專(zhuān)利名稱(chēng)：半導(dǎo)體裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置及其制造方法，特別是涉及具有超結(jié)M0S(Metal0Xide kmiconductor，金屬氧化物半導(dǎo)體)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
在橋接電路中構(gòu)成MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET:Field Effect transistor)時(shí)，要求 降低三個(gè)損耗。第一損耗是開(kāi)通損耗(才 > 損失)。開(kāi)通損耗是隨著電流流經(jīng)MOSFET的溝道而產(chǎn) 生的損耗，要求降低MOSFET的開(kāi)通電阻。第二損耗是伴隨開(kāi)通開(kāi)關(guān)而產(chǎn)生的開(kāi)關(guān)損耗。為了降低伴隨開(kāi)通開(kāi)關(guān)而產(chǎn)生的開(kāi) 關(guān)損耗，要求通過(guò)增大MOSFET的柵極靈敏度，削減開(kāi)通開(kāi)關(guān)所需的柵極電荷量Qg，縮短開(kāi) 通開(kāi)關(guān)時(shí)間。第三損耗是伴隨關(guān)斷開(kāi)關(guān)而產(chǎn)生的開(kāi)關(guān)損耗，稱(chēng)之為貫通損耗。為了降低貫通損 耗，要求縮短MOSFET的反向恢復(fù)時(shí)間(Reverse Recovery Time) trr，縮短關(guān)斷開(kāi)關(guān)時(shí)間。作為現(xiàn)有例的半導(dǎo)體裝置，如圖11所示，平面結(jié)構(gòu)的MOSFET具有高電阻且為第 一導(dǎo)電型的第一基極層12、設(shè)置在第一基極層12的背面的第一導(dǎo)電型漏極層10、形成在第 一基極層12的表面的第二導(dǎo)電型第二基極層16、形成在第二基極層16的表面的第一導(dǎo)電 型源極層18、配置在源極層18和第二基極層16的表面上的柵極絕緣膜20、配置在柵極絕 緣膜20上的柵極電極22、配置在柵極電極22上的層間絕緣膜M。在圖11中省略了設(shè)置 在漏極層10的漏極電極、設(shè)置在源極層18和第二基極層16上的源極電極。圖12表示了現(xiàn)有例的半導(dǎo)體裝置的開(kāi)關(guān)波形的例子。與現(xiàn)有的平面結(jié)構(gòu)的MOSFET相比，具有超結(jié)MOS結(jié)構(gòu)的MOSFET在開(kāi)關(guān)損耗和開(kāi) 通損耗方面表示出了優(yōu)異的性能，但是，在貫通損耗方面表現(xiàn)出較差的性能。S卩，在超結(jié)MOSFET中，在第二基極層16和源極層18下部的第一基極層12內(nèi)具有 與漏極層10相對(duì)而形成的第二導(dǎo)電型的柱層。因此，開(kāi)通電阻降低，并且柵極靈敏度增大， 開(kāi)通開(kāi)關(guān)所需的柵極電荷量Qg減少，縮短了開(kāi)通開(kāi)關(guān)時(shí)間。另一方面，由于設(shè)置了該柱層， 增大了 pn結(jié)面積，延長(zhǎng)了反向恢復(fù)時(shí)間trr，延長(zhǎng)了關(guān)斷開(kāi)關(guān)時(shí)間。在此，將柵極電荷量Qg 定義為例如柵源極間電壓Ves達(dá)到IOV所需的電荷量。通常，作為縮短反向恢復(fù)時(shí)間trr的技術(shù)，有采用使重金屬擴(kuò)散的方法和照射電 子束的方法。根據(jù)這些方法，可以縮短反向恢復(fù)時(shí)間trr，但是，對(duì)于形成陷阱能級(jí)的控制性 差，因此，存在漏源極間的泄漏電流增大的問(wèn)題。另外，已經(jīng)提出了在絕緣柵雙極性晶體管(IGBT Jnsulated Gate BipolarTransistor)中局部形成壽命被控制的層的技術(shù)(例如，參照專(zhuān)利文獻(xiàn)1)。另外，也公開(kāi)了如下技術(shù)在IGBT中，將由鋁形成的源極電極用作布線，并且用作 電子束照射的掩模，由此將電子束僅照射在規(guī)定的區(qū)域(例如，參照專(zhuān)利文獻(xiàn)2)。專(zhuān)利文獻(xiàn)1 :(日本)特開(kāi)平10-242165號(hào)公報(bào)(第一圖，第3_4頁(yè))
