專利名稱：具有驅(qū)動(dòng)器的數(shù)據(jù)單元及其制造方法和操作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實(shí)施例大體來(lái)說(shuō)涉及電子裝置，且更具體來(lái)說(shuō)，在某些實(shí)施例中，涉及具 有具驅(qū)動(dòng)器的數(shù)據(jù)單元的電子裝置。
背景技術(shù)：
許多類型的電子裝置具有多個(gè)數(shù)據(jù)單元。通常，所述數(shù)據(jù)單元各自包括一數(shù)據(jù)元 件(例如，存儲(chǔ)器元件、成像元件，或經(jīng)配置以輸出數(shù)據(jù)的其它裝置(例如，各類傳感器)) 及(在一些例子中)一存取裝置(例如，晶體管或二極管)。大體上，存取裝置控制對(duì)數(shù)據(jù) 元件的存取，且數(shù)據(jù)元件輸出指示所存儲(chǔ)或所感測(cè)的數(shù)據(jù)的信號(hào)。在一些電子裝置中，來(lái)自所述數(shù)據(jù)元件的信號(hào)過(guò)弱而不能被可靠地感測(cè)到。通常， 將所述數(shù)據(jù)元件制造成相對(duì)小以增加電子裝置的功能性且降低其成本。但是，此實(shí)踐的一 個(gè)結(jié)果是一些數(shù)據(jù)元件輸出相對(duì)弱(例如，低強(qiáng)度)的信號(hào)。結(jié)果，可難以使用所述信號(hào)來(lái) 實(shí)現(xiàn)有用的目的，例如指示由數(shù)據(jù)元件存儲(chǔ)或感測(cè)的數(shù)字值(例如，0、1、00、01等)或模擬值。


圖1到圖29說(shuō)明用于根據(jù)本技術(shù)的一實(shí)施例形成存取裝置及驅(qū)動(dòng)器的過(guò)程中的 步驟；圖30說(shuō)明可以圖1到圖29所說(shuō)明的存取裝置及驅(qū)動(dòng)器形成的單一數(shù)據(jù)單元的電 路示意圖；圖31到圖38說(shuō)明用于形成連接到圖1到圖30的存取裝置及驅(qū)動(dòng)器的數(shù)據(jù)元件 的過(guò)程；圖39及圖40說(shuō)明根據(jù)本技術(shù)的實(shí)施例的數(shù)據(jù)單元陣列的兩個(gè)實(shí)施例；圖41到圖57說(shuō)明用于根據(jù)本技術(shù)的一實(shí)施例形成存取裝置及驅(qū)動(dòng)器的過(guò)程的第 二實(shí)施例中的步驟；以及圖58到圖63說(shuō)明以通過(guò)圖41到圖57的過(guò)程產(chǎn)生的存取裝置及驅(qū)動(dòng)器形成的數(shù)
據(jù)單元。
具體實(shí)施例方式圖1說(shuō)明用于形成存取裝置及驅(qū)動(dòng)器的過(guò)程中的第一步驟。所述過(guò)程可開(kāi)始于提 供襯底110。襯底110可包括半導(dǎo)體材料(例如，單晶或多晶硅、砷化鎵、磷化銦)或具有 半導(dǎo)體性質(zhì)的其它材料。另外或其它，襯底110可包括上面可構(gòu)造有電子裝置的非半導(dǎo)體 主體，例如，例如塑料或陶瓷加工面等主體。術(shù)語(yǔ)“襯底”包含各個(gè)制造階段中的這些結(jié)構(gòu)， 包括未經(jīng)處理的完整晶片、部分處理的完整晶片、完全處理的完整晶片、經(jīng)切割晶片的一部 分，或在經(jīng)封裝的電子裝置中經(jīng)切割晶片的一部分。襯底110可包括上部摻雜區(qū)112及下部摻雜區(qū)114。上部摻雜區(qū)112的深度在襯底110的實(shí)質(zhì)區(qū)域上可為大體上均勻的，且上部摻雜區(qū)112可與下部摻雜區(qū)114不同地?fù)?雜。舉例來(lái)說(shuō)，上部摻雜區(qū)112可包括η+材料，且下部摻雜區(qū)114可包括ρ-材料，或反之 亦然。接下來(lái)，如由圖2所說(shuō)明，可在襯底110上形成若干個(gè)膜?？稍谏喜繐诫s區(qū)112上 直接形成襯墊氧化物116。襯墊氧化物116可具有小于300 Α (例如，通常接近于80 Α)的 厚度?？稍谝r墊氧化物116上形成終止體(例如，層)118。終止體118可包括氮化物，且其 可具有小于300 A (例如，通常接近于95 Α)的厚度，但如同本文所描述的其它結(jié)構(gòu)，終止 體118不限于這些尺寸或材料。可在終止體118上形成犧牲體120。犧牲體120可由多晶 硅制成，且其可具有在500 A與2,000 A之間(例如，通常接近于1000 A )的厚度?？稍跔?牲體120上形成下部遮蔽體122。下部遮蔽體122可由氧化物制成，且其可具有在500 A與 2,000 A之間(例如，通常接近于1000 A )的厚度。最后，可在下部遮蔽體122上形成上部 遮蔽體124。上部遮蔽體124可由碳制成，且其可具有在1000 A與3000 A之間(例如，通常 接近于2000 A )的厚度。可通過(guò)化學(xué)氣相沉積、自旋涂布或此項(xiàng)技術(shù)中已知的其它工藝來(lái) 形成這些材料116、118、120、122及其它材料。接下來(lái)，如由圖3所說(shuō)明，可形成列掩模126。(術(shù)語(yǔ)“列”不指代襯底110上的除 了一方向(所述方向不同于隨后介紹的行延伸的方向)之外的任何特定水平方向。)列掩模 126可包括一線圖案，其界定具有寬度128的遮蔽區(qū)及具有寬度130的暴露區(qū)。寬度128與 130可大體上彼此相等且各自大體上等于平版印刷分辨率極限(例如，光刻分辨率極限)， 被稱為“F”。列掩模126可具有大體上等于2F的間距132。由列掩模126形成的線可大體 上為直的、大體上彼此平行，且可大體上在X方向上延伸。這些線在X方向上可大體上為連 續(xù)的且大體上均勻。但是，在其它實(shí)施例中，由列掩模126形成的線可具有其它形狀，例如， 其可成波浪形(例如，上下、左右或兩者皆有)，其在X方向上寬度可改變，或其可由多個(gè)較 短片段來(lái)形成。在形成列掩模126后，如由圖4所說(shuō)明，可形成列硬掩模134。可通過(guò)大體上各向 異性地蝕刻(例如，用方向性等離子蝕刻)安置于未由列掩模126覆蓋的區(qū)下方的上部遮 蔽體124的部分及下部遮蔽體122的部分來(lái)形成列硬掩模134。在一些實(shí)施例中，所述蝕刻 可終止于犧牲體120上或犧牲體120中。接下來(lái)，如由圖5所說(shuō)明，可移除列掩模126，且可在列硬掩模134的側(cè)壁上形成列 間隔片136?？赏ㄟ^(guò)沉積大體上共形的膜(例如，在垂直及水平結(jié)構(gòu)兩者上具有大體上均勻 的厚度的膜)且接著各向異性地蝕刻所述膜以將其從水平表面移除從而在襯底110上留下 抵靠大體上垂直的表面而安置的材料來(lái)形成列間隔片136。列間隔片136可由氧化物制成， 且其可具有小于IOOnm(例如，小于或大體上等于36nm)的寬度138。列間隔片136可使由 列硬掩模134暴露的區(qū)域變窄到寬度140，寬度140小于或等于F，例如，大體上等于或小于 3/4F、l/2F 或 1/4F。接下來(lái)，如由圖6所說(shuō)明，可形成列隔離溝槽142?？赏ㄟ^(guò)大體上各向異性地蝕刻 列間隔片136之間的暴露區(qū)來(lái)形成列隔離溝槽142。列隔離溝槽142可具有對(duì)應(yīng)于寬度140 的寬度141 (例如，大體上等于寬度140或與寬度140成比例)。列隔離溝槽142可大體上 在X方向上延伸，且可大體上彼此平行且大體上為直的。列隔離溝槽142的橫截面形狀在X 方向上可大體上均勻。在一些實(shí)施例中，列隔離溝槽142可具有在500 A與5000 A之間(例如，大體上等于2500 A)的深度144。如由圖7所說(shuō)明，在形成列隔離溝槽142后，可用電介質(zhì)146來(lái)部分地或完全地填 充列隔離溝槽142。電介質(zhì)146可由各種材料(例如，氧化物)制成，且其可襯有各種襯層 膜(未圖示)，例如氧化物襯層及氮化物襯層。在一些實(shí)施例中，在形成電介質(zhì)146之前，列 隔離溝槽142的底部可植入或擴(kuò)散有經(jīng)選擇以使在列隔離溝槽142的相對(duì)側(cè)上的結(jié)構(gòu)進(jìn)一 步電隔離的摻雜劑。接下來(lái)，如由圖8所說(shuō)明，可平坦化襯底110。平坦化襯底110可包括蝕刻襯底110 或通過(guò)化學(xué)機(jī)械平坦化來(lái)拋光所述襯底。平坦化可包括移除上部遮蔽體124及下部遮蔽體 122兩者，且平坦化可終止于犧牲體120上或犧牲體120中。