)體中的氧。作為針對于此所采取的措施，先前，將TFT 形成為在其上面具有由氧化硅、氮化硅等制成的鈍化膜(保護(hù)膜)以便沒有那么多的氫從中通過。然而，此類先前鈍化膜在保護(hù)方面仍被認(rèn)為是不夠的，并且因此已經(jīng)需要開發(fā)一種具有能夠充當(dāng)針對氧和氫的阻擋層的增強(qiáng)能力的鈍化膜。鑒于此類問題提出了本發(fā)明，并且本發(fā)明的第一目的是提供一種薄膜晶體管，其能夠抑制氧等從氧化物半導(dǎo)體層的解吸附并減少成膜所花費(fèi)的時間，并且提供一種提供有該薄膜晶體管的顯示器件。本發(fā)明的第二目的是提供一種薄膜晶體管，其能夠抑制由空氣中的氫引起的氧化物半導(dǎo)體中的氧的還原，并抑制氧等從氧化物半導(dǎo)體層的解吸附，并且提供一種提供有該薄膜晶體管的顯示器件。本發(fā)明的實(shí)施例中的第一薄膜晶體管設(shè)置有位于柵極電極與氧化物半導(dǎo)體層之間的柵極絕緣膜。在氧化物半導(dǎo)體層的柵極電極的一側(cè)，和在與柵極電極相對的一側(cè)，設(shè)置層積膜。該層積膜包括由氧化鋁制成的第一層和由含有硅(Si)的絕緣材料制成的第二層。本發(fā)明的實(shí)施例中的第二薄膜晶體管在基板上按順序設(shè)置柵極電極、柵極絕緣膜、氧化物半導(dǎo)體層、溝道保護(hù)層、源極/漏極電極和鈍化膜。鈍化膜由含有鋁(Al)、鈦(Ti) 和鉭(Ta)中的一種或多種的氧化物、氮化物或氧氮化物制成。本發(fā)明的實(shí)施例中的第一顯示器件設(shè)置有薄膜晶體管和顯示元件。其中的薄膜晶體管由上述本發(fā)明的第一薄膜晶體管構(gòu)成。本發(fā)明的實(shí)施例中的第二顯示器件設(shè)置有薄膜晶體管和顯示元件。其中的薄膜晶體管由上述本發(fā)明的第二薄膜晶體管構(gòu)成。在本發(fā)明的實(shí)施例中的第一薄膜晶體管中，在氧化物半導(dǎo)體層的柵極電極的一側(cè)和與柵極電極相對的一側(cè)提供層積膜。該層積膜包括由氧化鋁制成的第一層和由包含硅 (Si)的絕緣材料制成的第二層。因此，在得到的結(jié)構(gòu)中，氧化物半導(dǎo)體層在兩側(cè)被由氧化鋁制成的第一層夾在中間。因此，這抑制了氧等從氧化物半導(dǎo)體層的解吸附，從而使電特性穩(wěn)定。此外，由于第二層由包括硅(Si)的絕緣材料制成，與由單層氧化鋁構(gòu)成的先前柵極絕緣層相比，能夠減少成膜所花費(fèi)的時間。在本發(fā)明的實(shí)施例中的第二薄膜晶體管中，鈍化膜由包括鋁(Al)、鈦(Ti)和鉭 (Ta)中的一種或多種的氧化物、氮化物或氧氮化物制成。此類結(jié)構(gòu)抑制氫到達(dá)氧化物半導(dǎo)體層，使得在氧化物半導(dǎo)體層中不發(fā)生由于空氣中的氫而引起的氧的還原。此外，在氧化物半導(dǎo)體層中也不發(fā)生氧等的解吸附，從而在得到的薄膜晶體管中使閾值電壓穩(wěn)定，并且抑制截止電流增加。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例中的第一薄膜晶體管，在氧化物半導(dǎo)體層的柵極電極的一側(cè)，和在與柵極電極相對的一側(cè)，設(shè)置了層積膜，該層積膜包括由氧化鋁制成的第一層和由包括硅(Si)的絕緣材料制成的第二層。因此，在得到的結(jié)構(gòu)中，氧化物半導(dǎo)體層可以在兩側(cè)被由氧化鋁制成的第一層夾在中間。因此，這抑制了氧等從氧化物半導(dǎo)體層的解吸附，從而使電特性穩(wěn)定。此外，由于第二層由包括硅(Si)的絕緣材料制成，與由單層氧化鋁構(gòu)成的先前柵極絕緣層相比，能夠減少成膜所花費(fèi)的時間。在本發(fā)明的實(shí)施例中的第二薄膜晶體管中，鈍化膜由包括鋁(Al)、鈦(Ti)和鉭 (Ta)中的一種或多種的氧化物、氮化物或氧氮化物制成。此類結(jié)構(gòu)能夠抑制由空氣中的氫引起的氧化物半導(dǎo)體層中的氧的還原，并且還能夠抑制氧化物半導(dǎo)體層中的氧等的解吸附。


[圖1]示出本發(fā)明的實(shí)施例中的顯示器件的結(jié)構(gòu)的視圖。
[圖2]示出圖1的示例性像素驅(qū)動電路的等效電路圖。[圖3]示出圖2的TFT的結(jié)構(gòu)的橫截面圖。[圖4]示出圖1的顯示器區(qū)域的結(jié)構(gòu)的橫截面圖。[圖5]圖1的顯示器件的橫截面圖，按照處理的順序示出其制造方法。[圖6]示出圖5中的處理之后的處理的橫截面圖。[圖7]示出修改示例1中的TFT的結(jié)構(gòu)的橫截面圖。[圖8]示出修改示例2中的TFT的結(jié)構(gòu)的橫截面圖。[圖9]示出修改示例3中的TFT的結(jié)構(gòu)的橫截面圖。[圖10]示出本發(fā)明的第二實(shí)施例中的TFT的結(jié)構(gòu)的橫截面圖。[圖11]圖10的TFT的橫截面圖，按照處理的順序示出其制造方法。[圖12]示出圖11中的那些處理之后的處理的橫截面圖。[圖13]示出了關(guān)于氮的添加與鈍化膜的密度之間的相關(guān)性的研究結(jié)果的圖。[圖14]示出本發(fā)明的第三實(shí)施例中的TFT的結(jié)構(gòu)的橫截面圖。[圖15]示出當(dāng)在TFT中的鈍化膜是層積膜或單層膜時的TFT的特性的圖。[圖16]示出包括上述一個或多個實(shí)施例中的顯示器件的模塊的示意性結(jié)構(gòu)的平面圖。[圖17]上述實(shí)施例中的顯示器件的立體圖，示出應(yīng)用示例1中的其外觀圖。[圖18](A)是應(yīng)用示例2中的從正面看的立體外部視圖，并且⑶從其中的背面看的立體外觀圖。[圖19]應(yīng)用示例3中的立體外觀圖。[圖20]應(yīng)用示例4中的立體外觀圖。[圖21](A)是應(yīng)用示例5中的處于打開狀態(tài)的前視圖，⑶是其側(cè)視圖，(C)是處于閉合狀態(tài)的前視圖，(D)是其左視圖，(E)是其右視圖，(F)是其頂視圖，并且(G)是其底視圖。