專(zhuān)利文獻(xiàn)2 :(日本)特開(kāi)平10-270451號(hào)公報(bào)(第一圖，第4頁(yè))

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種在不增大漏源極間的泄漏電流的情況下縮短反向恢 復(fù)時(shí)間trr的具有超結(jié)MOS結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。根據(jù)為了達(dá)到上述目的的本發(fā)明的一實(shí)施方式，可以提供一種半導(dǎo)體裝置，該半 導(dǎo)體裝置具有高電阻且為第一導(dǎo)電型的第一基極層、設(shè)置在所述第一基極層的背面的第 一導(dǎo)電型的漏極層、形成在所述第一基極層的表面的第二導(dǎo)電型的第二基極層、形成在所 述第二基極層的表面的第一導(dǎo)電型的源極層、配置在所述源極層和所述第二基極層的表面 上的柵極絕緣膜、配置在所述柵極絕緣膜上的柵極電極、在所述第二基極層和所述源極層 的下部的所述第一基極層內(nèi)與所述漏極層相對(duì)而形成的第二導(dǎo)電型的柱層、設(shè)置在所述漏 極層的漏極電極、設(shè)置在所述源極層和所述第二基極層的源極電極，對(duì)所述柱層進(jìn)行重粒 子束照射以局部形成陷阱能級(jí)。根據(jù)本發(fā)明的其他實(shí)施方式，提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括形成高電阻 且為第一導(dǎo)電型的第一基極層的工序、在所述第一基極層的背面形成第一導(dǎo)電型的漏極層 的工序、在所述第一基極層的表面形成第二導(dǎo)電型的第二基極層的工序、在所述第二基極 層的表面形成第一導(dǎo)電型的源極層的工序、在所述源極層和所述第二基極層的表面上形成 柵極絕緣膜的工序、在所述柵極絕緣膜上形成柵極電極的工序、在所述第二基極層和所述 源極層的下部的所述第一基極層內(nèi)與所述漏極層相對(duì)而形成第二導(dǎo)電型的柱層的工序、在 所述漏極層形成漏極電極的工序、在所述源極層和所述第二基極層形成源極電極的工序、 對(duì)所述柱層進(jìn)行重粒子束照射以局部形成陷阱能級(jí)的工序。根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種在不增大漏源極間的泄漏電流的情況下縮短反向恢復(fù) 時(shí)間trr的具有超結(jié)MOS結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。


圖1是本發(fā)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本發(fā)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的俯視示意圖；圖3是本發(fā)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的平面圖案結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是本發(fā)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的其他平面圖案結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是本發(fā)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的比較例的開(kāi)關(guān)波形例；圖6是說(shuō)明從背面將離子照射到本發(fā)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置時(shí)照射 目標(biāo)位置與器件結(jié)構(gòu)之間的關(guān)系的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖7是在本發(fā)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置中表示漏源極間飽和電流Idss與距柱 層底面的距離之間關(guān)系的圖；圖8是在本發(fā)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置中表示反向恢復(fù)時(shí)間trr與距柱層底 