另外，可移除電介質(zhì)146的上 部部分。接下來(lái)，如由圖9所說(shuō)明，可部分地或完全地移除犧牲體120。移除此體120可包 括通過(guò)選擇性地蝕刻犧牲體120而不移除所暴露電介質(zhì)146的實(shí)質(zhì)部分的蝕刻(即，通過(guò) 對(duì)犧牲體120具選擇性的蝕刻)來(lái)濕式蝕刻或干式蝕刻襯底110。如果一蝕刻移除一材料 而未移除實(shí)質(zhì)量的其它類型的材料，則將所述蝕刻稱為對(duì)所述材料具“選擇性”。在移除犧 牲體120后，由電介質(zhì)146形成的大體上垂直的突出物148可從襯底110延伸。接下來(lái)，如由圖10所說(shuō)明，可在電介質(zhì)146的大體上垂直突出物148的側(cè)壁上形 成列間隔片150中的第二者。如同先前所述的列間隔片136 —樣，可通過(guò)在襯底110上沉積 大體上共形的膜且各向異性地蝕刻所述膜直到大體上將所述膜從水平表面移除為止從而 在襯底110上的垂直表面上留下所述材料來(lái)形成第二列間隔片150。第二列間隔片150可 由與電介質(zhì)146相同的材料(例如，氧化物)制成，或其可由不同材料制成。第二列間隔片 150可具有小于或大體上等于100nm(例如，小于或大體上等于36nm)的寬度152。間隔片 150可界定在鄰近間隔片150之間的寬度154，其大體上小于或等于1F、3/4F、1/2F或1/4F。如由圖11所說(shuō)明，在形成第二群組列空間150后，可形成列柵極溝槽152?？赏?過(guò)大體上各向異性地蝕刻第二群組列間隔片150之間的暴露區(qū)來(lái)形成列柵極溝槽152。列 柵極溝槽152可大體上彼此平行且平行于列隔離溝槽142，且其可大體上在X方向上延伸。 列柵極溝槽152可具有小于列隔離溝槽142的深度144(圖6)且大于上部摻雜區(qū)112的深 度的深度154。接下來(lái)，如由圖12所說(shuō)明，可形成列分段掩模156。如同所論述的其它掩模，列分 段掩模156可為用光刻或其它圖案化工藝來(lái)形成的軟掩?；蛴惭谀?。列分段掩模156可界 定遮蔽區(qū)158及暴露區(qū)160。遮蔽區(qū)158可大體上在Y方向上延伸，且其可大體上為直的且 大體上彼此平行。但是，在其它實(shí)施例中，遮蔽區(qū)158可成波浪形、寬度改變或?yàn)榉侄蔚?。?蔽區(qū)158可具有大體上等于或小于F的寬度。暴露區(qū)160可寬于遮蔽區(qū)158，且暴露區(qū)160 與遮蔽區(qū)158可共同大體上界定列分段掩模156的間距161。列分段掩模156可由光致抗 蝕劑形成，或其可為(例如)硬掩模。可將列分段掩模156的一部分安置于溝槽152中。如由圖13所說(shuō)明，接著可蝕刻襯底110。蝕刻襯底110可包括用將材料從下部摻 雜區(qū)114選擇性地移除的大體上各向異性蝕刻來(lái)蝕刻襯底110。這可形成列柵極溝槽152 的較深部分162。在形成較深部分162后，如由圖14所說(shuō)明，可移除列分段掩模156，且如由圖15所 說(shuō)明，可部分地或?qū)嵸|(zhì)上平坦化襯底110。平坦化襯底110可包括選擇性地蝕刻第二群組列
6間隔片150及垂直突出物148，或此過(guò)程可包括用化學(xué)機(jī)械平坦化來(lái)平坦化這些結(jié)構(gòu)。在其 它實(shí)施例中，第二群組列間隔片150及垂直突出物148的一部分或所有可留在襯底110上 且在隨后步驟期間被移除。接下來(lái)，如由圖16所說(shuō)明，可形成列柵極電介質(zhì)164。可沉積、生長(zhǎng)或以其它方式 來(lái)形成列柵極電介質(zhì)164，且其可實(shí)質(zhì)上或完全覆蓋上部摻雜區(qū)112及下部摻雜區(qū)114的暴 露部分。舉例來(lái)說(shuō)，列柵極電介質(zhì)164可包括以下各者、由以下各者組成，或基本上由以下 各者組成各種電介質(zhì)材料(例如，氧化物(例如，二氧化硅)、氮氧化物)或高電介質(zhì)常數(shù) 材料(如二氧化鉿、二氧化鋯及二氧化鈦)。在形成列柵極電介質(zhì)164后，如由圖17所說(shuō)明，在一些實(shí)施例中，可形成列柵極 166。列柵極166可由導(dǎo)電材料(例如，金屬或摻雜多晶硅)制成，且其可通過(guò)在襯底110 上沉積所述導(dǎo)電材料直到形成一蓋層為止且接著蝕刻所述導(dǎo)電材料直到列柵極166凹進(jìn) 到上部摻雜區(qū)112以下為止來(lái)形成。在一些實(shí)施例中，列柵極166不凹進(jìn)到列柵極溝槽152 的較深部分162中，使得列柵極166在X方向上在較深部分162之間大體上連續(xù)。接下來(lái)，如由圖18所說(shuō)明，可在襯底110上形成列柵極覆蓋層168。列柵極覆蓋層 168可為電介質(zhì)材料，例如氧化物、氮化物或其它適當(dāng)材料。在一些實(shí)施例中，可通過(guò)在襯底 110上沉積電介質(zhì)材料且接著用蝕刻或化學(xué)機(jī)械平坦化來(lái)平坦化所述電介質(zhì)材料來(lái)形成列 柵極覆蓋層168。在形成列柵極覆蓋層168后，如由圖19所說(shuō)明，可形成行掩模170。行掩模170 可包括大體上在Y方向上延伸的多個(gè)線。在一些實(shí)施例中，這些線大體上平行、大體上為直 的，且在Y方向上具有大體上均勻的寬度。但是，在其它實(shí)施例中，這些線可成波浪形、寬度 改變或?yàn)榉侄蔚?。行掩?70可大體上界定遮蔽區(qū)172及暴露區(qū)174，其共同可在X方向上 以間距176來(lái)重復(fù)。間距176可大體上等于列分段掩模156的間距161 (圖12)的一半。掩 模170可在X方向上對(duì)準(zhǔn)，使得行掩模170的交替暴露區(qū)172與列深溝槽152的較深部分 162的邊緣178重疊(由圖20中的蝕刻后視圖更清楚地說(shuō)明的布置)。遮蔽區(qū)172的寬度 可大體上等于或小于F、3/4F或1/2F。行掩模170可由光致抗蝕劑制成，或其可為硬掩模。 在一些實(shí)施例中，可通過(guò)使通過(guò)光刻形成的結(jié)構(gòu)成雙間距以形成亞光刻特征來(lái)形成行掩模 170,或可使用其它亞光刻技術(shù)，例如抗蝕劑回流工藝或通過(guò)濕式蝕刻來(lái)對(duì)硬掩模進(jìn)行底切 的抗蝕劑底切工藝。(成雙間距指代在經(jīng)圖案化的結(jié)構(gòu)上形成側(cè)壁間隔片以使由經(jīng)圖案化 的結(jié)構(gòu)界定的結(jié)構(gòu)的數(shù)目加倍的過(guò)程。)接下來(lái)，如由圖20所說(shuō)明，可蝕刻襯底110以形成通過(guò)行柵極溝槽182分隔的鰭 狀物行180?？赏ㄟ^(guò)大體上各向異性地蝕刻由行掩模170界定的暴露區(qū)174來(lái)形成行柵極 溝槽182。行柵極溝槽182可延伸到襯底110中與列柵極溝槽152的較深部分162重疊的 深度處。在一些實(shí)施例中，行柵極溝槽182不延伸到較深部分162的底部，留下列柵極166 的在鰭狀物行180之間延伸的一部分。在形成行柵極溝槽182后，如由圖21所說(shuō)明，可形成行柵極電介質(zhì)184。可生長(zhǎng)、 沉積或以其它方式來(lái)形成行柵極電介質(zhì)184，且其可包括在上文參考列柵極電介質(zhì)164所 描述的電介質(zhì)材料中的一者或一者以上。在形成行柵極電介質(zhì)184后，如由圖22所說(shuō)明，可形成行柵極186、187、188及 189。在此實(shí)施例中，可通過(guò)側(cè)壁間隔片方法來(lái)形成行柵極186、187、188及189。可在襯底