具體實(shí)施例方式下面，通過參考附圖，詳細(xì)地描述本發(fā)明的實(shí)施例。請注意，按照以下順序給出說明。第一實(shí)施例(在第一薄膜晶體管中，柵極絕緣膜、溝道保護(hù)層和鈍化膜中的每一個都是層積膜的示例)第二實(shí)施例(在第二薄膜晶體管中具有單層鈍化膜的示例)第三實(shí)施例(在第二薄膜晶體管中具有層積鈍化膜的示例)修改示例1 (在第一薄膜晶體管中，柵極絕緣膜和溝道保護(hù)層都是層積膜的示例)修改示例2 (在第一薄膜晶體管中，柵極絕緣膜和鈍化膜都是層積膜的示例)(第一實(shí)施例)圖1是示出本發(fā)明的第一實(shí)施例中的顯示器件的結(jié)構(gòu)的圖。此顯示器件用于用作超薄型有機(jī)發(fā)光彩色顯示器件。例如，在此顯示器件中，在稍后將描述的TFT基板1上面設(shè)置有顯示區(qū)域110，其中，以矩陣形式布置像素PXLC。每個像素PXLC由多個有機(jī)發(fā)光元件 10R、10G和IOB中的任何一個構(gòu)成，其中每個有機(jī)發(fā)光元件都是顯示元件且稍后將描述。此顯示區(qū)域110周圍設(shè)置有作為信號部的水平選擇器(HSEL) 121、各自作為掃描器部的寫掃描器(WSCN) 131和電源掃描器(DSCN) 132。在顯示區(qū)域110中，沿著列方向布置信號線DTL 101至10η，并且沿著行方向布置掃描線WSL 101至IOm和電源線DSL 101至10m。在信號線DTL與掃描線WSL之間的每個交叉點(diǎn)處設(shè)置有包括有機(jī)發(fā)光元件PXLC (10R、IOG和IOB中的任何一個(子像素))的像素電路140。信號線DTL中的每一個被連接到水平選擇器121，并且由此水平選擇器121，為每個信號線DTL提供視頻信號。掃描線WSL中的每一個被連接到寫掃描器131。電源線DSL 中的每一個被連接到電源線掃描器132。圖2是示出像素電路140的示例的圖。像素電路140是有源型驅(qū)動電路，包括采樣晶體管3A、驅(qū)動晶體管3B、存儲電容3C和作為有機(jī)發(fā)光元件PXLC的發(fā)光元件3D。在采樣晶體管3A中，其柵極被連接到相應(yīng)的掃描線WSL 101，其源極或柵極被連接到相應(yīng)的信號線DTL 101，并且其余電極被連接到驅(qū)動晶體管3B的柵極g。在驅(qū)動晶體管3B中，其漏極d被連接到相應(yīng)的電源線DSL 101，并且其源極s被連接到發(fā)光元件3D的陽極。在發(fā)光元件3D中，其陰極被連接到接地配線圖案3H。這里請注意，此接地配線圖案3H被設(shè)置為用于所有像素PXLC之間的共享使用。存儲電容3C被連接在驅(qū)動晶體管3B中的源極s與柵極g之間。依照來自相應(yīng)掃描線WSL 101的控制信號來使采樣晶體管3A導(dǎo)通，并且被操作用于對由相應(yīng)信號線DTL 101提供的視頻信號的信號電位進(jìn)行采樣以便存儲到存儲電容3C 中。驅(qū)動晶體管3B被操作用于在在第一電位下接收到來自電源線DSL 101的電流源之后， 依照存儲在存儲電容3C中的信號電位來向發(fā)光元件3D提供驅(qū)動電流。發(fā)光元件3D被配置為通過這樣提供的驅(qū)動電流以依照視頻信號的信號電位的亮度發(fā)光。圖3是示出構(gòu)成圖2所示的采樣晶體管3A和驅(qū)動晶體管3B的TFT20的橫截面結(jié)構(gòu)的圖。TFT 20是氧化物半導(dǎo)體晶體管，在基板10上按順序包括，例如，柵極電極21、柵極絕緣膜22、氧化物半導(dǎo)體層23、溝道保護(hù)層24、源極/漏極電極25和鈍化膜26。在本文中， 氧化物半導(dǎo)體意指鋅、銦、鎵、錫或其混合物的氧化物，并且被已知具有優(yōu)良的半導(dǎo)體特性。柵極電極21用于通過施加于TFT 20的柵極電壓來控制氧化物半導(dǎo)體層23中的電子密度。柵極電極21具有例如雙層結(jié)構(gòu)，50nm厚度的鉬(Mo)層和400nm厚度的鋁(Al) 或鋁合金層。以鋁-釹合金層作為鋁合金層的示例。柵極絕緣膜22、溝道保護(hù)層24和鈍化膜26中的每一個都是第一層31和第二層 32的層積結(jié)構(gòu)。第一層31由氧化鋁制成，并且第二層32由包括硅(Si)的絕緣材料制成。 用此類結(jié)構(gòu)，在得到的顯示器件中，能夠抑制氧等的解吸附(desorption)在氧化物半導(dǎo)體層23中的發(fā)生，并且能夠減少柵極絕緣膜22、溝道保護(hù)層24和鈍化膜26的形成所花費(fèi)的時間。第一層31是用于通過抑制氧等的解吸附在氧化物半導(dǎo)體層23中的發(fā)生并通過由于氧化鋁的優(yōu)良的氣體阻擋層電阻而抑制氧化物半導(dǎo)體層中的載流子濃度的任何變化來穩(wěn)定TFT 20的電特性。第二層32是用于在不引起TFT 20的特性退化的情況下減少柵極絕緣膜22、溝道保護(hù)層24和鈍化膜26的成膜所花費(fèi)的時間。第二層32優(yōu)選地包括氧化硅膜、氮化硅膜和氧氮化硅膜中的一個或多個。
氧化物半導(dǎo)體由于氧和水分含量的影響而顯示出半導(dǎo)體中的載流子濃度的很大變化。結(jié)果，當(dāng)TFT 20被長時間驅(qū)動時，或者在TFT 20的制造過程期間，TFT 20常常顯示出電特性的變化。考慮到此，通過將氧化物半導(dǎo)體層23夾在柵極絕緣膜22的第一層31與溝道保護(hù)層24的第一層31之間，能夠減少諸如氧的氣體的影響，從而能夠增加TFT 20的電特性的穩(wěn)定性和可靠性。第一層31和第二層32優(yōu)選地被設(shè)置為彼此層疊，使得第一層31出現(xiàn)在氧化物半導(dǎo)體層23側(cè)。這是因?yàn)榇祟惤Y(jié)構(gòu)允許直接將氧化物半導(dǎo)體層23夾在柵極絕緣膜22的第一層31與溝道保護(hù)層24的第一層31之間，使得從而能夠增強(qiáng)產(chǎn)生的效果。此外，可以通過用鈍化膜26的第一層31覆蓋氧化物半導(dǎo)體層23來進(jìn)一步地增加 TFT 20的穩(wěn)定性和可靠性，使得從而能夠增強(qiáng)產(chǎn)生的效果。例如，柵極絕緣膜22的第一層31優(yōu)選地具有IOnm或之上但為IOOnm或之下的厚度，并且其第二層32優(yōu)選地具有IOOnm或之上但為600nm或之下的厚度。