面的距離之間關(guān)系的圖；圖9是在本發(fā)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置中表示反向恢復(fù)時(shí)間trr、漏源極間 飽和電流Idss與距柱層底面的距離之間關(guān)系的圖；圖10是在本發(fā)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置中表示雜質(zhì)密度N、電阻率、薄膜電阻R與距柱層底面的距離之間關(guān)系的圖；圖11是現(xiàn)有例的半導(dǎo)體裝置的俯視示意圖；圖12是現(xiàn)有例的半導(dǎo)體裝置的開(kāi)關(guān)波形例。附圖標(biāo)記說(shuō)明10漏極層
12第一基極層
14柱層
16第二基極層
18源極層
20柵極絕緣膜
22柵極電極
24層間絕緣膜
26源極電極
28漏極電極
具體實(shí)施例方式下面，參照

本發(fā)明的實(shí)施方式。在下面的說(shuō)明中，對(duì)于相同的結(jié)構(gòu)塊或者 要素標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記，避免重復(fù)說(shuō)明而將說(shuō)明簡(jiǎn)略。附圖用于示意性表示，應(yīng)留意附圖 與現(xiàn)實(shí)的裝置存在不同。而且，在附圖的相互之間包括相互的尺寸關(guān)系和比例不同的部分。以下實(shí)施方式例示用于將本發(fā)明的技術(shù)思想具體化的裝置和方法，本發(fā)明的實(shí)施 方式不將各結(jié)構(gòu)部件的配置等限定于下述的情況。本發(fā)明的實(shí)施方式在權(quán)利要求書(shū)中可以 施加各種變更。[第一實(shí)施方式](元件結(jié)構(gòu))圖1表示本發(fā)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。圖2表示第一實(shí) 施方式的半導(dǎo)體裝置的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1和圖2所示，第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置具有高電阻且摻雜了 η型雜質(zhì)的 第一基極層12、設(shè)置在第一基極層12的背面且摻雜了 η型雜質(zhì)的漏極層10、形成在第一基 極層12的表面且摻雜了 ρ型雜質(zhì)的第二基極層16、形成在第二基極層16的表面且摻雜了 η型雜質(zhì)的源極層18、配置在源極層18和第二基極層16的表面上的柵極絕緣膜20、配置在 柵極絕緣膜20上的柵極電極22、在第二基極層16和源極層18的下部的第一基極層12內(nèi) 與漏極層10相對(duì)而形成且摻雜了 ρ型雜質(zhì)的柱層14、設(shè)置在漏極層10的漏極電極觀、設(shè) 置在源極層18和第二基極層16的源極電極26。在柵極電極22上配置有層間絕緣膜Μ。 圖1所示的虛線表示流經(jīng)漏源極之間的電流。在第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置中，對(duì)柱層14進(jìn)行重粒子束照射以局部形成陷阱 能級(jí)。作為η型雜質(zhì)，例如可以采用P、As、Sb等，作為ρ型雜質(zhì)，例如可以采用B、Al、fei 等。這些雜質(zhì)可以通過(guò)擴(kuò)散技術(shù)或者離子注入技術(shù)向各層摻雜。作為柵極絕緣膜20，例如可以采用氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜、氧化鉿膜、氧化鋁膜、氧化鉭膜等。作為柵極電極22，可以采用例如多晶硅。作為漏極電極觀和源極電極沈可以采 用例如鋁。作為層間絕緣膜對(duì)，可以適用例如氧化硅膜、氮化硅膜、TEOS(四乙氧基硅烷)膜寸。作為第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的平面圖案示意性結(jié)構(gòu)，在圖2中表示以矩形圖 案為基調(diào)并配置成格子狀的例子。與此相對(duì)，例如如圖3所示，也可以以矩形圖案為基調(diào)且 配置成鋸齒格子狀，而且，如圖4所示，也可以以六邊形圖案為基調(diào)且配置成鋸齒格子狀。 而且，平面圖案結(jié)構(gòu)不限于矩形和六邊形，可以以圓形、橢圓形、五邊形和七邊形以上的多 邊形等為基調(diào)。