7110上沉積導(dǎo)電材料(例如，TiN、其它適當(dāng)金屬或摻雜多晶硅)的膜，且接著對(duì)其各向異性 地蝕刻以在每一鰭狀物行180的任一側(cè)上留下導(dǎo)電側(cè)壁間隔片186或188。行柵極186、 187、188及189可與上部摻雜區(qū)112重疊。在一些實(shí)施例中，行柵極186與187可彼此耦 合且處于大體上相同的電壓下，或在其它實(shí)施例中，其可受到獨(dú)立地控制。類似地，行柵極 188與189可彼此耦合，或其可受到獨(dú)立地控制。接下來(lái)，如由圖23所說(shuō)明，可在襯底110上形成電介質(zhì)材料190。電介質(zhì)材料190 可為氧化物、氮化物或其它適當(dāng)材料，且其可使與鄰近鰭狀物行180相關(guān)聯(lián)的柵極186、 187、188 及 189 隔離。在形成電介質(zhì)材料190后，如由圖24所說(shuō)明，可平坦化襯底110?？赏ㄟ^(guò)蝕刻或化 學(xué)機(jī)械平坦化來(lái)平坦化襯底110。在一些實(shí)施例中，平坦化使上部摻雜區(qū)112的頂部部分暴 露以用于建立與隨后形成的數(shù)據(jù)線及數(shù)據(jù)元件的電接觸。此過(guò)程可產(chǎn)生各自具有三個(gè)晶體管的單元192的陣列一個(gè)晶體管由行柵極188 及189控制，一個(gè)晶體管由列片段柵極210控制，且一個(gè)晶體管由行柵極186及187控制。 在下文描述這些晶體管。所產(chǎn)生的陣列是通過(guò)圖24的透視圖說(shuō)明，且個(gè)別單元的實(shí)例通過(guò) 圖25到圖30說(shuō)明。在此實(shí)施例中每一單元的半導(dǎo)體部分是通過(guò)圖25及圖26說(shuō)明，且個(gè) 別單元的其它方面是通過(guò)圖27到圖30說(shuō)明。如由圖25及圖26所描繪，每一單元192可包括通過(guò)共同空腔198分割的兩個(gè)鰭 狀物194及196，所述共同空腔198在鰭狀物194與196之間延伸。鰭狀物194可包括可安 置于空腔198的任一側(cè)上的兩個(gè)支腳200及202，且鰭狀物196可包括也可安置于空腔198 的任一側(cè)上的兩個(gè)支腳204及206。在一些實(shí)施例中，空腔198改變支腳204與206之間的 深度以形成橫跨于支腳204與206之間的升高部分208。支腳200、202、204及206可包括 一由上部摻雜區(qū)112形成的遠(yuǎn)端部分及一由下部摻雜區(qū)114形成的下部部分。如下文所解 釋，鰭狀物194可形成具有一對(duì)堆疊晶體管的“與”(AND)門(mén)，且鰭狀物196可形成單一晶體 管。圖27為單一單元192的實(shí)例的部分的分解圖。單元192可包括參看圖25及圖26 所描述的半導(dǎo)體部分、列柵極片段210，及行柵極186、187、188及189。如由圖20所說(shuō)明， 可在形成行柵極溝槽182期間通過(guò)分割列柵極166而由列柵極166形成列柵極片段210。 列柵極片段210可與由相同列柵極166及其它列柵極166形成的其它列柵極片段210分隔 (例如，電隔離)。每一列柵極片段210可包括一內(nèi)埋式部件212及兩個(gè)上升部214及216。 上升部214及216可大體上垂直地且大體上成直角地從內(nèi)埋式部件212延伸，且內(nèi)埋式部 件212可將上升部214與216彼此電連接。上升部216可包括一端緣218，其大體上成直 角地從上升部216延伸且經(jīng)成形以與升高部分208重疊。在一些實(shí)施例中，上升部214及 216的頂部通常不與上部摻雜區(qū)212重疊。列柵極片段210可大體上與空腔198互補(bǔ)。盡管未展示于圖27中，但單元192也可包括上述的絕緣部件電介質(zhì)146、列柵極 電介質(zhì)164、行柵極電介質(zhì)184及電介質(zhì)材料190。圖28、圖29及圖30說(shuō)明上述結(jié)構(gòu)的一個(gè)用途。圖28為單元192的部分的透視 圖，說(shuō)明可配置單元192以形成數(shù)據(jù)單元的一個(gè)方法，且圖29為可在單元192的操作期間 形成的導(dǎo)電通道的透視圖。圖30為可以單元192或其它單元形成的數(shù)據(jù)單元的實(shí)例的電 路圖。
如由圖28及圖30所說(shuō)明，單元192可連接到數(shù)據(jù)元件219、電壓源Vcc、數(shù)據(jù)線 DL、讀取控制線CL READ，及寫(xiě)入控制線CL WRITE。在一些實(shí)施例中，數(shù)據(jù)線可被稱為數(shù)字 線，且控制線可被稱為字線。在這些圖式中，到單元192的連接以示意圖形式表示以強(qiáng)調(diào)可 通過(guò)各種技術(shù)來(lái)將單元192連接到其它裝置。用于形成這些連接的方法的一個(gè)實(shí)例通過(guò)隨 后圖式說(shuō)明。如由圖28所說(shuō)明，數(shù)據(jù)線DL可連接到支腳202及206。電壓源可連接到支腳200， 且數(shù)據(jù)元件219可連接到支腳204及列柵極片段210兩者(在圖27中可看到)。數(shù)據(jù)元 件219可經(jīng)由上升部216及端緣218連接到列柵極片段210。讀取控制線可連接到行柵極 186及187或由行柵極186及187形成，且寫(xiě)入控制線可連接到行柵極189或由行柵極189 形成。在一些實(shí)施例中，行柵極188在單元192的以下操作中的一些或全部期間可為不使 用的，或其可連接到寫(xiě)入控制線。當(dāng)一電壓(例如，大于閾值電壓或小于閾值電壓的電壓，此取決于上部摻雜區(qū)112 及下部摻雜區(qū)114的摻雜)施加到行柵極189時(shí)，單元192可形成導(dǎo)電通道220，其實(shí)例由 圖29說(shuō)明。在一些實(shí)施例中，通道220可包括大體上垂直的部分222及大體上水平的部分 224，例如，這些部分222及224可大體上形成一 L形。(下文中，這些部分被稱作垂直部分 222及水平部分224，其不暗示這些特征或任何其它特征必定完全垂直、水平或正交)。垂直 部分222可包括在垂直部分222的上部部分中的大體上不導(dǎo)電的凹口 226。在操作中，通道220可在支腳204與支腳206之間傳導(dǎo)電流。在一些實(shí)施例中，支 腳204及206的遠(yuǎn)端部分可被稱為源極及漏極。支腳204與支腳206之間的電流通過(guò)箭頭 228表示(對(duì)應(yīng)于從支腳204流進(jìn)通道220中的電流)，及通過(guò)箭頭230表示(對(duì)應(yīng)于經(jīng)由 支腳206離開(kāi)通道220的電流)。在其它實(shí)施例或其它操作中，電流的方向可顛倒。當(dāng)將 亞閾值電壓施加到行柵極189時(shí)，單元192可不建立通道220，且電流可通常不從支腳204 及206的上部摻雜區(qū)212經(jīng)由下部摻雜區(qū)214流下。因此，在一些實(shí)施例中，在支腳204與 206之間流動(dòng)的電流可通過(guò)行柵極189的電壓來(lái)控制。(如本文中使用，亞閾值電壓為允 許電流流動(dòng)的電壓且可為小于閾值電壓的電壓或大于閾值電壓的電壓，此取決于單元的配 置，例如，PMOS型單元或NMOS型單元)。在支腳200與202之間流動(dòng)的電流可部分地或?qū)嵸|(zhì)上完全地由兩個(gè)不同電壓來(lái)控 制控制讀取線CL READ的電壓及列柵極片段210 (圖27)的電壓。如由圖29所說(shuō)明，可 通過(guò)從行柵極186及187發(fā)出的電場(chǎng)來(lái)建立上部通道部分232、234、236及238。這些上部 通道部分232、234、236及238中的每一者可包括一大體上垂直的部分及一大體上水平的部 分，例如，其可大體上具有一 L形。上部通道部分232及234可形成于支腳200中，且上部 通道部分236及238可形成于支腳202中。上部通道部分232及234可通過(guò)下部通道240而連接到上部通道部分236及238。 下部通道240可大體上正交于上部通道部分232、234、236及238的大體上水平的部分及大 體上垂直的部分兩者。在一些實(shí)施例中，下部通道240大體上在X方向上延伸且大體上具 有U形橫截面?？赏ㄟ^(guò)從列柵極片段210 (圖27)發(fā)出的電場(chǎng)來(lái)形成下部通道240。在操作中，當(dāng)形成上部通道部分232、234、236及238及下部通道240兩者時(shí)，電流 可在支腳200與202之間流動(dòng)。因此，鰭狀物194可形成一 AND門(mén)，所述AND門(mén)具有通過(guò)行 柵極186及187控制的一對(duì)上部晶體管及一通過(guò)列柵極片段210控制的下部晶體管。電流