例如，溝道保護(hù)層24的第一層31優(yōu)選地具有IOnm或之上但為IOOnm或之下的厚度，并且其第二層32優(yōu)選地具有IOOnm或之上但為600nm或之下的厚度。例如，鈍化膜26的第一層31優(yōu)選地具有IOnm或之上但為IOOnm或之下的厚度，并且其第二層32優(yōu)選地具有IOOnm或之上但為 600nm或之下的厚度。例如，氧化物半導(dǎo)體層23具有20nm或之上但為IOOnm或之下的厚度，并且由氧化銦鎵鋅(IGZO)制成。源極/漏極電極25由鉬、鋁或鈦的金屬材料制成，或者通過由此類金屬材料制成的多層膜構(gòu)成。例如，源極/漏極電極25的具體結(jié)構(gòu)優(yōu)選地是從氧化物半導(dǎo)體層23的一側(cè)起包括具有50nm厚度的鉬層25A、具有500nm厚度的鋁層25B和具有50nm厚度的鈦層25C 的層積膜。其原因如下。在稍后將描述的每個有機(jī)發(fā)光元件10RU0G和IOB中，如果陽極 52由主要包括鋁的金屬材料制成，則需要使用磷酸、硝酸、醋酸等的混合溶液度對這些陽極 52應(yīng)用濕法蝕刻。在這種情況下，由于蝕刻速率非常低，所以可以在基板10的一側(cè)保留鈦層25C。結(jié)果，其因此能夠?qū)⒃诨?0的一側(cè)的鈦層25C連接到稍后將描述的有機(jī)發(fā)光元件10RU0G和IOB的陰極55。這里請注意，根據(jù)TFT 20的用途和應(yīng)用，源極/漏極電極25還可以由鉬層、鋁層和另一鉬層的層積膜或鈦層、鋁層和另一鈦層的層積膜構(gòu)成。圖4是示出顯示區(qū)域110的橫截面結(jié)構(gòu)的圖。在顯示區(qū)域110中，有機(jī)發(fā)光元件 10RU0G和IOB被如同矩陣一樣按順序布置在一起。每個有機(jī)發(fā)光元件IOR發(fā)射紅光，每個有機(jī)發(fā)光元件IOG發(fā)射綠光，并且每個有機(jī)發(fā)光元件IOB發(fā)射藍(lán)光。有機(jī)發(fā)光元件10R、 IOG和IOB的每一個被成形為在平面圖中類似于條帶的形狀，并且相鄰有機(jī)發(fā)光元件10R、 IOG和IOB中的組合形成像素。有機(jī)發(fā)光元件10RU0G和IOB中的每一個具有層積結(jié)構(gòu)，該層積結(jié)構(gòu)在TFT基板 1上按順序包括平坦絕緣膜51、陽極52、電極間絕緣膜54、包括稍后將描述的發(fā)光層的有機(jī)層53和陰極55。此類有機(jī)發(fā)光元件10RU0G和IOB的每一個根據(jù)需要被由氮化硅(SiN)、氧化硅 (SiO)等制成的保護(hù)層56覆蓋。此外，此類保護(hù)層56被在其上面經(jīng)由附著層60整體地附加密封基板71，使得其被密封。密封基板71由玻璃等制成，并且附著層60由熱固性樹脂、紫外線可固化樹脂等制成。根據(jù)需要，密封基板71可以提供有濾色器72和作為黑色矩陣的光屏蔽膜(未示出)。平坦絕緣膜51是用于使TFT基板1的表面平坦，其形成有包括由上述TFT 20組成的采樣晶體管3A和驅(qū)動晶體管3B的像素驅(qū)動電路140。此類平坦絕緣膜51優(yōu)選地由具有良好圖案準(zhǔn)確度的材料制成，因?yàn)樵谄渖厦嫘纬闪宋⑿∵B接孔51A。例如，用于平坦絕緣膜51的此類材料包括諸如聚酰亞胺的有機(jī)材料或諸如氧化硅(SiO2)的無機(jī)材料。圖2所示的驅(qū)動晶體管3B經(jīng)由對平坦絕緣膜形成的連接孔51A被電連接到陽極52。陽極52被形成為對應(yīng)于有機(jī)發(fā)光元件10RU0G和IOB中的每一個。陽極52具有作為反射電極的功能，該反射電極反射在發(fā)光層上產(chǎn)生的光，并且，鑒于增加發(fā)光效率，將其配置為具有盡可能高的反射系數(shù)是期望的。例如，陽極52具有IOOnm或之上但為IOOOnm 或之下的厚度，并且由諸如銀(Ag)、鋁(Al)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鐵(Fe)、鈷(Co)、鎳(Ni)、· (Mo)、銅(Cu)、鉭(Ta)、鎢(W)、鉬(Pt)、金(Au)等的金屬元素或其合金制成。電極間絕緣膜54用于務(wù)必使陽極52和陰極55相互絕緣，并用于以良好的準(zhǔn)確度以任何期望的形狀形成發(fā)光區(qū)域。電極間絕緣膜54由諸如聚酰亞胺的有機(jī)材料或諸如氧化硅(SiO2)的無機(jī)絕緣材料制成。電極間絕緣膜54具有與陽極52的發(fā)光區(qū)域相對應(yīng)的孔徑部分。請注意，可以不僅在發(fā)光區(qū)域中而且在相互緊挨著的電極間絕緣膜54上設(shè)置有機(jī)層53和陰極55。然而，光發(fā)射僅在電極間絕緣層54的孔徑部分中發(fā)生。有機(jī)層53具有層積結(jié)構(gòu)，其按照從陽極52的一側(cè)開始的順序包括例如空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層(全部未示出)?？梢愿鶕?jù)需要提供除發(fā)光層之外的層。有機(jī)層53不一定采取一個特定結(jié)構(gòu)，并且可以根據(jù)有機(jī)發(fā)光元件10R、IOG和IOB進(jìn)行的光發(fā)射的色彩而在結(jié)構(gòu)方面改變。空穴注入層具有不僅用于增加空穴注入效率、而且用于防止泄漏的緩沖層?？昭▊鬏攲邮怯糜谠黾拥桨l(fā)光層的空穴傳輸?shù)男?。發(fā)光層隨著由于電場的施加使得電子和空穴之間進(jìn)行復(fù)合而產(chǎn)生光。電子傳輸層是用于增加到發(fā)光層的電子傳輸?shù)男省Ｕ堊⒁?，有機(jī)層53在材料方面不受限制，只要其是一般低分子或高分子有機(jī)材料即可。陰極55具有5nm或之上但為50nm或之下的厚度，并且例如由諸如鋁(Al)、鎂 (Mg)、鈣(Ca)、鈉(Na)等金屬元素或其合金制成。其中，優(yōu)選材料是鎂和銀的合金(MgAg合金)或鋁(Al)和鋰(Li)的合金(AlLi合金)。陰極55可以由ITO(銦錫復(fù)合氧化物)或 IZO (銦鋅復(fù)合氧化物)制成。