在圖3和圖4中，均示意地表示第一基極層12、柱層14、第二基極層16、源 極層18等半導(dǎo)體層的圖案，而省略了柵極電極22、源極電極沈等的表示。圖5表示在第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置中利用重粒子束照射不實(shí)施壽命控制的 比較例中的開(kāi)關(guān)波形的例子。根據(jù)圖5的結(jié)果，反向恢復(fù)時(shí)間trr為160nSec，比圖12所示 的現(xiàn)有例的130nsec長(zhǎng)。圖6是說(shuō)明從背面將3He++離子照射(IR =Irradiation)到第一實(shí)施方式的半導(dǎo) 體裝置時(shí)的照射目標(biāo)位置與器件結(jié)構(gòu)之間的關(guān)系的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。在圖6中，WA表示從半導(dǎo)體裝置的背面測(cè)得的漏極層10的厚度。WB表示從半 導(dǎo)體裝置的背面測(cè)得的距柱層14底面的距離。在圖6所示的例子中，WA = 208 μ m、WB = 220 μ m0另外，如圖6所示，將坐標(biāo)定義為以柱層14的底面作為基準(zhǔn)，將源極電極沈所在 方向作為正方向，將漏極層10所在方向作為負(fù)方向。將照射目標(biāo)位置定義為從半導(dǎo)體裝置 的背面照射的重粒子離子的射程的衰減峰值位置，可在所述坐標(biāo)上表示。(實(shí)驗(yàn)結(jié)果)圖7表示在第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置中漏源極間飽和電流Idss與對(duì)應(yīng)于衰減峰 值位置的距柱層14底面的距離之間的關(guān)系。在圖7中分別表示3He++離子劑量為IXlO12 個(gè)/cm2、5 X IO12 個(gè)/cm2 的情況。另外，圖8表示在第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置中反向恢復(fù)時(shí)間trr與對(duì)應(yīng)于衰減 峰值位置的距柱層14底面的距離之間的關(guān)系。在圖8中也分別表示了 3He++離子劑量為 IXlO12 個(gè) /cm2、5X IO12 個(gè) /cm2 的情況。如圖7所示，隨著對(duì)應(yīng)于衰減峰值位置的距柱層14底面的距離增加，漏源極間飽 和電流Idss的值有減小的傾向。而且，如圖8所示，隨著對(duì)應(yīng)于衰減峰值位置的距柱層14底 面的距離增加，反向恢復(fù)時(shí)間trr有增加的傾向。圖9示意性表示在第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置中反向恢復(fù)時(shí)間trr、漏源極間飽 和電流Idss與距柱層14底面的距離之間的關(guān)系。在第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置中，通過(guò)以如下方式實(shí)施重粒子束照射，S卩、在以柱 層14底面為基準(zhǔn)的第一位置PB和第二位置PA之間包含重粒子束照射的衰減峰值位置，能 夠得到具有比反向恢復(fù)時(shí)間、短的反向恢復(fù)時(shí)間trr，并且具有比漏源極間飽和電流Itl小 的漏源極間飽和電流Idss的半導(dǎo)體裝置，其中，第一位置PB通過(guò)距柱層14底面的距離與反 向恢復(fù)時(shí)間trr之間的關(guān)系求出，第二位置PA通過(guò)距柱層14底面的距離與漏源極間飽和電流Idss之間的關(guān)系求出。在圖9中，曲線D表示為了得到具有比反向恢復(fù)時(shí)間、短的反 向恢復(fù)時(shí)間trr，并且具有比漏源極間飽和電流Itl小的漏源極間飽和電流Idss的半導(dǎo)體裝 置的重粒子束照射的衰減峰值曲線。在此，第一位置PB是對(duì)應(yīng)于反向恢復(fù)時(shí)間、的重粒子束照射的衰減峰值位置。第 二位置PA是對(duì)應(yīng)于漏源極間飽和電流Itl的重粒子束照射的衰減峰值位置。例如，能夠得到 當(dāng)反向恢復(fù)時(shí)間tQ為80nSec、漏源極間飽和電流I。為1 μ A時(shí)，反向恢復(fù)時(shí)間trr < t0 = 80nsec且漏源極間飽和電流Idss < I0 = 1 μ A的半導(dǎo)體裝置。