9的一實(shí)例通過(guò)箭頭242及244說(shuō)明，描繪流進(jìn)上部通道部分232及234中的電流。如通過(guò) 箭頭246及248所說(shuō)明，這些電流242及244可流經(jīng)下部通道240且接著流出上部通道部 分236及238。上部通道部分232及234可據(jù)稱通過(guò)下部通道240而串聯(lián)地連接到上部通 道部分236及238。在其它實(shí)施例或其它操作中，電流的方向可顛倒。圖30以電路示意圖形式來(lái)說(shuō)明單元192 (及根據(jù)本技術(shù)的其它單元)。所說(shuō)明的 單元192可包括數(shù)據(jù)元件219、晶體管250，及驅(qū)動(dòng)器252。數(shù)據(jù)元件219可包括各種不同 類型的數(shù)據(jù)元件。舉例來(lái)說(shuō)，數(shù)據(jù)元件219可包括傳感器(例如，圖像傳感器，例如，電荷耦 合裝置或光電二極管)或存儲(chǔ)器元件。各種類型的預(yù)想存儲(chǔ)器元件當(dāng)中有易失性存儲(chǔ)器元 件(例如，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM))及非易失性存儲(chǔ)器元件(例如，相變存儲(chǔ)器元件 (例如，雙向裝置)、浮動(dòng)?xùn)艠O存儲(chǔ)器元件、鐵電存儲(chǔ)器元件、磁阻存儲(chǔ)器元件及半導(dǎo)體_氧 化物_氮化物_氧化物_半導(dǎo)體(SONOS)存儲(chǔ)器元件)。由圖30所說(shuō)明的晶體管250可通過(guò)圖28的鰭狀物196形成，且由圖30所說(shuō)明的 驅(qū)動(dòng)器252可通過(guò)圖28的鰭狀物194形成。在一些實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)器252可包括兩個(gè)存取 晶體管254及256及一放大晶體管258。如由圖28所說(shuō)明，存取晶體管254及256可由鰭 狀物194的支腳200及202形成，且如由圖27所說(shuō)明，放大晶體管258可由鰭狀物194的鄰 近于列柵極片段210的部分形成。存取晶體管254及256可被稱為讀取存取裝置，且晶體 管250可被稱為寫(xiě)入存取裝置。其它實(shí)施例可包括其它類型的讀取存取及寫(xiě)入存取裝置， 例如二極管。由圖30說(shuō)明的單元192可輸出來(lái)自數(shù)據(jù)元件219的數(shù)據(jù)。在操作中，數(shù)據(jù)元件219 可將一電壓施加到放大晶體管258的柵極，且放大晶體管258可放大此信號(hào)。放大晶體管 258可經(jīng)配置以在其三極管區(qū)中操作，且其可驅(qū)動(dòng)其源極與其漏極之間的電流，所述電流根 據(jù)來(lái)自數(shù)據(jù)元件219的電壓而變化，例如，放大晶體管258可傳導(dǎo)與其柵極的電壓大體上成 比例的電流。為經(jīng)由放大晶體管258來(lái)傳導(dǎo)電流，存取晶體管254及256可關(guān)閉電壓源Vcc 與數(shù)據(jù)線DL之間的路徑。當(dāng)在讀取控制線CL READ上確定一讀取信號(hào)時(shí)，存取晶體管254 及256可進(jìn)入導(dǎo)電狀態(tài)，允許電流經(jīng)由放大晶體管258在數(shù)據(jù)線DL與電壓源Vcc之間流動(dòng)。 去往或來(lái)自數(shù)據(jù)線DL的電流的量值可部分地或?qū)嵸|(zhì)上完全通過(guò)數(shù)據(jù)元件219施加到放大 晶體管258的柵極的電壓來(lái)控制。因此，在一些實(shí)施例中，在數(shù)據(jù)線DL與電壓源Vcc之間 流動(dòng)的電流可指示從數(shù)據(jù)元件219輸出的數(shù)據(jù)值(例如，與所述數(shù)據(jù)值大體上成比例)。驅(qū)動(dòng)器252的一些實(shí)施例被認(rèn)為能增加數(shù)據(jù)元件219經(jīng)由數(shù)據(jù)線DL傳送數(shù)據(jù)的 速度及準(zhǔn)確性。因?yàn)榱鬟M(jìn)數(shù)據(jù)線DL中的電流是通過(guò)電壓源Vcc而非數(shù)據(jù)元件219來(lái)供應(yīng)， 所以在讀取數(shù)據(jù)時(shí)數(shù)據(jù)線DL改變電壓的速度可至少部分地與數(shù)據(jù)元件的大小或其信號(hào)去 耦。因此，供應(yīng)相對(duì)小電流的相對(duì)小的數(shù)據(jù)元件219仍可快速地改變數(shù)字線DL電壓。在一些實(shí)施例中，數(shù)據(jù)元件219可經(jīng)由施加到放大晶體管258的柵極的電壓的相 對(duì)小改變來(lái)傳送多個(gè)位，例如，2、3、4、5或5個(gè)以上的數(shù)據(jù)位。可通過(guò)驅(qū)動(dòng)器252來(lái)放大這 些相對(duì)小的電壓差異且經(jīng)由數(shù)據(jù)線DL來(lái)輸出所述電壓差異。因此，可通過(guò)用驅(qū)動(dòng)器252放 大信號(hào)來(lái)增加數(shù)據(jù)元件219的分辨率。在一些實(shí)施例(例如，存儲(chǔ)器裝置中的那些實(shí)施例)中，可將數(shù)據(jù)寫(xiě)入到數(shù)據(jù)元件 219。為寫(xiě)入數(shù)據(jù)，可在寫(xiě)入控制線CL WRITE上確定一信號(hào)，且此信號(hào)可接通晶體管250。 當(dāng)將晶體管250接通時(shí)，電流可從數(shù)據(jù)線DL流動(dòng)到數(shù)據(jù)元件219，且此電流可改變數(shù)據(jù)元件219的性質(zhì)，例如，所存儲(chǔ)的電荷或結(jié)晶度的程度。數(shù)據(jù)元件219的性質(zhì)改變可用以存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。圖31到圖38說(shuō)明用于將圖28的單元192連接到電容器存儲(chǔ)器元件的過(guò)程的實(shí) 例。如由圖31所說(shuō)明，可在襯底110上形成數(shù)字線260。數(shù)字線260可大體上在X方向上 延伸，且其可連接到單元192的支腳206及202。數(shù)據(jù)線260可大體上為直的，但在其它實(shí) 施例中，其可具有其它形狀，例如，其可成波浪形、寬度改變或?yàn)榉侄蔚摹Ｔ谝恍?shí)施例中， 數(shù)據(jù)線260可在支腳202及206上方間隔開(kāi)，且其可經(jīng)由通孔、觸點(diǎn)或其它結(jié)構(gòu)連接到支腳 202 及 206。接下來(lái)，如由圖32所說(shuō)明，可在數(shù)據(jù)線260上形成電介質(zhì)體262，且如由圖33所說(shuō) 明，可經(jīng)由電介質(zhì)體262來(lái)打開(kāi)通孔264。所述通孔264可使單元192中的每一者中的支腳 200暴露?？赏ㄟ^(guò)用光刻來(lái)圖案化襯底110且接著大體上各向異性地蝕刻襯底110以移除 電介質(zhì)體262的暴露部分來(lái)形成通孔264。在打開(kāi)通孔264后，如由圖34所說(shuō)明，可在通孔264中形成觸點(diǎn)266，且可形成電 壓源連接器268。在一些實(shí)施例中，可通過(guò)在襯底110上沉積大體上導(dǎo)電的材料(例如，上 述導(dǎo)電材料中的一者或一者以上)及蝕刻所述導(dǎo)電材料直到所述導(dǎo)電材料主要留在通孔 264內(nèi)部中為止來(lái)形成觸點(diǎn)266。在一些實(shí)施例中，可通過(guò)沉積大體上導(dǎo)電的膜及圖案化且 蝕刻所述導(dǎo)電膜來(lái)形成電源連接器268。所說(shuō)明的電壓源連接器268大體上在Y方向上延 伸。在其它實(shí)施例中，其可在其它方向(例如，X方向)上延伸，或其可由導(dǎo)電板形成。接下來(lái)，如由圖35所說(shuō)明，可在襯底110上形成另一電介質(zhì)體270。電介質(zhì)體270 可由氧化物、氮化物、自旋電介質(zhì)或其它適當(dāng)材料制成。在形成電介質(zhì)體270后，如由圖36所說(shuō)明，可穿過(guò)電介質(zhì)體270及電介質(zhì)體262 形成通孔272?？赏ㄟ^(guò)用光刻來(lái)圖案化襯底110及大體上各向異性地蝕刻襯底110來(lái)形成 通孔272。在一些實(shí)施例中，通孔272可與支腳204及列柵極片段210的上升部216兩者重 疊。在一些實(shí)施例中，打開(kāi)通孔272的蝕刻可選擇性地移除列柵極覆蓋層168的一部分以 使列柵極片段210的部分暴露。