例如，可以如下制造此顯示器件。(TFT基板1的形成過程)首先，通過例如在由玻璃制成的基板10上進(jìn)行濺射來形成具有50nm的厚度的鉬 (Mo)層和具有400nm的厚度的鋁(Al)層或鋁合金層的雙層結(jié)構(gòu)。此后，對此雙層結(jié)構(gòu)應(yīng)用光刻法和蝕刻，使得如圖5(A)所示地形成柵極電極21。此后，同樣如圖5(A)所示，在基板10的整個表面上通過例如等離子體CVD (化學(xué)氣相沉積)來形成由上述材料制成的具有上述厚度的柵極絕緣膜22的第二層32。接下來，如圖5(B)所示，例如，通過原子層沉積或?yàn)R射來形成由上述材料制成的具有上述厚度的柵極絕緣膜22的第一層31。在形成柵極絕緣膜22的第一層31之后，同樣如圖5 (B)所示，例如，使用諸如氧化鋅的氧化物靶通過濺射來形成由上述材料制成的具有上述厚度的氧化物半導(dǎo)體層23。這時，當(dāng)例如通過用IGZO陶瓷靶進(jìn)行DC濺射制備由IGZO制成的氧化物半導(dǎo)體層23時，通過用氬氣(Ar)和氧氣(O2)的氣體混合物進(jìn)行等離子體放電來在基板10上形成氧化物半導(dǎo)體層23。這里請注意，在等離子體放電之前，對真空容器進(jìn)行抽氣，直至其中的真空度達(dá)到 IX ICT4Pa或之下為止，然后向其通入氬氣和氧氣的氣體混合物。此外，例如，當(dāng)氧化物半導(dǎo)體層23由氧化鋅制成時，通過用氧化鋅陶瓷靶進(jìn)行RF濺射或通過使用金屬鋅靶在包括氬氣和氧氣的氣氛中進(jìn)行DC濺射來形成氧化物半導(dǎo)體層23。在形成氧化物半導(dǎo)體層23之后，同樣如圖5(B)所示，例如，通過原子層沉積或通過濺射來形成由上述材料制成的具有上述厚度的溝道保護(hù)層24的第一層31。這時，優(yōu)選地通過濺射來連續(xù)地形成柵極絕緣膜22的第一層31、氧化物半導(dǎo)體層 23和溝道保護(hù)層24的第一層31。在這種情況下，則能夠在不暴露于空氣的情況下在真空中形成氧化物半導(dǎo)體層23，使得在氧化物半導(dǎo)體層23與柵極絕緣膜22的第一層31之間的接觸界面上和在氧化物半導(dǎo)體層23與溝道保護(hù)層24的第一層31之間的接觸界面上，得到的界面可以是良好的，具有更少的缺陷和低固定電荷。因此，這產(chǎn)生良好的晶體管特性和可靠性。在形成溝道保護(hù)層24的第一層31之后，同樣如圖5(C)所示，例如，通過CVD來形成由上述材料制成的具有上述厚度的溝道保護(hù)層24的第二層32。然后，通過光刻法和蝕刻以預(yù)定形狀形成溝道保護(hù)層24的第一層31和第二層32中的每一個。此后，如圖6(A)所示，通過光刻法和蝕刻以預(yù)定形狀形成氧化物半導(dǎo)體層23。此后，例如，通過濺射，以50nm的厚度形成鈦層25A，以500nm的厚度形成鋁層 25B，并以50nm的厚度形成鉬層25C。然后，通過光刻法和蝕刻以預(yù)定形狀來形成這些層中的每一個。這時，例如，通過使用磷酸、硝酸和醋酸的混合溶液進(jìn)行濕法蝕刻，例如，對鉬層 25C和鋁層25B進(jìn)行蝕刻，然后通過使用氯氣進(jìn)行的干法蝕刻，對鈦層25A進(jìn)行蝕刻。以這種方式，如圖6(B)所示，形成源極/漏極電極25。在形成源極/漏極電極25之后，如圖6(C)所示，例如，通過原子層沉積或通過濺射來形成由上述材料制成的具有上述厚度的鈍化膜26第一層31。當(dāng)所使用的方法是原子層沉積時，供用作原材料氣體的三甲基鋁氣體被引入真空室中，并且在基板10的表面上形成作為原子層的鋁膜。此后，將氧基引入基板10的表面，使得鋁膜被氧化。氧基是用等離子體來激勵臭氧氣體或氧氣的結(jié)果。第一次形成的鋁膜具有原子層的厚度，因此很容易被臭氧或氧基所氧化。能夠在基板10的整個表面上形成均勻的氧化鋁膜。此后，通過重復(fù)形成鋁膜的處理過程和氧化的處理，可以用具有期望厚度的氧化鋁膜來形成第一層31。用這種方法，在不引起氧化鋁膜中的氧濃度不足的情況下，得到的合成物可以處于一定的化學(xué)計(jì)量比。同樣地，鋁與氧之間的成分比可以理想地是2 3，得到的第一層31可以具有優(yōu)良的電特性和優(yōu)良的氣體阻擋層電阻。此外，通過使用原子層沉積的方法，可以在控制氫的生成的情況下密集地形成由氧化鋁制成的第一層31，所述氫的生成使氧化物半導(dǎo)體層23的電特性劣化。此后，例如，通過CVD，形成具有上述厚度的由上述材料制成的鈍化膜26的第二層 32。同樣地，所形成的是包括圖3的TFT 20的TFT基板1。(有機(jī)發(fā)光元件10R、IOG和IOB的形成過程)
首先，整體地在TFT基板1上涂敷光致抗蝕劑，然后使其暴露于光并進(jìn)行顯影，從而形成并烘焙平坦絕緣膜51和連接孔51A。此后，例如，通過直流濺射，形成由上述材料制成的陽極52，然后例如使用平版印刷技術(shù)選擇性地對其進(jìn)行蝕刻，從而將其圖案化成預(yù)定形狀。此后，例如，通過CVD來形成具有上述厚度的由上述材料制成的電極間絕緣膜54，然后例如使用平版印刷技術(shù)來形成孔徑部分。此后，例如，通過氣相沉積，按順序形成分別由上述材料制成的有機(jī)層53和陰極55，然后形成有機(jī)發(fā)光元件10RU0G和10B。然后用由上述材料制成的保護(hù)膜56來覆蓋得到的有機(jī)發(fā)光元件10RU0G和10B。此后，在保護(hù)膜56上，形成附著層60。然后提供濾色器72，并且制備由上述材料制成的密封基板71。然后將TFT基板1與密封基板71通過在其間設(shè)置的附著層60附著在一起。以這種方式，完成圖4所示的顯示器件。在此顯示器件中，依照每個來自掃描線WSL的控制信號來使采樣晶體管3A導(dǎo)通， 并且在每個來自信號線DTL的視頻信號的信號電位方面對該視頻信號進(jìn)行采樣以便存儲在存儲電容3C中。并且，從處于第一電位的任何電源線DSL為驅(qū)動晶體管3B提供電流，并且，依照存儲在存儲電容3C中的信號電位，向發(fā)光元件3D (有機(jī)發(fā)光元件10RU0G和10B) 提供驅(qū)動電流。通過這樣提供的驅(qū)動電流，發(fā)光元件3D (有機(jī)發(fā)光元件10RU0G和10B)以依照視頻信號的信號電位的亮度進(jìn)行發(fā)光。