在此，用于重粒子束照射的粒子可以采用例如質(zhì)子、3He++和4He++中的任一個(gè)。在 作為重粒子束照射的粒子采用4He++時(shí)，優(yōu)選采用由薄基板構(gòu)成的漏極層10。另外，能夠?qū)⒅亓Ｗ邮丈涞膭┝吭O(shè)定在例如5 X 101° 5 X IO12個(gè)/cm2的范圍內(nèi)。圖10表示在第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置中雜質(zhì)濃度N、電阻率P及薄膜電阻R與 距柱層14底面的距離之間的關(guān)系。在圖中，與重粒子束照射的衰減峰值曲線的傾向?qū)?yīng)而 表示電阻率P和薄膜電阻R增大的峰值特性，以及雜質(zhì)濃度N減小的峰值特性。(制造方法)如圖1和圖2所示，第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法具有形成高電阻且為 第一導(dǎo)電型的第一基極層12的工序、在第一基極層12的背面形成第一導(dǎo)電型的漏極層10 的工序、在第一基極層12的表面形成第二導(dǎo)電型的第二基極層16的工序、在第二基極層16 的表面形成第一導(dǎo)電型的源極層18的工序、在源極層18和第二基極層16的表面上形成柵 極絕緣膜20的工序、在柵極絕緣膜20上形成柵極電極22的工序、在第二基極層16和源極 層18的下部的第一基極層12內(nèi)與漏極層10相對(duì)而形成第二導(dǎo)電型的柱層14的工序、在 漏極層10形成漏極電極觀的工序、在源極層和第二基極層形成源極電極的工序、對(duì)柱層14 進(jìn)行重粒子束照射以局部形成陷阱能級(jí)的工序。如圖9所示，局部形成陷阱能級(jí)的工序具有將柱層14底面作為基準(zhǔn)，通過(guò)距柱層 14底面的距離與反向恢復(fù)時(shí)間trr之間的關(guān)系來(lái)確定第一位置PB的工序；通過(guò)距柱層14 底面的距離與漏源極間飽和電流Idss之間的關(guān)系來(lái)確定第二位置PA的工序；實(shí)施重粒子束 照射而使衰減峰值位置包含在第一位置PB和第二位置PA之間的工序。根據(jù)第一實(shí)施方式，能夠抑制漏源極間飽和電流Idss和柵源極間閾值電壓的惡化， 能夠?qū)崿F(xiàn)內(nèi)置二極管的反向恢復(fù)特性的提高。由此，可以實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)損耗的降低以及二極管 反向恢復(fù)損耗的降低。根據(jù)第一實(shí)施方式，能夠提供具有在不增大漏源極間的泄漏電流的情況下縮短反 向恢復(fù)時(shí)間trr的超結(jié)MOS結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。[其他實(shí)施方式]如上所述，通過(guò)第一實(shí)施方式記載了本發(fā)明，但是，應(yīng)理解為構(gòu)成該公開(kāi)的一部分 的論述和附圖只是例示，并不限定本發(fā)明。本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)該公開(kāi)可以掌握各種替代 實(shí)施方式、實(shí)施例和運(yùn)用技術(shù)。如上所述，本發(fā)明包括在此未記載的各種實(shí)施方式等。工業(yè)實(shí)用性本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置可以適用于使用高耐壓MOSFET的橋接電路、IXD逆變器、電 機(jī)、汽車(chē)用HID(High Intensity Discharge Lamp)前照燈點(diǎn)燈裝置等。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有 高電阻且為第一導(dǎo)電型的第一基極層、設(shè)置在所述第一基極層的背面的第一導(dǎo)電型的漏極層、 形成在所述第一基極層的表面的第二導(dǎo)電型的第二基極層、 形成在所述第二基極層的表面的第一導(dǎo)電型的源極層、 配置在所述源極層和所述第二基極層的表面上的柵極絕緣膜、 配置在所述柵極絕緣膜上的柵極電極、在所述第二基極層和所述源極層的下部的所述第一基極層內(nèi)與所述漏極層相對(duì)而形 成的第二導(dǎo)電型的柱層、設(shè)置在所述漏極層的漏極電極、 設(shè)置在所述源極層和所述第二基極層的源極電極， 對(duì)所述柱層進(jìn)行重粒子束照射以局部形成陷阱能級(jí)。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述重粒子照射的衰減峰值位置包含在將所述柱層底面作為基準(zhǔn)的第一位置和第二 位置之間，該第一位置通過(guò)距所述柱層底面的距離與反向恢復(fù)時(shí)間之間的關(guān)系求出，該第 二位置通過(guò)距所述柱層底面的距離與漏源極間飽和電流之間的關(guān)系求出。