在某些實(shí)施例中，此蝕刻可不移除覆蓋行柵極186、187、188 及190的保護(hù)電介質(zhì)190的實(shí)質(zhì)部分，使得這些結(jié)構(gòu)大體上保持與列柵極片段210隔離。接下來(lái)，如由圖37所說(shuō)明，可在襯底110上形成電容器板274。電容器板274可包 括上部杯狀部分276及下部觸點(diǎn)278?？赏ㄟ^(guò)沉積一犧牲層且接著在所述犧牲層中蝕刻與 電容器板274互補(bǔ)的孔來(lái)形成杯狀部分276。在形成所述孔后，可在所述犧牲層上沉積一大 體上共形的膜，且(例如)通過(guò)化學(xué)機(jī)械平坦化來(lái)對(duì)其進(jìn)行平坦化以移除所述共形膜的安 置于所述孔外的部分，借此留下杯狀部分276。電容器板274可由導(dǎo)電材料(例如，金屬、摻 雜多晶硅或其它適當(dāng)材料)制成。下部觸點(diǎn)278可連接到支腳204及列柵極片段210的上 升部216兩者。在隨后步驟中，可在電容器板274上沉積一電容器電介質(zhì)，且可通過(guò)在襯底 110上沉積一導(dǎo)電膜來(lái)形成一共同電容器板，借此形成電容器。在操作中，電容器板274可通過(guò)聚集電荷來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。電荷的大小可對(duì)應(yīng)于特定 數(shù)據(jù)值，例如，小電荷可對(duì)應(yīng)于零，且較大電荷可對(duì)應(yīng)于一。在一些實(shí)施例中，所存儲(chǔ)電荷的 范圍可劃分成對(duì)應(yīng)于多個(gè)位的數(shù)據(jù)值(例如，兩個(gè)、三個(gè)、四個(gè)或四個(gè)以上位)的較小增量。圖38說(shuō)明連接到電容器板274的單一單元192的實(shí)例。在此實(shí)施例中，電容器板 274為數(shù)據(jù)元件，鰭狀物196形成通過(guò)行柵極189控制的存取裝置，且鰭狀物194形成通過(guò)行柵極186及187以及列柵極片段210 (圖27)兩者控制的驅(qū)動(dòng)器。當(dāng)給行柵極186及187 通電使電壓超過(guò)閾值電壓時(shí)，電流可從電壓源連接器268流動(dòng)到數(shù)據(jù)線260，此取決于列柵 極片段210(圖27)上的通過(guò)電容器板274確定的電壓的量值。來(lái)自電壓源的此電流的量 值可指示通過(guò)改變數(shù)據(jù)線260的電壓由電容器板274存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)的值。舉例來(lái)說(shuō)，數(shù)字線 260的電壓的上升可對(duì)應(yīng)于所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)值1，且數(shù)字線260的電壓的減小可對(duì)應(yīng)于所存儲(chǔ) 的數(shù)據(jù)值0。圖39說(shuō)明單元192的陣列280的一個(gè)實(shí)例。所說(shuō)明的陣列280可包括多個(gè)單元 192、一讀取控制驅(qū)動(dòng)器282、一寫(xiě)入控制驅(qū)動(dòng)器284、一數(shù)據(jù)傳感器286、一數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器288， 及一電壓源290。如上所述，單元192可各自包括一電容器板274、列柵極片段210，及支腳 200,202,204及206。單元192的支腳202及206可連接到數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器288及數(shù)據(jù)傳感器 286，且支腳200可經(jīng)由電壓源連接器268連接到電壓源290。在操作中，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器288可經(jīng)由數(shù)據(jù)線260輸出一電壓或電流以將數(shù)據(jù)寫(xiě)入到 電容器板274，且數(shù)據(jù)傳感器286可讀取(例如，分類成對(duì)應(yīng)于數(shù)字值的離散類別)數(shù)據(jù)線 260上的由單元192輸出的電流或電壓。讀取控制驅(qū)動(dòng)器282可經(jīng)配置以通過(guò)確定選定單 元192的行柵極186及187上的電壓來(lái)選擇單元192以進(jìn)行讀取。在一些實(shí)施例中，這些 行柵極186及187可被稱為讀取控制線或讀取字線。寫(xiě)入控制驅(qū)動(dòng)器284可經(jīng)配置以通過(guò) 確定與一單元192相關(guān)聯(lián)的行柵極189上的電壓來(lái)選擇所述單元192。在一些實(shí)施例中，行 柵極189可被稱為寫(xiě)入控制線或?qū)懭胱志€。陣列280中所說(shuō)明的單元192可布置成大體上矩形的柵格(例如，其可具有大體 上類似的定向且可布置于大體上正交的行及列中)。在其它實(shí)施例中，其可具有其它布置。 舉例來(lái)說(shuō)，如由圖40的陣列292所說(shuō)明，單元192可布置于偏移行中成六角形柵格，或單元 192可以不同定向布置于鄰近行中。在此實(shí)施例中，單元192可定向于第一方向上，且鄰近 行中的單元192'可定向于相反方向上且偏移了單元192的約一半。圖41到圖63說(shuō)明用于形成具有驅(qū)動(dòng)器的數(shù)據(jù)單元的過(guò)程的另一實(shí)例。在本實(shí)例 中，所述過(guò)程開(kāi)始于獲得處于由圖41所說(shuō)明的狀態(tài)下的襯底294。可通過(guò)執(zhí)行(或與他人 簽訂合同以執(zhí)行)圖1到圖10所說(shuō)明且在上文描述的步驟來(lái)獲得襯底294。因此，襯底294 可包括先前所描述的上部摻雜區(qū)112、下部摻雜區(qū)114、列隔離溝槽142、電介質(zhì)146、垂直突 出物148，及第二群組列間隔片150。在一些實(shí)施例中，圖41的襯底294可在至少一方面不同于圖10的襯底110。鄰近 列間隔片150之間的間隙295可寬于間隙154 (圖10)?？赏ㄟ^(guò)調(diào)整列掩模126 (圖3)的間 隔以增加列隔離溝槽142對(duì)之間的距離來(lái)使較寬間隙295變寬。接下來(lái)，如由圖42所說(shuō)明，可形成第三列間隔片296。可通過(guò)在襯底294上沉積 一膜且接著大體上各向異性地蝕刻所述膜以將所述膜從水平表面移除來(lái)形成第三列間隔 片296。所述第三列間隔片296可在較寬間隙295中大體上界定一間隙298。在一些實(shí)施 例中，間隙298可大體上等于間隙154(圖3)。第三列間隔片296可由與第二群組列間隔片 150及垂直突出物148不同的材料制成以促進(jìn)選擇性地移除第三列間隔片296。舉例來(lái)說(shuō)， 第二群組列間隔片150及垂直突出物148可為氧化物，且第三列間隔片296可為多晶硅。在形成第三列間隔片296后，如由圖43所說(shuō)明，可在襯底294上形成遮蔽材料 300。遮蔽材料300可以蓋層302形成以平坦化襯底294。在一些實(shí)施例中，遮蔽材料300