此光在通過陰極55、濾色器72和密封基板71 之后被提取。在本示例中，柵極絕緣膜22、溝道保護(hù)層24和鈍化膜26中的每一個都具有包括由氧化鋁制成的第一層31和由包含硅(Si)的絕緣材料制成的第二層32的層積結(jié)構(gòu)。在得到的結(jié)構(gòu)中，氧化物半導(dǎo)體層23在兩側(cè)被由氧化鋁制成的第一層31夾在中間。因此，能夠抑制在氧化物半導(dǎo)體層23中發(fā)生的氧等的解吸附，使得在TFT 20中的閾值電壓穩(wěn)定，并且抑制截止電流增加。因此，在TFT 20中減小了漏電流，由此，得到的顯示器能夠以高水平的亮度發(fā)光。此外，由于第二層32由包括硅(Si)的絕緣材料制成，所以與作為單層氧化鋁的先前的柵極絕緣層相比，能夠縮短成膜所花費(fèi)的時間。此外，由于TFT 20的特性可以是均勻的，所以得到的顯示器質(zhì)量可以是均勻的， 沒有粗糙。除此之外，能夠增加TFT 20的可靠性，從而能夠被長時間驅(qū)動。同樣地，在本實(shí)施例中，柵極絕緣膜22、溝道保護(hù)層24和鈍化膜26中的每一個具有包括由氧化鋁制成的第一層31和由包括硅(Si)的絕緣材料制成的第二層32的層積結(jié)構(gòu)。在得到的結(jié)構(gòu)中，氧化物半導(dǎo)體層23可以在兩側(cè)被由氧化鋁制成的第一層31夾在中間。因此，可以抑制氧等的解吸附在氧化物半導(dǎo)體層23中的發(fā)生，使得TFT 20的電特性能夠穩(wěn)定。此外，通過使用包括硅(Si)的絕緣材料來構(gòu)成第二層32，與作為單層氧化鋁的先前的柵極絕緣層相比，能夠縮短成膜所花費(fèi)的時間。特別地，第一層31和第二層32被設(shè)置為彼此層疊，使得第一層31出現(xiàn)在氧化物半導(dǎo)體層23側(cè)。因此，這允許直接將氧化物半導(dǎo)體層23夾在柵極絕緣膜22的第一層31 與溝道保護(hù)層24的第一層31之間，使得從而能夠更加增強(qiáng)產(chǎn)生的效果。同樣特別地，柵極絕緣膜22、溝道保護(hù)層24和鈍化膜26中的每一個具有包括由氧化鋁制成的第一層31和由包括硅(Si)的絕緣材料制成的第二層32的層積結(jié)構(gòu)。這允許將氧化物半導(dǎo)體層23夾在柵極絕緣膜22的第一層31與溝道保護(hù)層24的第一層31之間， 并且還由鈍化膜26的第一層31將其覆蓋。因此，能夠進(jìn)一步地增加TFT 20的穩(wěn)定性和可靠性，使得能夠從而更加增強(qiáng)產(chǎn)生的效果。(修改示例1)請注意，在上述第一實(shí)施例中，舉例說明的是其中柵極絕緣膜22、溝道保護(hù)層24 和鈍化膜26中的每一個具有包括由氧化鋁制成的第一層31和由包括硅(Si)的絕緣材料制成的第二層32的層積結(jié)構(gòu)的情況。可替換地，如圖7所示，只有柵極絕緣膜22和溝道保護(hù)層24中的每一個可以具有包括由氧化鋁制成的第一層31和由包括硅(Si)的絕緣材料制成的第二層32的層積結(jié)構(gòu)。此結(jié)構(gòu)還使得能夠通過將氧化物半導(dǎo)體層23夾在柵極絕緣膜22的第一層31與溝道保護(hù)層24的第一層31之間來減少諸如氧的氣體的影響，從而能夠增加TFT 20的電特性的穩(wěn)定性和可靠性。在這種情況下，例如，鈍化膜26具有約300nm的厚度，并且由氧化鋁膜、氧化硅膜、 氮化硅膜和氧氮化硅膜中的一種或多種構(gòu)成。(修改示例2)仍可替換地，如圖8所示，只有柵極絕緣膜22和鈍化膜26可以各自具有包括由氧化鋁制成的第一層31和由包括硅(Si)的絕緣材料制成的第二層32的層積結(jié)構(gòu)。此結(jié)構(gòu)還使得能夠通過將氧化物半導(dǎo)體層23夾在柵極絕緣膜22的第一層31與鈍化膜26的第一層31之間來減少諸如氧的氣體的影響，從而能夠增加TFT 20的電特性的穩(wěn)定性和可靠性。在這種情況下，例如，溝道保護(hù)層24具有約300nm的厚度，并且由氧化鋁膜、氧化硅膜、氮化硅膜和氧氮化硅膜中的一種或多種構(gòu)成。(修改示例3)請注意，在上述實(shí)施例中，舉例說明的是其中鈍化膜26的第一層31和第二層32 被設(shè)置為相互層疊、使得第一層31出現(xiàn)在氧化物半導(dǎo)體層23側(cè)的情況。可替換地，如圖9 所示，可以執(zhí)行這樣的層設(shè)置，使得第二層32出現(xiàn)在氧化物半導(dǎo)體層23側(cè)。并且，在柵極絕緣膜22和溝道保護(hù)層24中，第一層31和第二層32可以被設(shè)置為相互層疊，使得第二層 32出現(xiàn)在氧化物半導(dǎo)體層23側(cè)。(第二實(shí)施例)圖10是示出本發(fā)明的第二實(shí)施例中的薄膜晶體管(TFT)20B的橫截面結(jié)構(gòu)的圖。 在此TFT 20B中，以不同的方式構(gòu)成鈍化膜26B，但是其余結(jié)構(gòu)與上述第一實(shí)施例的TFT 20 的結(jié)構(gòu)類似。因此，為任何相應(yīng)的結(jié)構(gòu)組件提供相同的附圖標(biāo)記以進(jìn)行描述。以與第一實(shí)施例中的那些結(jié)構(gòu)組件類似的方式構(gòu)成基板10、柵極電極21和源極/ 漏極元件25。柵極絕緣膜22B由絕緣膜形成，該絕緣膜為下列一種或更多種類型氧化硅膜、氮化硅膜、氧氮化硅膜、氧化鉿膜、氧化鋁膜、氧化鉭膜和氧化鋯膜，或其氧氮化物膜。此外，如果柵極絕緣膜22B是包括這些絕緣膜中的兩種或更多種類型的絕緣膜31B和32B的層積結(jié)構(gòu)，則能夠增強(qiáng)與氧化物半導(dǎo)體層23B的界面的特性，并且防止包括在基板10中的任何雜質(zhì)擴(kuò)散至氧化物半導(dǎo)體層23B中。類似于第一實(shí)施例，氧化物半導(dǎo)體層23B可以由氧化銦鎵鋅(IGZO)制成，或者可以另外包含錫(Sn)、鈦等元素。例如，氧化物半導(dǎo)體層23B具有在約20nm至IOOnm范圍內(nèi)