3.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，用于所述重粒子束照射的粒子是質(zhì)子、3He++和屯廣中的任一個(gè)。
4.如權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述重粒子束照射的劑量為5X 101° 5X IO12個(gè)/cm2。
5.如權(quán)利要求1至4中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第一基極層、所述第二基極層和所述源極層將以矩形或者六邊形為基調(diào)的平面圖 案配置成格子狀或者鋸齒格子狀。
6.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括 形成高電阻且為第一導(dǎo)電型的第一基極層的工序、在所述第一基極層的背面形成第一導(dǎo)電型的漏極層的工序、 在所述第一基極層的表面形成第二導(dǎo)電型的第二基極層的工序、 在所述第二基極層的表面形成第一導(dǎo)電型的源極層的工序、 在所述源極層和所述第二基極層的表面上形成柵極絕緣膜的工序、 在所述柵極絕緣膜上形成柵極電極的工序、在所述第二基極層和所述源極層的下部的所述第一基極層內(nèi)與所述漏極層相對(duì)而形 成第二導(dǎo)電型的柱層的工序、在所述漏極層形成漏極電極的工序、在所述源極層和所述第二基極層形成源極電極的工序、對(duì)所述柱層進(jìn)行重粒子束照射以局部形成陷阱能級(jí)的工序。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 局部形成所述陷阱能級(jí)的工序具有將所述柱層底面作為基準(zhǔn)，通過(guò)距所述柱層底面的距離與反向恢復(fù)時(shí)間之間的關(guān)系來(lái) 確定第一位置的工序；通過(guò)距所述柱層底面的距離與漏源極間飽和電流之間的關(guān)系來(lái)確定第二位置的工序；實(shí)施重粒子束照射而使衰減峰值位置包含在所述第一位置和所述第二位置之間的工序。
8.如權(quán)利要求6或7所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 用于所述重粒子束照射的粒子是質(zhì)子、3He++和屯廣中的任一個(gè)。
9.如權(quán)利要求6至8中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 所述重粒子束照射的劑量為5X 101° 5X IO12個(gè)/cm2。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置及其制造方法，在不增大漏源極間的泄漏電流的情況下縮短反向恢復(fù)時(shí)間。該半導(dǎo)體裝置具有第一基極層(12)、設(shè)置在第一基極層(12)的背面的漏極層(10)、形成在第一基極層(12)的表面的第二基極層(16)、形成在第二基極層(16)的表面的源極層(18)、配置在源極層(18)和第二基極層(16)的表面上的柵極絕緣膜(20)、配置在柵極絕緣膜(20)上的柵極電極(22)、在第二基極層(16)和源極層(18)的下部的第一基極層(12)內(nèi)與漏極層(10)相對(duì)而形成的柱層(14)、設(shè)置在漏極層(10)的漏極電極(28)、設(shè)置在源極層和第二基極層的源極電極(26)，對(duì)柱層(14)進(jìn)行重粒子束照射以局部形成陷阱能級(jí)。
文檔編號(hào)H01L29/78GK102138206SQ20098013376
公開(kāi)日2011年7月27日 申請(qǐng)日期2009年8月31日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月1日
發(fā)明者中島俊雄 申請(qǐng)人:羅姆股份有限公司