12為與第三列間隔片296不同的材料以促進(jìn)選擇性地移除這些材料。舉例來(lái)說(shuō)，遮蔽材料300 可為氧化物。接下來(lái)，如由圖44所說(shuō)明，可平坦化襯底294。平坦化可包括通過(guò)在所蝕刻的材 料中大體上具非選擇性的蝕刻(例如，此項(xiàng)技術(shù)中被稱為“鱷式蝕刻”的蝕刻)來(lái)蝕刻襯底 294或通過(guò)化學(xué)機(jī)械平坦化來(lái)拋光襯底294。在平坦化襯底294后，如由圖45所說(shuō)明，可形成列凹口掩模302。列凹口掩模302 可為硬掩模(例如，氧化物硬掩模)，或其可由光致抗蝕劑制成。列凹口掩模302可大體上 覆蓋襯底294，列隔離溝槽142對(duì)之間第三列間隔片296中的一者上方的空間除外。在所說(shuō) 明的實(shí)施例中，列凹口掩模302的暴露區(qū)304可與所留下的第三列間隔片296大體上對(duì)準(zhǔn)。 可使暴露區(qū)304寬于所留下的第三列間隔片296以增加Y方向上的對(duì)準(zhǔn)裕度，因?yàn)猷徑?所留下的第三列間隔片296的結(jié)構(gòu)150及300可充當(dāng)硬掩模。接下來(lái)，如由圖46所說(shuō)明，可在襯底294中形成列凹口 306。在一些實(shí)施例中，可 通過(guò)選擇性地蝕刻安置于所暴露區(qū)304下方的第三列間隔片296，且接著使用第二群組列 間隔片150及遮蔽材料300作為掩模以蝕刻貫通上部摻雜區(qū)112來(lái)形成列凹口 306。在第 三列間隔片296是由多晶硅制成的實(shí)施例中，可通過(guò)四甲基氫氧化銨(TMAH)蝕刻來(lái)移除第 三列間隔片296。移除第三列間隔片296中的一者可形成間隙308，其可大體上界定列凹口 306的寬度。在一些實(shí)施例中，間隙308可窄于或大體上等于1F、3/4F或1/2F。在形成列凹口 306后，如由圖47所說(shuō)明，可移除列凹口掩模302，且可用列凹口電 介質(zhì)310來(lái)部分地或完全地填充列凹口 306?？赏ㄟ^(guò)在列凹口 306中沉積一電介質(zhì)材料(例 如，如正硅酸四乙酯(TEOS)的氧化物)直到實(shí)質(zhì)上填充列凹口 306為止來(lái)形成列凹口電介 質(zhì)310。在一些實(shí)施例中，列凹口電介質(zhì)310可包括鄰近于上部摻雜區(qū)112及下部摻雜區(qū) 114的一個(gè)或一個(gè)以上襯層材料，例如氧化物及氮化物襯層。 接下來(lái)，如由圖48所說(shuō)明，在一些實(shí)施例中，可在襯底294上形成第二列凹口掩模 312。第二列凹口掩模312可為硬掩模(例如，氧化物硬掩模)，或其可由光致抗蝕劑制成， 且其可界定多個(gè)暴露區(qū)314。在此實(shí)施例中，暴露區(qū)314可布置成大體上矩形的柵格，但在 其它實(shí)施例中，其可不同地布置(例如)成大體上六角形的柵格。所說(shuō)明的暴露區(qū)314可 界定大體上立方形的體積，但在其它實(shí)施例中，其可具有其它形狀，例如，其可大體上界定 正橢圓圓柱體積或正圓形圓柱體積。在此實(shí)施例中，暴露區(qū)314大體上安置于剩余第三列 間隔片296上方且與此結(jié)構(gòu)大體上對(duì)準(zhǔn)。為增加Y方向上的對(duì)準(zhǔn)裕度，暴露區(qū)314可具有 寬于剩余第三列間隔片296的寬度318的寬度316。 接下來(lái)，如由圖49所說(shuō)明，可在襯底294中形成列溝槽片段319?？稍趦蓚€(gè)步驟 中形成列溝槽片段319。在一些實(shí)施例中，可(例如)通過(guò)TMAH濕式蝕刻或干式蝕刻來(lái)移 除第三列間隔片296的安置于暴露區(qū)314下方的一部分?？赏ㄟ^(guò)對(duì)第三列間隔片296大體 上具選擇性且對(duì)第二列間隔片150或遮蔽材料300大體上不具選擇性的蝕刻來(lái)移除第三列 間隔片296的此部分。作為此選擇性的結(jié)果，在一些實(shí)施例中，這些材料150及300的實(shí)質(zhì) 部分可保留在襯底294上，借此充當(dāng)界定窄于暴露區(qū)314的寬度316的寬度320的硬掩模。 在形成貫通第三列間隔片296的開(kāi)口后，可形成列溝槽片段319的剩余物。在一些實(shí)施例 中，可使用第二列凹口掩模312界定X方向上的特征及使用第二群組列間隔片150及遮蔽 材料300界定Y方向上的特征來(lái)大體上各向異性地蝕刻上部摻雜區(qū)112及下部摻雜區(qū)114。列溝槽片段319可具有大體上等于列凹口 306的寬度308的寬度。雖然未展示，但列溝槽片段319的一側(cè)或兩側(cè)的底部可植入有高Vth植入物以抑 制寄生裝置的N通道形成。舉例來(lái)說(shuō)，列溝槽片段319的右側(cè)321可植入有成角的植入物。在形成列溝槽片段319后，如由圖50所說(shuō)明，可移除第二列凹口掩模312，且可形 成列柵極電介質(zhì)322。列柵極電介質(zhì)322可包括在上文參考由圖21所說(shuō)明的列柵極電介質(zhì) 164來(lái)描述的材料中的任一者。在形成列柵極電介質(zhì)322后，如由圖51所說(shuō)明，可形成列柵極片段324。可通過(guò) (例如)通過(guò)化學(xué)氣相沉積或物理氣相沉積來(lái)在襯底294上沉積導(dǎo)電材料(例如，金屬或摻 雜多晶硅(例如，η+摻雜多晶硅))來(lái)形成列柵極片段324。在一些實(shí)施例中，可接著蝕刻 所述導(dǎo)電材料以使所述導(dǎo)電材料凹進(jìn)到列溝槽片段319中。在所述過(guò)程的此階段處，列柵 極片段324可大體上在X方向上延伸且可與其它列柵極片段324大體上隔離。接下來(lái)，如由圖52所說(shuō)明，可平坦化襯底294。平坦化可包括移除安置于上部摻雜 區(qū)112上方的材料的一些或?qū)嵸|(zhì)上全部?？赏ㄟ^(guò)化學(xué)機(jī)械平坦化或大體上非選擇性的蝕刻 (例如，鱷式蝕刻)來(lái)平坦化襯底294。在平坦化之后，如由圖53所說(shuō)明，可在襯底294上形成行掩模326。行掩模326可 為軟掩模或硬掩模，且其可大體上界定多個(gè)遮蔽區(qū)328及暴露區(qū)330，其兩者可大體上在Y 方向上延伸。在一些實(shí)施例中，可通過(guò)亞光刻技術(shù)(例如，使通過(guò)光刻形成的掩模成雙間距 或回流)來(lái)界定遮蔽區(qū)328的寬度。遮蔽區(qū)328可大體上彼此平行且大體上為直的，或在其 它實(shí)施例中，其可具有其它形狀，例如，其可左右地成波浪形，其可為不連續(xù)的，或其可沿著 Y軸而改變寬度。在一些實(shí)施例中，遮蔽區(qū)328的寬度大體上等于或小于F、3/4F或1/2F。 寬度330可大于寬度328，例如，在一些實(shí)施例中，寬度330可大體上等于F。遮蔽區(qū)328可 與列柵極片段324的相對(duì)末端大體上對(duì)準(zhǔn)且部分地或?qū)嵸|(zhì)上完全地安置于列柵極片段324 的相對(duì)末端上方。接下來(lái)，如由圖54所說(shuō)明，可形成行柵極溝槽332?？赏ㄟ^(guò)大體上各向異性地蝕刻 遮蔽區(qū)328之間的襯底294來(lái)形成行柵極溝槽332。行柵極溝槽332可界定鰭狀物行334。 行柵極溝槽332可具有大于列凹口 306的深度338的深度336，但在一些實(shí)施例中，不如列 溝槽片段319的深度340般大。在形成行柵極溝槽332后，如由圖55所說(shuō)明，可移除行掩模326，且可在襯底294 上形成行柵極電介質(zhì)342。行柵極電介質(zhì)341可包括在上文參考圖21中的列柵極電介質(zhì) 164來(lái)描述的材料中的任一者。接下來(lái)，如由圖56所說(shuō)明，可形成行柵極342、344、346及348?？赏ㄟ^(guò)側(cè)壁間隔片 方法(例如)通過(guò)沉積一導(dǎo)電材料的毯覆式膜且接著大體上各向異性地蝕刻所述導(dǎo)電材料 以將所述導(dǎo)電材料從水平表面移除同時(shí)留下鄰近于大體上垂直的表面的一些導(dǎo)電材料來(lái) 形成行柵極342、344、346及348。行柵極342、344、346及348可由各種導(dǎo)電材料(例如，金 屬(例如，TiN)或摻雜多晶硅)制成或包括各種導(dǎo)電材料(例如，金屬(例如，TiN)或摻雜 多晶硅)。所說(shuō)明的行柵極342、344、346及348大體上在X方向上延伸，且可與列柵極片段 324大體上成直角。圖56說(shuō)明單元350的陣列，且由圖57更詳細(xì)地說(shuō)明個(gè)別單元350的部分。具體 來(lái)說(shuō)，圖57說(shuō)明單元350的行柵極342、344、346及348、列柵極片段324，及半導(dǎo)體部分358