的厚度。溝道保護(hù)層24B由絕緣膜形成，該絕緣膜為下列一種或多種類型氧化硅膜、氮化硅膜、氧氮化硅膜、氧化鉿膜、氧化鋁膜、氧化鉭膜和氧化鋯膜，或其氧氮化物膜。鈍化膜26B由包含鋁(Al)、鈦(Ti)和鉭(Ta)中的一種或多種的氧化物、氮化物或氧氮化物制成。用此類結(jié)構(gòu)，在TFT 20B中，在氧化物半導(dǎo)體層中不發(fā)生由于空氣中的氫引起的氧等的還原，并且還能夠在氧化物半導(dǎo)體層中抑制氧等的解吸附。特別地，鈍化膜26B優(yōu)選地由氧氮化鋁或氮化鋁制成。這是因?yàn)槟軌蛴纱嗽鰪?qiáng)產(chǎn)生的效果。鈍化膜26B優(yōu)選地具有3. Og/cm3或之上但為4. Og/cm3或之下的密度。這是因?yàn)槟軌蛴纱嗽鰪?qiáng)阻擋層能力以防止在制造過程中或由空氣中的氫引起的氧化物半導(dǎo)體的還原， 并防止由于熱處理而引起的氧化物半導(dǎo)體中的氧的解吸附。具有更高密度的鈍化膜通常更好地充當(dāng)保護(hù)膜，因?yàn)槠洳辉试S氧和氫那么多地從中通過。例如，氧化鋁(Al2O3)的理想體積密度是4. Og/cm3。例如，鈍化膜26B是單層膜。鈍化膜26B的厚度優(yōu)選地為IOnm或之上但為IOOOnm 或之下，并且特別地約為例如50nm?？梢匀缦轮圃霻FT 20B。圖11和12中的每一個是按照處理的順序示出TFT 20B的制造方法的圖。首先， 如圖11㈧所示，制備與上述第一實(shí)施例中的基板類似的基板10。例如，然后如圖Il(B)所示，通過濺射或CVD在基板10上形成由上述材料制成的柵極電極21。接下來，同樣如圖11 (B)所示，在柵極電極21和基板10的整個表面上形成由上述材料制成的柵極絕緣膜22B的膜32B。此后，如圖Il(C)所示，在柵極絕緣膜22B的膜32B上按順序形成分別由上述材料制成的具有上述厚度的柵極絕緣膜22B的膜31B、氧化物半導(dǎo)體層23B和溝道保護(hù)層24B。 當(dāng)氧化物半導(dǎo)體膜23B由氧化銦鎵鋅制成時，通過使用用氧化銦鎵鋅陶瓷靶進(jìn)行DC濺射的方法，使用氬氣(Ar)和氧氣(O2)的氣體混合物通過等離子體放電在基板10上形成氧化物半導(dǎo)體。在本文中，在等離子體放電之前，對真空容器進(jìn)行抽氣，直至其中的真空度達(dá)到 IX ICT4Pa或之下為止，然后向其中引入氬氣和氧氣的氣體混合物。例如，當(dāng)氧化物半導(dǎo)體層23B由氧化鋅制成時，通過用氧化鋅陶瓷靶進(jìn)行RF濺射或通過使用金屬鋅靶在包括氬氣和氧氣的氣氛中進(jìn)行DC濺射來形成用作氧化物半導(dǎo)體層23的氧化鋅膜。此后，如圖12(A)所示，例如，通過光刻法和蝕刻對溝道保護(hù)層24B進(jìn)行圖案化以將其形成為預(yù)定形狀。在溝道保護(hù)層24B的圖案化之后，通過例如濺射，分別以約50nm、500nm和50nm的厚度按順序形成鈦層25A、鋁層25B和鈦層25C。此后，通過使用氯氣進(jìn)行干法蝕刻，對鈦層 25A、鋁層25B和鈦層25C進(jìn)行圖案化，使得如圖12(B)所示，形成源極/漏極電極25。這里請注意，例如，源極/漏極電極25可以是應(yīng)用于用來驅(qū)動液晶面板的薄膜晶體管的鉬和鋁的層積膜。在形成源極/漏極電極25之后，如圖12(C)所示，形成由上述材料制成的具有上述厚度的鈍化膜26B。優(yōu)選地通過濺射來形成鈍化膜26B。下面詳細(xì)描述其原因。據(jù)報(bào)告稱，化學(xué)計(jì)量氧化鋁具有約3. 5g/cm3至4g/cm3的膜密度，并且如果通過 ALD (原子層沉積)來形成氧化鋁膜，則其實(shí)現(xiàn)良好的可靠性，ALD被視為理想的薄膜形成方法。然而，這在批量生產(chǎn)中具有低產(chǎn)量的問題，因?yàn)槔缬糜诔赡さ臅r間過長，并且需要使用鋁的有機(jī)金屬。另一方面，濺射的方法允許減少成膜所花費(fèi)的時間，但是同時，結(jié)果形成的氧化鋁膜由于其中的大量氧缺陷而不像ALD形成的氧化鋁那樣可靠?？紤]到此，在氧化鋁膜(鈍化膜26B)的成膜期間，進(jìn)行氮?dú)獾奶砑颖灰暈槭莾?yōu)選的。這樣，用氮來補(bǔ)償氧缺陷，使得能夠以高密度密集地形成鈍化膜26B。至于對添加氮?dú)獾木唧w要求，例如，相對于0. 1至5Pa 的總壓力而言，添加0. 1至70%的氮?dú)饣虬睔?NH3)氣體是優(yōu)選的。圖13是示出關(guān)于氮的添加量與氧化鋁/氮化鋁的密度之間的相關(guān)性的研究結(jié)果的圖，并且示出針對不添加氮、少量添加氮和大量添加氮的情況的九個樣本及其平均值的結(jié)果。從圖13可知，氮的添加使氧化鋁/氮化鋁膜的密度增加約0.2g/cm3。此外，增加要添加的氮的濃度能夠進(jìn)一步地增加密度。此TFT 20B能夠與在上述第一實(shí)施例中類似地構(gòu)成顯示器件。顯示器件的制造方法與在上述第一實(shí)施例中描述的方法相同。與在上述第一實(shí)施例中類似地操作使用此TFT 20B的顯示器件。在本示例中，TFT 20B中的鈍化膜26B由包含鋁(Al)、鈦(Ti)和鉭(Ta)中的一種或多種的氧化物、氮化物或氧氮化物制成。此類結(jié)構(gòu)抑制氫到達(dá)氧化物半導(dǎo)體層23B，使得在氧化物半導(dǎo)體層23B中不發(fā)生由于空氣中的氫而引起的氧的還原。此外，在氧化物半導(dǎo)體層23B中也不發(fā)生氧等的解吸附，使得在得到的TFT20B中的閾值電壓穩(wěn)定，并且抑制截止電流增加。這樣，在TFT 20B中減小了漏電流，由此，得到的顯示器能夠以高水平的亮度發(fā)光。此外，由于TFT 20B的特性可以是均勻的，所以得到的顯示器質(zhì)量可以是均勻的，沒有粗糙。除此之外，可以增加 TFT20B的驅(qū)動可靠性。這樣，在本實(shí)施例中，鈍化膜26B由包含鋁(Al)、鈦(Ti)和鉭(Ta)中的一種或多種的氧化物、氮化物或氧氮化物制成。此類結(jié)構(gòu)能夠抑制由空氣中的氫引起的氧化物半導(dǎo)體層中的氧的還原，并且還能夠抑制氧化物半導(dǎo)體層中的氧等的解吸附。(第三實(shí)施例)圖14是示出本發(fā)明的第三實(shí)施例中的薄膜晶體管(TFT) 20C的橫截面結(jié)構(gòu)的圖。 在此TFT 20C中，鈍化膜25C是層積膜，但是其余結(jié)構(gòu)與上述第二實(shí)施例中的TFT 20B的結(jié)構(gòu)類似，并且可以與之類似地方法進(jìn)行制造。因此，為任何相應(yīng)的結(jié)構(gòu)組件提供相同的附圖標(biāo)記以進(jìn)行描述。鈍化膜26C是具體地包括下層35C和上層36C的層積膜。下層35C由包含鋁(Al) 的氧化物制成，并且上層36C由包含鋁(Al)的氧氮化物或氮化物制成。其原因如下。當(dāng)鈍化膜26C是上述氧化物的單層膜時，在成膜期間通過濺射在氧氣氣氛中執(zhí)行該處理，使得抑制在氧化物半導(dǎo)體層23B中發(fā)生氧的解吸附，并且能夠以穩(wěn)定的晶體管特性來執(zhí)行該處理。另一方面，當(dāng)鈍化膜26C是上述氧氮化物或氮化物的單層膜時，由于如第二實(shí)施例所述在通過濺射成膜期間添加氮化物，所以減少了上述氧氣氣氛的效果，并因此存在使晶體管特性劣化的可能性。在如上所述鈍化膜26C是層積膜的情況下，由包含鋁 (Al)的氧化物制成的下層35C能夠抑制在氧化物半導(dǎo)體層23B中發(fā)生氧的解吸附，并且由包含鋁(Al)的氧氮化物或氮化物制成的上層36C能夠抑制氫的通過。圖15是示出鈍化膜是氧化鋁的單層膜時和其為層積膜時(由氧化鋁制成的下層 25B及氧氮化鋁的上層36C)的情況下的關(guān)于BTS (偏置溫度應(yīng)力)之后的閾值電壓的偏移量的研究結(jié)果的圖。從圖15可知，當(dāng)鈍化膜26B是層積膜時，與其為單層膜時的情況相比， 閾值電壓的偏移量較小。換言之，在如上所述鈍化膜26B是層積膜的情況下，能夠進(jìn)一步地使得到的TFT 20C的閾值電壓穩(wěn)定，使得能夠抑制截止電流增加。此外，可以增加薄膜晶體管的驅(qū)動可靠性。此TFT 20C能夠與上述第一和第二實(shí)施例類似地構(gòu)成顯示器件。關(guān)于顯示器件， 其制造方法、優(yōu)點(diǎn)和效果與上述第一和第二實(shí)施例中的描述相同。同樣地，在本實(shí)施例中，鈍化膜26C是層積膜，具體地，被配置為包括由包含鋁 (Al)的氧化物制成的下層35C和由包含鋁(Al)的氧氮化物制成的上層36C。通過此類結(jié)構(gòu)，用由包含鋁(Al)的氧化物制成的下層35C，能夠抑制在氧化物半導(dǎo)體層23B中發(fā)生氧的解吸附，并且用由包含鋁(Al)的氧氮化物制成的上層36C能夠抑制氫的通過。在上述第三實(shí)施例中，舉例說明了鈍化膜26C是包括由氧化鋁制成的下層35C和由氧氮化鋁制成的上層36C的層積膜?？商鎿Q地，層積膜可以包括含有金屬的氧化物膜和由除鋁之外的金屬制成的氧氮化物膜，或者可以是兩層或更多層的多層膜。(模塊和應(yīng)用示例)下面，描述以上實(shí)施例所述的顯示器件的應(yīng)用示例。以上實(shí)施例中的顯示器件能夠應(yīng)用于用作各個領(lǐng)域中的任何電子設(shè)備的顯示器件，只要其將外部提供的視頻信號或內(nèi)部生成的視頻信號顯示為圖像或視頻即可，例如電視設(shè)備、數(shù)字照相機(jī)、筆記本式個人計(jì)算機(jī)、諸如移動電話的移動終端設(shè)備或視頻照相機(jī)。(模塊)以上實(shí)施例中的顯示器件各自(例如，被作為圖16所示的模塊)結(jié)合到各種類型的電子設(shè)備中，諸如稍后將描述的應(yīng)用示例1至5。在此模塊中，例如，在基板10的一側(cè)，提供了從密封基板71和附著層60暴露的區(qū)域210，并且此暴露區(qū)域210通過擴(kuò)展信號線驅(qū)動電路120和掃描線驅(qū)動電路130的配線而形成有外部連接端子(未示出)?？梢詾橥獠窟B接端子提供柔性印刷電路(FPC) 220以進(jìn)行信號輸入/輸出。(應(yīng)用示例1)圖17是示出應(yīng)用上述實(shí)施例的顯示器件的電視設(shè)備的外觀的圖。例如，此電視設(shè)備設(shè)置有包括前面板310和濾光玻璃320的視頻顯示屏幕部300。此視頻顯示屏幕部300 由上述實(shí)施例的任一顯示器件構(gòu)成。(應(yīng)用示例2)圖18是示出應(yīng)用上述實(shí)施例的顯示器件的數(shù)字照相機(jī)的外觀的圖。例如，此數(shù)字照相機(jī)設(shè)置有用于閃光的發(fā)光部410、顯示部420、菜單開關(guān)430和快門按鈕440。顯示部 420由上述實(shí)施例的任一顯示器件構(gòu)成。(應(yīng)用示例3)圖19是示出應(yīng)用上述實(shí)施例的顯示器件的筆記本式個人計(jì)算機(jī)的外觀的圖。例如，此筆記本式個人計(jì)算機(jī)設(shè)置有主體510、用于文本等的輸入操作的鍵盤520和用于顯示圖像的顯示部530。顯示部530由上述實(shí)施例的任一顯示器件構(gòu)成。(應(yīng)用示例4)圖20是示出應(yīng)用上述實(shí)施例的顯示器件的視頻照相機(jī)的外觀的圖。此視頻照相機(jī)設(shè)置有主體部610、在此主體部610的正面表面上設(shè)置的、用于進(jìn)行對象拍攝的透鏡620、供在拍攝期間使用的開始/停止開關(guān)630和顯示部640。顯示部640由上述實(shí)施例的任一顯示器件構(gòu)成。(應(yīng)用示例5)圖21是示出應(yīng)用上述實(shí)施例的顯示器件的移動電話單元的外觀的圖。此移動電話單元包括被耦合部(轉(zhuǎn)軸部)730耦合的上機(jī)殼710和下機(jī)殼720，并且例如設(shè)置有顯示器740、副顯示器750、畫面燈760和照相機(jī)770。顯示器740或副顯示器750由上述實(shí)施例的任一顯示器件構(gòu)成。同樣地，雖然已經(jīng)通過參考實(shí)施例詳細(xì)地描述了本發(fā)明，但本發(fā)明不限于上述實(shí)施例，并且可以設(shè)計(jì)許多其它修改和變更。作為示例，在上述第一實(shí)施例中，舉例說明的是其中柵極絕緣膜22、溝道保護(hù)層24和鈍化膜26完全地或部分地是層積結(jié)構(gòu)的情況，該層積結(jié)構(gòu)包括由氧化鋁制成的第一層31和由包含硅(Si)的絕緣材料制成的第二層32?？