14的分解圖，半導(dǎo)體部分358可由上部摻雜區(qū)112及下部摻雜區(qū)114形成。為清楚地顯示這 些特征，圖57中不展示單元350的絕緣部分。單元350可消耗大體上等于或小于30F2、25F2 或18F2的水平表面積。列柵極片段324可大體上對(duì)稱且可包括通過(guò)內(nèi)埋式部件356接合的上升部352及 354。在一些實(shí)施例中，上升部352及354可安置于內(nèi)埋式部件356的相對(duì)遠(yuǎn)端部分處或附 近。上升部352及354可與內(nèi)埋式部件356大體上成直角，所述內(nèi)埋式部件356可在X方向 上大體上水平地延伸。在一些實(shí)施例中，可將列柵極片段324表征為大體上具有U形。除 了隨后形成的連接外，列柵極片段324可與其它單元350中的其它列柵極片段大體上電隔 離。另外，在一些實(shí)施例中，再次除了一些隨后形成的連接外，列柵極片段324也可與行柵 極342、344、346及348大體上電隔離。半導(dǎo)體部分350可包括兩個(gè)鰭狀物360及362以及一空腔364。鰭狀物360及362 中的每一者可包括三個(gè)支腳366、368、370、372、374及376。在其它實(shí)施例中，鰭狀物360及 362可在單一單元350內(nèi)包括更多或更少的支腳。支腳366與368及支腳372與374可通 過(guò)凹口 378及380而彼此分隔。這些凹口 378及380可比上部摻雜區(qū)112深，但在一些實(shí) 施例中，不如鰭狀物360及362的高度382般深。其它支腳368與370及374與376可通 過(guò)空腔364而彼此分隔，空腔364可延伸超過(guò)鰭狀物360及362的高度382?？涨?64的形 狀可與列柵極片段324的形狀大體上互補(bǔ)。圖58到圖63說(shuō)明可將單元350連接到數(shù)據(jù)元件(例如，電容器板274)的一個(gè)方 法。在一些實(shí)施例中，可通過(guò)上文參看圖31到圖38來(lái)描述的過(guò)程的經(jīng)修改型式來(lái)將單元 350連接到電容器板274、數(shù)字線260及電壓源連接器268。在此實(shí)施例中，觸點(diǎn)266及下 部觸點(diǎn)278的位置可相對(duì)于數(shù)據(jù)線260移位以使觸點(diǎn)266及278與單元350的某些部分對(duì) 準(zhǔn)。具體來(lái)說(shuō)，數(shù)據(jù)線260可連接到支腳366及372，且觸點(diǎn)266可將電壓源連接器268連 接到支腳370。下部觸點(diǎn)278可將電容器板274的杯狀部分276連接到支腳374及376以 及列柵極片段324的上升部354兩者。雖然未展示于圖58到圖63中，但單元350還可包 括電介質(zhì)體262及270以及由圖37所說(shuō)明的其它絕緣體。在操作中，單元350可與由圖30所說(shuō)明的電路表現(xiàn)得類似或相同。行柵極342及 344可充當(dāng)讀取控制線CL READ，且行柵極346及348可充當(dāng)寫(xiě)入控制線CL WRITE。鰭狀物 360可充當(dāng)驅(qū)動(dòng)器252，且鰭狀物362可充當(dāng)晶體管250。圖61到圖63的橫截面圖說(shuō)明流經(jīng)單元350的電流。如由圖61所說(shuō)明，為將數(shù)據(jù) 寫(xiě)入到單元350，可給行柵極346及348通電，且可對(duì)電容器板274充電或放電?？赏ㄟ^(guò)電 容器板274與數(shù)據(jù)線260之間的電流(如通過(guò)箭頭360指示)來(lái)調(diào)整電容器板274的電 荷。電流360可從支腳372的上部摻雜部分112經(jīng)由下部摻雜部分114中的通道流動(dòng)到支 腳374的上部摻雜部分112。可通過(guò)從行柵極346及348(圖58)發(fā)出的電場(chǎng)來(lái)形成下部摻雜部分114中的通 道。在一些實(shí)施例中，單元350可形成各自鄰近于鰭狀物362的任一側(cè)上的行柵極346及 348中的一者的兩個(gè)大體上平行的通道。如由圖61中的箭頭360所指示，這些通道可大體 上具有U形，且其可在列凹口電介質(zhì)310周?chē)纬梢粚?dǎo)電路徑，接合支腳372及374的上部 摻雜區(qū)112。電流360(圖61)可朝向或遠(yuǎn)離電容器板274流動(dòng)，此取決于實(shí)施例、正寫(xiě)入到電容器板274的數(shù)據(jù)值，和先前寫(xiě)入到電容器板274的數(shù)據(jù)值。在一些實(shí)施例中，此電流360 的一部分也可對(duì)列柵極片段324充電或放電。一旦調(diào)整電容器274的電荷以反映正寫(xiě)入的 數(shù)據(jù)值，便可對(duì)行柵極346及340斷電，從而關(guān)閉支腳372與374之間的導(dǎo)電通道，且阻礙 電容器板274上的電荷改變?，F(xiàn)將參看圖62及圖63來(lái)描述讀取操作的實(shí)例。為讀取數(shù)據(jù)，可將電壓源連接器 268與數(shù)據(jù)線260之間的電流(或由此電流產(chǎn)生的電壓改變)分類為對(duì)應(yīng)于一數(shù)據(jù)值，例 如，0、1或多位數(shù)字值。此電流的量值可受由電容器板274存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)影響。電容器板274 的電壓可對(duì)應(yīng)于(例如，大體上相同于)列柵極片段324的電壓，因?yàn)榇穗妷嚎蓚鞑ソ?jīng)過(guò)電 容器板274的下部觸點(diǎn)部分278、經(jīng)過(guò)列柵極片段324的上升部354、跨過(guò)內(nèi)埋式部件356 且進(jìn)入上升部352中。通過(guò)圖63的橫截面圖來(lái)說(shuō)明此路徑。從列柵極片段324且更具體來(lái)說(shuō)從上升部352發(fā)出的電場(chǎng)可建立一導(dǎo)電通道，所 述通道在支腳372的上部摻雜區(qū)112與支腳368的上部摻雜區(qū)112之間延伸。如由圖62所 說(shuō)明，如由箭頭362所指示，此導(dǎo)電通道可載運(yùn)電壓源連接器268與支腳368之間的電流。當(dāng)讀取數(shù)據(jù)時(shí)，可給行柵極342及344通電，且來(lái)自使用或行柵極342及344的電 場(chǎng)可建立一通道，所述通道載運(yùn)支腳368與支腳366之間的電流，如由箭頭364所說(shuō)明。在 一些實(shí)施例中，給行柵極342及344通電可在鰭狀物360的任一側(cè)上建立兩個(gè)導(dǎo)電通道，且 這些導(dǎo)電通道可通過(guò)在列凹口電介質(zhì)310周?chē)由靵?lái)連接支腳366及368的上部摻雜區(qū) 112。來(lái)自行柵極342及344的通道及來(lái)自列柵極片段324的通道可均大體上具有U形，且 來(lái)自行柵極342及344的通道可大體上正交于來(lái)自列柵極片段324的通道。在讀取操作期間，電流可在電壓源連接器268與數(shù)據(jù)線260之間流動(dòng)，此部分取決 于電容器板274的電荷。如果對(duì)電容器板274充電，那么也可對(duì)列柵極片段324充電，且來(lái) 自列柵極片段324的電場(chǎng)可形成用于電流362的導(dǎo)電通道。如果不對(duì)電容器板274充電， 那么在一些實(shí)施例中，列柵極片段324可不在支腳368與370之間建立導(dǎo)電通道，且電流不 可在電壓源連接器268與數(shù)據(jù)線260之間流動(dòng)。在讀取操作期間的電流流動(dòng)也可部分取決 于由支腳368及370形成的晶體管，因?yàn)槠淇山㈦妷涸催B接器268與數(shù)據(jù)線260之間的 導(dǎo)電路徑的載運(yùn)電流364的部分。由圖58到圖63所說(shuō)明的結(jié)構(gòu)可為由圖30所說(shuō)明的電路的一個(gè)實(shí)例。列柵極片 段324可基于電容器板274的電壓來(lái)驅(qū)動(dòng)電流362 (圖62)，充當(dāng)由圖30所說(shuō)明的驅(qū)動(dòng)器 215中的放大晶體管258。類似地，由支腳366及368以及行柵極342及344形成的晶體管 可充當(dāng)由圖30所說(shuō)明的驅(qū)動(dòng)器252中的存取晶體管254及256。其共同可形成AND門(mén)。如上所述，使用驅(qū)動(dòng)器電路來(lái)傳輸指示一數(shù)據(jù)值的信號(hào)被認(rèn)為促進(jìn)了較小數(shù)據(jù)元 件的使用、允許更快地檢測(cè)來(lái)自數(shù)據(jù)元件的信號(hào)，及允許來(lái)自存儲(chǔ)多位數(shù)據(jù)值的數(shù)據(jù)元件 的信號(hào)的更細(xì)的分辨率。在一些實(shí)施例中，讀取為非破壞性的，例如，電荷及對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)即使 在讀取后也保留于電容器上。另外，一些實(shí)施例可以類似于SRAM的速度來(lái)操作。所添加的 信號(hào)強(qiáng)度也可用于使數(shù)字線變長(zhǎng)，其可減少晶片上讀出放大器的數(shù)目且減少裸片大小。在 一些實(shí)施例中，多個(gè)位可存儲(chǔ)于單一存儲(chǔ)器元件上，且驅(qū)動(dòng)器可放大對(duì)應(yīng)于不同數(shù)據(jù)值的 信號(hào)的較小差異。并非所有實(shí)施例將提供所有這些益處，且一些實(shí)施例可因其它原因而為 有用的且可能不提供這些益處中的任一者。雖然本發(fā)明可易于進(jìn)行各種修改及替代形式，但已在圖式中以舉例方式來(lái)展示特