商鎿Q地，可以在氧化物半導(dǎo)體層23的柵極電極21的一側(cè)和在與柵極電極21相對的一側(cè)，與柵極絕緣膜22、溝道保護(hù)層24和鈍化膜26分開地設(shè)置層積膜，該層積膜包括由氧化鋁制成的第一層31和由包含硅(Si)的絕緣材料制成的第二層32。此外，例如，關(guān)于上述實(shí)施例等所述的層、材料、厚度或成膜方法及對成膜的要求都不是限制性的，并且任何其它材料和厚度也可以，或者任何其它成膜方法和對成膜的要求也可以。此外，在上述實(shí)施例等中，具體地描述了有機(jī)發(fā)光元件10RU0B和IOG的結(jié)構(gòu)，但是不需要包括每個層，或者可以額外提供任何其它層。更進(jìn)一步地，本發(fā)明可適用于不僅使用此類有機(jī)發(fā)光元件、而且使用諸如液晶顯示元件、無機(jī)電致發(fā)光元件、電鍍型或電致變色型等任何其它類型的顯示元件的顯示器件。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管，包括柵極電極與氧化物半導(dǎo)體層之間的柵極絕緣膜，其中在氧化物半導(dǎo)體層的柵極電極的一側(cè)和與柵極電極相對的一側(cè)，設(shè)置有包括由氧化鋁制成的第一層和由包含硅(Si)的絕緣材料制成的第二層的層積膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中第一層和第二層被布置為彼此層疊，第一層位于氧化物半導(dǎo)體層的一側(cè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的薄膜晶體管，其中在基板上面按順序設(shè)置有柵極電極、柵極絕緣膜、氧化物半導(dǎo)體層、溝道保護(hù)膜、源極/ 漏極電極和鈍化膜，以及溝道保護(hù)膜和鈍化膜中的一者或兩者以及柵極絕緣膜都是層積膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中第二層包括氧化硅膜、氮化硅膜和氧氮化硅膜中的一種或多種。
5.一種薄膜晶體管，其中，在基板上面按順序設(shè)置有柵極電極、柵極絕緣膜、氧化物半導(dǎo)體層、溝道保護(hù)膜、源極/ 漏極電極和鈍化膜，以及鈍化膜由包含鋁(Al)、鈦(Ti)和鉭(Ta)中的一種或多種的氧化物、氮化物或氧氮化物制成。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管，其中所述鈍化膜由氧氮化鋁或氮化鋁制成。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管，其中鈍化膜具有3. Og/cm3或之上但為4. Og/cm3或之下的密度。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管，其中所述鈍化膜是單層膜。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管，其中所述鈍化膜是層積膜。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的薄膜晶體管，其中所述層積膜包括由包含鋁(Al)的氧化物制成的下層和由包含鋁(Al)的氧氮化物或氮化物制成的上層。
11.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管，其中通過濺射來形成所述鈍化膜。
12.—種顯示器件，包括 薄膜晶體管；以及顯示元件，其中所述薄膜晶體管包括在柵極電極與氧化物半導(dǎo)體層之間的柵極絕緣膜，以及在所述氧化物半導(dǎo)體層的柵極電極的一側(cè)和與柵極電極相對的一側(cè)，設(shè)置有包括由氧化鋁制成的第一層和由包含硅(Si)的絕緣材料制成的第二層的層積膜。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示器件，其中所述顯示元件是從薄膜晶體管的一側(cè)開始按順序包括陽極、包含發(fā)光層的有機(jī)層和陰極的有機(jī)發(fā)光元件。
14.一種顯示器件，包括 薄膜晶體管；以及顯示元件，其中所述薄膜晶體管按在基板上的順序包括柵極電極、柵極絕緣膜、氧化物半導(dǎo)體層、溝道保護(hù)膜、源極/漏極電極和鈍化膜，以及鈍化膜由包含鋁(Al)、鈦(Ti)和鉭(Ta)中的一種或多種的氧化物、氮化物或氧氮化物制成。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的顯示器件，其中所述顯示元件是從薄膜晶體管的一側(cè)開始按順序包括陽極、包含發(fā)光層的有機(jī)層和陰極的有機(jī)發(fā)光元件。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種能夠抑制氧等從氧化物半導(dǎo)體層解吸附并減少成膜所花費(fèi)的時間的薄膜晶體管和設(shè)置有該薄膜晶體管的顯示器件。柵極絕緣膜22、溝道保護(hù)層24和鈍化膜26中的每一個是層積結(jié)構(gòu)，該層積結(jié)構(gòu)包括由氧化鋁制成的第一層31和由包含硅(Si)的絕緣材料制成的第二層32。第一層31和第二層32優(yōu)選地設(shè)置為彼此層疊，使得第一層31出現(xiàn)在氧化物半導(dǎo)體層23側(cè)。氧化物半導(dǎo)體層23在兩側(cè)被由氧化鋁制成的第一層31夾在中間，從而抑制氧等的解吸附，并使TFT 20的電特性穩(wěn)定。此外，由于第二層32由含有硅(Si)的絕緣材料制成，與由氧化鋁制成的單層相比，能夠減少成膜所花費(fèi)的時間。
文檔編號H01L29/786GK102171833SQ20098013903
公開日2011年8月31日 申請日期2009年10月7日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月8日
發(fā)明者寺井康浩, 荒井俊明, 諸澤成浩 申請人:索尼公司