16定實(shí)施例且在本文中對(duì)其加以詳細(xì)描述。然而，應(yīng)理解，本發(fā)明不希望限于所揭示的特定形 式。實(shí)情為，本發(fā)明將涵蓋屬于由所附權(quán)利要求書(shū)所界定的本發(fā)明的精神及范圍內(nèi)的所有 修改、均等物及替代例。
權(quán)利要求
一種裝置，其包含第一半導(dǎo)體鰭狀物，其具有第一柵極；第二半導(dǎo)體鰭狀物，其鄰近于所述第一半導(dǎo)體鰭狀物且具有第二柵極；以及第三柵極，其在所述第一半導(dǎo)體鰭狀物與所述第二半導(dǎo)體鰭狀物之間延伸，其中所述第三柵極不電連接到所述第一柵極或所述第二柵極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述第三柵極在所述第一柵極、所述第二柵極或 所述兩者下延伸。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述第三柵極不延伸到除了所述第一半導(dǎo)體鰭狀 物及所述第二半導(dǎo)體鰭狀物之外的半導(dǎo)體鰭狀物。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述第一半導(dǎo)體鰭狀物大體上平行于所述第二半 導(dǎo)體鰭狀物而延伸。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述第一半導(dǎo)體鰭狀物包含三個(gè)支腳。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其中所述三個(gè)支腳各自包含遠(yuǎn)端部分，所述遠(yuǎn)端部分 經(jīng)摻雜為不同于所述支腳的剩余部分。
7.一種電路，其包含 多個(gè)數(shù)據(jù)單元，其各自包含 數(shù)據(jù)元件；以及驅(qū)動(dòng)器，其連接到所述數(shù)據(jù)元件。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電路，其中所述數(shù)據(jù)元件包含存儲(chǔ)器元件或成像元件。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電路，其中所述數(shù)據(jù)元件包含電容器。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電路，其包含 讀取存取裝置，其耦合到所述數(shù)據(jù)元件；以及 數(shù)據(jù)線，其耦合到所述讀取存取裝置。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電路，其包含 讀取控制線，其連接到所述驅(qū)動(dòng)器；以及寫(xiě)入控制線，其連接到所述讀取存取裝置的晶體管柵極。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電路，其中所述驅(qū)動(dòng)器包含 寫(xiě)入存取裝置；以及放大晶體管。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電路，其中所述放大晶體管的柵極連接到所述數(shù)據(jù)元件。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電路，其中所述寫(xiě)入存取裝置包含通過(guò)所述放大晶體管彼 此連接的兩個(gè)晶體管。
15.一種方法，其包含通過(guò)改變電容器的電壓來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)；將所述電容器的所述電壓施加到第一鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的第一柵極； 至少部分根據(jù)所述第一柵極的所述電壓來(lái)控制流經(jīng)所述第一鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電 流；以及通過(guò)測(cè)量所述電流或由所述電流產(chǎn)生的電壓的改變來(lái)讀取所述所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其包含將讀取電壓施加到所述第一鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的第二柵極。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中存儲(chǔ)數(shù)據(jù)包含經(jīng)由第二鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管來(lái)傳 導(dǎo)第二電流。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中將所述電容器的所述電壓施加到所述鰭式場(chǎng)效 應(yīng)晶體管的所述第一柵極包含在所述第一鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的所述第二柵極下經(jīng)由導(dǎo)體 來(lái)傳播所述電壓，所述導(dǎo)體在所述第一鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管與所述第二鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管之 間延伸。
19.一種方法，其包含 在襯底中形成多個(gè)絕緣溝槽；在所述絕緣溝槽之間形成多個(gè)溝槽片段；形成多個(gè)鰭狀物，其中所述溝槽片段在鄰近鰭狀物對(duì)之間延伸但不在四個(gè)以上的鰭狀 物之間延伸。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中所述溝槽片段不在兩個(gè)以上的鄰近鰭狀物之間延伸。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其包含在形成所述多個(gè)鰭狀物之前在所述溝槽片段 中形成柵極。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其包含在所述絕緣溝槽之間形成凹口。
23.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其包含以側(cè)壁間隔片來(lái)形成鄰近于所述多個(gè)鰭狀物 的側(cè)的柵極。
24.一種存儲(chǔ)器裝置，其包含存儲(chǔ)器單元的陣列，每一存儲(chǔ)器單元包含 電容器板；以及第一晶體管，其具有連接到所述電容器板的柵極。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的存儲(chǔ)器裝置，其中每一單元包含與所述第一晶體管串聯(lián)連 接的第二晶體管，其中所述第一晶體管及所述第二晶體管為鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
全文摘要
本發(fā)明揭示方法及裝置，其中裝置包括第一半導(dǎo)體鰭狀物，其具有第一柵極；第二半導(dǎo)體鰭狀物，其鄰近于所述第一半導(dǎo)體鰭狀物且具有第二柵極；以及第三柵極，其在所述第一半導(dǎo)體鰭狀物與所述第二半導(dǎo)體鰭狀物之間延伸。在一些實(shí)施例中，所述第三柵極可不電連接到所述第一柵極或所述第二柵極。
文檔編號(hào)H01L21/336GK101983422SQ200980112123
公開(kāi)日2011年3月2日 申請(qǐng)日期2009年3月5日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月3日
發(fā)明者沃納·云林 申請(qǐng)人:美光科技公司